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1、(10)申请公布号 CN 102842626 A (43)申请公布日 2012.12.26 C N 1 0 2 8 4 2 6 2 6 A *CN102842626A* (21)申请号 201110173376.9 (22)申请日 2011.06.26 H01L 31/0352(2006.01) H01L 31/0216(2006.01) H01L 31/04(2006.01) (71)申请人江苏顺大半导体发展有限公司 地址 225653 江苏省扬州市高邮市天山镇工 业园区 (72)发明人倪云达 葛正芳 胡宏珊 (74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所 (普通合伙) 32204 代理人徐激波。
2、 (54) 发明名称 一种超薄高效单晶硅太阳能电池 (57) 摘要 本发明公开了一种超薄高效单晶硅太阳能电 池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负 极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜， 正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成 欧姆接触；在P型硅片的反面设置P + 层，在P + 层 的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极；正 面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面 积占正面总面积的15%16%，其中细栅线的阴影 面积占正面总面积的10%11%。本发明提供的 超薄高效单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能 良好，且制造成本低。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书2。
3、页 附图1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 1/1页 2 1.一种超薄高效单晶硅太阳能电池，其特征在于：该太阳能电池包括P型硅片（1），在 P型硅片（1）的正面设有作为负极的NP结（2），在NP结（2）的正面设有氧化硅减反射膜（3）， 正极金属电极（4）穿过氧化硅减反射膜（3）与NP结（2）形成欧姆接触；在P型硅片（1）的 反面设置P + 层（5），在P + 层（5）的反面设置铝背场（6），在铝背场（6）中设有背电极（7）；正 面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%16%，其中细栅线 的阴。
4、影面积占正面总面积的10%11%。 2.根据权利要求1所述的超薄高效单晶硅太阳能电池，其特征在于：细栅线宽度为 0.09mm0.1mm，细栅线的中心内距为1mm1.1mm。 3.根据权利要求2所述的超薄高效单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述P型硅片（1） 为165单晶硅片。 权 利 要 求 书CN 102842626 A 1/2页 3 一种超薄高效单晶硅太阳能电池 技术领域 0001 本发明涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种超薄高效单晶硅太阳能电池。 背景技术 0002 现有的太阳能电池，在世界太阳能光伏发电产业和市场的严峻的能源替代形式和 人类生态环境压力下，在持续进步和逐步完善的法规政策的强。
5、力推动下快速发展。太阳能 电池的年产量最近10年得平均增长速度为37%，最近5年得平均增长速度为45%，成为世界 上发展最快的行业之一。 0003 太阳能电池推广应用的主要障碍是发电成本与火力发电成本相比较成本过高。不 过，最近也有了好兆头，保定英利绿色能源有限公司承包敦煌10MW大型电站，承诺每度电 0.69元，这仅仅说明，在个案中接近火力发电价格，降低成本，提高效率是技术人员永恒的 追求。聚光电池则是通过薄片，高效聚光等手段，可以大大降低发电成本。硅片成本占到组 件成本的40%到60%，如果把硅片200m厚度降低到160m，能够使硅片成本下降20%。聚 光电池在12到15个太阳条件下，其转。
6、换效率为20%到21%，目前单晶硅常规电池平均转换 效率为17%，其转换效率每提高一个百分点，电池制造成本下降7%；聚光电池提高3%到4%， 电池的制造成本下降20%。 发明内容 0004 发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种结构合理，工作性能 良好的超薄高效单晶硅太阳能电池。 0005 技术方案：为解决上述技术问题，本发明采样的技术方案为： 一种超薄高效单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP 结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧 姆接触；在P型硅片的反面设置P + 层，在P + 层的反面设置铝背场，在。
7、铝背场中设有背电极； 正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%16%，其中细栅 线的阴影面积占正面总面积的10%11%。 0006 所述细栅线宽度为0.09mm0.1mm，细栅线的中心内距为1mm1.1mm。 0007 所述P型硅片为165单晶硅片。 0008 有益效果：本发明提供的超薄高效单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好， 且制造成本低。 附图说明 0009 图1为本发明的结构示意图。 具体实施方式 0010 下面结合附图对本发明作更进一步的说明。 说 明 书CN 102842626 A 2/2页 4 0011 如附图1所示为一种165超薄高效单晶硅太阳能电。
8、池，包括P型硅片1，在P型硅 片1的正面设有作为负极的NP结2，在NP结2的正面设有氧化硅减反射膜3，正极金属电 极4穿过氧化硅减反射膜3与NP结2形成欧姆接触；在P型硅片1的反面设置P + 层5，在 P + 层5的反面设置铝背场6，在铝背场6中设有背电极7；正面栅线包括主栅线和细栅线， 正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的 10%11%；所述细栅线宽度为0.09mm0.1mm，细栅线的中心内距为1.1mm。 0012 以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人 员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应 视为本发明的保护范围。 说 明 书CN 102842626 A 1/1页 5 图1 说 明 书 附 图CN 102842626 A 。