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1、(10)申请公布号 CN 102881642 A (43)申请公布日 2013.01.16 C N 1 0 2 8 8 1 6 4 2 A *CN102881642A* (21)申请号 201210353208.2 (22)申请日 2012.09.20 H01L 21/768(2006.01) (71)申请人上海集成电路研发中心有限公司 地址 201210 上海市浦东新区张江高科高斯 路497号 (72)发明人胡红梅 (74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31275 代理人吴世华 林彦之 (54) 发明名称 重新布线图形的形成方法 (57) 摘要 本发明公开了一种重。
2、新布线图形的形成方 法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：向半 导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，可显 影填充材料的填充深度小于硅通孔的深度；在硅 通孔内的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料， 光刻胶材料与所述可显影填充材料相兼容；以及 去除光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通 孔内的可显影填充材料。本发明中，利用可显影填 充材料填充硅通孔，在填充材料之上再涂布光刻 胶进行重新布线层曝光，最后显影去除曝光后的 光刻胶和硅通孔内的可显影填充材料，从而避免 了通常重新布线光刻工艺中利用光刻胶填充硅通 孔时产生的通孔内光刻胶残留，最终提高了硅通 孔的电学性能。 (51)Int.Cl. 权利要。
3、求书3页 说明书6页 附图4页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 3 页 说明书 6 页 附图 4 页 1/3页 2 1.一种重新布线图形的制造方法，其特征在于，包括： 向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，所述可显影填充材料的填充深度小于 所述硅通孔的深度； 在所述硅通孔内的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，所述光刻胶材料与所述可显 影填充材料相兼容； 去除所述光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料。 2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述可显影填充材料的填充深度为 1/22/3的所述硅通孔的深度。 3.根据权利要求。
4、1所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充 可显影填充材料具体为：分次向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料。 4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，向半导体基片的硅通孔中填充可显 影填充材料包括： 分次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料； 对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理； 使用显影液对经过烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理； 每次显影处理后对半导体基片进行冲洗。 5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充 可显影填充材料中，随着填充次数的递增，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使 用的可显。
5、影填充材料剂量递减。 6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充 可显影填充材料中，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料 剂量为10毫升30毫升。 7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充 可显影填充材料中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤 的时间随着分次涂布的可显影填充的剂量减少而缩短。 8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充 可显影填充材料中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤 的时间为60秒120秒。 9。
6、.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充 可显影填充材料中，每次对涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤 的温度为200摄氏度205摄氏度。 10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述每次对涂布处理后硅通孔中的 可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的温度为200摄氏度。 11.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充 可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处 理时，每次使用的显影液的剂量为30毫升60毫升。 12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述每次使。
7、用的显影液的剂量为 50毫升。 13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述显影液为四甲基氢氧化铵。 权 利 要 求 书CN 102881642 A 2/3页 3 14.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充 可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处 理时，每次使用的显影液的温度为23摄氏度26摄氏度。 15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填 充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影 处理时，每次使用的显影液的温度为25摄氏度。 16.。
8、根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充 可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处 理时，显影液的浸泡时间随着显影次数的增加而依次递减。 17.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填 充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影 处理时，每次显影液的浸泡时间为2分钟6分钟。 18.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充 可显影填充材料中，每次显影处理后使用去离子水对半导体基片进行冲洗。 19.根据权利要求18所述的制造方法，。
9、其特征在于，所述每次显影处理后使用去离子 水对半导体基片进行冲洗，冲洗的时间为25秒40秒。 20.根据权利要求19所述的制造方法，其特征在于，所述每次显影处理后使用去离子 水对半导体基片进行冲洗，冲洗的时间为30秒。 21.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述硅通孔中的可显影填充材料 之上涂布光刻胶材料之后还包括：对所述硅通孔中涂布的光刻胶的进行烘烤。 22.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述硅通孔中的可显影填充材料 之上涂布光刻胶材料时，光刻胶材料的剂量为2.5毫升3.5毫升。 23.根据权利要求22所述的制造方法，其特征在于，在所述硅通孔中的可显影填充材 料之上。
10、涂布光刻胶材料时，光刻胶材料的剂量为3毫升。 24.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对所述光刻胶进行曝光并去除曝光 处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料。 25.根据权利要求24所述的制造方法，其特征在于，对所述光刻胶进行曝光并去除曝 光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料包括： 对曝光处理后的光刻胶进行显影处理，去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图 形； 对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料。 26.根据权利要求25所述的制造方法，其特征在于，对可显影填充材料进行显影处理 以去除硅通孔内的可显。
11、影填充材料包括： 使用显影液分次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料。 27.根据权利要求26所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影 处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的剂量为40毫升60毫升。 28.根据权利要求27所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影 处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的剂量为50毫升。 29.根据权利要求26所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影 权 利 要 求 书CN 102881642 A 3/3页 4 处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的温度为23摄氏度26摄。
12、氏度。 30.根据权利要求29所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影 处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的温度为25摄氏度。 31.根据权利要求26所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影 处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的浸泡时间为4分钟8分钟。 32.根据权利要求26所述的制造方法，其特征在于，每次对可显影填充材料进行显影 处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，随着显影次数的递增，每次显影液的浸泡时间 递减。 33.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对所述光刻胶进行曝光并去除曝光 处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅。
13、通孔内可显影填充材料之后包括：用去 离子水对半导体基片进行冲洗。 34.根据权利要求1-33任意所述的制造方法，其特征在于，所述可显影填充材料由有 机溶剂、抗反射吸收材料、有机酸基团树脂、有机基团树脂，以及交联树脂组成，所述有机基 团树脂含氧、氟元素。 权 利 要 求 书CN 102881642 A 1/6页 5 重新布线图形的形成方法 技术领域 0001 本发明属于半导体制造技术领域，具体地说，涉及一种重新布线图形的形成方法。 背景技术 0002 在集成电路设计中，利用3D集成方案，将多层平面型器件芯片进行堆叠，并采用 硅通孔（TSV-through silicon via）进行各芯片层间的。
14、互连，从而减小芯片面积，缩短整体 互连线的长度，降低驱动信号所需的电功率。 0003 硅通孔通常借助于背面后通孔（via last-backside）技术来制作，该技术是在芯 片制作结束后在晶圆背面进行制造完成，其制造过程包括硅通孔的隔离和金属化，背面重 布线层（RDL-redistribution layer）和凸点布局等。 0004 图4a为现有技术中硅通孔内填充光刻胶的示意图。如图4a所示，提供半导体基 片401，该半导体基片401的背面形成硅通孔402，硅通孔402填充有光刻胶406，半导体基 片401的背面还设置有隔离层403和铜籽晶层404，硅通孔402底部与半导体基片401中 的。
15、金属层405接触，其中半导体基片401可以为集成电路或者其他元件的一部分。图4b为 现有技术中去除光刻胶后出现光刻胶残留的示意图。如图4b所示，对光刻胶406进行曝光 显影处理形成重新布线图形407，但是，由于在形成重新布线图形407的过程中，硅通孔402 内的光刻胶406在曝光时光化学反应不充分，导致光刻胶406显影后在通孔底部经常出现 残留光刻胶408，从而影响了硅通孔402的性能尤其是金属化后的导电特性。如果利用干法 刻蚀去除通孔底部的残留光刻胶408会对通孔侧壁和底部造成损伤，同样会影响使用硅通 孔402电特性，如出现漏电等。 发明内容 0005 本发明所要解决的技术问题是提供一种重新。
16、布线图形的形成方法，用以解决现有 技术中光刻胶残留影响硅通孔电特性。 0006 为了解决上述技术问题，本发明提供了一种重新布线图形的形成方法，该方法包 括： 向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，所述可显影填充材料的填充深度小于 所述硅通孔的深度； 在所述硅通孔内的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，所述光刻胶材料与所述可显 影填充材料相兼容； 对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除 硅通孔内的可显影填充材料。 0007 优选地，所述可显影填充材料的填充深度为1/22/3的所述硅通孔的深度。 0008 优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料具。
17、体为：分次向半导 体基片的硅通孔中填充可显影填充材料。 0009 优选地，向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料包括： 说 明 书CN 102881642 A 2/6页 6 分次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料； 对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理； 使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理； 每次显影处理后对半导体基片进行冲洗。 0010 优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，随着填充次数的 递增，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料剂量递减。 0011 优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中。
18、，每次向所述硅通 孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料剂量为10毫升30毫升。 0012 优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，对每次涂布处理 后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的时间随着分次涂布的可显影填充的 剂量减少而缩短。 0013 优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，对每次涂布处理 后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的时间为60秒120秒。 0014 优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，每次对涂布处理 后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的温度为200摄氏度205摄氏度。 0015 优。
19、选地，所述每次对涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘 烤的温度为200摄氏度。 0016 优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘 烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的剂量为30 毫升60毫升。 0017 优选地，所述每次使用的显影液的剂量为50毫升。 0018 优选地，所述显影液为四甲基氢氧化铵。 0019 优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘 烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的温度为23 摄氏度26摄氏度。 0020 优选地，所述向半导体基片。
20、的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘 烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的温度为25 摄氏度。 0021 优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘 烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，显影液的浸泡时间随着显影次 数的增加而依次递减。 0022 优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘 烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次显影液的浸泡时间为2分 钟6分钟。 0023 优选地，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，每次显影处理后 使用去离子水对半导体。
21、基片进行冲洗。 0024 优选地，所述每次显影处理后使用去离子水对半导体基片进行冲洗，冲洗的时间 为25秒40秒。 0025 优选地，所述每次显影处理后使用去离子水对半导体基片进行冲洗，冲洗的时间 说 明 书CN 102881642 A 3/6页 7 为30秒。 0026 优选地，在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料之后还包括：对 所述硅通孔中涂布的光刻胶的进行烘烤。 0027 优选地，在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料时，光刻胶材料 的剂量为2.5毫升3.5毫升。 0028 优选地，在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料时，光刻胶材料 的剂量为3毫升。 0。
22、029 优选地，对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图 形，以及对可显影填充材料进行显影处理去除硅通孔内可显影填充材料包括： 对曝光处理后的光刻胶进行显影处理，去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图 形； 对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料。 0030 优选地，对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料包 括：使用显影液分次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料。 0031 优选地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料 时，显影液的剂量为40毫升60毫升。 0032 优选地，每次对可。
23、显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料 时，显影液的剂量为50毫升。 0033 优选地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料 时，显影液的温度为23摄氏度26摄氏度。 0034 优选地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料 时，显影液的温度为25摄氏度。 0035 优选地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料 时，显影液的浸泡时间为4分钟8分钟。 0036 优选地，每次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料 时，随着显影次数的递增，每次显影液的浸泡时间递减。 0037 优选地，对所。
24、述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图 形，以及去除硅通孔内可显影填充材料之后包括：用去离子水对半导体基片进行冲洗。 0038 优选地，所述可显影填充材料由有机溶剂、抗反射吸收材料、有机酸基团树脂、有 机基团树脂，以及交联树脂组成，所述有机基团树脂含氧、氟元素。 0039 与现有的方案相比，本发明中，利用可显影填充材料填充硅通孔，在填充材料之上 再涂布光刻胶进行重新布线层曝光，最后显影去除曝光后的光刻胶和硅通孔内的可显影填 充材料，从而避免了通常重新布线光刻工艺中利用光刻胶填充硅通孔时产生的通孔内光刻 胶残留，最终提高了硅通孔的电学性能。 附图说明 0040 图1为本发明重。
25、新布线图形的形成方法实施例流程示意图； 图2为图1实施例中填充可显影材料的流程图； 图3a为本发明处于填充可显影填充材料后的变化示意图； 说 明 书CN 102881642 A 4/6页 8 图3b为图3a之后处于涂布光刻胶过程后的变化示意图； 图3c为对光刻胶进行曝光显影和去除可显影填充材料过程后的变化示意图； 图4a为现有技术中硅通孔内填充光刻胶的示意图； 图4b为现有技术中去除光刻胶后硅通孔内出现光刻胶残留的示意图。 具体实施方式 0041 以下将配合图式及实施例来详细说明本发明的实施方式，藉此对本发明如何应用 技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。 004。
26、2 图1为本发明重新布线图形的形成方法实施例流程示意图。如图1所示，本实施 例中，重新布线图形的形成方法包括如下步骤： 步骤101、向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，所述可显影填充材料的填充 深度小于所述硅通孔的深度。 0043 本实施例中，为了避免硅通孔内的可显影填充材料太厚导致去除可显影填充材料 的时间太长或者太薄可能导致曝光时硅通孔内的光刻胶光化学反应不充分，因此，综合考 虑可显影填充材料的去除时间和光刻胶的充分曝光，所述可显影填充材料的填充深度可以 为1/22/3的所述硅通孔的深度，优选的，可以为2/3的所述硅通孔的深度。在向半导体基 片的硅通孔中填充可显影填充材料时可以采用：。
27、分次向半导体基片的硅通孔中填充可显影 填充材料，对可显影填充材料进行多次涂布、每次涂布后即烘烤、多次显影、冲洗半导体基 片，以向半导体基片的硅通孔中填充一定深度的可显影填充材料。本实施例中，可显影填充 材料可以由有机溶剂、抗反射吸收材料、有机酸基团树脂、有机基团树脂和交联树脂组成， 有机基团树脂含氧、氟元素，这种可显影填充材料可以起到填充通孔和表面平坦化的作用， 如果下述步骤中的显影液选用四甲基氢氧化铵的话，该可显影填充材料可溶解于四甲基氢 氧化铵，因此，这种可显影填充材料的也就避了干法刻蚀处理。 0044 图2为图1实施例中填充可显影材料的流程图。本实施例中，向半导体基片的硅 通孔中填充可显。
28、影填充材料包括： 步骤111、分次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料； 本实施例中，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，随着填充次数的 递增，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料剂量可以递减。 之所以要递减，是考虑到随着填充的不断进行，硅通孔的深度越来越小，所需的可显影填充 材料不断减少，填充精度也越来越高。具体地，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料 时，使用的可显影填充材料剂量可以为10毫升30毫升。 0045 步骤121、对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理； 本实施例中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的 温。
29、度可以为200摄氏度205摄氏度，优选地，烘烤的温度为200摄氏度。本领域普通技术 人员可理解，为了兼顾考虑可显影填充材料中溶剂的挥发和可显影填充材料的显影，太低 不利于溶剂挥发，太高不利于显影，烘烤的温度可以不局限于这里的范围。 0046 本实施例中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘 烤的时间随着分次涂布的可显影填充的剂量减少而缩短。优选地，对每次涂布处理后硅通 孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的时间为60秒120秒。 说 明 书CN 102881642 A 5/6页 9 0047 步骤131、使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处 理。
30、； 在经过多次执行步骤111和步骤121之后，完成可显影填充材料的涂布和烘烤后，再对 完成烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理。 0048 本实施例中，所述显影液可以但不仅限于为四甲基氢氧化铵。每次对烘烤处理后 硅通孔中的可显影填充材料进行显影处理时，每次使用的显影液的剂量可以为30毫升60 毫升，优选地，每次使用的显影液的剂量可以为50毫升。 0049 本实施例中，对每次烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行显影处理时，每 次使用的显影液的温度可以为23摄氏度26摄氏度，优选地，每次使用的显影液的温度可 以为25摄氏度。 0050 本实施例中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可。
31、显影填充材料进行多次显影 处理时，显影液的浸泡时间随着显影次数的增加而依次递减。优选地，每次显影液的浸泡时 间为2分钟6分钟。 0051 步骤141、每次显影处理后对半导体基片进行冲洗。 0052 本实施例中，使用去离子水对显影处理后的半导基片进行冲洗，具体地，每次冲洗 的时间为25秒40秒，优选地，每次冲洗的时间为30秒。此处，只要保证冲洗的效果，本领 域普通技术人员可以根据实际需求，灵活设置冲洗的时间，以坚固考虑冲洗效果和生产效 率（throughput）。 0053 步骤102、在所述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，所述光刻胶材 料与所述可显影填充材料相兼容。 0054 在所。
32、述硅通孔中的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料时，光刻胶材料的剂量可 以为2.5毫升3.5毫升，优选地，光刻胶材料的剂量为3毫升。此处的涂布可采用常用的 涂布工艺，并不做具体限定。所述光刻胶材料与所述可显影填充材料相兼容是指可显影填 充材料不溶解于所述光刻胶中。 0055 本实施例中，在完成光刻胶的涂布后，还可以对光刻胶的进行烘烤处理，可以根据 光刻胶的特性来控制烘烤的时间。 0056 步骤103、对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布线图 形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料。 0057 本实施例中，步骤103包括：对曝光处理后的光刻胶进行显影处理，去除曝光处理 后的光刻胶。
33、，以形成重新布线图形；以及对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内 的可显影填充材料。当可显影填充材料太厚时，可以多次显影处理可显影填充材料的去除， 当可显影填充材料时比较薄时，也可以一次显影处理完成可显影填充材料的去除。进一步 地，当可显影填充材料太厚时，以充分去除可显影填充材料，对可显影填充材料进行显影处 理以去除硅通孔内的可显影填充材料可以包括：使用显影液分次对可显影填充材料进行显 影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料。具体地，每次对可显影填充材料进行显影处理 以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的剂量为40毫升60毫升，优选为50毫升。 0058 本实施例中，每次对可显影填充材料。
34、进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充 材料时，显影液的温度可以为23摄氏度26摄氏度，优选地，显影液的温度为25摄氏度。每 次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影填充材料时，显影液的浸泡时 说 明 书CN 102881642 A 6/6页 10 间可以为4分钟8分钟。 0059 本实施例中，所述分次对可显影填充材料进行显影处理以去除硅通孔内的可显影 填充材料时，随着显影次数的递增，每次显影液的浸泡时间递减。 0060 本实施例中，对所述光刻胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶，以形成重新布 线图形，以及去除硅通孔内显影填充材料之后还可以包括：用去离子水对半导体基片进行 冲洗。 0。
35、061 图3a为本发明处于填充可显影填充材料后的变化示意图。如图3a所示，某集成 电路中提供半导体基片301，该半导体基片301的背面形成有硅通孔302，半导体基片301 的背面还设置有隔离层303和铜籽晶层304，硅通孔底部与半导体基片301中的金属层305 接触，经过多次涂布和烘烤以及最后的多次显影和冲洗工艺，使可显影填充材料307填充 硅通孔302深度的2/3。 0062 图3b为图3a之后处于涂布光刻胶过程后的变化示意图。如图3b所示，在可显影 填充材料307之上涂布光刻胶306。 0063 图3c为对光刻胶进行曝光显影和去除可显影填充材料过程后的变化示意图。如 图3c所示，对所述光刻。
36、胶进行曝光并去除曝光处理后的光刻胶306，以形成重新布线图形 308，以及利用多次显影工艺去除硅通孔302内的可显影填充材料307。 0064 本发明的上述实施例中，利用可显影填充材料填充硅通孔，在填充材料之上再涂 布光刻胶进行重新布线层曝光，最后显影去除曝光后的光刻胶和硅通孔内的可显影填充材 料，从而避免了通常重新布线光刻工艺中利用光刻胶填充硅通孔时产生的通孔内光刻胶残 留，最终提高了硅通孔的电学性能。 0065 上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本发明 并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、 修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识 进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发 明所附权利要求的保护范围内。 说 明 书CN 102881642 A 10 1/4页 11 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102881642 A 11 2/4页 12 图3a 图3b 说 明 书 附 图CN 102881642 A 12 3/4页 13 图3c 图4a 说 明 书 附 图CN 102881642 A 13 4/4页 14 图4b 说 明 书 附 图CN 102881642 A 14 。