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1、(10)申请公布号 CN 102842549 A (43)申请公布日 2012.12.26 C N 1 0 2 8 4 2 5 4 9 A *CN102842549A* (21)申请号 201210302402.8 (22)申请日 2012.08.23 H01L 23/488(2006.01) (71)申请人苏州固锝电子股份有限公司 地址 215153 江苏省苏州市新区通安经济开 发区通锡路31号 (72)发明人胡乃仁 杨小平 李国发 钟利强 (74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有 限公司 32103 代理人马明渡 (54) 发明名称 四方扁平无引脚的功率MOSFET封装体 (57) 摘。
2、要 本发明公开一种四方扁平无引脚的功率 MOSFET封装体，其导电基盘由散热区和基盘引脚 区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的漏极 引脚组成，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且 与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料层电连接； 所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET 芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包 括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具 有一折弯部；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片 的源极与第一导电焊盘的焊接区之间，所述铝导 体带与MOSFET芯片的源极的焊接条至少为2条且 相间排列；所述软焊料层由以下质量百分含量的 组分组成：铅92.5%，锡5%，银2.5%。
3、。本发明功率 MOSFET封装体有利于减少欧姆接触电阻，提高了 电性能指标，同时也减少热量的产生。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 2 页 1/1页 2 1. 一 种 四 方 扁 平 无 引 脚 的 功 率 MOSFET封 装 体， 包 括 MOSFET芯 片 （1） 、 环 氧 树 脂 层 （2） ， 所述 MOSFET芯片上表面 （1） 设有源极和栅极， 下表面设有漏极， 其特征在于 ：还包括导 电基盘 （3） 、 第一导电焊盘 （4） 和第二导电焊盘 （5）。
4、 ， 所述导电基盘 （3） 由散热区 （31） 和基盘 引 脚 区 （32） 组 成， 此 基 盘 引 脚 区 （32） 由 若 干 个 相 间 排 列 的 漏 极 引 脚 （321） 组 成， 此 漏 极 引 脚 （321） 一 端 与 散 热 区 （31） 端 面 电 连 接， 所 述 散 热 区 （31） 位 于 MOSFET芯 片 （1） 正 下 方 且 与 MOSFET芯片 （1） 下表面之间通过软焊料层 （6） 电连接 ；所述第一导电焊盘 （4） 和第二导 电 焊 盘 （5） 位 于 MOSFET芯 片 （1） 另 一 侧， 第 一 导 电 焊 盘 （4） 和 第 二 导 电 焊 。
5、盘 （5） 均 包 括 焊 接区 （7） 和引脚区 （8） ， 焊接区 （7） 与引脚区 （8） 的连接处具有一折弯部 （9） ， 从而使得焊接 区 （7） 高于引脚区 （8） ；一铝导体带 （10） 跨接于所述 MOSFET芯片 （1） 的源极与第一导电焊 盘 （4） 的焊接区 （7） 之间， 所述铝导体带 （10） 与 MOSFET芯片 （1） 的源极的焊接条 （12） 至少 为 2条且相间排列 ；一金属线 （11） 跨接于所述 MOSFET芯片 （1） 的栅极与第二导电焊盘 （5） 的焊接区 （7） 之间 ；所述软焊料层 （6） 由以下质量百分含量的组分组成 ：铅 92.5%， 锡 5%。
6、， 银 2.5%。 2. 根据权利要求 1所述的功率 MOSFET封装体， 其特征在于 ：所述第一导电焊盘 （4） 和 第二导电焊盘 （5） 各自的焊接区 （7） 与 MOSFET芯片位于同一水平面。 3. 根 据 权 利 要 求 1所 述 的 功 率 MOSFET封 装 体， 其 特 征 在 于 ：所 述 铝 导 体 带 （10） 宽 厚 比为 1： 1015。 4. 根据权利要求 1所述的功率 MOSFET封装体， 其特征在于 ：所述至少 2条焊接条 （12） 的排列方式为平行设置。 5. 根据权利要求 1所述的功率 MOSFET封装体， 其特征在于 ：所述第一导电焊盘 （4） 的 引脚区。
7、由至少 四根源极引脚组成。 6. 根据权利要求 1所述的功率 MOSFET封装体， 其特征在于 ：所述第二导电焊盘 （5） 的 引脚区由一根栅极引脚组成。 7. 根据权利要求 1所述的功率 MOSFET封装体， 其特征在于 ：所述漏极引脚 （321） 的数 目为四根。 权 利 要 求 书CN 102842549 A 1/3页 3 四方扁平无引脚的功率 MOSFET 封装体 技术领域 0001 本 发 明 涉 及 MOSFET芯 片 技 术 领 域， 具 体 涉 及 一 种 四 方 扁 平 无 引 脚 的 功 率 MOSFET 封装体。 背景技术 0002 随 着 电 子 制 造 技 术 的 快。
8、 速 发 展， 消 费 电 子 产 品 越 来 越 向 小 型、 便 携 的 趋 势 发 展， 这 也 导 致 了 这 些 电 子 产 品 的 内 部 能 够 用 于 布 置 电 学 元 件 的 空 间 变 得 越 来 越 有 限。 在 此 情 况 下， 采用的电学元件势必越薄越好， 这也成为了目前电子元件制造也的发展趋势。 四方扁平 无引脚封装 (DFN)工艺恰好可以满足这一需求。 0003 附图 1所示是现有技术中一种典型的 DFN封装结构的剖面示意图， 包括芯片 900, 散热片 920、 引线框架 930、 多个导线 940， 以及包裹上述结构的绝缘胶 950。 芯片 900粘附在 散。
9、热片 920上， 引线框架 930具有多个相互绝缘的管脚， 芯片 900表面的焊盘通过导线 940 连接在引线框架 93。 相应的管脚上。 绝缘胶 950将上述结构全部包裹起来， 以将 其同外界 隔离， 仅将引线框架 930的各个管脚和散热片 920与芯片 900相对的表面暴露在空气中。 引 线 框 架 930暴 露 出 来 的 管 脚 用 于 实 现 被 封 装 的 芯 片 900同 外 界 的 电 学 连 接， 而 散 热 片 920 暴露出来的作用在于将芯片 900工作时产生的热量通过暴露的表面散发到环境中去。 发明内容 0004 本 发 明 目 的 是 提 供 一 种 四 方 扁 平 。
10、无 引 脚 的 功 率 MOSFET封 装 体， 此 功 率 MOSFET封 装体有利于减少欧姆接触电阻， 提高了电性能指标， 同时也减少热量的产生。 0005 为 达 到 上 述 目 的， 本 发 明 采 用 的 技 术 方 案 是 ：一 种 四 方 扁 平 无 引 脚 的 功 率 MOSFET 封装体， 包括 MOSFET芯片、 环氧树脂层， 所述 MOSFET芯片上表面设有源极和栅极， 下表面设 有 漏 极， 其 特 征 在 于 ：还 包 括 导 电 基 盘、 第 一 导 电 焊 盘 和 第 二 导 电 焊 盘， 所 述 导 电 基 盘 由 散 热 区 和 基 盘 引 脚 区 组 成， 。
11、此 基 盘 引 脚 区 由 若 干 个 相 间 排 列 的 漏 极 引 脚 组 成， 此 漏 极 引 脚 一 端 与 散 热 区 端 面 电 连 接， 所 述 散 热 区 位 于 MOSFET芯 片 正 下 方 且 与 MOSFET芯 片 下 表 面 之 间 通 过 软 焊 料 层 电 连 接 ；所 述 第 一 导 电 焊 盘 和 第 二 导 电 焊 盘 位 于 MOSFET芯 片 另 一 侧， 第 一 导 电 焊 盘 和 第 二 导 电 焊 盘 均 包 括 焊 接 区 和 引 脚 区， 焊 接 区 与 引 脚 区 的 连 接 处 具 有 一 折 弯 部， 从 而 使 得 焊 接 区 高 于 。
12、引 脚 区 ；一 铝 导 体 带 跨 接 于 所 述 MOSFET芯 片 的 源 极 与 第 一 导 电 焊 盘 的 焊 接 区 之 间， 所 述 铝 导 体 带 与 MOSFET芯 片 的 源 极 的 焊 接 条 至 少 为 2条 且 相 间 排 列 ；一 金 属 线 跨 接 于 所 述 MOSFET芯 片 的 栅 极 与 第 二 导 电 焊 盘 的 焊 接 区 之 间 ；所 述 软 焊 料 层 由 以 下 质量百分含量的组分组成 ：铅 92.5%， 锡 5%， 银 2.5%。 0006 上述技术方案中进一步改进的方案如下 ： 1、 上 述 方 案 中， 所 述 第 一 导 电 焊 盘 和 。
13、第 二 导 电 焊 盘 各 自 的 焊 接 区 与 MOSFET芯 片 位 于 同一水平面。 0007 2、 上述方案中， 所述铝导体带宽厚比为 1： 1015。 0008 3、 上述方案中， 所述至少 2条焊接条的排列方式为平行设置。 说 明 书CN 102842549 A 2/3页 4 0009 4、 上述方案中， 所述第一导电焊盘的引脚区由至少四根源极引脚组 成。 0010 5、 上述方案中， 所述第二导电焊盘的引脚区由一根栅极引脚组成。 0011 6、 上述方案中， 所述漏极引脚的数目为四根。 0012 由于上述技术方案运用， 本发明与现有技术相比具有下列优点和效果 ： 1、 本 发 。
14、明 封 装 体 中 导 电 基 盘， 其 同 时 兼 备 了 现 有 技 术 中 导 电 焊 盘、 散 热 片 和 基 岛 三 个 部 件 功 能， 既 有 利 于 进 一 步 缩 小 器 件 的 体 积， 也 减 少 器 件 中 部 件 的 数 目， 同 时 由 于 散 热 区 和 基盘引脚区为一个整体， 提高了电性能的稳定性。 0013 2、 本 发 明 封 装 体 中 导 电 基 盘， 其 同 时 兼 备 了 现 有 技 术 中 导 电 焊 盘、 散 热 片 和 基 岛 三 个 部 件 功 能， 所 述 散 热 区 位 于 MOSFET芯 片 正 下 方 且 与 MOSFET芯 片 下 。
15、表 面 之 间 通 过 软 焊 料 层 电 连 接 且 所 述 软 焊 料 层 由 以 下 质 量 百 分 含 量 的 组 分 组 成 ：铅 92.5%， 锡 5%， 银 2.5%， 进 一步提高了导电基盘的散热性能。 0014 3、 本 发 明 封 装 体 中 焊 接 区 与 引 脚 区 的 连 接 处 具 有 一 折 弯 部， 从 而 使 得 焊 接 区 高 于 引 脚 区， 并 保 证 了 第 一、 第 二 导 电 焊 盘 的 焊 接 区 与 MOSFET芯 片 的 栅 极 在 同 一 水 平 面， 从 而 有 效 避 免 了 由 于 连 接 栅 极 的 第 二 金 属 线 较 细 在 。
16、使 用 中 容 易 断 的 技 术 缺 陷， 从 而 延 长 了 产 品 的使用寿命并提高了可靠性。 0015 4、 本 发 明 此 基 盘 引 脚 区 由 若 干 个 相 间 排 列 的 漏 极 引 脚 组 成， 第 一 导 电 焊 盘 的 引 脚 区 由 至 少 四 根 源 极 引 脚 组 成， 充 分 考 虑 到 MOSFET芯 片 漏 极 和 源 极 相 对 栅 极 电 流 大 的 差 异， 从而有利于减少热量的产生， 并进一步提高了电性能指标。 0016 5、 本 发 明 所 述 MOSFET芯 片 的 源 极 与 第 一 导 电 焊 盘 的 焊 接 区 之 间 跨 接 有 铝 导 。
17、体 带， 且 所 述 铝 导 体 带 与 MOSFET芯 片 的 源 极 的 焊 接 条 至 少 为 2条 且 相 间 排 列， 这 种 结 构 设 计 从而有利于减少欧姆接触电阻， 提高了电性能指标， 同时也减少热量的产生。 附图说明 0017 图 1为现有技术结构示意图 ； 图 2为本发明功率 MOSFET封装体结构示意图 ； 图 3为附图 2中沿 A-A线的剖视图。 以 上 附 图 中 ： 1、 MOSFET芯 片 ； 2、 环 氧 树 脂 层 ； 3、 导 电 基 盘 ； 31、 散 热 区 ； 32、 基 盘 引 脚 区 ； 321、 漏 极 引 脚 ； 4、 第 一 导 电 焊 盘。
18、 ； 5、 第 二 导 电 焊 盘 ； 6、 软 焊 料 层 ； 7、 焊 接 区 ； 8、 引 脚 区 ； 9、 折弯部 ； 10、 铝导体带 ； 11、 金属线 ； 12、 焊接条。 具体实施方式 0018 下面结合实施例对本发明作进一步描述 ： 实施例 1：一种四方扁平无引脚的功率 MOSFET封装体， 包括 MOSFET芯片 1、 环氧树脂层 2， 所述 MOSFET芯片上表面 1设有源极和栅极， 下表面设有漏极， 还包括导电基盘 3、 第一导 电焊盘 4和第二导电焊盘 5， 所述导电基盘 3由散热区 31和基盘引脚区 32组成， 此基盘引 脚 区 32由 若 干 个 相 间 排 列 。
19、的 漏 极 引 脚 321组 成， 此 漏 极 引 脚 321一 端 与 散 热 区 31端 面 电 连接， 所述散热区 31位于 MOSFET芯片 1正下方且与 MOSFET芯片 1下表面之间通过软焊料 层 6电 连 接 ；所 述 第 一 导 电 焊 盘 4和 第 二 导 电 焊 盘 5位 于 MOSFET芯 片 1另 一 侧， 第 一 导 电 说 明 书CN 102842549 A 3/3页 5 焊 盘 4和 第 二 导 电 焊 盘 5均 包 括 焊 接 区 7和 引 脚 区 8， 焊 接 区 7与 引 脚 区 8的 连 接 处 具 有 一 折 弯 部 9， 从 而 使 得 焊 接 区 7。
20、高 于 引 脚 区 8；一 铝 导 体 带 10跨 接 于 所 述 MOSFET芯 片 1的 源 极 与 第 一 导 电 焊 盘 4的 焊 接 区 7之 间， 所 述 铝 导 体 带 10与 MOSFET芯 片 1的 源 极 的 焊 接 条 12至少为 2条且相间排列 ；一金属线 11跨接于所述 MOSFET芯片 1的栅极与第二导电焊 盘 5的焊接区 7之间 ；所述软焊料层 6由以下质量百分含量的组分组成 ：铅 92.5%， 锡 5%， 银 2.5%。 0019 上 述 第 一 导 电 焊 盘 4和 第 二 导 电 焊 盘 5各 自 的 焊 接 区 7与 MOSFET芯 片 位 于 同 一 水。
21、平面。 0020 上述漏极引脚 321的数目为四根。 0021 实施例 2：一种四方扁平无引脚的功率 MOSFET封装体， 包括 MOSFET芯片 1、 环氧树 脂层 2， 所述 MOSFET芯片上表面 1设有源极和栅极， 下表面设有漏极， 还包括导电基盘 3、 第 一导电焊盘 4和第二导电焊盘 5， 所述导电基盘 3由散热区 31和基盘引脚区 32组成， 此基 盘 引 脚 区 32由 若 干 个 相 间 排 列 的 漏 极 引 脚 321组 成， 此 漏 极 引 脚 321一 端 与 散 热 区 31端 面电连接， 所述散热区 31位于 MOSFET芯片 1正下方且与 MOSFET芯片 1下。
22、表面之间通过软 焊 料 层 6电 连 接 ；所 述 第 一 导 电 焊 盘 4和 第 二 导 电 焊 盘 5位 于 MOSFET芯 片 1另 一 侧， 第 一 导 电 焊 盘 4和 第 二 导 电 焊 盘 5均 包 括 焊 接 区 7和 引 脚 区 8， 焊 接 区 7与 引 脚 区 8的 连 接 处 具 有 一 折 弯 部 9， 从 而 使 得 焊 接 区 7高 于 引 脚 区 8；一 铝 导 体 带 10跨 接 于 所 述 MOSFET芯 片 1的 源 极 与 第 一 导 电 焊 盘 4的 焊 接 区 7之 间， 所 述 铝 导 体 带 10与 MOSFET芯 片 1的 源 极 的 焊接条。
23、 12至少为 2条且相间排列 ；一金属线 11跨接于所述 MOSFET芯片 1的栅极与第二导 电 焊 盘 5的 焊 接 区 7之 间 ；所 述 软 焊 料 层 6由 以 下 质 量 百 分 含 量 的 组 分 组 成 ：铅 92.5%， 锡 5%， 银 2.5%。 0022 上述铝导体带 10宽厚比为 1： 1015。 0023 上 述 至 少 2条 焊 接 条 12的 排 列 方 式 为 平 行 设 置。 上 述 第 一 导 电 焊 盘 4的 引 脚 区 由至少四根源极引脚组成。 0024 上述第二导电焊盘 5的引脚区由一根栅极引脚组成。 0025 上 述 实 施 例 只 为 说 明 本 发 明 的 技 术 构 思 及 特 点， 其 目 的 在 于 让 熟 悉 此 项 技 术 的 人 士 能 够 了 解 本 发 明 的 内 容 并 据 以 实 施， 并 不 能 以 此 限 制 本 发 明 的 保 护 范 围。 凡 根 据 本 发 明 精神实质所作的等效变化或修饰， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。 说 明 书CN 102842549 A 1/2页 6 图 1 图 2 说 明 书 附 图CN 102842549 A 2/2页 7 图 3 说 明 书 附 图CN 102842549 A 。