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1、(10)申请公布号 CN 104309218 A (43)申请公布日 2015.01.28 C N 1 0 4 3 0 9 2 1 8 A (21)申请号 201410606285.3 (22)申请日 2014.10.30 B32B 17/06(2006.01) (71)申请人中山市亨立达机械有限公司 地址 528400 广东省中山市火炬开发区凤凰 路9号B栋首层南侧B1-2厂房 (72)发明人禹幸福 陈圆 (74)专利代理机构中山市捷凯专利商标代理事 务所(特殊普通合伙) 44327 代理人石仁 (54) 发明名称 一种结构简单的三银LOW-E玻璃 (57) 摘要 一种结构简单的三银LOW-。
2、E玻璃，包括玻璃 基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有 第一ITO介质层、第一Ag层、第二ITO介质层、第 二Ag层、第三ITO介质层、第三Ag层、以及第四 ITO介质层。本发明结构简单，且具有与传统三银 LOW-E玻璃相当的节能效果。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (10)申请公布号 CN 104309218 A CN 104309218 A 1/1页 2 1.一种结构简单的三银LOW-E玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：所述玻璃基材的上表 面由下而上依次设有。
3、第一ITO介质层、第一Ag层、第二ITO介质层、第二Ag层、第三ITO介 质层、第三Ag层、以及第四ITO介质层。 2.根据权利要求1所述的一种结构简单的三银LOW-E玻璃，其特征在于：所述第一ITO 介质层的厚度为80nm。 3.根据权利要求1所述的一种结构简单的三银LOW-E玻璃，其特征在于：所述第一Ag 层的厚度为10nm。 4.根据权利要求1所述的一种结构简单的三银LOW-E玻璃，其特征在于：所述第二ITO 介质层的厚度为120nm。 5.根据权利要求1所述的一种结构简单的三银LOW-E玻璃，其特征在于：所述第二Ag 层的厚度为10nm。 6.根据权利要求1所述的一种结构简单的三银LO。
4、W-E玻璃，其特征在于：所述第三ITO 介质层的厚度为120nm。 7.根据权利要求1所述的一种结构简单的三银LOW-E玻璃，其特征在于：所述第三Ag 层的厚度为10nm。 8.根据权利要求1所述的一种结构简单的三银LOW-E玻璃，其特征在于：所述第四ITO 介质层的厚度为80nm。 权 利 要 求 书CN 104309218 A 1/2页 3 一种结构简单的三银 LOW-E 玻璃 技术领域 ： 0001 本发明涉及一种结构简单的三银LOW-E玻璃。 背景技术 ： 0002 LOW-E玻璃，是一种高端的低辐射玻璃，是在玻璃基材表面镀制包括银层在内的多 层金属及其它化合物组成的膜系产品，具有节能。
5、减排及装饰幕墙的双重功效。 0003 然而，随着节能减排政策的不断深入，人们对玻璃的节能指标要求越来越高，部分 城市的节能要求，连双银LOW-E玻璃都达不到其节能要求，只能寻求三银LOW-E玻璃，但传 统的三银LOW-E玻璃最低需要14层膜才能达到要求，结构复杂。 0004 故有必要对现有的产品作出改进，以提供一种既能达到节能效果，结构又简单的 三银LOW-E玻璃。 发明内容 ： 0005 本发明的目的在于提供一种结构简单的三银LOW-E玻璃，其结构简单，且具有与 传统三银LOW-E玻璃相当的节能效果。 0006 一种结构简单的三银LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而 上依。
6、次设有第一ITO介质层、第一Ag层、第二ITO介质层、第二Ag层、第三ITO介质层、第 三Ag层、以及第四ITO介质层。 0007 本发明可通过如下方案进行改进： 0008 所述第一ITO介质层的厚度为80nm。 0009 所述第一Ag层的厚度为10nm。 0010 所述第二ITO介质层的厚度为120nm。 0011 所述第二Ag层的厚度为10nm。 0012 所述第三ITO介质层的厚度为120nm。 0013 所述第三Ag层的厚度为10nm。 0014 所述第四ITO介质层的厚度为80nm。 0015 本发明具有如下优点：1、本发明创新地采用7层膜，不但结构简单，而且能达到传 统三银LOW-。
7、E玻璃的节能要求。2、生产设备简单，全是金属溅射，无反应溅射，工艺稳定。3、 设备投入小。 附图说明 ： 0016 图1为本发明结构剖视图。 具体实施方式 ： 0017 如图所示，一种结构简单的三银LOW-E玻璃，包括玻璃基材1，所述玻璃基材1的上 表面由下而上依次设有第一ITO介质层2、第一Ag层3、第二ITO介质层4、第二Ag层5、第 说 明 书CN 104309218 A 2/2页 4 三ITO介质层6、第三Ag层7、以及第四ITO介质层8。 0018 进一步地，所述第一ITO介质层2的厚度为80nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中 频交流电源溅射氧化铟锡靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧。
8、气制备而成，其中，氩氧比 为：(400SCCM420SCCM):(2040SCCM)。该层起到底层介质层、阻挡层、平整层这三层的 作用。可以提高产品透过率，并可以保护Ag层，阻挡Ag层被侵蚀，造成玻璃氧化。 0019 再进一步地，所述第一Ag层3的厚度为10nm，为功能层。其采用磁控溅射镀膜工 艺，用直流电源溅射银靶、氩气作为溅射气体制备而成，氩气气体流量为500550SCCM。 0020 更进一步地，所述第二ITO介质层4的厚度为120nm。其采用磁控溅射镀膜工艺， 用中频交流电源溅射氧化铟锡靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成，其中，氩 氧比为：(400SCCM420SCCM):(。
9、2040SCCM)。该层起到中间介质层、阻挡层、平整层这三 层的作用。可以提高产品透过率，并可以保护Ag层，阻挡Ag层被侵蚀，造成玻璃氧化。 0021 又进一步地，所述第二Ag层5的厚度为10nm，为功能层。其采用磁控溅射镀膜工 艺，用直流电源溅射银靶、氩气作为溅射气体制备而成，氩气气体流量为500550SCCM。 0022 再进一步地，所述第三ITO介质层6的厚度为120nm。其采用磁控溅射镀膜工艺， 用中频交流电源溅射氧化铟锡靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成，其中，氩 氧比为：(400SCCM420SCCM):(2040SCCM)。该层起到中间介质层、阻挡层、平整层这三 层的作。
10、用。可以提高产品透过率，并可以保护Ag层，阻挡Ag层被侵蚀，造成玻璃氧化。 0023 更进一步地，所述第三Ag层7的厚度为10nm，为功能层。其采用磁控溅射镀膜工 艺，用直流电源溅射银靶、氩气作为溅射气体制备而成，氩气气体流量为500550SCCM。 0024 又进一步地，所述第四ITO介质层8的厚度为80nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用 中频交流电源溅射氧化铟锡靶、用氩气作为溅射气体、掺入少量氧气制备而成，其中，氩氧 比为：(400SCCM420SCCM):(2040SCCM)。该层起到顶层介质层、阻挡层、保护层这三层 的作用。可以提高产品透过率，并可以保护Ag层，阻挡Ag层被侵蚀，防止玻璃被机械及化 学损伤。 0025 本发明创新地采用7层膜，不但结构简单，而且能达到传统三银LOW-E玻璃的节能 要求。另外，本发明生产设备简单，全是金属溅射，无反应溅射，工艺稳定。其次，本发明设 备投入小。 0026 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发 明专利范围所做的同等变化与修饰，皆落入本发明专利涵盖的范围。 说 明 书CN 104309218 A 1/1页 5 图1 说 明 书 附 图CN 104309218 A 。