有机半导体.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 102844903 A (43)申请公布日 2012.12.26 C N 1 0 2 8 4 4 9 0 3 A *CN102844903A* (21)申请号 201180020403.7 (22)申请日 2011.04.20 1006832.8 2010.04.23 GB H01L 51/00(2006.01) H01L 51/05(2006.01) (71)申请人剑桥显示技术有限公司 地址英国剑桥 (72)发明人 S祖布里 T祖布里 (74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专 利商标事务所 11038 代理人杨勇 (54) 发明名称 有机半导体 (57) 摘要 。

2、包含结构（I）的半导体化合物，其中X 1 和X 2 独立地为S、Se、SiR 1 R 2 、O、CR 3 R 4 、C 2 R 5 R 6 、N、NR 7 ，其 中R 1 至R 7 独立地包含氢，直链、支化或环状烷基 、烯基或炔基，烷氧基，芳基，甲硅烷基或氨基；其 中Ar 1 至Ar 4 各自是任选的，并且在存在的情况下 独立地包含芳基或杂芳基；并且其中Y 1 至Y 4 独立 地包含氢，反应性基团，任选地取代的直链、支化 或环状烷基、烷氧基、烯基、炔基、酰氨基或氨基， 任选地取代的芳基或杂芳基，其中Y 1 至Y 4 的至少 一个不包含氢。以及涉及该半导体化合物的方法 和器件。 (30)优先权数。

3、据 (85)PCT申请进入国家阶段日 2012.10.23 (86)PCT申请的申请数据 PCT/GB2011/000613 2011.04.20 (87)PCT申请的公布数据 WO2011/131936 EN 2011.10.27 (51)Int.Cl. 权利要求书3页 说明书8页 附图2页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 3 页 说明书 8 页 附图 2 页 1/3页 2 1.包含以下结构的半导体化合物： 其中X 1 和X 2 独立地为S、Se、SiR 1 R 2 、O、CR 3 R 4 、C 2 R 5 R 6 、N、NR 7 ，其中R 1 至R 。

4、7 独立地包含 氢，直链、支化或环状烷基、烯基或炔基，烷氧基，芳基，甲硅烷基或氨基； 其中Ar 1 至Ar 4 各自是任选的，并且在存在的情况下独立地包含芳基或杂芳基； 并且其中Y 1 至Y 4 独立地包含氢，反应性基团，任选地取代的直链、支化或环状烷基、烷 氧基、烯基、炔基、酰氨基或氨基，任选地取代的芳基或杂芳基，其中Y 1 至Y 4 的至少一个不包 含氢。 2.包含以下结构的半导体化合物： 其中n为2至10,000的整数； 其中X 1 和X 2 独立地为S、Se、SiR 1 R 2 、O、CR 3 R 4 、C 2 R 5 R 6 、N、NR 7 ，其中R 1 至R 7 独立地包含 氢，直。

5、链、支化或环状烷基、烯基或炔基，烷氧基，芳基，甲硅烷基或氨基； 其中Ar 1 至Ar 4 各自是任选的，并且在存在的情况下独立地包含芳基或杂芳基； 并且其中Y 1 至Y 4 独立地包含氢，反应性基团，任选地取代的直链、支化或环状烷基、烷 氧基、烯基、炔基、酰氨基或氨基，任选地取代的芳基或杂芳基，其中Y 1 至Y 4 的至少一个不包 含氢。 3.根据权利要求2的半导体化合物，其中该化合物是聚合物或共聚物。 4.根据权利要求2的半导体化合物，其中n为2至10的整数。 5.根据权利要求1至4任一项的半导体化合物，其中Ar 1 至Ar 4 独立地包含具有选自 S、O、Si、N、Se的杂原子的杂环基团。。

6、 6.根据以上权利要求任一项的半导体化合物，其中Y 1 至Y 4 的至少一个包含增溶基团。 权 利 要 求 书CN 102844903 A 2/3页 3 7.根据权利要求6的半导体化合物，其中Y 1 至Y 4 的增溶基团独立地包含任选地取代 的直链、支化或环状烷基、烷氧基、烯基、炔基、酰氨基或氨基。 8.根据以上权利要求任一项的半导体化合物，其中该半导体化合物包含两个或更多个 反应性或可聚合基团。 9.根据权利要求8的半导体化合物，其中Y 1 和Y 3 或者Y 2 和Y 4 包含反应性或可聚合基 团。 10.根据权利要求8或权利要求9的半导体化合物，其中该反应性或可聚合基团独立地 包含卤素、硼。

7、酸、二硼酸、硼酸和二硼酸的酯、亚烷基或甲锡烷基。 11.根据以上权利要求任一项的半导体化合物，其中该化合物包含选自以下的结构： 其中F 8 包含以下结构： 12.电子器件，其包含半导体部分，该半导体部分包含根据以上权利要求任一项的化合 权 利 要 求 书CN 102844903 A 3/3页 4 物。 13.溶液，该溶液用于施加于基材表面以在基材上形成半导体部分，该溶液包含根据以 上权利要求任一项的化合物。 14.电子器件的制造方法，其包含将根据权利要求13的溶液施加于基材上。 权 利 要 求 书CN 102844903 A 1/8页 5 有机半导体 技术领域 0001 本发明总体上涉及有机半。

8、导体，特别是涉及用于形成薄膜晶体管的一部分的有机 半导体。 背景技术 0002 晶体管可分为两种主要类型：双极结晶体管和场效应晶体管。两种类型均具有包 括三个电极的共同结构，其具有在沟道区域中设置于其间的半导体材料。双极结晶体管的 三个电极称为发射极、集电极和基极，而在场效应晶体管中，三个电极称为源极、漏极和栅 极。由于在发射极和集电极之间的电流通过在基极和发射极之间流动的电流进行控制，因 此双极结晶体管可描述为电流操作器件。相反，由于源极和漏极之间流动的电流通过栅极 和源极之间的电压进行控制，因此场效应晶体管可描述为电压操作器件。 0003 根据是否包括分别传导正电荷载流子（空穴）或负电荷载。

9、流子（电子）的半导体材 料，晶体管也可分成p型和n型。半导体材料可根据其接收、传导和给予电荷的能力进行选 择。半导体材料接收、传导和给予空穴或电子的能力可通过将材料掺杂而增强。 0004 例如，p型晶体管器件可通过选择在接收、传导和给予空穴方面有效的半导体材 料，以及选择在从该半导体材料注入和接收空穴方面有效的源极和漏极材料而形成。电极 中费米能级与半导体材料的HOMO能级的良好能级匹配能增强空穴注入和接收。相反，n型 晶体管器件可通过选择在接收、传导和给予电子方面有效的半导体材料，和选择在向该半 导体材料注入电子和自该半导体材料接收电子方面有效的源极和漏极材料而形成。电极中 费米能级与半导体。

10、材料的LUMO能级的良好能级匹配能增强电子注入和接收。 0005 晶体管可通过沉积薄膜中的部件以形成薄膜晶体管（TFT）来形成。当有机材料用 作这种器件中的半导体材料时，其称为有机薄膜晶体管（OTFT）。 0006 OTFTs可以通过低成本、低温方法如溶液加工进行制造。而且，OTFTs与柔性塑料 基板兼容，提供了在卷对卷工艺中在柔性基板上大规模制造OTFTs的前景。 0007 参见图2，底栅有机薄膜晶体管（OTFT）的一般结构包括沉积于基板10上的栅极 12。介电材料的绝缘层11沉积在栅极12的上方，并且源极和漏极13、14沉积于介电材料 的绝缘层11的上方。源极和漏极13、14间隔开以限定其。

11、间的位于栅极12上方的沟道区。 有机半导体（OSC）材料15沉积于沟道区中，用于连接源极和漏极13、14。OSC材料15可以 至少部分地在源极和漏极13、14上方延伸。 0008 或者，已知的是在有机薄膜晶体管的顶部提供栅极以形成所谓的顶栅有机薄膜晶 体管。在这样的结构中，源极和漏极沉积于基板上并间隔开以限定其间的沟道区。有机半 导体材料层沉积于沟道区中以连接源极和漏极，并且可以至少部分地在源极和漏极上方延 伸。介电材料的绝缘层沉积于有机半导体材料上方，并且也可以至少部分地在源极和漏极 上方延伸。栅极沉积于绝缘层上方并且位于沟道区上方。 0009 有机薄膜晶体管可以制造于刚性或柔性基板上。刚性。

12、基板可选自玻璃或硅，并且 柔性基板可包括薄的玻璃或塑料，如聚（对苯二甲酸乙二醇酯）（PET）、聚（萘二甲酸乙二醇 说 明 书CN 102844903 A 2/8页 6 酯）（PEN）、聚碳酸酯和聚酰亚胺。 0010 有机半导体材料可通过使用合适的溶剂而变得可溶液加工。示例性的溶剂包括单 烷基苯或多烷基苯，例如甲苯和二甲苯；四氢化萘和氯仿。优选的溶液沉积技术包括旋涂和 喷墨印刷。其他溶液沉积技术包括浸渍涂布、辊印和丝网印刷。 0011 限定在源极和漏极之间的沟道的长度可最高达500微米，但是优选该长度小于 200微米，更优选小于100微米，最优选小于20微米。 0012 栅极可选自宽范围的导电材。

13、料，例如金属（例如金）或金属化合物（例如氧化铟 锡）。或者，导电聚合物可沉积为栅极。这种导电聚合物可使用例如旋涂或喷墨印刷技术以 及上述其他溶液沉积技术从溶液沉积。 0013 绝缘层包括从具有高电阻率的绝缘材料中选择的介电材料。尽管需要具有高k值 的材料，但是电介质的介电常数k通常约为2-3，因为对于OTFT可获得的电容与k成正比， 且漏电流ID与电容成正比。因而，为了以低的工作电压获得高的漏电流，在沟道区中具有 薄的介电层的OTFTs是优选的。 0014 介电材料可以是有机的或无机的。优选的无机材料包括SiO 2 、SiNx和旋涂玻璃 （SOG）。优选的有机材料通常是聚合物，包括绝缘聚合物例。

14、如聚乙烯醇（PVA）、聚乙烯吡咯烷 酮（PVP），丙烯酸酯例如聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、氟化聚合物和苯并环丁烷类（BCBs），它 们可从Dow Corning获得。绝缘层可以由材料的混合物形成或者包含多层结构。 0015 介电材料可以通过现有技术中已知的热蒸发、真空处理或者层积技术进行沉积。 或者，介电材料可以使用例如旋涂或喷墨印刷技术以及以上讨论的其它溶液沉积技术从溶 液沉积。 0016 如果介电材料从溶液沉积到有机半导体上，它不应当导致有机半导体的溶解。类 似地，如果有机半导体从溶液沉积到介电材料上，介电材料不应当溶解。避免这种溶解的技 术包括：使用正交溶剂，例如使用用于沉积最上层、不。

15、溶解下层的溶剂；以及使下层交联。 0017 绝缘层的厚度优选小于2微米，更优选小于500nm。 0018 有机半导体是一类具有大范围共轭的体系的有机分子，该体系允许电子的移 动。 0019 用于制备这些分子的优选方法为记载于例如WO 2000/53656中的Suzuki反应（偶 联或聚合反应）以及记载于例如T.Yamamoto，“Electrically Conducting And Thermally Stable -Conjugated Poly（arylene）s Prepared by Organometallic Processes”， Progress in Polymer Sci。

16、ence 1993，17，1153-1205中的Yamamoto聚合。这些技术均通过 “金属插入”来进行，其中金属配合物催化剂的金属原子插入单体的离去基团和芳基之间。 在Yamatomo聚合的情况下，使用镍配合物催化剂；在Suzuki反应的情况下，使用钯配合物 催化剂。 0020 例如，在通过Yamatomo聚合的线性聚合物的合成中，使用具有两个反应性卤素基 团的单体。类似地，根据Suzuki反应方法，至少一个反应性基团是硼衍生物基团例如硼酸 或硼酸酯，另一个反应性基团是卤素。优选的卤素是氯、溴和碘，最优选溴。 0021 或者，可以在聚合或偶联反应（Stille反应）中使用甲锡烷基作为反应性基。

17、团。 0022 有机半导体的性能通常通过测量其“电荷迁移率”（cm 2 V -1 s -1 ）而进行评价，所述电 荷迁移率可以涉及空穴或电子的迁移率。该测量涉及载荷子向跨材料施加的电场的漂移速 说 明 书CN 102844903 A 3/8页 7 度。 0023 具有相对较高的迁移率的有机半导体往往是包含具有刚性平面结构的化合物的 那些，所述刚性平面结构具有大范围共轭，该共轭允许固态下的有效的-叠加。 0024 WO 2007/068618记载了多种有机半导体，其各自包含稠合芳环的阵列，所述稠合 芳环具有被乙炔基团取代的中心苯环。 0025 JP 2007/088222和WO 2007/116。

18、660记载了小分子、低聚物和聚合物形式的苯并 二噻吩类及其衍生物作为有机半导体的用途。 0026 Scherf等人在Journal of Polymer Science A：Polymer Chemistry 46（22）7342 至7353页记载了具有以下结构的聚合物： 0027 0028 然而，使得化合物可以形成这样的-叠加而需要的提高的共轭水平也可导致 半导体的带隙和稳定性的降低，导致差的性能和短的寿命。 0029 此外，由于获得大范围共轭所需的分子尺寸，这些化合物会高度不可溶，这对合成 造成特别的问题，并使它们难以用于有效的晶体管生产方法例如喷墨印刷中。 发明内容 0030 本发明旨在。

19、提供具有高的迁移率、良好的溶解性和良好的环境稳定性的有机半导 体。 0031 在第一方面，本发明提供包含以下结构的半导体化合物： 0032 0033 其中X 1 和X 2 独立地为S、Se、SiR 1 R 2 、O、CR 3 R 4 、C 2 R 5 R 6 、N、NR 7 ，其中R 1 至R 7 独立地包 含氢，优选地具有1至20个碳的直链、支化或环状烷基、烯基或炔基，烷氧基，芳基，甲硅烷 基或氨基； 0034 其中Ar 1 至Ar 4 各自是任选的，并且在存在的情况下独立地包含芳基或杂芳基； 0035 并且其中Y 1 至Y 4 独立地包含氢，反应性基团，优选地具有1至20个碳原子的任选 说。

20、 明 书CN 102844903 A 4/8页 8 地取代的直链、支化或环状烷基、烷氧基、烯基、炔基、酰氨基或氨基，任选地取代的芳基或 杂芳基，其中Y 1 至Y 4 的至少一个不包含氢。 0036 本发明人已出人意料地发现，本发明提供的二维共轭框架当用作半导体材料的一 部分时提供了出色的稳定性，增强了迁移率并且提供了低的带隙。 0037 优选地，Ar 1 至Ar 4 在存在的情况下独立地包含具有选自S、O、Si、N、Se的杂原子 的杂环基团。 0038 优选地，Y 1 至Y 4 的至少一个，例如2个、3个或全部，包含增溶基团，例如优选地具 有1至20个碳原子的任选地取代的直链、支化或环状烷基、。

21、烷氧基、烯基、炔基、酰氨基或氨 基。 0039 本发明人已出人意料地发现，该优选的增溶基团定位提供出色的增溶效果。因此， 较短的和/或较小的增溶基团可以用于这些优选的位置上。这些较短的和/或较小的增 溶基团不太能介入-叠加，从而除了改善的溶液可处理性以外潜在地提供改善的迁移 率。 0040 此外，增溶基团的定位所提供的改善的溶解性使得半导体物质的平面共轭结构可 以进一步扩展，而这些物质保持可溶。 0041 在一些实施方案中，该半导体化合物包含两个或更多个例如一对反应性或可聚合 基团，例如Y 1 和Y 3 或者Y 2 和Y 4 可以包含反应性基团。反应性聚合物基团优选地独立地包 含诸如卤素、硼酸。

22、、二硼酸、硼酸和二硼酸的酯、亚烷基或甲锡烷基的结构部分。另一方面， 本发明包含具有以下结构的半导体低聚物或聚合物： 0042 0043 其中n为2至10,000的整数； 0044 其中X 1 和X 2 独立地为S、Se、SiR 1 R 2 、O、CR 3 R 4 、C 2 R 5 R 6 、N、NR 7 ，其中R 1 至R 7 独立地包 含氢，优选地具有1至20个碳的直链、支化或环状烷基、烯基或炔基，烷氧基，芳基，甲硅烷 基或氨基； 0045 其中Ar 1 至Ar 4 各自是任选的，并且在存在的情况下独立地包含芳基或杂芳基； 0046 并且其中Y 1 至Y 4 独立地包含氢，反应性基团，优选地。

23、具有1至20个碳原子的任选 地取代的直链、支化或环状烷基、烷氧基、烯基、炔基、酰氨基或氨基，任选地取代的芳基或 杂芳基，其中Y 1 至Y 4 的至少一个不包含氢。 0047 该化合物可以为例如单体、低聚物、聚合物或共聚物。 说 明 书CN 102844903 A 5/8页 9 0048 优选地，n为2至10例如2至5的整数。 0049 优选地，该化合物包含选自以下的结构： 0050 0051 0052 其中F 8 包含以下结构： 0053 说 明 书CN 102844903 A 6/8页 10 0054 另一方面，本发明提供包含半导体部分的电子器件，所述半导体部分包含本文中 所述的化合物。 0。

24、055 另一方面，本发明提供一种溶液，该溶液用于施加于基材表面以在基材上形成半 导体部分，该溶液包含本文中所述的化合物。 0056 再一方面，本发明提供电子器件的制造方法，该方法包括将本文中所述的溶液施 加于基材上。 0057 下面将参照下列附图描述本发明的实施方案。 附图说明 0058 图1示出根据本发明的化合物的合成。 0059 图2是根据现有技术的底栅有机薄膜晶体管的一般结构的示意图； 0060 图3是根据本发明一个实施方案的包含制造于公共基板上的有机薄膜晶体管和 相邻的有机发光器件的像素的示意图； 0061 图4是根据本发明一个实施方案的与有机发光器件成叠置关系制造的有机薄膜 晶体管的。

25、示意图。 具体实施方式 0062 在整个以下说明中，类似的附图标记将用于指类似的部分。 0063 根据本发明的有机半导体可通过图1中所示的合成方法进行制造。 0064 得到的化合物是易溶的，并因而可以通过喷墨印刷施加于基板上，以提供薄膜晶 体管中的半导电层15，例如如图2中所示，以提供根据本发明的一个方面的电子器件。 0065 这样的有机薄膜晶体管（OTFT）的一种应用可以是驱动光学器件（优选有机光学器 件）中的像素。这种光学器件的实例包括光响应器件，特别是光电检测器，以及发光器件，特 别是有机发光器件。OTFTs特别适合用于有源矩阵有机发光器件，例如用于显示器应用中。 0066 图3显示了包。

26、含有机薄膜晶体管100和相邻的有机发光器件（OLED）102的像素， 它们制造在共同的基板104上。OTFT 100包含栅极106、介电层108、分别为110和112的 源极和漏极，以及OSC层114。OLED 102包含阳极116、阴极118和提供于阳极116和阴极 118之间的电致发光层120。其它层可以位于阳极116和阴极118之间，例如电荷传输层、 电荷注入层或电荷阻挡层。在图3的实施方案中，阴极材料118的层横跨OTFT 100和OLED 102两者，并且提供绝缘层122以将阴极层118与OSC层122电隔离。OTFT 100和OLED 102的活性区域通过共同的围堰材料限定，所述围。

27、堰材料通过在基板104上沉积光致抗蚀 剂124的层并将其图案化以在基板上限定OTFT 100和OLED 102区域而形成。 0067 在图3中，漏极112直接与有机发光器件102的阳极116相连，以将有机发光器件 102在发光和不发光状态之间切换。 0068 在图4中所示的替代性布置中，有机薄膜晶体管200可以以相对于有机发光器件 202的叠置关系进行制造。在这样的实施方案中，有机薄膜晶体管202按如上所述构建成顶 栅或底栅结构。和图3的实施方案一样，OTFT200和OLED 202的活性区域通过光致抗蚀剂 124的图案化层限定，然而在该叠置布置中，存在两个独立的围堰层124一个用于OLED 。

28、202，一个用于OTFT 200。平面化层204（也称为钝化层）沉积在OTFT 200上方。示例性的 说 明 书CN 102844903 A 10 7/8页 11 钝化层204包括BCBs和聚对二甲苯类。有机发光器件202在钝化层204上方制造，并且有 机发光器件202的阳极116通过导体206与OTFT 200的漏极112电连接，该导体穿过钝化 层204和围堰层124。 0069 中间体1 0070 在氮气下，向1,5-二氯蒽醌（6.8g，24.6mmol）在干燥甲苯（100ml）中的悬浮液 中滴加4-辛基苯基溴化镁的溶液由4-辛基苯（20.9g，74.3mmol）和镁卷片（magnesiu。

29、m turnings）（2.14g，89.2mmol）在干燥THF（60ml）中制备。 0071 在加入完成后，将THF蒸除，并将深红色的溶液在回流下搅拌16小时。将混合物 用AcOH:H 2 O150:700ml稀释，将甲苯在减压下除去，将残余物萃取到醚中并用NaOH（7.3g） 和Na 2 SO 4 （60g，在400ml H 2 O中）的水溶液洗涤。然后将混合物用MgSO 4 干燥并在真空中浓 缩。 0072 向残余物在AcOH中的溶液（70ml）中加入HI（10ml），并将混合物在100搅拌30 分钟。将得到的固体通过过滤分离，用水（500ml）洗涤并在50在真空下干燥。然后将其 在己。

30、烷中在回流下加热，冷却，过滤并用乙腈制浆（slurry），得到黄色固体形式的目标产物 （7.7g，17%）m/z623（M + ），588（M + -Cl），553（M + -2Cl），其具有以下结构： 0073 0074 实施例1 0075 将中间体1（7.5g，12.0mmol）、KOH（16.1g，288mmol）和喹啉（216ml）的悬浮 液在230加热3小时。使得到的红色溶液冷却至室温，用甲苯（300ml）稀释，并用水 （2150ml）、2M HCl（2150ml）、盐水（2150ml）洗涤，用MgSO 4 干燥并在真空中浓缩。 0076 将红色固体转移到索格斯利特套管（33100m。

31、m）中并用乙腈（600ml）萃取。产物 通过升华纯化（260和210 -6 mbar的压力），得到暗红色固体形式的目标产物（0.75g， 11%，HPLC 99.3%），m/z 552（M + +2H），550（M + ），451，352，其具有以下结构： 0077 0078 实施例2 0079 使用实施例1的化合物作为活性层，以顶栅、底触点器件的形式制作了有机场效 说 明 书CN 102844903 A 11 8/8页 12 应晶体管器件。通过在玻璃基材上剥离而限定金源漏触点。限定10-200m长、2mm宽的沟 道。通过从1.5%（w/v）均三甲苯溶液以1000rpm的转速用30秒将实施例1。

32、的化合物旋涂 到清洁的基材上而制作器件。随后将膜在80的热板上干燥10分钟，并在金属块上冷却1 分钟。 0080 将氟化介电材料从含氟溶剂旋涂到半导体层上，并在80的热板上干燥10分钟 并在金属块上冷却1分钟。热蒸发80nm厚的铝层作为栅极。 0081 在20m沟道长度下，观察到的饱和最高迁移率为0.025cm 2 /Vs；获得4.510 4 的 开关比（从+20V至-40V的栅极偏压测得）。 0082 通过在-40V Vg或-16V/100nm介电的栅-源场（gate-source field）的外推法， 计算得到97kOhm-cm的接触电阻。 0083 将会理解，包含OTFT和光活性区域（。

33、例如发光或光敏区域）的像素电路可以包含其 它元件。特别是，图5和6的OLED像素电路通常除了所示的驱动晶体管还包含至少另一个 晶体管和至少一个电容器。将会理解，此处所述的有机发光器件可以是顶部发光或底部发 光器件。也就是说，该器件可以通过器件的阳极侧或阴极侧发光。在透明器件中，阳极和阴 极都是透明的。将会理解，透明阴极器件不需要具有透明阳极（当然，除非想得到全透明器 件），因此用于底部发光器件的透明阳极可以用反射材料层例如铝层替代或补充。 0084 透明阴极对于有源矩阵器件是特别有利的，因为在这样的器件中穿过透明阳极的 发光会至少部分地被位于发光像素下方的OTFT驱动电路阻挡，这可以从图4所示。

34、的实施方 案中看出。 0085 栅极、源极和漏极的厚度可以在5-200nm范围内，但是通常按原子力显微镜（AFM） 测量为例如50nm。 0086 其它层可以包括在器件结构中。例如，除了将自组装单层（SAM）提供在栅极、源极 或漏极上，可以将SAM提供在基板、绝缘层和有机半导体材料上以在需要时提高结晶度、降 低接触电阻、修补表面特性和提高粘合性。特别是，可以为沟道区中的介电表面提供包含结 合区和有机区的单层，以改善器件性能，例如通过改善有机半导体的形貌（特别是聚合物配 向和结晶度）和覆盖电荷陷阱，特别是对于高k介电表面。用于这种单层的示例性材料包括 具有长的烷基链的氯硅烷或烷氧基硅烷，例如十八烷基三氯硅烷。 0087 毫无疑问，本领域技术人员可以想到很多其它有效的替代方案。将会理解，本发明 不限于所述实施方案，并包含对于本领域技术人员而言显而易见的、在所附权利要求范围 内的变体。 说 明 书CN 102844903 A 12 1/2页 13 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102844903 A 13 2/2页 14 图3 图4 说 明 书 附 图CN 102844903 A 14 。