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1、(10)申请公布号 CN 102915977 A (43)申请公布日 2013.02.06 C N 1 0 2 9 1 5 9 7 7 A *CN102915977A* (21)申请号 201210274308.6 (22)申请日 2012.08.02 102011080299.1 2011.08.02 DE H01L 23/15(2006.01) H01L 23/373(2006.01) H01L 21/48(2006.01) H05K 1/03(2006.01) H05K 7/20(2006.01) (71)申请人英飞凌科技股份有限公司 地址德国瑙伊比贝尔格市 (72)发明人奥拉夫霍尔费尔。
2、德 埃尔玛库勒 安德烈亚斯勒尼格尔 (74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限 责任公司 11240 代理人余刚 李慧 (54) 发明名称 电路载体、电路载体装置和制造电路载体的 方法 (57) 摘要 本发明涉及一种电路载体（100），其具有底侧 （100b）和在垂直方向（v）上与该底侧（100b）间隔 开的顶侧（100t），以及由陶瓷材料制成的陶瓷体 （1）。此外，所述陶瓷体（1）具有多个间隙（3），在 间隙中没具有陶瓷体（1）的陶瓷材料类的材料。 间隙（3）在整体上却部分地未完全填充填充金属 （2）。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书6页 附图11页 (。
3、19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 11 页 1/2页 2 1.一种电路载体（100），包括：底侧（100b）；在垂直方向（v）上与所述底侧间隔开的顶 侧（100t）；由陶瓷材料制成的陶瓷体（1），所述陶瓷体具有多个其中没有所述陶瓷体（1）的 陶瓷材料的间隙（3）；以及固态的填充金属（2）；其中，所述间隙（3）在整体上却部分地未完 全填充所述填充金属（2）。 2.根据权利要求1所述的电路载体（100），其中，所述陶瓷体（1）具有的总体积是所述 陶瓷材料和所述间隙（3）的体积之和，其中，位于所述间隙（3）中的所述填充金属（2）的体 。
4、积占所述陶瓷体（1）总体积的至少10%，并且最多90%；或者占所述陶瓷体（1）的总体积的 至少20%，并且最多80%。 3.根据权利要求1或2所述的电路载体（100），其中，连接在一起的、非中断的空间区 域（18）是方形的，具有垂直于所述垂直方向（v）延伸的、至少3mmx3mm的底面，并且在所述 垂直方向（v）上具有至少100m的厚度（d18），所述空间区域完全布置在所述陶瓷体（1）内 的所述顶侧（100t）和所述填充金属（2）之间，所述空间区域没有导电材料。 4.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），其中，所述填充金属（2）具有位 于所述底侧（100b）和陶瓷体（1）之间的部段，。
5、其中，所述填充金属（2）构成连续封闭的层 （20），所述层覆盖所述陶瓷体（1）的背离所述顶侧（100t）的一侧。 5.根据权利要求4所述的电路载体（100），其中，所述连续封闭的层（20）在所述垂直方 向（v）上具有小于10mm的厚度（d20），或者具有的厚度（d20）的范围为100m至500m。 6.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），具有导电层（6），所述导电层直 接涂覆在所述陶瓷体（1）的背离所述底侧（100b）的所述一侧上。 7.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），具有固态的电介质（4），利用所 述电介质完全地或者部分地填充所述未填充所述填充金属（2）的间隙。
6、（3）。 8.根据权利要求7所述的电路载体（100），其中，所述固态的电介质（4）具有位于所述 顶侧（100t）和所述陶瓷体（2）之间的部段，其中，所述电介质（4）构成连续封闭的层。 9.根据权利要求7或8中任一项所述的电路载体（100），具有导电层（6），所述导电层 直接涂覆在所述固态的电介质（4）的背离底侧（100b）的所述一侧上。 10.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），其中，所述陶瓷体（1）由以下 材料中的一种制成，或者具有以下材料中的一种或者多种：氧化铝（Al 2 O 3 ）；氮化铝（AlN）；氮 化硅（Si 3 N 4 ）；碳化硅（SiC）；二硼化钛(TiB 2 )。
7、。 11.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），其中，所述陶瓷体（1）在其背 离底侧（100b）的所述一侧上具有盆形的凹陷处。 12.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（1 00），其中，所述填充金属（2）完全 地或者原子百分比的至少90%由金属铝（Al）、铜（Cu）、镁（Mg）、锑（Sb）、锶（Sr）、锌（Zn）中 的一种构成；或者由合金构成，所述合金的原子百分比的至少90%由金属铝（Al）、铜（Cu）、 镁（Mg）、锑（Sb）、锶（Sr）、锌（Zn）中的一种或多种构成。 13.根据上述权利要求中任一项所述的电路载体（100），所述电路载体在垂直方向（v） 上具有厚度（d10。
8、0），所述厚度为 -至少0.1mm或者至少0.5mm或者至少1.0mm；和/或 -小于或等于20mm、小于或等于50mm或者小于或等于100mm。 14.根据前述权利要求中任一项所述的电路载体（100），其中，所述陶瓷体（1）在所述 权 利 要 求 书CN 102915977 A 2/2页 3 垂直方向（v）上具有厚度（d1），并且其中，所述填充金属（2）从所述陶瓷体（1）的所述底侧 （100b）出发在所述垂直方向（v）上延伸至所述陶瓷体（1）的深度（d12）处，所述深度为 -至少1mm；或者 -至少是所述陶瓷体（1）的厚度（d1）的0.1倍和/或最高是0.9倍。 15.一种具有半导体芯片（7。
9、）的半导体装置，所述半导体芯片装置设置在根据上述权 利要求中任一项构成的电路载体（100）的所述顶侧（100t）上或者所述底侧（100b）上。 16.一种用于制造根据权利要求1至14中任一项构成的电路载体（100）的方法，其具 有以下步骤： 准备多孔的、由陶瓷材料制成的陶瓷体（1），所述陶瓷体具有顶侧（1t）、背离所述顶侧 （1t）的底侧（1b）、以及多个细孔（3）； 在所述底侧（1b）上利用液态的填充金属（2）填入部分所述细孔（3）中，在此无需将填 充金属（2）填充所有位于所述陶瓷材料的体积区域内的间隙（3）；并且 紧接着冷却所述填充金属（2）直至所述填充金属完全固化。 17.根据权利要求1。
10、6所述的方法，具有以下步骤： 将电介质（4）布置到所有的或者部分未填充所述填充金属（2）的所述间隙（3）中。 18.根据权利要求17所述的方法，具有以下步骤： 准备液态的电介质（4）； 在所述陶瓷体（1）的顶侧（1t）上利用所述液态的电介质（4）完全地或者部分地填充所 述未填充所述填充金属（2）的间隙（3）；并且 紧接着冷却所述电介质（4）直至所述电介质完全固化。 19.根据权利要求17所述的方法，其具有以下步骤： 准备含有陶瓷的膏体（4）或者薄膜； 将所述含有陶瓷的膏体（4）或者薄膜覆在所述陶瓷体（1）的顶侧（1t）上； 在加热处理步骤期间，在所述陶瓷体（1）的顶侧（1t）上利用所述含有陶瓷。
11、的膏体（4） 完全地或者部分地填充所述未填充所述填充金属（2）的间隙（3）；并且 在所述加热处理步骤期间使所述含有陶瓷的膏体（4）或者薄膜固化成固态的电介质 （4）。 20.根据权利要求19所述的方法，其中，在250C至1450C或者500C至1000C 的温度范围内执行所述加热处理步骤。 权 利 要 求 书CN 102915977 A 1/6页 4 电路载体、 电路载体装置和制造电路载体的方法 技术领域 0001 本发明涉及一种电路载体、一种电路载体装置和一种制造该电路载体的方法。 背景技术 0002 电路载体例如在功率半导体模块中被用作一个或者多个半导体芯片的载体。除了 将半导体芯片电连接。
12、以外，电路载体还用于在半导体构件运行时将产生的热量在朝向散热 体的方向上导出。此外，电路载体要确保一方面半导体构件和另一方面散热体之间充分电 绝缘。典型地，使用金属化陶瓷片作为电路载体。为了使陶瓷片和位于其上的功率半导体 芯片机械地稳定，并且将半导体芯片中产生的损耗热能进一步导出，将这些陶瓷片的背离 半导体构件的一侧与金属底板材料配合地连接。作为连接技术例如适合使用钎焊。 0003 为了制造这种传统的联合体，首先必须生产陶瓷片，将其金属化并且与底板连接， 这样做耗时耗力并且成本高昂，例如由第一个生产商生产金属化的陶瓷片，第二个生产商 生产底板，并且第三个生产商将该金属化陶瓷片与底板连接。此外，。
13、由于陶瓷和金属底板有 不同的热膨胀系数，因为在温度交替运行时在不同的原材料之间突然过渡，使得连接层区 域产生较大的热机械应力，由此在这个区域中在半导体模块较长时间运行以后可能会在连 接层中出现损坏，该损坏影响散热。这些损坏涉及连接层从基底上脱落和/或从底板上脱 落（剥离），或者在连接层内出现裂缝。 发明内容 0004 本发明的目的在于，提供一种电路载体、一种具有电路载体的半导体装置以及一 种生产电路载体的方法，其中，至少能够部分地避免上面所述的问题。 0005 该目的通过根据权利要求1所述的电路载体、根据权利要求15所述的半导体装置 或者根据权利要求16所述的生产电路载体的方法得以实现。本发明。
14、的构造方案和改进方 案是从属权利要求的对象。 0006 下面描述的电路载体包括底侧、在垂直方向上与该底侧间隔开的顶侧、以及陶瓷 体。陶瓷体由陶瓷材料制成，并且具有多个间隙。在这些间隙中没有陶瓷体的陶瓷材料。可 选择地，在这些间隙中也可以完全没有任何类型的陶瓷材料。但是，这些间隙在总体上却部 分地没有完全填充固态的填充金属。陶瓷材料例如可以是氧化铝（Al 2 O 3 ）、氮化铝（AlN）、氮 化硅（Si 3 N 4 ）、碳化硅（SiC）、二硼化钛(TiB 2 )或者任意一种其他的陶瓷材料。通过使用这种 电路载体，使得在传统的功率半导体模块中常见的、但是在长时间运行下易坏的、在金属化 陶瓷片和金属。
15、底板之间的连接层变得多余。 0007 可以通过以下方式生产这种电路载体，即，准备多孔的、由陶瓷材料制成的陶瓷 体，它具有顶侧、背离该顶侧的底侧以及多个细孔。在背侧上向一部分细孔中注入液态的填 充金属，并不将填充金属填充在位于陶瓷材料之间的全部间隙中。然后，将这种填充金属冷 却到其完全固化。由此形成由陶瓷体和填充金属构成的固态并且持久的联合体，它能够被 用作电路载体。可选择地，这种电路载体除了陶瓷体和填充金属以外还可以包括其他的组 说 明 书CN 102915977 A 2/6页 5 件。 0008 在本申请中，使用了“间隙”和“细孔”的概念。间隙描述的是陶瓷体内不具有陶瓷 的那些区域。与之区别。
16、的是，用“细孔”描述的是陶瓷体的未填充固体材料的那些区域。因 此，细孔被填充以后被称为间隙。 0009 为了制造一种半导体装置，可以在上述电路载体的顶侧或者底侧布置一个半导体 芯片。 附图说明 0010 下面借助实施例参照附图阐述本发明。只要未另外指出，附图中相同的附图标记 表示相同的或者功能相同的或者效果相同的元件。为了更明显地示出本发明的一些特定方 面，这些示图的比例不符合实际。其示出： 0011 图1示出具有陶瓷体的电路载体的一个部段，它在其背侧上填充了填充金属； 0012 图2示出穿过电路载体的垂直剖面图，它与根据图1所示的电路载体的区别在于， 陶瓷体的背侧配有连续的金属层，它由填充金。
17、属的材料制成； 0013 图3示出穿过电路载体的一个部段的垂直剖面图，它与根据图2所示的电路载体 的区别在于，陶瓷载体的未用填充有填充金属的间隙部分地填充了一种固态的电介质； 0014 图4示出穿过电路载体的一个部段的垂直剖面图，它与根据图3所示的电路载体 的区别在于，陶瓷载体的未用填充有填充金属的间隙全部被填充了一种固态的电介质； 0015 图5A-5J示出用于生产功率半导体模块的方法的各个步骤； 0016 图6示出功率半导体模块的一种可替代的构造方案，其中，陶瓷体在其前侧未填 充一种单独的固态的电介质； 0017 图7A-7D示出用于生产功率半导体模块的可替代的方法的各个步骤；以及 001。
18、8 图8A-8B示出一种方法的各个步骤，其中，在陶瓷体的细孔中同时填入一种填充 金属和一种电介质。 具体实施方式 0019 图1示出穿过电路载体100的一个部段的垂直剖面图。该电路载体100具有顶侧 100t和与该顶侧100t相对置的底侧100b，它们在垂直方向v上相互间隔开。在垂直方向v 上，电路载体100的厚度为d100。正如在所有其他所述的构造方案中一样，该厚度d100例 如最少可以是0.1mm、0.5mm、1.0mm，和/或例如小于或等于20mm、50mm或者100mm，其中，每 个下限都能够与任意上限组合。 0020 电路载体100的顶侧100t和底侧100b被构造成平行的平坦面。然。
19、而，与之不同 地，顶侧100t和底侧100b也能够被构成为不平坦的面。然而，对于装配半导体芯片有利的 是，其上要装配半导体芯片的一侧（即例如顶侧100t或者底侧100b）具有一个平坦的部段， 它至少相应于半导体芯片的底面。 0021 电路载体100包括陶瓷体1，不具有陶瓷的间隙3位于陶瓷体的体积范围内。该 陶瓷体1由陶瓷材料制成，例如氧化铝（Al 2 O 3 ）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si 3 N 4 ）或者碳化硅 （SiC）或者二硼化钛(TiB 2 )。陶瓷体1可以通过烧结制成。特别地，陶瓷体1可以是一种 泡沫陶瓷。 说 明 书CN 102915977 A 3/6页 6 0022 陶瓷体。
20、1的间隙3可以完全地或者部分地由固态材料填充。在仅仅部分地填充固 态材料的情况下，这两个间隙3包括有气体或者气体混合物，例如空气。为了实现更深地填 充，符合目的的是，所提供的陶瓷体1具有开孔结构。 0023 在陶瓷体1的底侧1b区域内，间隙3被填充了一种填充金属2，例如铝（Al）、铜 （Cu）、镁（Mg）、锑（Sb）、锶（Sr）或锌（Zn），或者填充一种具有这些金属中的至少一种的合 金，其原子百分比的至少90%由一种或者多种这些金属制成。例如，作为填充材料2可以完 全地或者原子百分比的至少90%由铜制成，或者完全地或原子百分比的至少90%由铝制成、 或者仅由铝和铜制成，或者原子百分比的至少90。
21、%由铜和铝制成。 0024 填充金属2从陶瓷体的底侧1b出发在垂直方向v上延伸直至陶瓷体1中的深度 d12处。因此，深度d12在垂直方向v上提供了陶瓷体1和填充金属2之间的重叠情况。这 个深度d12例如最小可以是1mm，当然前提是陶瓷体1的厚度d1大于1mm。例如，深度d12 也可以是陶瓷体2的厚度d1的0.1倍和/或最高是0.9倍。例如，陶瓷体1的间隙3在厚 度基本恒定（该厚度可以等于深度d12）的层12中完全填充了这些填充金属2，该层垂直于 垂直方向v延伸的。 0025 未填充填有充金属2的间隙中没有导电的固态材料。在根据图1所示的实施例中， 未填充固态金属2的间隙5被填充了气体或者气体混。
22、合物，例如空气。 0026 那些未填充固态填充金属2的间隙3用于确保电路载体电绝缘。参照陶瓷体1的 顶侧1t，那些间隙在垂直方向v上延伸直至陶瓷体1中的最大深度d10处。 0027 根据图2所示的电路载体与根据图1所示的电路载体的区别在于，陶瓷体1的背 离陶瓷体1的顶侧1t的一侧上的填充金属2构成一个连续不中断的层20，它在垂直方向 v上具有最小厚度d20。厚度d20例如可以小于10mm，例如在100m至500m的范围内。 层20可以在任何垂直于垂直方向v的方向上延伸超过陶瓷体1的整个尺寸，使得陶瓷体1 的整个底侧1b都被该层20遮盖。 0028 根据另一种可选的、图3中所示的构造方案，陶瓷体。
23、1在该陶瓷体1的顶侧2t范 围内具有固态电介质5，它从陶瓷体1的顶侧1t出发反向于垂直方向v延伸直至陶瓷体1 中的深度d14处。因此，深度d14提供了陶瓷体1和填充电介质4在垂直方向v上的重叠 情况。深度d14例如可以是10m至200m，或者0.1mm至3mm。 0029 这种固态电介质4例如可以是非陶瓷的电介质，例如聚合物、环氧树脂或者聚酰 亚胺、玻璃，但是也可以是陶瓷材料，例如氧化铝、氮化铝、氮化硅、碳化硅、氧化铍、二硼化 钛。 0030 可选择地，该固态电介质4在顶侧1t上可以具有连续不中断的层40，其在任何 垂直于垂直方向v的方向上延长超过陶瓷体1的整个尺寸，使得电路载体100的整个顶。
24、侧 100t由固态电介质4构成。不中断的层40的厚度d40例如最少可以是100m。 0031 在根据图3所示的电路载体100中，并非全部间隙3被填充固态材料。因此在固 态填充金属2和固态电介质4之间还有间隙5，它们被填充气体或者一种气体混合物。 0032 根据一种不同的、图4中所示的构造方案，陶瓷体1的全部间隙3都填充了固态填 充金属2和固态电介质4。在这种情况下，该电介质4延伸至接触填充金属2。 0033 根据图3和4所示的构造方案是以根据图2所示的布置为基础的，这种布置上额 外地安装了固态电介质4。相应地，图1中所示的电路载体100也可以在陶瓷体1的顶侧 说 明 书CN 102915977。
25、 A 4/6页 7 1t上具有固态电介质4。 0034 现在借助图5A至5J示意性地阐述一种制造功率半导体模块的方法，其中，所使用 的电路载体具有借助图1至4阐述的构造方式。图5A示出具有顶侧1t和底侧1b的陶瓷 体1，其在底侧1b上配有散热结构11，例如散热肋片。在顶侧1t上，借助环绕的侧壁1w盆 形地构造出符合一种可选的构造方案的陶瓷体1。该陶瓷体1包括多个细孔，它们填充有液 态的填充金属2。为此，陶瓷体1利用其底侧1b事先浸入液态的填充金属2中，直到位于陶 瓷体1下部分的细孔绝大部分都完全被这种填充金属2填充。这种液态的填充金属2优选 地位于盆形部30中，这个盆形部基本上是陶瓷体1的底侧。
26、1b的反结构。紧接着，在其熔点 以下冷却该填充金属2，使它固化。然而，当陶瓷体1被放置在仍是固态的金属上并且然后 熔化该金属时，代替盆形部，也可以使用平坦的底层，因为然后这种液态的金属就会被陶瓷 体1完全吸收。 0035 图5B示出处于浸入状态下的陶瓷体1。在这幅视图中也可以看出，作为选择可以 这样构造出盆形部30的形状，即，在嵌入的陶瓷体1和盆形部30之间能够构成连续的金属 层20，正如已经在图2至4中所示的那样。为了能够更轻松地从模具中取出具有硬化的填 充金属2的陶瓷体1，这个模具可以由石墨制成，或者在其内侧用涂覆石墨。 0036 根据一种可选的、在图5C和5D中阐述的步骤，能够在陶瓷体1。
27、的顶侧1t上方覆 上（图5C）电介质4，例如聚合物，并且将其熔化，使得它侵入陶瓷体1的未被填充金属1填 充的间隙中。正如所示的那样，这种电介质4在被填入之后可以延伸至填充金属2。在填入 电介质4之后，将其在其熔点之下冷却并且因此固化。其中，可以这样选择所使用的电介质 4的量，即使得它在冷却之后构成连续的电介质层40，位于陶瓷体1的顶侧1t上方。因此， 根据图5D所示的布置相应于根据图4所示的布置。 0037 正如图5E中示出的那样，可选择地可以在固态的电介质4上覆上导电层6，并且 将其构造成印刷电路和/或导电面。这些印刷电路或者说导电面可以被用作带制造的功率 半导体模块的电路的导电连接装置。例。
28、如可以通过冷气喷涂制造该导电层6，或者借助AMB 或DCB技术实现（AMB=活性金属钎焊（Active Metal Brazing）；DCB=直接覆铜法（Direct Copper Bonding）。为了制造这个导电层6，可以首先在固态的电介质4上覆上封闭的导电 层，并且紧接着使其结构化。适合作为该导电层的材料例如有铜、铝、碳化合物或者具有这 些金属中的至少一种的合金。 0038 正如示例性地在图5F中所示的那样，在结构化的导电层6上可以装配一个或者多 个半导体芯片7，并且为此可以选择半导体芯片与导电层导电连接。为了进行装配，这些半 导体芯片7可以借助连接层9材料配合地与导电层6连接。该连接层。
29、9例如可以是钎焊层、 含银的烧结层或者由导电的胶粘剂制成的胶粘材料层。 0039 然后，只要这对于待制造的功率半导体模块的电路来说是有必要的，就可以电连 接至少一个半导体芯片7。正如图5G中所示的那样，为此例如可以使用焊线8，这些焊线被 压焊到半导体芯片7和/或导电层6和/或电路的其他元件上。代替焊线或者除焊线以外， 也可以使用其他的元件，例如连接片、母线、段带或者其他任意的导电连接元 件。 0040 为了能够从外部电接触该功率半导体模块，此外还可以设置在图5H中所示的连 接件14，它们导电地与导电层6连接，和/或与至少一个半导体芯片7连接。其中，适合作 说 明 书CN 102915977 A。
30、 5/6页 8 为连接技术的有钎焊、熔焊、超声波焊接、导电胶粘或烧结。 0041 根据图5I中阐述的一种可选方案，可以在电路载体的顶侧100t上覆上电绝缘的 铸料16，例如硅胶、硅树脂或环氧树脂，它们至少延伸至一个或者所有半导体芯片7的背离 陶瓷体1的底侧1b的一侧。通过这种铸料16能够提高模块的绝缘度。 0042 可选择地，例如图5J中所示，还可以设置壳盖13，它覆盖所述至少一个半导体芯 片7的背离陶瓷体1的底侧1b的一侧。为此，只要该壳盖13能够弹性弯曲，就例如可以将 这个壳盖13扣入导槽15中。然而，原则上也可以以任意的其他方式和方法将壳盖13装配 到所述至少一个半导体芯片7的上方。可选。
31、择地，壳盖13此外还可以具有穿通部，在装配 壳盖13时，连接件14穿过这些穿通部。 0043 正如图5J中同样可以看出的那样，可以这样构造电路载体100，即，连接在一起 的、不中断的空间区域18是方形的，具有垂直于垂直方向v延伸的、至少3mmx3mm的底侧， 并且在垂直方向v上具有的厚度d18至少为0.1mm，这个空间区域被完全布置在陶瓷体1内 的顶侧100t和填充金属2之间，在这个空间区域中没有导电材料。在本发明的所有其他的 电路载体100中也可以设置这种空间区域。 0044 图6示出图5J中所示模块的一种可替代的构造方案，它们的区别在于，导电层6 直接位于陶瓷体1的顶侧1t上方。可以利用相。
32、同的、借助图5A至5J描述的步骤制造该模 块，区别在于，省去了覆上电介质4的步骤，即图5C和5D描述的步骤。因此，直接在陶瓷体 1的顶侧1t上喷涂导电层。 0045 作为代替还存在以下可能性，即，根据图5C和5D所描述的方法在陶瓷体1的顶侧 1t上设置电介质4，区别在于，该电介质4并不延伸至填充金属2。 0046 根据另一种构造方案，这种固态电介质4也可以与填充金属2间隔开。可以根据 借助图7A至7D描述的方法实现这种构造方案，其中，使用了一种LTCC陶瓷材料作为固态 电介质4（LTCC=低温共烧陶瓷Low Temperature Cofired Ceramics）。在LTCC技术中，由 含有。
33、陶瓷的膏体制成的坯体（Grnling）被制成一种理想的形状，并且被烧结，这种膏体含 有陶瓷粉（例如氧化铝粉）、溶剂、有机粘合剂、分散剂，以及作为选择可以具有其他的组成 部分。其中，烧结温度的峰值可以在850至900的范围内。 0047 如果相应地根据图7A在陶瓷体1的顶侧1t上覆上这种坯体4，或者通过将其喷 涂在顶侧1t上作为涂层，然后连同陶瓷体1一起烧结，可选择地施加压力，利用压力将涂层 朝陶瓷体1挤压，这样可以让生压坯4的材料部分地进入陶瓷体1的中间空间，图7B中示 出了结果。这个压力例如可以在5bar到500bar的范围内。 0048 然后可以将未填充固态电介质4的间隙或细孔根据图5A和。
34、5B说明的方法完全地 或者部分地填充填充金属2。在烧结后，坯体4成为固态电介质4，正如图7C中所示的那 样，它可以延伸至填充金属2，但是作为代替也可以与填充金属2分离开。 0049 在这样获得的布置上就可以利用导电层6、导体芯片7、连接层9、焊线8或者其他 的电连接元件、以及外部的连接件14、铸料16以及壳盖13实现进一步构造，在图7D中作为 代替方案示出了构造结果，其中，填充金属2延伸至硬质的电介质4。 0050 特别有效的是，通过实现同时引入填充金属2和电介质4，可以制成部分填充填充 金属2和硬质电介质4的电路载体。正如图8A中所示的那样，为此将陶瓷体1在加热处理 步骤（Tempersch。
35、ritte）期间利用其底侧1t事先浸入液态的填充金属2中，正如前面参照 说 明 书CN 102915977 A 6/6页 9 附图7A所述的那样，该陶瓷体的顶侧1t具有陶瓷坯体4，使得液态的填充金属2和坯体 4的材料进入陶瓷体1的间隙中。在这个加热处理步骤中，坯体4被烧结，使得由此形成 固态的电介质4。在加热处理步骤之后，填充金属2在其熔点之下被冷却，使其硬化。然后， 陶瓷体1的间隙至少部分地不仅填充填充金属2还填充固态的电介质4，在图8B中示出了 这样做的结果。如果同时实现坯体4的加热处理和填充金属2进入陶瓷体1的间隙3，那 么符合目的的是，在250至1450的温度范围内或者500至1000。
36、的温度范围内进行 加热处理。 0051 前面借助各种实施例阐述了本发明。这些实施例的特征可以以任意方式并且相互 独立地相互组合，只要这些特征不相互排斥。在最简单的情况下，电路载体100只具有一个 陶瓷体1，在其底侧1b具有固态的填充金属2（例如图1，2），或者在其顶侧1t附加地具有 固态的电介质4（例如图3、4）。可选择地，这种固态的填充金属2能够在陶瓷体1的底侧 1b上构成连续封闭的层20，它覆盖陶瓷体1的整个底侧1b。与此无关地，这种固态的电介 质4能够在陶瓷体1的顶侧1t上构成连续封闭的层40，其覆盖陶瓷体1的整个顶侧1t。 0052 在其中设置固态的电介质4的构造方案中，在该固态的电介。
37、质4进入间隙3或者 说细孔中之前、之后或者同时，实现将填充金属2填充入陶瓷体1的间隙3或者说细孔中。 0053 可以这样选择陶瓷体1的填充度，即，使得位于间隙3中的填充金属2的总体积占 陶瓷体1总体积的至少10%，并且最多90%，或者陶瓷体1总体积的至少20%，并且最多80%。 其中，陶瓷体1的总体积是陶瓷材料和间隙3的体积之和。 0054 陶瓷体1可以具有任意一种形状，例如托盘的形状。其底侧1t可以是平坦的或者 具有散热结构11，例如散热肋片，和/或其他的机构体。与此无关地，顶侧1b可以是平坦 的，或者例如具有侧壁1w用于构成盆形部。 0055 在各个实施例中提到的厚度、厚度范围或者说深度在。
38、原则上能够并且能够以任意 组合方式用到本发明的所有任意的构造方案中，只要特定的组合方式不相互排斥。 说 明 书CN 102915977 A 1/11页 10 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102915977 A 10 2/11页 11 图3 图4 说 明 书 附 图CN 102915977 A 11 3/11页 12 图5A 图5B 说 明 书 附 图CN 102915977 A 12 4/11页 13 图5C 图5D 说 明 书 附 图CN 102915977 A 13 5/11页 14 图5E 图5F 说 明 书 附 图CN 102915977 A 14 6/11页 15 图5G 图5H 说 明 书 附 图CN 102915977 A 15 7/11页 16 图5I 图5J 说 明 书 附 图CN 102915977 A 16 8/11页 17 图6 图7A 说 明 书 附 图CN 102915977 A 17 9/11页 18 图7B 图7C 说 明 书 附 图CN 102915977 A 18 10/11页 19 图7D 图8A 说 明 书 附 图CN 102915977 A 19 11/11页 20 图8B 说 明 书 附 图CN 102915977 A 20 。