结终端延伸结构及其制造方法.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 102842609 A (43)申请公布日 2012.12.26 C N 1 0 2 8 4 2 6 0 9 A *CN102842609A* (21)申请号 201110166489.6 (22)申请日 2011.06.20 H01L 29/739(2006.01) H01L 29/40(2006.01) H01L 21/331(2006.01) (71)申请人中国科学院微电子研究所 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 (72)发明人田晓丽 朱阳军 吴振兴 卢烁今 (74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人逯长明 王宝筠 (5。

2、4) 发明名称 结终端延伸结构及其制造方法 (57) 摘要 本发明公开了一种结终端延伸结构，包括：第 一导电类型的集电区；集电区上的第二导电类型 的漂移区；漂移区上的第一导电类型的主结区以 及主结区一侧的第一导电类型的延伸区；延伸区 之外的第二导电类型的截止环；以及至少部分覆 盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结 构包括氧化物层和场板，所述场板为位于至少部 分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区 域之上的连续结构，所述场板用于屏蔽界面电荷、 改善表面电场分布。通过场板结构屏蔽延伸区及 其外侧界面电荷的影响，改善表面电场，保证器件 的击穿电压并提高器件的可靠性，可应用于高压 (4500。

3、V及其以上)IGBT器件的保护终端。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书7页 附图3页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 7 页 附图 3 页 1/1页 2 1.一种结终端延伸结构，其特征在于，包括： 第一导电类型的集电区； 集电区上的第二导电类型的漂移区； 漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区； 延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及 至少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结构包括氧化物层和场板， 所述场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区域之上的连续结 构，所述场。

4、板用于屏蔽界面电荷、改善表面电场分布。 2.根据权利要求1所述的结终端延伸结构，其特征在于，所述场板为金属场板、半绝缘 多晶硅场板或多晶硅场板与金属场板组合的多级场板。 3.根据权利要求1所述的结终端延伸结构，其特征在于，所述场板为半绝缘多晶硅场 板，半绝缘多晶硅场板位于氧化物层之上，或者氧化物层位于半绝缘多晶硅场板之上。 4.根据权利要求1所述的结终端延伸结构，其特征在于，所述场板为金属场板，金属场 板位于氧化物层之上。 5.根据权利要求1所述的结终端延伸结构，其特征在于，所述场板为多晶硅场板与金 属场板组合的多级场板，所述多晶硅场板位于氧化物层中间，所述金属场板位于氧化物层 之上，所述氧化。

5、物层较多晶硅场板向截止环一侧延伸，且靠近截止环一侧的氧化物层的厚 度大于靠近多晶硅场板一侧的氧化物层的厚度。 6.一种结终端延伸结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内具有第二导电类型的漂移区以及漂移区上的第一导电类型的主 结区、主结区一侧的第一导电类型的延伸区、延伸区之外的第二导电类型的截止环； 形成至少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结构包括氧化物层和场 板，所述场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环之间部分区域之上的连续结构， 所述场板用于屏蔽界面电荷、改善表面电场分布。 7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述场板为金属场板、半绝缘多晶硅 场。

6、板或多晶硅场板与金属场板组合的多级场板。 8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述场板为金属场板，形成所述叠层 结构的步骤为：在衬底表面上形成至少部分覆盖所述延伸区以及至少部分覆盖延伸区和截 止环之间区域的氧化物层，以及在氧化物层上形成金属场板。 9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述场板为半绝缘多晶硅场板，形成所述 叠层结构的步骤为：在衬底表面上形成至少部分覆盖所述延伸区以及至少部分覆盖延伸区 和截止环之间区域的氧化物层，以及在氧化物层上形成半绝缘多晶硅场板，或者，在衬底表 面上形成至少部分覆盖所述延伸区以及至少部分覆盖延伸区和截止环之间区域的半绝缘 多晶硅场板，以及在半绝。

7、缘多晶硅场板上形成氧化物层。 10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述场板为多晶硅场板与金属场板组合 的多级场板，形成所述叠层结构的步骤为：在衬底表面上形成至少部分覆盖主结区之外区 域的氧化物层；在氧化物层上形成至少位于部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部 分区域之上的多晶硅场板；继续淀积氧化物层，使靠近截止环一侧的氧化物层的厚度大于 靠近多晶硅场板一侧的氧化物层的厚度；在氧化物层上形成金属场板。 权 利 要 求 书CN 102842609 A 1/7页 3 结终端延伸结构及其制造方法 技术领域 0001 本发明涉及半导体制造技术，更具体地说，涉及一种高压IGBT的结终端延伸结构 。

8、及其制造方法。 背景技术 0002 绝缘栅双极晶体管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)是新型的大功 率器件，它集MOSFET栅极电压控制特性和双极型晶体管低导通电阻特性于一身，改善了器 件耐压和导通电阻相互牵制的情况，具有高电压、大电流、高频率、功率集成密度高、输入阻 抗大、导通电阻小、开关损耗低等优点。在变频家电、工业控制、电动及混合动力汽车、新能 源、智能电网等诸多领域获得了广泛的应用空间。 0003 而要确保IGBT高电压的一个重要前提条件是优良的终端保护结构，目前广泛用 于高压(2500V及其以上)IGBT的终端保护结构主要是场限环(FLR。

9、)和结终端延伸结构 (JTE)。 0004 如图1所示，场限环结构包括内圈的分压保护区101(以包括p1环105和p2环 106的结构为例)和外圈的截至环102。当偏压加在电极103上时，随着所加偏压的增大， 耗尽层沿着主结区104向场限环的方向向外延伸，主结区104和p1环105距离的选取为主 结在雪崩击穿之前，p1环105穿通，这样就减小了主结附近的最大电场，偏压的继续增加由 p1环105承担，直到耗尽层穿通了p2环106。然而场限环结构占芯片总面积的比重较大， 制造成本高，而且设计时需要考虑场限环的间距、结深、环的宽度及环的个数等因素，设计 较为复杂。 0005 对于结终端延伸结构(以p。

10、型沟道为例)，如图2所示，包括：P + 集电区204、集电 区上的N - 漂移区205、漂移区205上的P + 主结区201、主结区201一侧的P - 延伸区202以 及延伸区202之外的截止环206，该结构是通过在重掺杂的主结区201附近通过离子注入 或扩散的方法获得结深逐渐减小的轻掺杂的延伸区202，来提高击穿电压的，具有较小的面 积，设计也相对简单。当偏压加在电极203上时，随着所加偏压的增大，p-n结的耗尽层沿 着表面向外(延伸区到截止环的方向)扩展，大大提高击穿电压。 0006 然而，上述结终端延伸结构的问题在于，该终端结构容易受到表面电荷的影响，如 受到界面不稳定性和氧化层界面电荷。

11、等的影响，使其表面电场受到影响，进而影响器件的 击穿电压和可靠性。 发明内容 0007 本发明实施例提供一种结终端延伸结构，屏蔽界面电荷的影响，改善表面电场，保 证器件击穿电压并提高可靠性，同时减小终端区域面积，降低制造成本。 0008 为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案： 0009 一种结终端延伸结构，包括： 0010 第一导电类型的集电区； 说 明 书CN 102842609 A 2/7页 4 0011 集电区上的第二导电类型的漂移区； 0012 漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区； 0013 延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及 0014 至。

12、少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结构包括氧化物层和场 板，所述场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区域之上的连续 结构，所述场板用于屏蔽界面电荷、改善表面电场分布。 0015 可选地，所述场板为金属场板、半绝缘多晶硅场板或多晶硅场板与金属场板组合 的多级场板。 0016 可选地，所述场板为半绝缘多晶硅场板，半绝缘多晶硅场板位于氧化物层之上，或 者氧化物层位于半绝缘多晶硅场板之上。 0017 可选地，所述场板为金属场板，金属场板位于氧化物层之上。 0018 可选地，所述场板为多晶硅场板与金属场板组合的多级场板，所述多晶硅场板位 于氧化物层中间，所述金属场板位于。

13、氧化物层之上，所述氧化物层较多晶硅场板向截止环 一侧延伸，且靠近截止环一侧的氧化物层的厚度大于靠近多晶硅场板一侧的氧化物层的厚 度。 0019 此外，本发明还提供了上述结终端延伸结构的制造方法，包括： 0020 提供衬底，所述衬底内具有第二导电类型的漂移区以及漂移区上的第一导电类型 的主结区、主结区一侧的第一导电类型的延伸区、延伸区之外的第二导电类型的截止环； 0021 形成至少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结构包括氧化物层 和场板，所述场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环之间部分区域之上的连续结 构，所述场板用于屏蔽界面电荷、改善表面电场分布。 0022 可选地，所述场。

14、板为金属场板、半绝缘多晶硅场板或多晶硅场板与金属场板组合 的多级场板。 0023 可选地，所述场板为金属场板，形成所述叠层结构的步骤为：在衬底表面上形成至 少部分覆盖所述延伸区以及至少部分覆盖延伸区和截止环之间区域的氧化物层，以及在氧 化物层上形成金属场板。 0024 可选地，所述场板为半绝缘多晶硅场板，形成所述叠层结构的步骤为：在衬底表面 上形成至少部分覆盖所述延伸区以及至少部分覆盖延伸区和截止环之间区域的氧化物层， 以及在氧化物层上形成半绝缘多晶硅场板，或者，在衬底表面上形成至少部分覆盖所述延 伸区以及至少部分覆盖延伸区和截止环之间区域的半绝缘多晶硅场板，以及在半绝缘多晶 硅场板上形成氧化。

15、物层。 0025 可选地，所述场板为多晶硅场板与金属场板组合的多级场板，形成所述叠层结构 的步骤为：在衬底表面上形成至少部分覆盖主结区之外区域的氧化物层；在氧化物层上形 成至少位于部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区域之上的多晶硅场板；继续 淀积氧化物层，使靠近截止环一侧的氧化物层的厚度大于靠近多晶硅场板一侧的氧化物层 的厚度；在氧化物层上形成金属场板。 0026 与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点： 0027 本发明实施例的用于高压IGBT的终端保护结构的结终端延伸结构及其制造方 法，形成有覆盖所述延伸区和至少部分覆盖延伸区和截止环之间区域的叠层结构，该叠层 说 明 书CN 1。

16、02842609 A 3/7页 5 结构包括场板，通过场板屏蔽界面电荷对结终端延伸结构影响，改善其表面电场分布，保证 器件的击穿电压并提高器件的可靠性。同时该终端结构减小了终端区域的面积，降低了芯 片制造成本。 附图说明 0028 通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中 相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示 出本发明的主旨。 0029 图1为用于IGBT终端保护的场限环结构的示意图； 0030 图2为用于IGBT终端保护的结终端延伸结构的示意图； 0031 图3-图5为本发明实施例公开的结终端延伸结构的示意图。 具体实。

17、施方式 0032 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明 的具体实施方式做详细的说明。 0033 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以 采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的 情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。 0034 其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表 示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应 限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。 0035 另。

18、外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形 成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这 样第一和第二特征可能不是直接接触。 0036 正如背景技术部分所述，对于结终端延伸结构，延伸区容易受到表面电荷的影响， 如受到界面不稳定性和氧化层界面电荷等的影响，使其表面电场受到影响，进而影响器件 的击穿电压和可靠性。 0037 为此，本发明提出了一种结终端延伸结构，通过形成至少覆盖延伸区的场板结构， 来屏蔽界面电荷，从而改善表面电场，稳定器件的击穿电压和提高器件的可靠性，所述结终 端延伸结构包括： 0038 第一导电类型的集电区； 0039。

19、 集电区上的第二导电类型的漂移区； 0040 漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区； 0041 延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及 0042 至少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结构包括氧化物层和场 板，所述场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区域之上的连续 结构，所述场板用于屏蔽界面电荷、改善表面电场分布。 0043 通过具有场板的叠层结构，来屏蔽延伸区及其外侧界面电荷，改善表面电场分布， 稳定器件的击穿电压和提高器件的可靠性，同时具有钝化作用。 说 明 书CN 102842609 A 4/7页 6 0044 此外，相对于场。

20、限环结构，结终端延伸结构具有更小的面积，缩小了IGBT器件中 终端保护结构的面积，提高了集成度，降低了芯片制造成本，尤其适用于高电压(6500V以 上)IGBT器件的终端保护。 0045 基于上述思想，本发明提出了具有上述具有场板的结终端延伸结构，用于高压 IGBT器件的终端保护，以下将结合具体的实施例进行详细的描述，在以下实施例中，均以p 型沟道为例进行说明，即第一导电类型为p型，第二导电类型为n型，此处仅为示例，本发明 同样适用于n型沟道的实施例。 0046 实施例一 0047 在此实施例中，参考图3所示，结终端延伸结构包括： 0048 P + 集电区303； 0049 P + 集电区30。

21、3上的N - 漂移区302； 0050 N - 漂移区302上的P + 主结区305，以及主结区305一侧的P - 延伸区306； 0051 延伸区之外的N + 截止环307； 0052 至少覆盖所述主结区305之外区域的叠层结构400，所述叠层结构400包括半绝缘 多晶硅场板(SIPOS)401和氧化物层402，所述氧化物层402可以位于所述半绝缘多晶硅场 板401之上，也可以为半绝缘多晶硅场板位于氧化物层之上，所述半绝缘多晶硅场板为位 于至少部分所述延伸区306以及延伸区306与截止环307之间区域310的至少部分区域上 的连续结构。 0053 在本申请中，所述主结区305之外区域指延伸区。

22、306、截止环307以及延伸区与截 止环之间的区域310的区域，所述延伸区306以及延伸区306与截止环307之间区域310 即为耗尽区向截止环307方向扩散的区域。 0054 在本实施例中，所述半绝缘多晶硅场板(SIPOS)401的厚度可以为1-2m，所述氧 化物层402可以为硼磷硅玻璃、二氧化硅等，其厚度可以为1-2m，半绝缘多晶硅场板为一 个整体而连续的结构覆盖住至少部分的延伸区以及部分的延伸区与截止区之间的区域。 0055 在本实施例的一些实施例中，所述半绝缘多晶硅场板可以完全遮盖延伸区以及完 全遮盖所述延伸区306与截止环307之间的区域310，更进一步地，还可以遮盖住截止环 307。

23、(如图3中所示)；在另一些实施例中，所述半绝缘多晶硅场板可以完全遮盖延伸区以及 部分遮盖所述延伸区306与截止环307之间的部分区域(图未示出)；在又一些实施例中， 所述半绝缘多晶硅场板可以部分遮盖延伸区以及部分遮盖所述延伸区306与截止环307之 间的部分区域(图未示出)。上述实施例中，遮盖延伸区306与截止环307之间区域310的 部分区域的场板的长度可以根据具体击穿电压的要求来设计。上述实施例中，氧化物层可 以具有同场板相同的覆盖面积，也可以具有更大的覆盖面积，可以根据具体设计要求要决 定。 0056 由于SIPOS具有高阻性，具有SIPOS的叠层结构屏蔽被场板结构覆盖区域的界面 电荷，。

24、改善被场板结构覆盖区域的表面电场，同时起到钝化作用，在保证IGBT器件高击穿 电压的同时，提高了器件的可靠性。 0057 以上为本实施例的结终端延伸结构，为了更好地理解本发明，以下结合一个实施 例对其制造方法进行详细的描述。 0058 首先，提供衬底，所述衬底上形成有第一导电类型的集电区，所述衬底内形成有第 说 明 书CN 102842609 A 5/7页 7 二导电类型的漂移区以及漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电 类型的延伸区、延伸区之外的第二导电类型的截止环。 0059 在一个实施例中，所述衬底为Si单晶片，具有相对的两个表面，所述衬底可以具 有N型的轻掺杂，可以在衬。

25、底的一个表面通过P型重掺杂来形成P + 集电区303，而后，可以 从衬底的另一个表面通过P型重掺杂形成P + 主结区、通过P型轻掺杂形成P - 的延伸区以及 通过N型重掺杂形成N + 截止环，其中P + 主结区、P - 的延伸区及N + 截止环之外的衬底部分则 为N - 漂移区，从而形成了该终端的内部结构。 0060 而后，在衬底表面上形成至少部分覆盖主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结 构包括半绝缘多晶硅场板和氧化物层，可以通过形成半绝缘多晶硅场板后在半绝缘多晶硅 场板上形成氧化物层来形成该叠层结构，还可以形成氧化物层后在氧化物层上形成多晶硅 场板来形成该叠层结构。 0061 在一个实施例中。

26、，可以通过化学气相淀积PECVD过程掺氧或掺氮淀积形成半绝缘 多晶硅场板，厚度可以为1-2m，而后可以通过PECVD的方法继续淀积形成氧化物层，厚度 可以为1-2m。 0062 或者，可以通过热氧化的方法先形成氧化物层，而后继续通过化学气相淀积PECVD 过程掺氧或掺氮淀积形成半绝缘多晶硅场板。 0063 以上实施例的制造方法，仅为示例，本发明并不限于此。 0064 实施例二 0065 在此实施例中，如图4所示，结终端延伸结构包括： 0066 P + 集电区303； 0067 P + 集电区303上的N - 漂移区302； 0068 N - 漂移区302上的P + 主结区305，以及主结区30。

27、5一侧的P - 延伸区306； 0069 延伸区之外的N + 截止环307； 0070 至少覆盖所述主结区之外的叠层结构400，所述场板为金属场板，所述叠层结构 400包括氧化物层501和氧化物层501上的金属场板502，所述金属场板502位于氧化物层 501之上，为位于至少部分延伸区306以及至少延伸区306与截止环307之间的区域的部分 区域之上的连续结构。 0071 在本实施例中，所述金属场板可以完全遮盖延伸区以及完全遮盖所述延伸区306 与截止环307之间的区域，更进一步地，还可以遮盖住截止环307(如图3所示)；在另一些 实施例中，所述金属场板可以完全遮盖延伸区以及部分遮盖所述延伸区。

28、306与截止环307 之间的部分区域(图未示出)；在又一些实施例中，所述金属场板可以部分遮盖延伸区以及 部分遮挡所述延伸区306与截止环307之间区域310的部分区域(图未示出)。上述实施 例中，遮盖延伸区306与截止环307之间部分区域的场板的长度可以根据具体击穿的要求 来设计。上述实施例中，氧化物层可以具有同场板相同的面积，也可以具有更大的覆盖面 积，可以根据具体设计要求要决定。 0072 其中，所述金属场板502可以为铝或其他合适的金属材料，厚度可以为1-2m。所 述氧化物层501可以为热氧化生成的二氧化硅，其厚度可以为1-2m，所述金属场板502的 厚度可以为1-2m。 0073 通过。

29、具有金属场板的叠层结构，屏蔽界面电荷，改善表面电场分布，在保证IGBT 说 明 书CN 102842609 A 6/7页 8 器件高击穿电压的同时，提高了器件的可靠性。 0074 以上为本实施例的结终端延伸结构，为了更好地理解本发明，以下结合一个实施 例对其制造方法进行详细的描述。 0075 首先，提供衬底，所述衬底上形成有第一导电类型的集电区，所述衬底内形成有第 二导电类型的漂移区以及漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电 类型的延伸区、延伸区之外的第二导电类型的截止环。 0076 同实施例一的该步骤，不在赘述。 0077 而后，在所述延伸区所在的衬底表面上形成至少部分覆盖所。

30、述延伸区和至少部分 覆盖延伸区与截止环之间区域的氧化物层和氧化物层上的金属场板，以形成包括氧化物层 和其上的金属场板的叠层结构。 0078 在一个实施例中，可以通过热氧化的的方法形成氧化物层，例如二氧化硅，而后通 过溅射的方法形成金属场板，例如铝。 0079 以上实施例的制造方法，仅为示例，本发明并不限于此。 0080 实施例三 0081 在此实施例中，通过形成由多晶硅(POLY)场板和金属场板结合的多级场板，多晶 硅(POLY)场板和金属场板由氧化物隔开，在屏蔽界面电荷的同时，通过优化氧化物层的厚 度对击穿的影响，改善表面电场集中的现象，抑制提前击穿，更好地稳定器件的击穿电压并 提高器件的可。

31、靠性。 0082 参考图5所示，所述结终端延伸结构包括： 0083 P + 集电区303； 0084 P + 集电区303上的N漂移区302； 0085 N漂移区302上的P + 主结区305，以及主结区305一侧的P - 延伸区306； 0086 延伸区之外的N + 截止环307； 0087 至少部分覆盖所述主结区305之外区域的叠层结构400，所述叠层结构包括氧化 物层603及多晶硅场板601与金属场板602组合的多级场板，所述多晶硅场板601位于氧 化物层603中间，所述多晶硅场板和金属场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环 之间的至少部分区域之上的连续结构，且所述金属场板602位于。

32、氧化物层603之上，所述氧 化物层603较多晶硅场板601向截止环307一侧延伸，且靠近截止环307一侧的氧化物层 603的厚度大于靠近多晶硅场板601一侧的氧化物层603的厚度。 0088 在一个优选实施例中，如图5所示，所述多晶硅场板601位于所述延伸区306以及 延伸区与截止环之间区域310的部分区域之上，所述金属场板602位于所述延伸区306以 及延伸区306与截止环307之间的区域之上，金属场板602向截止环侧延伸的区域大于多 晶硅场板延伸的区域，而且在靠近多晶硅场板一侧氧化层的厚度小于靠近截止环一侧的氧 化层的厚度。 0089 可以根据具体击穿电压的要求，来设计所述氧化物层603、。

33、多晶硅场板601以及金 属场板602的厚度及长度。 0090 在本实施例的中，所述金属场板和多晶硅场板可以具有不同的长度，靠近多晶硅 场板一侧的厚度与靠近截止环一侧的氧化物层的厚度不同，也就是说，在氧化物层的厚度 上沿耗尽区扩散方向有一个由薄到厚的优化，通过金属场板和多晶硅场板的多级场板，屏 说 明 书CN 102842609 A 7/7页 9 蔽界面电荷，改善表面电场分布，在保证IGBT器件高击穿电压的同时，提高了器件的可靠 性，此外，通过优化氧化层厚度对击穿的影响，改善表面电场集中的现象，抑制了提前击穿， 同时叠层结构起到钝化作用。 0091 以上为本实施例的结终端延伸结构，为了更好地理解。

34、本发明，以下结合一个实施 例对其制造方法进行详细的描述。 0092 首先，提供衬底，所述衬底上形成有第一导电类型的集电区，所述衬底内形成有第 二导电类型的漂移区以及漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电 类型的延伸区、延伸区之外的第二导电类型的截止环。 0093 同实施例一的该步骤，不在赘述。 0094 而后，在衬底表面上形成至少部分覆盖主结区之外区域的氧化物层；在氧化物层 上形成至少位于部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区域之上的多晶硅场板； 继续淀积氧化物层，使靠近截止环一侧的氧化物层的厚度大于靠近多晶硅场板一侧的氧化 物层的厚度；在氧化物层上形成金属场板。 009。

35、5 在一个实施例中，可以通过热氧化的方法形成氧化物层，而后可以通过LPCVD的 方法继续淀积形成多晶硅场板，而后可以通过PECVD的方法继续淀积形成氧化物层，而后 可以通过溅射的方法形成金属场板，从而形成场板结构。 0096 以上实施例的制造方法，仅为示例，本发明并不限于此。 0097 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。 0098 虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领 域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内 容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此， 凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单 修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。 说 明 书CN 102842609 A 1/3页 10 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102842609 A 10 2/3页 11 图3 图4 说 明 书 附 图CN 102842609 A 11 3/3页 12 图5 说 明 书 附 图CN 102842609 A 12 。