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1、(10)申请公布号 CN 102842642 A (43)申请公布日 2012.12.26 C N 1 0 2 8 4 2 6 4 2 A *CN102842642A* (21)申请号 201110171010.8 (22)申请日 2011.06.23 H01L 31/18(2006.01) (71)申请人吉林庆达新能源电力股份有限公司 地址 136001 吉林省四平市铁东区烟厂路 1118号 (72)发明人刘万学 张兵 王德宏 崔学国 刘志坚 (74)专利代理机构吉林省长春市新时代专利商 标代理有限公司 22204 代理人石岱 (54) 发明名称 一种太阳能电池生产中单晶硅的扩散方法 (57。
2、) 摘要 本发明涉及太阳能电池生产领域，具体的说 是一种能够快速有效的在单晶硅扩散工艺中吸杂 的方法。该方法包括扩散工序、干氧吸杂工序，其 具体步骤是：扩散工序后的干氧吸杂工序采用先 高温后低温的变温通氧吸杂工序，首先在850 左右通入1000sccm/min的干氧100秒，然后继续 变温至830度左右通入2000sccm/min干氧500秒 完成吸杂过程。本发明解决了现有技术的不足，能 够有效去除单晶硅电池因不同厂家工艺生产的单 晶硅片中铁沾污，提高单晶硅电池的少子寿命，开 路电压、短路电流、填充因子，从而提高单晶硅电 池的整体效率和产品的价值。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明。
3、书2页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 1/1页 2 1.一种太阳能电池生产中单晶硅的扩散方法，该方法包括扩散工序、干氧吸杂工序，其 特征在于：具体步骤是：扩散工序后的干氧吸杂工序采用先高温后低温的变温通氧吸杂工 序，首先在850左右通入1000sccm/min的干氧100秒，然后继续变温至830度左右通入 2000sccm/min干氧500秒完成吸杂过程。 权 利 要 求 书CN 102842642 A 1/2页 3 一种太阳能电池生产中单晶硅的扩散方法 技术领域 0001 本发明涉及太阳能电池生产领域，具体的说是一种能够快速有。
4、效的在单晶硅扩散 工艺中吸杂的方法。 背景技术 0002 我国对太阳能电池的研究开发工作高度重视,早在七五期间,非晶硅半导体的研 究工作已经列入国家重大课题；八五和九五期间,我国把研究开发的重点放在大面积太阳 能电池等方面。2003年10月，国家发改委、科技部制定出未来5年太阳能资源开发计划，发 改委“光明工程“将筹资100亿元用于推进太阳能发电技术的应用，计划到2015年全国太 阳能发电系统总装机容量达到300兆瓦。 我国已成为全球光伏产品最大制造国，我国即将 出台的新能源振兴规划，我国光伏发电的装机容量规划为2020年达到20GW，是原来可 再生能源中长期规划中1.8GW的10多倍。 00。
5、03 太阳能电池的应用已从军事领域、航天领域进入工业、商业、农业、 通信、家用电 器以及公用设施等部门，尤其可以分散地在边远地区、高山、沙漠、海岛和农村使用，以节省 造价很贵的输电线路。 0004 目前，在现有单晶硅太阳能电池生产中，对单晶硅片进行扩散的方法通常采用恒 温或变温扩散恒温干氧吸杂的工艺，上述扩散方法不能够有效的提高单晶硅电池整体 的性能与效率，直接影响产品价值的进一步提升。 发明内容 0005 本发明的目的是为了解决上述现有技术的不足，提供一种单晶硅太阳能电池片生 产时单晶硅片的扩散工序中吸杂的方法，该方法能够有效去除单晶硅电池因不同厂家工艺 生产的单晶硅片中铁沾污，提高单晶硅电。
6、池的少子寿命，开路电压、短路电流、填充因子，从 而提高单晶硅电池的整体效率，进一步提升产品的价值。 0006 本发明的目的是这样实现的，该方法包括扩散工序、干氧吸杂工序，其具体步骤 是： 扩散工序后的干氧吸杂工序采用先高温后低温的变温通氧吸杂工序，首先在850左 右通入1000sccm/min的干氧100秒，然后继续变温至830度左右通入2000sccm/min干氧 500秒完成吸杂过程。 0007 本发明的优点是： 、本发明将通常的扩散流程：扩散（恒温或变温）干氧吸杂（恒温）改变为目前的 扩散流程：扩散（恒温或变温）干氧吸杂（变温）；在没有大的工艺变动情况下实现了单 晶硅电池整体效率的提升，。
7、适于大规模生产。 0008 、采用本发明扩散工艺，经过对比测试单晶硅电池的少子寿命，能达到12微秒 左右，较恒温吸杂的少子寿命10微妙左右提高2微秒。 0009 、采用本发明扩散工艺，单晶硅电池的开路电压、短路电流、填充因子都有小幅 说 明 书CN 102842642 A 2/2页 4 提升，总体效率可提升0.07左右。 0010 、使单晶硅电池的整体效果能得到大幅提升，从而进一步提升产品的价值。 具体实施方式 0011 扩散工序后的干氧吸杂工序采用先高温后低温的变温通氧吸杂工序，首先在 850左右通入1000sccm/min的干氧100秒，然后继续变温至830度左右通入2000sccm/ min干氧500秒完成吸杂过程。 说 明 书CN 102842642 A 。