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1、(10)申请公布号 CN 102956888 A (43)申请公布日 2013.03.06 C N 1 0 2 9 5 6 8 8 8 A *CN102956888A* (21)申请号 201210293732.5 (22)申请日 2012.08.17 2011-179958 2011.08.19 JP 2011-179959 2011.08.19 JP H01M 4/583(2010.01) H01M 4/38(2006.01) H01M 10/0525(2010.01) (71)申请人株式会社半导体能源研究所 地址日本神奈川县厚木市 (72)发明人小国哲平 长多刚 竹內敏彦 (74)专利代。
2、理机构中国专利代理(香港)有限公 司 72001 代理人何欣亭 李浩 (54) 发明名称 蓄电装置用电极及蓄电装置 (57) 摘要 本发明提供一种具有优良的循环特性及充放 电容量的蓄电装置用电极。另外,本发明提供一种 安装有该电极的蓄电装置。一种蓄电装置用电极, 包括导电层;以及设置在该导电层上的活性物质 层,其中活性物质层具有石墨烯和多个晶须状的 活性物质,并且石墨烯形成为附着于多个晶须状 的活性物质的表面部并在活性物质层的一部分中 有空隙。另外,该石墨烯形成为附着于多个晶须状 的活性物质的表面部并覆盖多个晶须状的活性物 质。另外,本发明制造安装有该电极的蓄电装置。 (30)优先权数据 (5。
3、1)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书19页 附图16页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 19 页 附图 16 页 1/2页 2 1. 一种蓄电装置用电极,包括: 导电层;以及 所述导电层上的活性物质层, 其中,所述活性物质层包含石墨烯、活性物质以及空隙,其中所述活性物质具有不平坦 的表面, 所述石墨烯形成为附着于所述活性物质的所述不平坦的表面,并且 包含在所述活性物质层中的所述空隙被所述石墨烯围绕。 2. 根据权利要求1所述的蓄电装置用电极, 其中,包括多个晶须的所述活性物质至少包括芯和形成为覆盖该芯的外壳, 所述芯具有具有结晶性的。
4、结构,并且 所述外壳具有非晶结构。 3. 根据权利要求1所述的蓄电装置用电极, 其中,包括多个晶须的所述活性物质包含硅。 4. 根据权利要求1所述的蓄电装置用电极, 其中,所述导电层的材料包含选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、钴以及镍中的一种。 5. 根据权利要求1所述的蓄电装置用电极, 其中,包含在所述石墨烯中的氢和碳以外的元素的比率为15at.以下,或者,包含在 所述石墨烯中的碳以外的元素的比率为30at.以下。 6. 一种包括根据权利要求1所述的电极的蓄电装置。 7. 一种包括根据权利要求6所述的蓄电装置的电子设备。 8. 一种蓄电装置用电极,包括: 导电层;以及 所述导电层上的活。
5、性物质层, 其中,所述活性物质层包含石墨烯和包括多个晶须的活性物质, 所述石墨烯形成为附着于包括多个晶须的所述活性物质的表面,并且 所述石墨烯覆盖包括多个晶须的所述活性物质。 9. 根据权利要求8所述的蓄电装置用电极, 其中,在所述活性物质层的平面视上,所述石墨烯形成为连续地扩展在包括多个晶须 的所述活性物质上。 10. 根据权利要求8所述的蓄电装置用电极, 其中,包括多个晶须的所述活性物质至少包括芯和形成为覆盖该芯的外壳, 所述芯包括具有结晶性的结构,并且 所述外壳包括非晶结构。 11. 根据权利要求8所述的蓄电装置用电极, 其中,包括多个晶须的所述活性物质包含硅。 12. 根据权利要求8所。
6、述的蓄电装置用电极, 其中,所述导电层的材料包含选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、钴以及镍中的一种。 13. 根据权利要求8所述的蓄电装置用电极, 其中,包含在所述石墨烯中的氢和碳以外的元素的比率为15at.以下,或者,包含在 权 利 要 求 书CN 102956888 A 2/2页 3 所述石墨烯中的碳以外的元素的比率为30at.以下。 14. 一种包括根据权利要求8所述的电极的蓄电装置。 15. 一种包括根据权利要求14所述的蓄电装置的电子设备。 16. 一种蓄电装置用电极,包括: 导电层; 所述导电层上的活性物质层,其中所述活性物质层包含石墨烯和包括第一晶须及第二 晶须的活性物质;。
7、 连续地覆盖所述活性物质的第一石墨烯,其中所述第一石墨烯覆盖所述第一晶须及所 述第二晶须,并且所述第一石墨烯具有实质上均匀的厚度;以及 第二石墨烯,在所述第一石墨烯上并与所述第一石墨烯接触, 其中,所述第二石墨烯形成在所述第一晶须与所述第二晶须之间,并与所述第一晶须 及所述第二晶须连接。 17. 根据权利要求16所述的蓄电装置用电极, 其中,在所述活性物质层的平面视上,所述第一石墨烯形成为连续地扩展在包括所述 第一晶须及所述第二晶须的所述活性物质上。 18. 根据权利要求16所述的蓄电装置用电极, 其中,包括所述第一晶须及所述第二晶须的所述活性物质至少包括芯和形成为覆盖该 芯的外壳, 所述芯包。
8、括具有结晶性的结构,并且 所述外壳具有非晶结构。 19. 根据权利要求16所述的蓄电装置用电极, 其中,包括所述第一晶须及所述第二晶须的所述活性物质包含硅。 20. 根据权利要求16所述的蓄电装置用电极, 其中,所述导电层的材料包含选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、钴以及镍中的一种。 21. 根据权利要求16所述的蓄电装置用电极, 其中,包含在所述第一石墨烯或所述第二石墨烯中的氢和碳以外的元素的比率为 15at.以下,或者,包含在所述第一石墨烯或所述第二石墨烯中的碳以外的元素的比率为 30at.以下。 22. 一种包括根据权利要求16所述的电极的蓄电装置。 23. 一种包括根据权利要求2。
9、2所述的蓄电装置的电子设备。 权 利 要 求 书CN 102956888 A 1/19页 4 蓄电装置用电极及蓄电装置 技术领域 0001 本发明涉及一种蓄电装置用电极及使用该电极的蓄电装置。 0002 另外,蓄电装置是指具有蓄电功能的所有元件及装置。 背景技术 0003 近年来,对锂离子二次电池、锂离子电容器及空气电池等的蓄电装置已在进行了 研究开发。 0004 蓄电装置用电极通过在集电器的一个表面上形成活性物质层而制造。作为活性物 质,使用能够吸留并释放离子的材料,例如有碳或硅等。与碳的理论容量相比,掺杂有磷的 硅的理论容量大,因此硅在蓄电装置的大容量化上占优势(参照专利文献1)。 000。
10、5 因为石墨烯具有高导电率(高电子迁移率)的优良电特性、高柔软性或高机械强度 的优良物理特性,所以正在尝试将其应用于多种产品(参照专利文献2及专利文献3)。另 外,还已提出了将石墨烯应用于锂离子二次电池的技术(参照专利文献4)。 0006 专利文献1日本专利申请公开2001-210315号公报 专利文献2美国专利申请公开第2009/0110627号公报 专利文献3美国专利申请公开第2007/0131915号公报 专利文献4美国专利申请公开第2010/0081057号公报。 0007 在将硅用于蓄电装置用电极中的活性物质层的情况下,由于反复进行充放电,所 以该硅反复进行膨胀及收缩。结果,作为活性。
11、物质层的硅被微粉化而发生剥离等,使得该蓄 电装置的特性退化。 0008 另外,在将硅用于活性物质层的情况下,难以得到像理论容量那样高的充放电容 量。 发明内容 0009 鉴于上述问题,本发明的目的就是提供一种具有优良的循环特性(cycle characteristics)及充放电容量的蓄电装置用电极。另外,本发明的目的就是提供一种安 装有该电极的蓄电装置。 0010 本发明的一个方式是一种蓄电装置用电极,包括导电层;以及设置在导电层上的 活性物质层,其中活性物质层具有石墨烯和多个晶须状的活性物质,并且石墨烯形成为附 着于多个晶须状的活性物质的表面部并在活性物质层的一部分中有空隙。 0011 本。
12、发明的一个方式是一种蓄电装置用电极,其中活性物质层具有石墨烯和多个晶 须状的活性物质,并且石墨烯形成为附着于多个晶须状的活性物质的表面部并覆盖多个晶 须状的活性物质。另外,在活性物质层的平面视上,石墨烯形成为连续地扩展在多个晶须状 的活性物质上。 0012 在上述结构中,多个晶须状的活性物质至少具有作为具有结晶性区域的芯和覆盖 该芯的作为非晶区域的外壳。 说 明 书CN 102956888 A 2/19页 5 0013 另外,在上述结构中,例如,多个晶须状的活性物质的材料可以为硅。 0014 另外,在上述结构中,导电层的材料可以为钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、钴或 镍。 0015 再者,。
13、本发明的一个方式是一种安装有具有上述结构的电极的蓄电装置。 0016 关于本发明的一个方式的蓄电装置用电极,即使晶须状活性物质的体积随着离子 的吸留及释放而变化,石墨烯也缓和由该体积变化导致的应力,从而不容易引起晶须状活 性物质的微粉化及剥离等电极的结构破坏。根据本发明的一个方式,可以提供能够提高循 环特性的蓄电装置用电极,再者,还可以提供安装有该电极而使循环特性得到提高的蓄电 装置。 0017 另外,关于本发明的一个方式的蓄电装置用电极,例如,在多个晶须状的活性物质 中设置有具有结晶性的结构的芯,并且在多个晶须状的活性物质之间设置有具有高导电率 (高电子迁移率)的石墨烯,从而具有优良的电特性。
14、。根据本发明的一个方式,可以提供能够 提高充放电容量的蓄电装置用电极,再者,还可以提供安装有该电极而使充放电容量得到 提高的蓄电装置。 附图说明 0018 图1A和1B是用来说明本发明的一个方式的蓄电装置用电极表面的截面示意图; 图2是用来说明电泳法的截面图; 图3A和3B是用来说明蓄电装置的一个方式的平面图及截面图; 图4是用来说明蓄电装置的应用方式的图; 图5A和5B是本发明的一个方式的蓄电装置用电极表面的平面SEM图像; 图6A和6B是本发明的一个方式的蓄电装置用电极表面的截面TEM图像; 图7A和7B是本发明的一个方式的蓄电装置用电极表面的截面TEM图像; 图8是示出本发明的一个方式的。
15、蓄电装置的制造方法的透视图; 图9A和9B是示出本发明的一个方式的蓄电装置的循环特性及充放电特性的图; 图10A和10B是用来说明本发明的一个方式的蓄电装置用电极表面的截面示意图。 具体实施方式 0019 以下,参照附图说明本发明的实施方式及实施例的一个例子。但是,本发明不局限 于以下说明,而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详 细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此,本 发明不应该被解释为仅限定在下述实施方式所记载的内容中。另外,当在说明中参照附图 时,有时在不同的附图中也共同使用相同的附图标记表示相同的部分。另外,当表示相同的。
16、 部分时有时使用相同的阴影线,而不特别附加附图标记。 0020 实施方式1 在本实施方式中,参照附图说明本发明的一个方式的电极以及该电极的制造方法。 0021 图1A和1B是本发明的一个方式的电极100的表面的一部分的截面示意图。电极 100具有衬底101、设置在衬底101上的导电层103以及设置在导电层103上的活性物质层 108。 说 明 书CN 102956888 A 3/19页 6 0022 活性物质层108包括具有区域107a及区域107b的多个晶须状的活性物质;以及 具有第一区域113及第二区域115且与该多个晶须状的活性物质接触的石墨烯116。另外, 在本说明书中,晶须状活性物质。
17、是指包括像区域107a那样的平坦的区域及像区域107b那 样的从区域107a突起为须状(带子状或纤维状)的区域的活性物质。另外,为了明确如图 1A和1B那样在活性物质层108中存在着多个作为一个突起区域的一个晶须状活性物质的 突起区域,将具有区域107a及区域107b的活性物质记载为多个晶须状的活性物质。 0023 区域107a形成为与导电层103接触,而区域107b形成为从区域107a突出且无序 地分散。因此,活性物质层108具有沿多个晶须状的活性物质的形状的微细的表面结构。 0024 另外,也可以在导电层103上设置有与活性物质层108(尤其是多个晶须状的活性 物质)起反应而形成在导电层1。
18、03的表层的一部分或全部的混合层105。另外,混合层105 也具有导电性而用作导电层。在混合层105形成在导电层103的表层的一部分时,成为如 下结构:在多个晶须状的活性物质(尤其是区域107a)下形成有混合层105及导电层103的 一部分(未图示)。在混合层105形成在导电层103的表层的全部时,成为如下结构:在多个 晶须状的活性物质(尤其是区域107a)下形成有混合层105(参照图1A和1B)。 0025 另外,区域107a与区域107b的界面不明确。因此,将经过形成在活性物质层108 (多个晶须状的活性物质)之间的谷中最深的谷底且与衬底101或导电层103的表面平行的 面定义为区域107。
19、a与区域107b的界面。 0026 在活性物质层108中,多个晶须状的活性物质优选由具有结晶性的结构的芯109 和具有非晶结构的外壳111形成。非晶结构的特征在于:对伴随离子的吸留及释放而发生 的体积变化具有耐受性(例如,缓和伴随体积变化导致的应力)。另外,结晶性结构的特征在 于:具有优良的导电性及离子迁移率,从而每单位质量的离子的吸留速度及释放速度快。因 此,通过使用具备具有芯109及外壳111的多个晶须状的活性物质的电极100,可以制造输 出特性、充放电容量以及循环特性得到提高的蓄电装置。 0027 另外,芯109不局限于如芯109a那样的接触导电层103的结构,也可以为如下结 构:如芯1。
20、09b那样在附图进深方向上延伸的结构;或者,如芯109c那样局部存在的结构。 就是说,芯109是芯109a、芯109b以及芯109c的总称。另外,外壳111是外壳111a、外壳 111b以及外壳111c的总称。 0028 区域107b既可为柱状(圆柱状或角柱状),又可为锥状(也可称为圆锥状或角锥状、 针状)。另外,该多个晶须状的活性物质的顶部也可以弯曲。 0029 另外,多个晶须状的活性物质的长边方向也可以不在同一方向上一致。在晶须状 活性物质的长边方向不一致时,在图1A和1B中,不仅示出活性物质的长边方向的截面形状 (以芯109b和外壳111b表示的部分的截面形状),而且还示出晶须状活性物质。
21、被横切时的 截面形状(以芯109a和外壳111a表示的部分的截面形状)。在晶须状活性物质被横切时的 截面中,取决于位置,有时可观察到晶须状活性物质中的芯109,有时观察不到晶须状活性 物质中的芯109。另外,在晶须状活性物质的形状为圆柱状或圆锥状时,晶须状活性物质被 横切时的截面成为圆形,在晶须状活性物质的形状为角柱状或角锥状时,晶须状活性物质 被横切的截面成为多角形。在晶须状活性物质的长边方向不一致时,有时一个晶须状活性 物质与另一晶须状活性物质缠绕,从而在充放电时不容易发生晶须状活性物质的剥离(或 脱离),因此是优选的。 说 明 书CN 102956888 A 4/19页 7 0030 注。
22、意,将晶须状活性物质从区域107a延伸的方向称为长边方向,而将沿长边方向 截断晶须状活性物质时的截面形状称为长边方向的截面形状。另外,将在大致垂直于晶须 状活性物质的长边方向的面上截断晶须状活性物质时的截面形状称为被横切时的截面形 状。 0031 芯109被横切的截面形状的宽度可以为0.2mm以上3mm以下,优选为0.5mm以上 2mm以下。 0032 另外,对芯109的长度没有特别的限制,但是可以为0.5mm以上1000mm以下,优选 为2.5mm以上100mm以下。 0033 在区域107b中,多个晶须状的活性物质被横切时的截面形状的宽度可以为0.2mm 以上10mm以下,优选为1mm以上。
23、5mm以下。另外,该多个晶须状的活性物质的长度可以为 3mm以上1000mm以下,优选为6mm以上200mm以下。 0034 另外,芯109及外壳111中的“长度”是指在晶须状活性物质的长边方向上的截面 形状中,沿经过芯109或外壳111的晶须状活性物质的顶点(或顶面)的中心的轴的方向上 的该顶点与区域107a之间的间隔。 0035 另外,多个晶须状的活性物质不局限于上述结构,也可以采用如下结构:区域 107a及区域107b的全部具有结晶性的结构;或者,区域107a及区域107b的全部具有非晶 结构(例如,外壳111c)。 0036 在图1A所示的电极100中,区域107a的一部分(导电层10。
24、3与芯109接触的部分 以外的区域)与外壳111同样地具有非晶结构。另外,区域107a也可以包括具有结晶性的 结构。另外,也可以在区域107a中包含导电层103的材料和混合层105的材料中的一个或 两者。 0037 另外,如图1B所示,电极100也可以采用如下结构:区域107a的与导电层103接 触一侧的区域与芯109为同样具有结晶性的结构。另外,区域107a也可以包括非晶结构。 另外,区域107a也可以包含导电层103的材料和混合层105的材料中的一个或两者。 0038 例如,在电极100采用图1A所示的方式时,与图1B所示的方式相比,可以提高导 电层103与区域107a之间的密合性。这是因。
25、为如下缘故:在采用非晶结构时,区域107a 与其被形成面的导电层103的表面之间的适应性更高。再者,在将本方式的电极安装在蓄 电装置中时,因为对伴随离子的吸留及释放的体积变化具有耐受性(例如,具有非晶结构的 活性物质缓和伴随体积变化的应力),所以可以防止由于反复进行充放电而导致的电极100 (尤其是晶须状活性物质)的微粉化及剥离,而可以制造循环特性进一步得到提高的蓄电装 置。 0039 另外,在电极100采用图1B所示的方式时,其导电性及离子迁移率比图1A所示的 方式高的结晶性结构与导电层103广泛地接触。因此,作为电极100整体,可以进一步提高 导电性。就是说,在将本方式的电极安装在蓄电装置。
26、中时,可以制造输出特性进一步得到提 高的蓄电装置。 0040 关于电极100中的活性物质层108,因为区域107b从区域107a突出,所以活性物 质层108的表面积比板状活性物质层大。另外,因为在活性物质层108中设置有石墨烯116, 所以其表面积进一步增大。就是说,在将电极100安装在蓄电装置中时,能够进行高速充放 电,而可以制造充放电容量进一步得到提高的蓄电装置。 说 明 书CN 102956888 A 5/19页 8 0041 如图1A和1B所示,电极100的活性物质层108具有与多个晶须状的活性物质接 触的石墨烯116,该石墨烯116具有第一区域113及第二区域115。 0042 在本。
27、说明书中,石墨烯是指具有离子经过的空隙且由具有sp 2 键合的1原子层的 碳分子构成的薄片或层叠有2至100个该薄片的叠层体。另外,该叠层体也被称为多层石 墨烯。另外,优选的是,关于该石墨烯,将氢和碳以外的元素的比率设定为15at.以下,或 者,将碳以外的元素的比率设定为30at.以下。因此,石墨烯类似物也包括在该石墨烯的 范畴内。 0043 第一区域113覆盖多个晶须状的活性物质的每一个。具体地说,第一区域113不 仅覆盖区域107b的突出部分的活性物质的表面,而且还覆盖区域107a的表面。另外,第一 区域113的厚度也可以不在全范围内固定,而具有不均匀性。 0044 第二区域115形成在多。
28、个晶须状的活性物质中的一个晶须状活性物质的侧面的 第一区域113与其他一个以上的晶须状活性物质的侧面的第一区域113之间。另外,第二 区域115形成为分散在形成有多个晶须状的活性物质的范围内。因此,在活性物质层108 的平面视上,在活性物质层108中部分存在着空隙(也可称为空间)(未图示)。另外,第二区 域115的厚度也可以不在全范围内固定,而具有不均匀性。 0045 另外,在石墨烯116中,第一区域113与第二区域115的境界不清楚。在图1A和 1B中,在第一区域113与第二区域115接合的部分中,为了清楚了解,由虚线区别第一区域 113与第二区域115。 0046 如图1A和1B的链式线所。
29、示,石墨烯116中的第二区域115也可以设置在一个晶 须状活性物质的侧面的第一区域113与区域107a的表面的第一区域113之间。再者,图1A 和1B所示的第二区域115的高度在垂直于衬底101的方向上,但是,第二区域115不局限 于此,也可以为与一个晶须状活性物质的侧面的第一区域113接触的细长的带状(未图示)。 0047 另外,在活性物质层108中,氧化膜也可以设置在第一区域113与多个晶须状的活 性物质之间。但是,从电极100的导电性的观点来看,优选不设置该氧化膜。 0048 石墨烯116具有富于柔软性的特征,而与多个晶须状的活性物质接触。因此,在活 性物质层108具备石墨烯116的电极。
30、100中,即使多个晶须状的活性物质的体积伴随离子 的吸留及释放而变化,也可以因石墨烯116缓和由该体积变化导致的应力,而可以防止由 于反复进行充放电导致的晶须状活性物质的微粉化及剥离。因为石墨烯116还具有机械强 度高的特征,所以具备石墨烯116的电极100可以防止由物理冲击导致的晶须状活性物质 的弯折或裂开(也可以防止晶须状活性物质的微粉化及剥离)。因此,通过使用电极100,可 以抑制由物理冲击或反复进行充放电导致的充放电容量的下降,而可以制造循环特性得到 提高的蓄电装置。 0049 另外,因为石墨烯116具有高导电率(电子迁移率)的特征,并接触多个晶须状的活 性物质,所以在电极100中石墨。
31、烯116可用作导电助剂。就是说,因为石墨烯116用作伴随 离子的吸留及释放而产生的电子的传导通路,所以电极100具有优良的导电性。因此,通过 使用电极100,可以制造能够进行高速充放电且充放电容量得到提高的蓄电装置。 0050 另外,因为石墨烯116接触活性物质层108中的多个晶须状的活性物质,所以例如 即使晶须状活性物质弯折或裂开(晶须状活性物质被微粉化及剥离),也维持该晶须状活性 物质与该石墨烯116接触的状态,由此电极100内的电子的导电通路不断裂,而可以通过石 说 明 书CN 102956888 A 6/19页 9 墨烯116集电。就是说,即使晶须状活性物质弯折或裂开(晶须状活性物质被。
32、微粉化及剥 离),也可以抑制导电层103与活性物质层108之间的导电率(即,电极100的导电率)的下 降。 0051 另外,因为石墨烯116本身具有能够吸留离子的容量,所以具备石墨烯116的电极 100被用作其容量比不具备石墨烯116时的容量高的电极。因此,通过使用电极100,可以 制造充放电容量得到提高的蓄电装置。 0052 另外,在电极100中,因为石墨烯116接触多个晶须状的活性物质,所以也可以说 是由石墨烯116粘合多个晶须状的活性物质。就是说,石墨烯116还用作粘合剂。如上所 述,电极100以不使用已知的导电助剂(乙炔黑等)或粘合剂的方式构成电极。由此,电极 100可以增高在电极体积。
33、或电极重量中所占的活性物质层108的比例,而可以用作高容量 电极。因此,通过使用电极100,可以制造充放电容量得到提高的蓄电装置。 0053 另外,石墨烯116的耐热性也高。因此,电极100可以通过进行加热处理而降低电 极中的水分浓度。再者,在将电极100安装在蓄电装置中时,因为电极100的石墨烯116吸 收电解液的能力低,所以不容易发生由石墨烯116的膨胀导致的电极100的变形及破坏。 0054 接着,说明本发明的一个方式的电极100的制造方法。 0055 在衬底101上形成导电层103。导电层103可以使用导电材料并适当地利用印刷 法、溶胶-凝胶法、涂敷法、喷墨法、CVD法、溅射法或蒸镀法。
34、等而形成。另外,导电层103也 可以形成为箔状、板状或网状等形状。另外,当导电层103为箔状或板状时,不需要设置衬 底101。另外,可以利用辊对辊(Roll-to-Roll)加工形成导电层103。 0056 如下所述,根据活性物质层108的形成条件,有时在导电层103的表层的一部分或 导电层103的表层的全部形成混合层105。 0057 另外,作为导电层103,也可以采用如下叠层结构,该叠层结构包括:衬底101上的 由添加有提高耐热性的元素的以铝合金等为代表的高导电性金属材料形成的层;以及层叠 在该层上的由形成混合层105的金属材料形成的层。另外,作为提高耐热性的元素,例如, 有铂、铝、铜、硅。
35、、钛、钕、钪或钼等。 0058 接着,在导电层103上形成活性物质层108。首先,形成多个晶须状的活性物质。 多个晶须状的活性物质的材料只要是可以形成为多个晶须状的材料且能够吸留并释放离 子的材料,就没有特别的限制。例如,可以使用硅作为该材料,在本实施方式中,说明使用硅 作为该材料时的制造方法。 0059 可以利用LPCVD(Low Pressure CVD:低压CVD)法形成多个晶须状的活性物质。 这里,形成多个晶须状的活性物质时的温度高于400且LPCVD装置、衬底101以及导电层 103能够耐受的温度以下,即可,优选为500以上且低于580。另外,在采用图1A所示的 方式时,作为温度范围。
36、的上限,采用一种温度,该温度低于多个晶须状的活性物质的硅不成 为非晶结构的温度。 0060 另外,在形成多个晶须状的活性物质时,作为原料气体,使用包含硅的沉积气体。 作为含有硅的沉积气体,有氢化硅、氟化硅或氯化硅。具体地说,有SiH 4 、Si 2 H 6 、SiF 4 、SiCl 4 、 Si 2 Cl 6 等。另外,也可以使原料气体含有氦、氖、氩、氙等的稀有气体和氢气体中的任何一种 以上。 说 明 书CN 102956888 A 7/19页 10 0061 另外,形成多个晶须状的活性物质时的压力为10Pa以上1000Pa以下,优选为20Pa 以上200Pa以下。但是,在采用图1A所示的方式。
37、时,设定为多个晶须状的活性物质的硅成 为非晶结构的压力范围,而在采用图1B所示的方式时,设定为多个晶须状的活性物质的硅 成为具有结晶性的结构的压力范围。 0062 另外,在含硅沉积气体的流量增加时,沉积速度变快,而容易成为非晶结构,在含 硅沉积气体的流量减少时,沉积速度变慢,而容易成为结晶性结构。因此,只要根据沉积速 度(沉积速率)适当地选择含硅沉积气体的流量,即可。例如,含硅沉积气体的流量可以为 300sccm以上1000sccm以下。 0063 另外,在使原料气体包含磷化氢或乙硼烷等时,可以使多个晶须状的活性物质包 含赋予一种导电型的杂质元素(磷或硼等)。通过使多个晶须状的活性物质包含赋予。
38、一种导 电型的杂质元素,可以提高电极100的导电性,而可以制造充放电容量增大的蓄电装置。 0064 另外,通过分两次进行利用LPCVD法形成活性物质的工序,容易制造图1B所示的 方式。在一次形成活性物质之后,进行加热处理,并且在进行该加热处理之后,再次形成活 性物质。通过进行该加热处理,可以在区域107a的全部范围内得到结晶性结构。另外,活 性物质的形成条件与上述同样,只要在活性物质的形成条件下的温度范围内进行该加热处 理,即可,但是,优选在未供应原料气体的状态下进行该加热处理。 0065 这里,在形成混合层105时,因为多个晶须状的活性物质的材料为硅,所以在混合 层105中形成硅化物。 00。
39、66 因为原料气体的活性种(如来源于沉积气体的自由基或氢自由基等)被供应到导 电层103的表面,所以硅从多个晶须状的活性物质扩散到导电层103,结果形成混合层105。 作为形成硅化物的金属材料,有钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钴、镍等。由此,作为导电层103 的材料,也可以使用在这里举出的金属材料。 0067 另外,也可以在导电层103(或混合层105)上预先形成凹凸形状。通过形成凹凸 形状,可以增大每单位面积的多个晶须状的活性物质(尤其是区域107b)的形成密度。另外, 为了在导电层103上形成凹凸形状,也可以对导电层103进行光刻工序及蚀刻工序。另外, 通过将导电层103形成得薄(例如,。
40、2nm至100nm左右),可以反映被形成面表面(衬底101) 的粗糙度而形成凹凸形状。 0068 另外,有时在导电层103上形成由形成导电层103的金属材料的氧化物形成的金 属氧化物层(未图示)。这是因为如下缘故:通过在利用LPCVD法形成多个晶须状的活性物 质时加热,使氧从LPCVD装置的石英制的反应室侧壁脱离,使得导电层103被氧化。此时, 通过将氦、氖、氩或氙等稀有气体填充在该反应室内,可以抑制该金属氧化物层的形成。另 外,在形成混合层105时,根据上述理由,也有时在混合层105上形成由包含在混合层105 中的金属材料的氧化物形成的金属氧化物层。另外,也可以在形成混合层105之前已在导 。
41、电层103的表面形成该金属氧化物层。 0069 作为上述金属氧化物层的例子,有氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钒、氧化铌、氧化 钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化钴及氧化镍等。另外,在导电层103由钛、锆、铌或钨等形 成时,上述金属氧化物层由氧化钛、氧化锆、氧化铌或氧化钨等氧化物半导体形成,由此,可 以降低导电层103与混合层105之间和导电层103(或混合层105)与多个晶须状的活性物 质之间中的至少一个的电阻(也可称为接触电阻),而可以提高电极100的导电性。 说 明 书CN 102956888 A 10 8/19页 11 0070 另外,在使用LPCVD法时,导电层103与活性物质层108(尤。
42、其是区域107a)的界 面的离子及电子的迁移变得容易,再者,可以提高密合性。另外,可以提高处理量。 0071 接着,形成与多个晶须状的活性物质接触的石墨烯116。 0072 首先,准备分散有使石墨氧化而得到的氧化石墨的氧化石墨溶液。在本实施方式 中,使用被称为Hummers法的氧化法形成该氧化石墨。Hummers法是对石墨粉末添加过锰酸 钾的硫酸溶液等而引起氧化反应,以得到氧化石墨溶液的方法。氧化石墨因石墨的碳被氧 化而具有环氧基、羰基、羧基、羟基等的官能团。因此,氧化石墨之间的层间距离比石墨长。 接着,对氧化石墨溶液施加超声波振动,劈开层间距离长的氧化石墨,而制造分散有氧化石 墨烯的溶液(氧。
43、化石墨烯溶液),然后去除溶剂,以得到氧化石墨烯。 0073 将氧化石墨烯分散在水或N-甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidone:NMP)等溶剂 中,以得到氧化石墨烯溶液。溶剂优选为极性溶剂。氧化石墨烯的浓度可以为0.1g至10g 每1L。另外,因为这些取代基的极性高,所以在具有极性的液体中容易使不同的氧化石墨烯 分散,尤其是,氧化石墨烯具有环氧基、羰基、羟基等。另外,也可以使用将市场上销售的氧 化石墨烯分散在溶剂中的溶液或市场上销售的氧化石墨烯溶液。所使用的氧化石墨烯的一 边长(也称为鳞片尺寸:flake size)优选为10mm一下。 0074 接着,将氧化石墨烯溶液形成在多个晶。
44、须状的活性物质上。作为将氧化石墨烯溶 液形成在多个晶须状的活性物质上的方法,有涂敷法、旋涂法、浸涂法、喷射法、电泳法等。 另外,可以组合这些方法中的多个。例如,通过在利用浸涂法在基体上形成氧化石墨烯溶液 之后与旋涂法同样使基体旋转,可以提高氧化石墨烯溶液的厚度的均匀性。 0075 另外,在将氧化石墨烯形成在如多个晶须状的活性物质那样的具有复杂的曲面或 凹凸的活性物质上时,优选使用电泳法。以下,说明使用电泳法的情况。 0076 图2是用来说明电泳法的截面图。在容器201中有根据上述方法而得到的分散有 氧化石墨烯的溶液(以下称为氧化石墨烯溶液202)。另外,将被形成物203浸渍在氧化石墨 烯溶液2。
45、02中,以该被形成物203为阳极。另外,将成为阴极的导电体204浸渍在氧化石墨 烯溶液202中。另外,被形成物203相当于包括衬底101及导电层103的多个晶须状的活 性物质。另外,导电体204只要是导电材料如金属材料或合金材料,即可。 0077 通过在阳极与阴极之间施加适当的电压(例如,0.5V至20V),在被形成物203的表 面,即多个晶须状的活性物质的表面形成氧化石墨烯的层。这是因为如下缘故:氧化石墨烯 在极性溶剂中带负电,由此通过施加电压,使带负电的氧化石墨烯被阳极吸引,而附着于被 形成物203。此时,不一定必须要固定所施加的电压。另外,通过测量流过阳极与阴极之间 的电荷量,可以估算出。
46、附着到物体的氧化石墨烯的层的厚度。 0078 在得到所需要的厚度的氧化石墨烯的层之后,从氧化石墨烯溶液202抽出被形成 物203,并进行干燥。 0079 在利用电泳法将氧化石墨烯的层形成在被形成物203的表面时,由于氧化石墨烯 的导电率十分低,因此氧化石墨烯很少层叠在已经被氧化石墨烯覆盖的部分,而优先地层 叠在未被氧化石墨烯覆盖的部分,使得形成在被形成物203表面的氧化石墨烯的厚度变得 实质上均匀。另外,经如下所述的还原处理,形成在被形成物203表面的氧化石墨烯成为电 极100的第一区域113。 0080 再者,在进行比由氧化石墨烯覆盖住被形成物203的表面所需的时间更长时间的 说 明 书CN。
47、 102956888 A 11 9/19页 12 电泳时,已覆盖住被形成物203的氧化石墨烯与分散在氧化石墨烯溶液202中的其他氧化 石墨烯相互排斥。结果,氧化石墨烯不是覆盖多个晶须状的活性物质的表面伸展及成长,而 是如电极100的第二区域115那样伸展及成长。就是说,氧化石墨烯形成在多个晶须状的 活性物质中的一个晶须状活性物质的侧面的第一区域113与另一个以上的晶须状活性物 质的侧面的第一区域113之间。经如下所述的还原处理,该伸展及成长的氧化石墨烯成为 电极100的第二区域115。 0081 进行电泳的时间(施加电压的时间)只要比由氧化石墨烯覆盖住被形成物203的表 面所需的时间更长,即可。
48、,例如为0.5分钟以上30分钟以下,优选为5分钟以上20分钟以 下。 0082 接着,通过进行还原处理,使氧的一部分从所形成的氧化石墨烯脱离。作为还原 处理,在真空、空气或惰性气体(氮或稀有气体等)等还原性气氛中,在150以上,优选为 200以上的温度下进行加热。加热温度越高氧化石墨烯的还原性越高,或者,加热时间越 长氧化石墨烯的还原性越高,从而越能得到高纯度(即,碳以外的元素的浓度低)的石墨烯 116。注意,还应该根据氧化石墨烯与被形成物203之间的反应性决定加热温度。另外,氧 化石墨烯已知在150的温度下还原。 0083 另外,加热温度越高,或者,加热时间越长,越促进缺陷的修复,越提高导电。
49、性。在 本发明人的测定中,例如,在加热玻璃衬底上的氧化石墨烯而使其还原到石墨烯时,加热温 度100(1小时)下的石墨烯的电阻率为240MWcm左右,加热温度200(1小时)下的石 墨烯的电阻率为4kWcm左右,加热温度300(1小时)下的石墨烯的电阻率为2.8Wcm左 右。上述电阻率都是通过利用范德堡法(van der pauw法)测定而得到的8个样品的平均 值。 0084 另外,因为在Hummers法中使用过锰酸钾的硫酸溶液处理石墨,所以氧化石墨还 与砜基等官能团键合,但是该官能团的脱离(分解)发生在200C以上300C以下,优选 为200C以上250C以下。由此,优选在200C以上的温度下进行还原处理。 0085 石墨烯的导电性如上所述那样根据还原处理的温度而变化,但是,除了上述以外, 柔软性或强度等也根据还原处理的温度而变化。还原处理的温度可以根据所需要的导电 性、柔软性、强度等而决。