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1、(10)申请公布号 CN 102842666 A (43)申请公布日 2012.12.26 C N 1 0 2 8 4 2 6 6 6 A *CN102842666A* (21)申请号 201110169450.X (22)申请日 2011.06.22 H01L 33/48(2010.01) H01L 33/56(2010.01) H01L 33/00(2010.01) (71)申请人展晶科技（深圳）有限公司 地址 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道 办油松第十工业区东环二路二号 申请人荣创能源科技股份有限公司 (72)发明人沈佳辉 洪梓健 (54) 发明名称 LED覆晶结构及其制造方法。
2、 (57) 摘要 一种LED覆晶结构，包括基板、形成于基板上 的电路层及位于电路层上的LED芯片。所述电路 层包括相互绝缘的第一电极与第二电极。所述 LED芯片包括分别与电路层的第一电极与第二电 极对应连接的正电极和负电极。所述正电极和负 电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二 电极。所述LED覆晶结构还包括位于所述正电极 与负电极之间的阻挡结构，所述阻挡结构为胶状 绝缘材料制成。本发明还涉及一种该LED覆晶结 构的制造方法。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 。
3、1 页 1/1页 2 1.一种LED覆晶结构，包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片， 所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极，所述LED芯片包括正电极和负电极，所 述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二电极，其特征在于，还包括 位于所述正电极与负电极之间的阻挡结构，所述阻挡结构由胶状绝缘材料制成。 2.如权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述阻挡结构为胶状高分子聚合 物。 3.如权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述电路层的第一电极和第二电 极的表面还分别形成有金属垫片，所述金属垫片对应所述LED芯片的正电极和负电极设 置，对LED芯。
4、片起到定位及支撑的作用。 4.如权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述阻挡结构连接于LED芯片与 基板之间，阻挡结构于LED芯片安装之前的初始状态的厚度大于其于LED芯片安装之后的 变形状态的厚度。 5.如权利要求1-4任一项所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述LED芯片、电路层及 基板共同围设形成一空间，所述阻挡结构容置于该空间内。 6.一种LED覆晶结构的制造方法，包括以下步骤： 提供一基板，该基板上形成有电路层，所述电路层包括相互绝缘的两电极； 点胶，在电路层两电极之间滴加胶状绝缘材料，形成阻挡结构； 覆晶，将LED芯片上的两个电极分别通过焊料覆晶连接于所述电路层的两电极，形。
5、成 LED覆晶结构。 7.如权利要求6所述的LED覆晶结构的制造方法，其特征在于：还包括在点胶步骤之 前于电路层的两电极上分别设置金属垫片的步骤，所述金属垫片对应LED芯片的电极设 置，对LED芯片起到定位及支撑的作用。 8.如权利要求6或7任一项所述的LED覆晶结构的制造方法，其特征在于：所述阻挡 结构为胶状高分子聚合物。 9.如权利要求6或7任一项所述的LED覆晶结构的制造方法，其特征在于：所述阻挡 结构连接于所述LED芯片与基板之间，阻挡结构于覆晶步骤之前的初始状态的厚度大于其 于覆晶步骤之后的变形状态的厚度。 10.如权利要求9所述的LED覆晶结构的制造方法，其特征在于：所述阻挡结构的。
6、初始 状态呈半球状，该阻挡结构的变形状态呈椭圆形。 权 利 要 求 书CN 102842666 A 1/3页 3 LED 覆晶结构及其制造方法 技术领域 0001 本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种LED覆晶结构及其制造方法。 背景技术 0002 目前的LED封装结构中，很多都采用覆晶结构固定LED芯片。在该LED覆晶结构 中，LED芯片的电极和基板的电极之间通常使用焊料进行焊接，然而，所述焊料在焊接的过 程中由于高温熔化，易产生溢流流入LED芯片的电极之间，从而造成短路等不良。 发明内容 0003 有鉴于此，有必要提供一种防止焊料溢流的LED覆晶结构及其制造方法。 0004 一种LED覆。
7、晶结构，包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯 片。所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极。所述LED芯片包括分别与电路层的 第一电极与第二电极对应连接的正电极和负电极。所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶 连接所述第一电极和第二电极。所述LED覆晶结构还包括位于所述正电极与负电极之间的 阻挡结构，所述阻挡结构为胶状绝缘材料制成。 0005 一种LED覆晶结构的制造方法，包括以下步骤： 提供一基板，该基板上形成有电路层，所述电路层包括相互绝缘的两电极； 点胶，在电路层两电极之间滴加胶状绝缘材料，形成阻挡结构； 覆晶，将LED芯片上的两个电极分别通过焊料覆晶连接于所述电路层的两。
8、电极，形成 LED覆晶结构。 0006 所述LED覆晶结构中，由于在所述电路层两电极之间形成了所述阻挡结构，并且 所述阻挡结构为胶状绝缘材料，能够有效的阻挡焊料在焊接过程中熔化产生的溢流，避免 因溢流而导致两电极短路等不良，同时，由于该阻挡结构为胶状绝缘材料，可根据需要产生 形变，因此不会限制LED芯片设置的高度，方便生产制作及产品设计。 附图说明 0007 图1是本发明一实施方式提供的LED覆晶结构的示意图。 0008 图2是本发明一实施方式提供的LED覆晶结构制造方法中在基板上滴加胶状绝缘 材料后的示意图。 0009 主要元件符号说明 LED覆晶结构10 基板11 电路层12 第一电极12。
9、1 第二电极122 LED芯片13 正电极131 负电极132 说 明 书CN 102842666 A 2/3页 4 阻挡结构14 金属垫片15 第一焊料161 第二焊料162 空间18 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。 具体实施方式 0010 以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。 0011 请参阅图1，本发明实施方式提供的一种LED覆晶结构10包括基板11、电路层12、 LED芯片13及阻挡结构14。 0012 所述基板11用于支撑所述LED芯片13于其上。所述基板11呈平板状，其材料为 硅晶片。 0013 所述电路层12形成于所述基板11的上表面，所述电路层12包括相。
10、互绝缘的第一 电极121与第二电极122及分别形成于所述第一电极121与第二电极122上表面的金属垫 片15。所述金属垫片15对应LED芯片13的电极设置，对LED芯片13起到定位及支撑的作 用。具体实施时，所述第一电极121与第二电极122上也可以不形成该金属垫片15。 0014 所述LED芯片13通过覆晶方式固定于所述基板11的电路层12上。所述LED芯片 13包括分别与电路层的第一电极121和第二电极122相对应的正电极131和负电极132。 所述正电极131与负电极132分别通过第一焊料161和第二焊料162与所述电路层12的 第一电极121和第二电极122。电连接。本实施例中，将所述。
11、LED芯片13固定于电路层12 上时，所述第一焊料161和第二焊料162由于高温熔化，产生溢流，分别包覆所述金属垫片 15，并将所述发光二极管芯片13的正电极131与负电极132分别通过金属垫片15与第一 电极121和第二电极122连接。所述LED芯片13、电路层12及基板11共同围设形成一空 间18。 0015 所述阻挡结构14形成于所述基板11上，并位于所述LED芯片13、电路层12及基 板11围设形成的空间18内。所述阻挡结构14为胶状的绝缘材料制成，当选择不同的胶 状的绝缘材料形成该阻挡结构14于基板上时，只要是具有一定黏度而使得阻挡结构14可 保持特定的形状，而当受到外力挤压时，具有。
12、较好的形变能力且不会流散开的电性绝缘的 材料均可。在本实施例中，所述阻挡结构14为胶状高分子聚合物，如聚丙烯酸钠、聚丙烯酰 胺、卡拉胶、明胶等。该阻挡结构14位于第一焊料161和第二焊料162之间，其相对两侧分 别与第一焊料161和第二焊料162连接。由于该阻挡结构14是由胶状高分子聚合物材料 制成，因而在受到外力的作用下具有较好的形变能力。本实施例中，于安装LED芯片13之 前，该阻挡结构14的初始状态由于内聚力作用而呈半球状，该阻挡结构14的顶端稍微高于 所述第一焊料161和第二焊料162的上表面；当安装所述LED芯片13于该阻挡结构14上 后，阻挡结构14的形状由于该LED芯片13的重力。
13、作用下被挤压变形直至其顶端大致与第 一焊料161和第二焊料162的上表面平齐，此时，该阻挡结构14处于变形状态而大致呈椭 圆形，该阻挡结构14于变形状态的厚度小于其初始状态的厚度。因此，形成该LED覆晶结 构10时，该阻挡结构14初始状态的厚度不会对LED芯片13的设置高度产生影响。 0016 本发明实施方式提供了一种LED覆晶结构10的制造方法，包括以下步骤： 说 明 书CN 102842666 A 3/3页 5 提供一基板11，该基板11上形成有电路层12，所述电路层12包括相互绝缘的第一电 极121和第二电极122。所述基板11呈平板状，其材料为硅基片。 0017 在所述电路层12的第一。
14、电极121和第二电极122表面还分别形成有金属垫片15， 所述金属垫片15对应LED芯片13的正电极131和负电极132设置。 0018 请参阅图2，在电路层12的第一电极121和第二电极122之间滴加胶状绝缘材料， 形成阻挡结构14。所述胶状绝缘材料为胶状高分子聚合物，如聚丙烯酸钠、聚丙烯酰胺、卡 拉胶、明胶等。该阻挡结构14的底端与基板11连接，其顶端稍微高于所述金属垫片15及 用于焊接的所述第一焊料161和第二焊料162的上表面。 0019 将LED芯片13上的正电极131和负电极132分别通过第一焊料161和第二焊料 162覆晶连接于所述电路层12的第一电极121和第二电极122，形成。
15、LED覆晶结构10。当 连接LED芯片13的电极与电路层12的电极时，所述第一焊料161和第二焊料162因为高 温溶化而容易产生溢流，而由于所述阻挡结构14位于电极之间，可对所述第一焊料161和 第二焊料162溢流的路径形成阻挡，从而防止溢流而将LED芯片13之间连接形成短路；且 由于所述阻挡结构14为胶状绝缘材料，因此在安装所述LED芯片13时，所述阻挡结构14 的形状可受到该LED芯片13重力的挤压而变形，因此该阻挡结构14初始状态时的厚度不 会对LED芯片13的设置高度产生影响。 0020 本实施方式揭露的所述LED覆晶结构中，由于在所述电路层两电极之间形成了所 述阻挡结构，并且所述阻挡结构为胶状绝缘材料，能够有效的阻挡焊料在焊接过程中熔化 产生的溢流而导致两电极短路等不良，同时，由于该阻挡结构为胶状绝缘材料，可根据需要 产生形变，因此不会限制LED芯片设置的高度，方便生产制作及产品设计。 0021 可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做 出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范 围。 说 明 书CN 102842666 A 1/1页 6 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102842666 A 。