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1、(10)申请公布号 CN 102832324 A (43)申请公布日 2012.12.19 C N 1 0 2 8 3 2 3 2 4 A *CN102832324A* (21)申请号 201210322985.0 (22)申请日 2012.09.04 H01L 33/48(2010.01) (71)申请人江苏尚明光电有限公司 地址 222000 江苏省连云港市连云港经济技 术开发区临港产业区黄海大道北、顾圩 路东 (72)发明人刘淑娟 何雷 张佃环 (74)专利代理机构南京众联专利代理有限公司 32206 代理人刘喜莲 (54) 发明名称 一种大功率LED封装结构 (57) 摘要 一种大功率。
2、LED封装结构，该封装结构包括 铜制或铝制的散热器，散热器上外侧固定设有引 线电极支架，散热器上中部通过焊料层焊接设有 硅基层，硅基层上设有下电极层，下电极层上设有 若干键合金球，各键合金球上部通过铟焊料层与 上电极层连接，上电极层上依次设有LED外延层 和蓝宝石衬底层；所述的键合金球、铟焊料层等 周围均将覆设有荧光粉保护层，引线电极支架通 过铝制键合丝与下电极层连接导通；各部件均通 过透光性硅胶材料层封装在散热器上，在透光性 硅胶材料层上方设有固定在引线电极支架上的树 脂透镜。本发明结构设计合理，封装过程可操作性 强，封装效果好，可以有效地提高大功率LED发光 效率，保证并延长大功率LED的。
3、使用寿命。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 1/1页 2 1.一种大功率LED封装结构，其特征在于：该封装结构包括铜制或铝制的散热器，散热 器上外侧固定设有引线电极支架，散热器上中部通过焊料层焊接设有硅基层，硅基层上设 有下电极层，下电极层上设有若干键合金球，各键合金球上部通过铟焊料层与上电极层连 接，上电极层上依次设有LED外延层和蓝宝石衬底层；所述的键合金球、铟焊料层、上电极 层、LED外延层和蓝宝石衬底层的周围均将覆设有荧光粉保护层，引线电极支架通过。
4、铝制键 合丝与下电极层连接导通；所述的下电极层、键合金球、铟焊料层、上电极层、LED外延层和 蓝宝石衬底层以及荧光粉保护层均通过透光性硅胶材料层封装在散热器上，在透光性硅胶 材料层上方设有固定在引线电极支架上的树脂透镜。 2.根据权利要求1所述的一种大功率LED封装结构，其特征在于：所述的键合金球的 直径为50-110m，硅基层的厚度为220-300m；铟焊料层的厚度为20-50m。 权 利 要 求 书CN 102832324 A 1/2页 3 一种大功率 LED 封装结构 技术领域 0001 本发明涉及一种LED，特别是一种大功率LED封装结构。 背景技术 0002 大功率LED生产过程中，。
5、在大功率LED的半导体芯片做好后，为了使半导体芯片免 受机械应力、热应力、有害气体以及放射线等外部环境的影响，需要对半导体芯片进行封装 和保护处理。封装后一方面可以保证半导体器件最大限度的发挥它的电学特性而正常工 作，提高其使用寿命，另一方面通过封装也将会使应用更加方便。 0003 随着大功率LED的进一步推广运用，用户对大功率LED的可靠性要求越来越高，不 适当的封装结构会降低LED生产的成品率，缩短大功率LED的使用寿命，降低企业的生产效 率，提高产品的生产成本，因此，研发更为完善先进的LED封装结构具有重要的现实意义。 发明内容 0004 本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提。
6、供一种封装结构设计更为 合理、封装操作方便、封装效果好的一种大功率LED封装结构。 0005 本发明所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本发明是一种大功 率LED封装结构，其特点是：该封装结构包括铜制或铝制的散热器，散热器上外侧固定设有 引线电极支架，散热器上中部通过焊料层焊接设有硅基层，硅基层上设有下电极层，下电极 层上设有若干键合金球，各键合金球上部通过铟焊料层与上电极层连接，上电极层上依次 设有LED外延层和蓝宝石衬底层；所述的键合金球、铟焊料层、上电极层、LED外延层和蓝宝 石衬底层的周围均将覆设有荧光粉保护层，引线电极支架通过铝制键合丝与下电极层连接 导通；所述的下电极层。
7、、键合金球、铟焊料层、上电极层、LED外延层和蓝宝石衬底层以及荧 光粉保护层均通过透光性硅胶材料层封装在散热器上，在透光性硅胶材料层上方设有固定 在引线电极支架上的树脂透镜。 0006 本发明所述的一种大功率LED封装结构技术方案中：所述的键合金球的优选直径 为50-110m，硅基层的厚度优选为220-300m；铟焊料层的厚度优选为20-50m。 0007 与现有技术相比，本发明大功率LED封装结构设计合理，封装过程可操作性强，封 装效果好，可以有效地提高大功率LED发光效率，保证并延长大功率LED的使用寿命。 附图说明 0008 图1为本发明的一种结构示意图。 具体实施方式 0009 以下参。
8、照附图，进一步描述本发明的具体技术方案，以便于本领域的技术人员进 一步地理解本发明，而不构成对其权利的限制。 0010 实施例1，参照图1，一种大功率LED封装结构，该封装结构包括铜制或铝制的散热 说 明 书CN 102832324 A 2/2页 4 器1，散热器1上外侧固定设有引线电极支架2，散热器2上中部通过焊料层13焊接设有硅 基层12，硅基层12上设有下电极层11，下电极层11上设有若干键合金球4，各键合金球4 上部通过铟焊料层14与上电极层10连接，上电极层10上依次设有LED外延层8和蓝宝石 衬底层7；所述的键合金球4、铟焊料层14、上电极层10、LED外延层8和蓝宝石衬底层7的 。
9、周围均将覆设有荧光粉保护层9，引线电极支架2通过铝制键合丝3与下电极层11连接导 通；所述的下电极层11、键合金球4、铟焊料层14、上电极层10、LED外延层8和蓝宝石衬底 层7以及荧光粉保护层9均通过透光性硅胶材料层5封装在散热器1上，在透光性硅胶材 料层5上方设有固定在引线电极支架2上的树脂透镜6。 0011 实施例2，实施例1所述的一种大功率LED封装结构中：所述的键合金球4的直径 为50m，硅基层12的厚度为220m；铟焊料层14的厚度为20m。 0012 实施例3，实施例1所述的一种大功率LED封装结构中：所述的键合金球4的直径 为110m，硅基层12的厚度为300m；铟焊料层14的厚度为50m。 0013 实施例4，实施例1所述的一种大功率LED封装结构中：所述的键合金球4的直径 为100m，硅基层12的厚度为260m；铟焊料层14的厚度为35m。 说 明 书CN 102832324 A 1/1页 5 图1 说 明 书 附 图CN 102832324 A 。