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1、(10)申请公布号 CN 102832309 A (43)申请公布日 2012.12.19 C N 1 0 2 8 3 2 3 0 9 A *CN102832309A* (21)申请号 201210353409.2 (22)申请日 2012.09.20 H01L 33/22(2010.01) H01L 33/10(2010.01) (71)申请人江苏威纳德照明科技有限公司 地址 213342 江苏省常州市溧阳市社渚镇创 新路8号 (72)发明人虞浩辉 周宇杭 (74)专利代理机构南京天翼专利代理有限责任 公司 32112 代理人黄明哲 (54) 发明名称 具有四方环状结构反射层氮化镓基发光二极。
2、 管 (57) 摘要 本发明提出了一种具有四方环状结构反射层 的氮化镓基发光二极管，其为台阶结构，具有衬 底，所述衬底的下表面形成有金属反射层；所述 衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN 层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN 层、透明电极层，p金属电极；n金属电极形成在所 述n型GaN层上；所述GaN缓冲层的表面被粗化 处理后形成第一表面粗化层；所述发光二极管的 上表面、所有侧面形成第二表面粗化层。其中，所 述p型GaN层的上表面形成有四方环状结构的反 射层。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 。
3、(12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 3 页 1/1页 2 1.一种具有氮化镓基发光二极管，所述发光二极管为台阶结构，其具有衬底，所述衬底 的下表面形成有金属反射层；所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多 量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；n金属电极形成 在所述n型GaN层上；其特征在于： 所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层； 所述发光二极管的上表面、所有侧面形成第二表面粗化层； 所述p型GaN层的上表面形成有反射层；所述反射层为四方环状结构。 2.如权利要求1所述的氮化镓基发光二极管。
4、，其特征在于： 所述反射层为Al/Ag合金金属反层、AlAs/AlxGa1-xAs分布布拉格反射层（DBR）、或者 AlInP/(AlxGa1-x)yIn1-yP分布布拉格反射层（DBR）。 3.如权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于： 所述第一表面粗化层和第二表面粗化层都为纳米级锯齿状粗化层。 4.如权利要求1-3任意之一所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于： 所述四方环状结构的所述反射层的外环与所述发光二极管的侧边重合。 权 利 要 求 书CN 102832309 A 1/3页 3 具有四方环状结构反射层氮化镓基发光二极管 技术领域 0001 本发明属于半导体技术领域，特别涉。
5、及一种具有四方环状结构反射层氮化镓基发 光二极管。 背景技术 0002 半导体发光二极管应用日益广泛，特别是在照明方面有取代白炽灯和荧光灯的趋 势，但是目前还面临一些技术上的问题，特别是光取出效率比较低，通常影响光取出效率主 要有三个方面的原因：一种是由于材料对光的吸收，另一种是光在穿过不同介质时产生全 反射。 0003 发光二极管发光效率的提高一直是技术的追求目标，提高外延材料的质量，通过 透明衬底键合，厚电流扩展窗口，这些都对效率的提高起到很好的效果。但是，当光离开二 极管内部时，其无论如何都无法避免发生损耗，造成损耗的主要原因，是由于形成发光二极 管表面层的半导体材料具有高折射系数。高的。
6、光折射系数会导致光在该半导体材料表面产 生全反射，从而使发光二极管内部发出的光无法充分地发射出去。目前，业内已经通过表面 粗化技术来改善光在二极管内部的全反射，从而提高发光效率，然而，由于现有技术通常仅 对发光二极管部分组成结构的表面进行粗化处理，这导致了其粗糙化表面分布不均匀，因 此无法有效的提升发光效率。 0004 同时，发光二极管发出的光是由其内部结构中的发光层产生的，发光层发出的光 主要是通过发光二极管的正面发出，而从其侧面发出的光必须先经过发光二极管内部结构 的全反射，使光线的光路发生改变才能由侧面发出。这就导致了现有发光二极管正面出光 过多而侧面出光不足，因此也就造成发光二极管出光。
7、的不均匀。 0005 图1为现有的发光二极管结构。图1中，衬底101上依次形成GaN缓冲层102、n 型GaN层103、多量子阱发光层（MQW）104、p型AlGaN层105、p型GaN层106、透明电极层 107，p金属电极112；而n型GaN层103上形成n金属电极111。其中GaN缓冲层102表面 被粗化处理，以形成纳米级的锯齿状的表面粗化层122。衬底101下方还形成有金属反射层 100，从而多量子阱发光层104发出光经过金属反射层100的反射后由发光二极管的正面或 侧面透出（图1中未示出），以提高发光效率。 0006 在图1所示的发光二极管结构中，由于粗化层仅形成于发光二极管的内部，。
8、即GaN 缓冲层102的表面上，因此，由多量子阱发光层104产生的光虽然经过粗化层122的反射， 能够在一定的程度上提高侧面的发光效率，但是，这种处于发光二极管内部中的粗化层还 不足以进一步提高发光效率。 0007 而且，参见图1所示结构的发光二极管，可见多量子阱发光层104发出的光大多由 发光二极管的正面透出，即由透明电极层107的上表面透出，仅有少量的光经过透明电极 层107的全反射后由发光二极管的侧面透出。因此，图1所示结构的发光二极管的发光均 匀性还有待改善。 说 明 书CN 102832309 A 2/3页 4 发明内容 0008 本发明针对现有技术的问题，提出了一种具有粗化表面以及。
9、反射层的氮化镓基发 光二极管，从而提高发光二极管的发光效率和发光均匀性。 0009 本发明提出的具有四方环状结构的氮化镓基发光二极管为台阶结构，其具有衬 底，所述衬底的下表面形成有金属反射层；所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n 型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；n金 属电极形成在所述n型GaN层上；所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化 层；所述发光二极管的上表面、所有侧面形成第二表面粗化层； 所述p型GaN层的上表面形成有反射层；所述反射层为四方环状结构。 0010 其中，所述反射层为Al/Ag合金金属反层、A。
10、lAs/AlxGa1-xAs分布布拉格反射层 （DBR）、或者AlInP/(AlxGa1-x)yIn1-yP分布布拉格反射层（DBR）。 0011 其中，所述第一表面粗化层和第二表面粗化层都为纳米级锯齿状粗化层。 0012 其中，所述四方环状结构的所述反射层的外环与所述发光二极管的侧边重合。 附图说明 0013 附图1为现有技术中仅有部分粗化表面的发光二极管结构示意图。 0014 附图2为本发明提出的具有粗化表面以及反射层的发光二极管结构示意图。 0015 附图3为图2所示发光二极管的平面结构示意图。 具体实施方式 0016 图2为本发明提出的发光二极管，其具有全面粗化的表面，并且具有反射层，。
11、因此 能够大幅度的提高发光效率以及发光均匀性。 0017 参见图2，发光二极管2的结构为如下所述：在衬底201上依次形成GaN缓冲层 202、n型GaN层203、多量子阱发光层（MQW）204、p型AlGaN层205、p型GaN层206、透明电 极层207，p金属电极212；而n型GaN层203上形成n金属电极211。衬底201下方还形成 有金属反射层200，从而多量子阱发光层204发出光经过金属反射层200的反射后由发光二 极管的正面或侧面透出（图2中未示出），以提高发光效率。 0018 为了能够大幅度的提高发光二极管2的发光效率，在本发明提出的发光二极管结 构中，除了在GaN缓冲层202表。
12、面进行粗化处理，以形成纳米级的锯齿状的表面粗化层222 以外，还将发光二极管2的上表面，即透明电极层207的上表面进行粗化处理，与此同时，还 进一步将发光二极管2的所有侧面同样进行粗化处理，从而形成如图2所示的表面粗化层 221。这种粗化处理可以通过将发光二极管2浸泡在碱性溶液中进行湿法蚀刻，利用碱性溶 液对其表面进行腐蚀来完成。也可以利用等离子体蚀刻机对发光二极管进行干法蚀刻来完 成，还可以通过先浸泡在碱性溶液中进行湿法蚀刻、然后再利用等离子体蚀刻机进行干法 蚀刻相结合来完成。对于湿法蚀刻和干法蚀刻相结合来形成表面粗化层的工艺来说，本发 明并没有限定必须先湿法蚀刻后干法蚀刻，采用先干法蚀刻在。
13、湿法蚀刻同样也是可以的。 0019 通过对发光二极管2的整个外表面进行粗化处理后，多量子阱发光层204发出的 光在到达发光二极管2的各个表面后，在透射临界角之外的光由于经过表面粗化层的多次 折射，最后可进入临界角内由各个表面透射出来，从而使得发光二极管2发出更多的光，因 说 明 书CN 102832309 A 3/3页 5 此也就提高了发光效率。 0020 为了解决现有技术中发光二极管发光均匀性不足的问题，本发明提出的发光二极 管还进一步设置了反射层。参见图2，在p型GaN层206中设有四方环状结构的反射层231， 该四方环状结构的反射层231可以是Al/Ag合金金属反射层，也可以是AlAs/。
14、AlxGa1-xAs 或AlInP/(AlxGa1-x)yIn1-yP分布布拉格反射层（DBR）。该四方环状结构的反射层231可 以设置在p型GaN层206的上表面（如图2所示），也可以设置在p型AlGaN层205的上表 面（图2中未示出），或者设置在p型GaN层206或p型AlGaN层205的下表面亦可。 0021 参见图2，通过设置四方环状结构的反射层231，由多量子阱发光层204发出的光 的一部分直接由发光二极管2的正面透出，而另一部分则经过四方环状结构的反射层231 的反射后由发光二极管2的侧面透出。由于有四方环状结构的反射层231的存在，那么能 够到达发光二极管2正面的光就被限制为图。
15、2中四方环状结构的反射层231的环内部分， 而由四方环状结构的反射层231反射的光将只能从发光二极管2的侧面透出，因此，这种设 计就能提高发光二极管正面和侧面的发光均匀性。 0022 图3为图2的平面示意图，即由图2的上方俯视而得的示意图。参见图3，反射层 231和232为四方环状结构，发光二极管2的多量子阱发光层204发出的光的一部分由图3 中的区域300透出，而另一部分光由于反射层231的反射而从发光二极管的侧面透出。 0023 再次参见图2，并结合图3，本发明设计的四方环状结构反射层的外环与发光器件 的侧边完全重合，通过这样的设计，由发光器件内部发出的一部分光经由四方环状结构的 反射层反。
16、射后，可以均匀的由发光器件的四个侧面透出，而其余没有经过四方环状结构反 射层反射的光则经由区域300直接透出，通过调整四方环状结构反射层的内环和外环之间 的距离，从而也就能够调整该四方环状结构反射层的反射面积，在p型GaN层表面积固定的 情况下，也就能够调整反射层面积和区域300面积的比例，从而也就能够调整从区域300透 射的光与从发光器件侧面透射光的比例。因此，通过设置不同面积的四方环状反射层，就可 以根据具体需要来调整发光器件的出光均匀性。 0024 至此，上述描述已经详细的说明了本发明的发光二极管结构，现对于现有的发光 二极管，本发明提出的结构能够大幅度提高发光效率的同时，还能够进一步提高发光二极 管的发光均匀性。前文的描述的实施例仅仅只是本发明的优选实施例，其并非用于限定本 发明。本领域技术人员在不脱离本发明精神的前提下，可对本发明做任何的修改，而本发明 的保护范围由所附的权利要求来限定。 说 明 书CN 102832309 A 1/3页 6 图1 说 明 书 附 图CN 102832309 A 2/3页 7 图2 说 明 书 附 图CN 102832309 A 3/3页 8 图3 说 明 书 附 图CN 102832309 A 。