制剂和电子器件.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 102869672 A (43)申请公布日 2013.01.09 C N 1 0 2 8 6 9 6 7 2 A *CN102869672A* (21)申请号 201080066572.X (22)申请日 2010.11.26 PCT/EP2010/002683 2010.05.03 EP PCT/EP2010/005056 2010.08.18 EP PCT/EP2010/005648 2010.09.15 EP C07F 15/00(2006.01) H01L 51/54(2006.01) H01L 51/46(2006.01) H01L 51/30(2006.0。

2、1) H01L 51/00(2006.01) (71)申请人默克专利有限公司 地址德国达姆施塔特 (72)发明人雷米马努克安米安 苏珊霍伊恩 托马斯埃伯利 菲利普施特塞尔 奥雷莉吕德曼 迪特马尔孔克尔 (74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限 责任公司 11219 代理人张爽 郭国清 (54) 发明名称 制剂和电子器件 (57) 摘要 本发明涉及包含至少一种溶剂和至少两种 通式（I）官能化合物的制剂，其中A是官能结构 单元，B是溶解度促进结构单元，并且k是在1至 20范围内的整数，所述官能化合物的分子量至少 为550g/mol，并且所述溶解促进结构单元B符合 通式（L-I），其中Ar 1 。

3、、Ar 2 各自彼此独立地是芳基 或杂芳基基团，该芳基或杂芳基基团可被一个或 多个任意基团R取代，X在每一情况下彼此独立 地是N或CR 2 ，优选CH，R 1 和R 2 各自彼此独立地 是氢，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基 或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的 支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或 者是甲硅烷基基团或具有1至40个C原子的取 代的酮基基团，具有2至40个C原子的烷氧基 羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基 基团，氰基基团（-CN），氨基甲酰基基团（-C(=O) NH 2 ），卤甲酰基基团（-C(=O)-X，其中X代表卤素 原子），甲酰基基团（-C(=O。

4、)-H），异氰基基团，异 氰酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟 基基团，硝基基团，CF 3 基团，Cl，Br，F，可交联的 基团，或者具有5至60个环原子的取代或未取代 的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个环原子的 芳氧基或杂芳氧基基团，或所述这些体系的组合， 其中一个或多个基团R 1 和/或R 2 可以彼此和/ 或与基团R 1 键合的环形成单环或多环的脂族或 芳族环系；并且I是0、1、2、3或4；其中虚线键 表示与官能结构单元A键合的键。此外，本发明 涉及包含所述这些化合物的混合物的电子器件。 (30)优先权数据 (85)PCT申请进入国家阶段日 2012.11.01 (86)PCT。

5、申请的申请数据 PCT/EP2010/007176 2010.11.26 (87)PCT申请的公布数据 WO2011/137922 DE 2011.11.10 (51)Int.Cl. 权利要求书3页 说明书72页 附图1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 3 页 说明书 72 页 附图 1 页 1/3页 2 1.制剂，其包含至少一种溶剂和至少两种不同的通式（I）官能化合物， 其中 A是官能结构单元， B是溶解度促进结构单元，并且 k是在1至20范围的整数， 所述官能化合物的分子量至少为550g/mol，并且 所述溶解度促进结构单元B符合通式（L-I）， 。

6、其中 Ar 1 、Ar 2 各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，所述基团可被一个或多个任何希望类型 的基团R取代， X在每一情况下彼此独立地是N或CR 2 ，优选CH， R 1 、R 2 各自彼此独立地是氢，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基 团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者是甲硅 烷基基团或具有1至40个C原子的取代的酮基基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基 基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN），氨基甲酰基基团（-C(=O) NH 2 ），卤甲酰基基团（-C(=O)-X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C。

7、(=O)-H），异氰基基 团，异氰酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF 3 基团，Cl，Br， F，可交联的基团或者具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5 至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中一个或多个基团R 1 和/ 或R 2 可以彼此和/或与所述基团R 1 键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系；并且 l是0、1、2、3或4； 其中所述虚线键表示与官能结构单元A键合的键。 2.根据权利要求1所述的制剂，其特征在于至少一种通式（I）的官能化合物包含通式 （L-II）的溶解度促进结构单元B 权 利 要 求 书CN 10。

8、2869672 A 2/3页 3 其中 R 1 、R 2 、R 3 、R 4 各自彼此独立地是具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基 基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者是甲硅 烷基基团或具有1至40个C原子的取代的酮基基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基 基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，甲酰基基团（-C(=O)-H），CF 3 基团，Cl，Br， F，可交联的基团或者具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5 至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中所述基团R 1 、R 2 、R 3 和/。

9、 或R 4 中的一个或多个可以彼此和/或与另一个环形成单环或多环的脂族或芳族环系； m是0、1、2或3； n、o各自彼此独立地是0、1、2、3、4或5，并且 所述虚线键和标记I具有在权利要求1中给出的含义。 3.根据权利要求1或2所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化 合物，在所述官能化合物中，通式（I）中的官能结构单元A是可作为主体材料的单元。 4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一 种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式（I）中的官能结构单元A是具有空穴注入 和/或空穴传输性能的单元。 5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的制。

10、剂，其特征在于所述制剂包含至少一 种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式（I）中的官能结构单元A是具有电子注入 和/或电子传输性能的单元。 6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一 种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式（I）中的官能结构单元A是具有发光性能 的单元。 7.根据权利要求6所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化合 物，在所述官能化合物中，通式（I）中的官能结构单元A是具有磷光性能的单元。 8.根据权利要求6或7所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化 合物，在所述官能化合物中，通式（I）中的官能结构单元。

11、A是包含至少一个原子序数大于36 的重原子的单元。 9.根据权利要求1至8中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一 种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式（I）中的官能结构单元A是改进发光化合 物从单重态到三重态的跃迁的单元。 10.根据权利要求1至9中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一 权 利 要 求 书CN 102869672 A 3/3页 4 种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式（I）中的官能结构单元A是具有发光性能 的单元，和包含至少一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式（I）中官能结构单 元A是可作为主体材料的单元。 11.根据权。

12、利要求1至10中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少 两种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，在通式（I）中的官能结构单元A是可作为主 体材料的单元。 12.根据权利要求1至11中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少 一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式（I）中的官能结构单元A是可作为主体 材料的单元，其中所述官能结构单元A具有至少一个氮原子。 13.根据权利要求1至12中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少 一种如下的官能化合物，该官能化合物不包含通式（L-I）的溶解度促进结构单元B。 14.根据权利要求1至13中的一项或多项所述的制剂，。

13、其特征在于在不包含通式 （L-I）溶解度促进结构单元B的制剂中的官能化合物的比例至多为基于所述官能化合物的 总重量计的50重量。 15.根据权利要求1至14中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少 80重量的芳族或杂芳族溶剂。 16.根据权利要求1至15中的一项或多项所述的制剂，其特征在于在通式（I）中的标 记k是大于或等于2的整数。 17.根据权利要求1至16中的一项或多项所述的制剂，其特征在于通式（I）的官能化 合物的分子量至少为800g/mol。 18.根据权利要求1至17中的一项或多项所述的制剂，其特征在于通式（I）的官能化 合物的玻璃化转变温度至少为70。 19.根据权利。

14、要求1至18中的一项或多项所述的制剂，其特征在于在通式（I）中结构 单元A与结构单元B的重量比在21至120的范围内。 20.电子器件，其能够使用根据权利要求1至19中的一项或多项所述的制剂得到。 21.根据权利要求20所述的电子器件，其特征在于所述至少两种通式（I）的官能化合 物作为空穴传输、空穴注入、发光体、电子传输、电子注入、电荷阻挡和/或电荷产生层存在 于所述器件中。 22.根据权利要求20或21所述的电子器件，其特征在于所述电子器件是有机电致发光 器件（OLED）、聚合电致发光器件（PLED）、有机集成电路（O-IC）、有机场效晶体管（O-TFT）、 有机薄膜晶体管（O-TFT）、有。

15、机发光晶体管（O-LET）、有机太阳能电池（O-SC）、有机光学探 测器、有机光感受器、有机场猝熄器件（O-FQD）、发光电化学电池（LEC）或有机激光器二极 管（O-laser）。 23.用于制造权利要求20至22中的一项或多项所述的电子器件的方法，其特征在于将 权利要求1至19中的至少一项所述的制剂施加到基底上并随后干燥。 权 利 要 求 书CN 102869672 A 1/72页 5 制剂和电子器件 技术领域 0001 本发明涉及用于制造电子器件的制剂。本发明还涉及电子器件，并且涉及用于制 造所述电子器件的方法。 背景技术 0002 包含有机、有机金属和/或聚合物半导体的电子器件的重要性。

16、正在增加；出于成 本的原因并由于它们的性能，它们被用于许多商品中。在此处可以提及的例子是在复印机 中的有机基电荷传输材料（例如基于三芳基胺的空穴传输体），在显示装置中的有机或聚合 物发光二极管（OLED或PLED），或在复印机中的有机光感受器。有机太阳能电池（O-SC）、有 机场效应晶体管（O-FET）、有机薄膜晶体管（O-TFT）、有机集成电路（O-IC）、有机光放大器 和有机激光二极管（O-laser）处于高级的开发阶段，并且在将来可以实现主要的重要性。 0003 不考虑特定的应用场合，这些电子器件中的许多种具有以下的一般层结构，可对 该层结构进行调整以用于特定的应用场合： 0004 （1。

17、）基底， 0005 （2）电极，通常为金属的或无机的，但也可由有机或聚合物导电材料制成， 0006 （3）一个或多个电荷注入层或者一个或多个中间层，例如用于补偿电极的不均匀 性（“平面化层”），其通常由导电的掺杂的聚合物制成， 0007 （4）有机半导体， 0008 （5）任选另外的电荷传输、电荷注入或电荷阻挡层， 0009 （6）对电极，如在（2）下提及的材料， 0010 （7）封装。 0011 上述布置代表有机电子器件的一般结构，其中可以组合多个层，在最简单的情况 下得到包含两个电极的布置，其中有机层位于所述两个电极之间。在这种情况下，所述有机 层实现所有的功能，包括在OLED情况下的发光。

18、。例如在WO 90/13148A1中描述了基于聚 (对苯撑)的这种类型的体系。 0012 然而，在该类型“三层体系”中产生的问题是缺乏对电荷分离的控制，或缺乏优化 在不同层中的单个成份的性能的方法，如例如在SMOLED（“小分子OLED”）情况下通过多层 结构以简单方式所实现的。 0013 小分子OLED通常包含一个或多个有机的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子 传输层和/或电子注入层和阳极和阴极，其中整个体系通常位于玻璃基底上。这种类型的 多层结构的优势在于，可在多个层内分布电荷注入、电荷传输和发光的多种功能，并且可因 此单独调整各个层的性能。这种调整能够显著地改进所述电子器件的性能。 0。

19、014 基于上述小分子即非聚合物的电子器件的缺点是其制造。非聚合物通常通过蒸发 技术而转变为电子器件。这代表了主要的成本缺点，特别是对于大面积的器件，因为在多个 室中的多步真空法非常昂贵而且必须非常精确地控制。在此价格比较低廉和公知的从溶液 中的涂布方法，例如喷墨印刷，气刷方法，滚动条式方法等，会是主要优点。然而，上述包含 说 明 书CN 102869672 A 2/72页 6 小分子的器件由于非聚合物在常规溶剂中的低溶解度而通常不能以这种方法制备。尽管通 过改性能够改进这些化合物的溶解度，然而获得的电子器件与通过气相沉积获得的器件相 比较，显示出降低的性能和寿命。 0015 因此，例如，WO。

20、 2009/021107A1和WO 2010/006680A1描述了适合于制造电子器件 的有机化合物，其中这些化合物既可通过气相沉积又可从溶液中进行加工。然而，通过气相 沉积获得的电子器件具有更加有利的性能分布。 0016 已知的电子器件具有可用的性能分布。然而，目前正需要改进这些器件的性能。这 些性能特别包括电子器件的寿命。其它的问题特别是能量效率，电子器件籍于此以实现既 定目的。在可以基于低分子量化合物并且也可以基于聚合物材料的有机发光二极管的情况 下，特别是光输出应该高，这意味着消耗尽可能很少的电功率，以实现一定的光通量。此外， 为了实现预先规定的发光密度，最低可能的电压同样应该是必要的。

21、。 0017 另外的目的可被认为是尽可能廉价且质量恒定地提供具有优异性能的电子器件。 0018 此外，所述电子器件应该能够用于或适合于多种用途。特别是，在很宽的温度范围 之内所述电子器件的性能应该保持。 发明内容 0019 令人惊讶地已经发现，这些和其它没有明确提及但能够从此处介绍中讨论的相关 内容容易地获得或推断的目的，通过具有专利权利要求1的所有特征的制剂而实现。在从 属于权利要求1的权利要求中保护本发明制剂的有利的改变。 0020 因此，本发明涉及如下的制剂，其包含至少一种溶剂和至少两种不同的通式（I）官 能化合物， 0021 0022 其中 0023 A是官能结构单元， 0024 B是。

22、溶解度促进结构单元，并且 0025 k是在1至20范围内的整数， 0026 所述官能化合物的分子量至少为550g/mol，并且 0027 所述溶解度促进结构单元B符合通式（L-I） 0028 0029 其中 0030 Ar 1 、Ar 2 各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，所述基团可被一个或多个任何希望 说 明 书CN 102869672 A 3/72页 7 类型的基团R取代， 0031 X在每一情况下彼此独立地是N或CR 2 ，优选CH， 0032 R 1 、R 2 各自彼此独立地是氢，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧 基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基。

23、或硫代烷氧基基团或者是甲 硅烷基基团或具有1至40个C原子的取代的酮基基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰 基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN），氨基甲酰基基团（-C(=O) NH 2 ），卤甲酰基基团（-C(=O)-X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C(=O)-H），异氰基基 团，异氰酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF 3 基团，Cl，Br， F，可交联的基团或者具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5 至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中一个或多个基团R 1 和/ 或R 2 可以彼。

24、此和/或与基团R 1 键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系；并且 0033 I是0、1、2、3或4； 0034 其中所述虚线键表示与所述官能结构单元键合的键。 0035 因此，本发明的制剂代表溶解或分散在有机溶剂中的至少两种通式（I）官能化合 物的混合物。 0036 本发明的制剂包含至少一种有机溶剂。适宜并优选的溶剂是脂族、脂环族或芳族 的烃、胺、硫醇、酰胺、腈、酯、醚、聚醚、醇、二醇和/或多元醇。 0037 所述溶剂优选包含至少一种芳族或杂芳族的化合物。所述溶剂特别优选包含至少 一种芳族烃和/或卤化芳族化合物，其特别优选包含至少一个具有1至8个碳原子，优选具 有1至6个碳原子的烷基基团和/。

25、或环烷基基团。这些特别包括甲苯、二甲基苯（二甲苯）、 三甲基苯、甲基萘、1，2，3，4-四氢化萘、环戊基苯和环己基苯。 0038 根据本发明其它的实施方式，可以利用在侧基中包含杂原子的芳族或杂芳族化合 物，所述侧基特别是酯、醚、腈和/或酰胺。在该类中优选的化合物包括芳族烷氧基化合物， 例如3-甲基苯甲醚、2-异丙基苯甲醚、5-甲氧基茚满、2-乙氧基萘，和芳族酯，例如苯甲酸 丁酯和苯甲酸乙酯。同样合适的是在芳族环中含有O、N或S原子的杂芳族溶剂，例如2-甲 基吲哚和6-甲基喹啉。 0039 使用的溶剂可进一步是杂环化合物，例如1-环己基-2-吡咯烷酮（N-环己基-吡 咯烷酮）。 0040 此外，。

26、醇代表合适类别的溶剂。优选的醇特别是包括烷基环己醇，特别是甲基化的 脂环醇（3-或4-甲基环己醇或2，5-二甲基环己醇），萘酚，例如十氢-2-萘酚或1，2，3，4-四 氢-1-萘酚，萜类化合物，例如-萜品醇、薄荷醇或葛缕醇、壬基苯酚、1-茚醇和2-茚醇。 0041 另外，使用的溶剂可以是环烷烃，例如十氢化萘。 0042 所述溶剂可单独使用或作为两种、三种或更多种化合物的混合物使用。 0043 优选的溶剂尤其包括甲苯、苯甲醚、二甲苯、苯甲酸甲酯、二甲基苯甲醚、均三甲基 苯、1，2，3，4-四氢化萘、邻二甲氧苯、四氢呋喃和氯苯，和其混合物。特别优选使用芳族溶 剂，特别是芳烃。本发明的制剂可优选包含。

27、至少50重量，特别优选至少80重量，并且 非常特别优选至少90重量的芳族溶剂。 0044 特别是通过汉森（Hansen）溶解度参数优选在以下范围的溶剂，能够实现令人惊讶 的优势： 说 明 书CN 102869672 A 4/72页 8 0045 H d （色散贡献）在17.0至23.2MPa 0.5 的范围内，特别优选在18.5至21.0MPa 0.5 的 范围内； 0046 H p （极性贡献）在0.2至12.5MPa 0.5 范围内，特别优选在2.0至6.0MPa 0.5 的范围 内，和 0047 H h （氢键贡献）在0.9至14.2MPa 0.5 的范围内，特别优选在2.0至6.0MP。

28、a 0.5 的范围 内。 0048 可使用由Hansen和Abbot等提供的“Hansen Solubility Parameters in Practice（HSPiP）”计算机程序（第二版）来确定所述汉森溶解度参数。 0049 优选的通式（I）官能化合物可以包含两个、三个或更多个溶解度促进结构单元B。 因此，通式（I）中的标记k能够是大于或等于2的整数，特别优选大于或等于3的整数。 0050 特别是使用具有相对高分子量的通式（I）官能化合物能够实现令人惊讶的优势。 因此，优选的通式（I）官能化合物特征在于分子量至少为800g/mol，特别优选至少为900g/ mol并且非常特别优选至少为9。

29、50g/mol。 0051 此外，优选的通式（I）官能化合物可具有至多10，000g/mol的分子量，特别优选至 多5000g/mol的分子量，并且非常特别优选至多3000g/mol的分子量。 0052 此外，特别感兴趣的是特征在于高玻璃化转变温度的官能化合物。在这一点上，特 别优选根据DIN 51005测定的玻璃化转变温度至少为70，优选至少100，非常特别优选 至少125并尤其优选至少150的通式（I）官能化合物。 0053 通式（I）官能化合物的官能结构单元A不受任何特别的限制，并且因此本发明适 合于将为了实现功能性而用于电子器件中的已知物质转化为可溶的形式，而无需由此以不 能接受的方式。

30、修饰已知物质的初始电子性能。 0054 这些单元尤其是在WO 02/077060A1和WO 2005/014689A2中公开并大量列出的那 些单元。通过引用，这些单元被认为是本发明的一部分。所述官能结构单元A可例如来源 于以下的类别： 0055 第1组：能够产生空穴注入和/或空穴传输性能的单元； 0056 第2组：能够产生电子注入和/或电子传输性能的单元； 0057 第3组：具有发光性能的单元； 0058 第4组：可用作主体材料或共主体材料的单元； 0059 第5组：改进从所谓的单重态到三重态的跃迁的单元。 0060 来自第1组的具有空穴注入和/或空穴传输性能的结构单元例如是三芳基胺、联 苯胺。

31、、四芳基对苯二胺、三芳基膦、吩噻嗪、吩嗪、二氢吩嗪、噻蒽、二苯并对二英、吩 噻、咔唑、薁、噻吩、吡咯和呋喃衍生物和其它含有O、S或N的具有高HOMO（HOMO=最高占有 分子轨道）的杂环化合物。 0061 作为来自第1组的具有空穴注入和/或空穴传输性能的结构单元，可以特别提及 的是苯二胺衍生物（US 3615404），芳基胺衍生物（US 3567450），氨基取代的查耳酮衍生物 （US 3526501），苯乙烯基蒽衍生物（JP-A-56-46234），多环芳族化合物（EP 1009041），多芳 基烷烃衍生物（US 3615402），芴酮衍生物（JP-A-54-110837），腙衍生物（US 。

32、3717462），酰 腙，茋衍生物（JP-A-61-210363），硅氮烷衍生物（US 4950950），聚硅烷（JP-A-2-204996）， 苯胺共聚物（JP-A-2-282263），噻吩低聚物（JP Heisei 1(1989)211399），聚噻吩，聚(N-乙 说 明 书CN 102869672 A 5/72页 9 烯基咔唑)（PVK），聚吡咯，聚苯胺及其它导电大分子，卟啉化合物（JP-A-63-2956965，US 4720432），芳族二亚甲基型化合物，咔唑化合物，例如CDBP、CBP、mCP，芳族叔胺，和苯乙烯 基胺化合物（US 4127412），例如联苯胺型的三苯胺、苯乙烯胺型。

33、的三苯胺和二胺型的三苯 胺。还可以使用芳基胺树枝状大分子（JP Heisei8(1996)193191）、单体的三芳基胺（US 3180730）、含有一个或多个乙烯基基团和/或至少一个含有含活泼氢的官能团的三芳基胺 （US3567450和US 3658520）或四芳基二胺（两个叔胺单元经由芳基连接）。在所述分子中 也可以存在更多的三芳基氨基基团。酞菁衍生物，萘酞菁衍生物，丁二烯衍生物和喹啉衍生 物，例如二吡嗪并2，3-f：2，3-h喹喔啉六甲腈同样是合适的。 0062 优选含有至少两个叔胺单元的芳族叔胺（US 2008/0102311A1、US 4720432和US 5061569），例如NP。

34、D（-NPD=4，4-双N-(1-萘基)-N-苯基氨基联苯）（US 5061569）、 TPD 232（=N，N-双(N，N-二苯基-4-氨基苯基)-N，N-二苯基-4，4-二氨基-1， 1-联苯）或MTDATA（MTDATA或m-MTDATA=4，4，4-三3-甲基苯基)苯基氨基三 苯基胺）（JP-A-4-308688）、TBDB（=N，N，N，N-四(4-联苯基)二氨基联苯撑）、TAPC （=1，1-双(4-二对甲苯基氨基苯基)环已烷）、TAPPP（=1，1-双(4-二对甲苯基氨基苯 基)-3-苯基丙烷）、BDTAPVB（=1，4-双2-4-N，N-二(对甲苯基)氨基苯基乙烯基 苯）、TT。

35、B(=N，N，N，N-四对甲苯基-4，4-二氨基联苯）、TPD（=4，4-双N-3-甲基 苯基-N-苯基氨基)联苯）、N，N，N，N-四苯基-4，4-二氨基-1，1，4，1， 4，1-四联苯，同样优选含有咔唑单元的叔胺，例如TCTA（=4-(9H-咔唑-9-基)-N， N-双4-(9H-咔唑-9-基)苯基苯胺）。同样优选根据US 2007/0092755A1的六氮杂 苯并菲化合物，和酞菁衍生物（例如H 2 Pc、CuPc（=铜酞菁）、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、 MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl 2 SiPc、(HO)AlPc、(HO。

36、)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、 GaPc-O-GaPc）。 0063 TPD 232 0064 特别优选以下的三芳基胺化合物，它们也可以被取代： 0065 0066 TBDB：EP 1162193 B1和EP 650955B1 0067 说 明 书CN 102869672 A 6/72页 10 0068 Synth.Meta/s 1997，91(1-3)，209和DE 19646119A1 0069 0070 WO 2006 122630 A1和EP 1860097 A1 0071 0072 EP 1834945 A1 0073 0074 JP 08053397 A和US 62。

37、51531 B1 0075 0076 EP 1661888 说 明 书CN 102869672 A 10 7/72页 11 0077 0078 NPB=4，4-双N-(1-萘基)-N-苯基氨基联苯 0079 0080 US 2005/0221124，WO 09/041635 0081 0082 US 7399537 B2，US 20060061265 A1 0083 0084 EP 1661888 B1 0085 说 明 书CN 102869672 A 11 8/72页 12 0086 JP 08292586 A 0087 可用作空穴注入材料的其它结构单元描述于EP 0891121A1和EP 。

38、1029909A1中， 注入层通常描述于US 2004/0174116A1中。 0088 通常用作来自于第1组的结构单元的这些芳基胺和杂环化合物，在聚合物中优选 导致大于-5.8eV（相对真空能级），特别优选大于-5.5eV的HOMO。 0089 来自第2组的具有电子注入和/或电子传输性能的结构单元例如是吡啶、嘧啶、哒 嗪、吡嗪、二唑、喹啉、喹喔啉、蒽、苯并蒽、芘、苝、苯并咪唑、三嗪、酮、氧化膦和吩嗪衍生 物，还有三芳基硼烷和其它含有O、S或N的具有低LUMO（LUMO=最低未占分子轨道）的杂 环化合物。 0090 用于电子传输和电子注入层的特别合适的结构单元是8-羟基喹啉的金属螯合物 （例如。

39、LiQ、AlQ 3 、GaQ 3 、MgQ 2 、ZnQ 2 、InQ 3 、ZrQ 4 ），BAlQ，Ga 8-羟基喹啉系（Oxinoid）络合物， 4-氮杂菲-5-酚-Be络合物（US 5529853A）， 0091 0092 丁二烯衍生物（US 4356429），杂环的光增白剂（US 4539507），苯并咪唑衍生物 （US 2007/0273272A1），例如TPBI（US 5766779）， 0093 0094 2，2，2-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑) 0095 1，3，5-三嗪，例如，螺二芴基三嗪（例如根据DE102008064200），芘，蒽，并 四苯，芴。

40、，螺芴，树枝状大分子，并四苯（例如红荧烯衍生物），1，10-菲咯啉衍生物（JP 说 明 书CN 102869672 A 12 9/72页 13 2003-115387、JP 2004-311184、JP-2001-267080、WO 2002/043449），硅杂环戊二烯衍生物 （EP1480280、EP 1478032、EP 1469533），硼烷衍生物，例如，含有Si的三芳基硼烷衍生物， 0096 0097 US 2007/0087219A1 0098 吡啶衍生物（JP 2004-200162），菲咯啉，尤其是1，10-菲咯啉衍生物，例如，BCP和 BPhen，还有几种经由联苯基或其它芳族。

41、基团连接的菲咯啉（US-2007-0252517A1）或与蒽连 接的菲咯啉（US2007-0122656A1）。 0099 0100 浴铜灵 Bphen 0101 同样合适的是杂环的有机化合物，例如，噻喃二氧化物、唑、三唑、咪唑或 二唑。使用含有N的五元环的例子，例如，唑、噻唑、二唑、噻二唑、三唑，尤其见US 2008/0102311A1。以下是优选的化合物： 0102 三唑，例如 0103 0104 Y.A.Levin，M.S.Skorobogatova，Khimiya Geterotsiklicheskikh Soedinenii 1967(2)，339-341。 0105 1，3,4-二。

42、唑，例如 0106 说 明 书CN 102869672 A 13 10/72页 14 0107 US 2007/0273272 A1 0108 0109 US 2007/0273272 A1 0110 0111 US 2007/0273272 A1 0112 同样可以使用有机化合物，例如，如下化合物的衍生物：芴酮、亚芴基甲烷、苝四碳 酸、蒽醌二甲烷、二苯酚合苯醌、蒽酮和蒽醌二亚乙基二胺。 0113 优选2，9，10-取代的蒽（用1-或2-萘基和4-或3-联苯基）或包含两个蒽单元的 分子（US 2008/0193796A1）。同样非常有利的是将9，10-取代的蒽单元与苯并咪唑衍生物 连接。 01。

43、14 0115 US 6878469 B2 0116 0117 US 2006147747 A EP 1551206 A1 0118 根据本发明使用的通式（I）化合物中的来自第2组的结构单元，优选导致小 说 明 书CN 102869672 A 14 11/72页 15 于-2.5eV（相对真空能级），特别优选小于-2.7eV的LUMO。 0119 来自第3组的结构单元是能够发光的那些结构单元。这些尤其包括如下化合物， 其包含茋、茋胺、苯乙烯基胺、香豆素、红荧烯、若丹明、噻唑、噻二唑、花青、噻吩、对亚苯基、 苝、酞菁、卟啉、酮、喹啉、亚胺、蒽和/或芘结构。特别优选如下的化合物，其甚至在室温下 能。

44、够高效率地从三重态发光，即，显示电致磷光而不是电致发光，这通常引起能量效率的增 加。适合于该目的的首先是包含原子序数大于36的重原子的化合物。优选包含满足上述 条件的d或f过渡金属的化合物。在此处特别优选包含第8至10族元素（Ru、Os、Rh、Ir、 Pd、Pt）的相应结构单元。此处用于通式（I）化合物的合适官能结构单元A例如是如描述在 例如WO 02/068435 A1、WO 02/081488 A1、EP 1239526 A2和WO 04/026886 A2中的多种络 合物。 0120 以下通过举例描述了可用作荧光发光体的优选的结构单元。来自第3组的优选的 结构单元选自单苯乙烯基胺类、二苯。

45、乙烯基胺类、三苯乙烯基胺类、四苯乙烯基胺类、苯乙 烯基膦类、苯乙烯基醚类和芳基胺类。 0121 单苯乙烯基胺被认为是指包含一个取代或未取代的苯乙烯基基团和至少一个胺 优选芳族胺的化合物。二苯乙烯基胺被认为是指包含两个取代或未取代的苯乙烯基基团和 至少一个胺优选芳族胺的化合物。三苯乙烯基胺被认为是指包含三个取代或未取代的苯乙 烯基基团和至少一个胺优选芳族胺的化合物。四苯乙烯基胺被认为是指包含四个取代或未 取代的苯乙烯基基团和至少一个胺优选芳香胺的化合物。所述苯乙烯基基团特别优选是 茋，其也可以被进一步取代。以类似于胺的方式，定义相应的膦和醚。在本发明意义上，芳 基胺或芳族胺被认为是指包含三个直接。

46、键合到氮上的取代或未取代的芳族或杂芳族环系 的化合物。这些芳族或杂芳族环系中的至少一个优选是稠合环系，其优选具有至少14个芳 环原子。其优选的例子是芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族胺或者芳族 二胺。芳族蒽胺被认为是指其中一个二芳基氨基基团直接与蒽基团优选在9-位键合的 化合物。芳族蒽二胺被认为是指其中两个二芳基氨基基团直接与蒽基团优选在2，6-位或 在9，10-位键合的化合物。以与其类似的方式，定义芳族的芘胺、芘二胺、胺和二胺，其 中所述二芳基氨基基团优选与芘在1-位或在1，6-位键合。 0122 来自第3组的其它优选的结构单元选自茚并芴胺或茚并芴二胺，例如根据WO 06/12。

47、2630的，苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺，例如根据WO 08/006449的，和二苯并茚并 芴胺或二苯并茚并芴二胺，例如根据WO 07/140847的。 0123 来自苯乙烯基胺类的来自第3组的结构单元的例子是取代或未取代的三茋胺或 描述于WO 06/000388、WO 06/058737、WO06/000389、WO 07/065549和WO 07/115610中的 掺杂剂。二苯乙烯基苯和二苯乙烯基联苯衍生物描述于US 5121029中。其它的苯乙烯基 胺可参见US 2007/0122656A1。 0124 来自第3组的特别优选的苯乙烯基胺结构单元是： 0125 说 明 书CN 102869。

48、672 A 15 12/72页 16 0126 US 7250532 B2 0127 0128 DE 102005 058557 A1 0129 来自第3组的特别优选的三芳基胺结构单元是： 0130 0131 CN 1583691 A CN 1583691 A 0132 0133 JP 08/053397和US 6251531B1，在EP 1957606A1和US2008/0113101A1中的衍生 物。 0134 0135 EP 1957606 A1 US 2006/210830 A 0136 说 明 书CN 102869672 A 16 13/72页 17 0137 WO 08/006449 WO 08/006449 0138 0139 WO 08/006449 WO 08/006449 0140 0141 DE 102008035413 DE 102008035413 0142 0143 DE 102008035413 DE 102008035413 0144 来自第3组的其它优选的结构单元选自如下物质的衍生物：萘、蒽、并四 苯、苯并蒽、苯并菲（DE 10 2009 005746）、芴、荧蒽、二茚并芘、茚并苝、菲、苝（US 2007/0252517A1。