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1、(10)申请公布号 CN 102790159 A (43)申请公布日 2012.11.21 C N 1 0 2 7 9 0 1 5 9 A *CN102790159A* (21)申请号 201110128132.9 (22)申请日 2011.05.18 H01L 33/48(2010.01) H01L 33/50(2010.01) H01L 33/00(2010.01) (71)申请人展晶科技（深圳）有限公司 地址 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道 办油松第十工业区东环二路二号 申请人荣创能源科技股份有限公司 (72)发明人林厚德 许时渊 蔡明达 (54) 发明名称 半导体发光元件封装。
2、结构及其制造方法 (57) 摘要 一种半导体发光元件封装结构的制造方法， 步骤包括：提供基板，所述基板具有电极；固定半 导体发光元件，将所述半导体发光元件设置在基 板上并与电极达成电性连接；使用点胶针，将粘 度为5000-50000cps的液态材料涂覆于半导体发 光元件周围，所述液态材料包含硅树脂以及荧光 物质；以及烘烤所述液态材料形成荧光层。本发 明还提供一种由该制造方法得到的半导体发光元 件封装结构。本发明半导体封装结构通过调整荧 光层呈液态时的粘度，可使荧光层能较好的覆盖 半导体发光元件。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书3页 附图5页 (19)中华人民共和国国家知识产权局。
3、 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 5 页 1/1页 2 1.一种半导体发光元件封装结构，包括基板、设于所述基板上的电极、固定在基板上 并与电极达成电性连接的半导体发光元件，以及置于基板上且包覆半导体发光元件的荧光 层，其特征在于，所述荧光层由粘度为5000-50000cps的液态封装材料烘烤而成。 2.如权利要求1所述的半导体发光元件封装结构，其特征在于：所述基板上设有反射 杯，所述半导体发光元件置于反射杯内。 3.如权利要求1所述的半导体发光元件封装结构，其特征在于：所述荧光层上还设有 透光的封装层。 4.如权利要求1-3项中任意一项所述的半导体发光元件封装结。
4、构，其特征在于：所述 半导体发光元件通过导线与电极达成电性连接，所述导线的至少一部分露出荧光层之外。 5.如权利要求1-3项中任意一项所述的半导体发光元件封装结构，其特征在于：所述 荧光层包含硅树脂以及荧光物质，所述荧光物质占荧光层的质量比例为10%-40%。 6.一种半导体发光元件封装结构的制造方法，步骤包括： 提供基板，所述基板具有电极； 固定半导体发光元件，将所述半导体发光元件设置在基板上并与电极达成电性连接； 使用点胶针，将粘度为5000-50000cps的液态材料涂覆于半导体发光元件周围，所述 液态材料包含硅树脂以及荧光物质；以及 烘烤所述液态材料形成荧光层。 7.如权利要求6所述的。
5、半导体发光元件封装结构的制造方法，其特征在于：所述半导 体发光元件通过导线与电极达成电性连接，所述导线的至少一部分露出荧光层之外。 8.如权利要求6所述的半导体发光元件封装结构的制造方法，其特征在于：点胶针的 开口面积大于半导体发光元件上表面的面积。 9.如权利要求6所述的半导体发光元件封装结构的制造方法，其特征在于：所述荧光 物质占荧光层的质量比例为10%-40%。 10.如权利要求6所述的半导体发光元件封装结构的制造方法，其特征在于：还包括设 置透光的封装层的步骤，该封装层设于荧光层上。 权 利 要 求 书CN 102790159 A 1/3页 3 半导体发光元件封装结构及其制造方法 技术。
6、领域 0001 本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种半导体发光元件的封装结构及其 制造方法。 背景技术 0002 半导体发光元件，例如发光二极管，凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优 点，已被广泛地应用到当前的各个领域当中，例如用作指示灯、照明灯、显示屏等。 0003 发光二极管在应用到上述各领域中之前，需要进行封装，以保护发光二极管芯片， 从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。发光二极管封装制程通常包含利用注射或 模铸的方式，将液态的封装材料覆盖在发光二极管晶粒表面，接着，加热固化所述液态的封 装材料以形成封装层。通常业界还将荧光粉加入该封装材料中，以使发光二极管发出不同 颜色。
7、的光。然而，发光二极管发出的光能激发的荧光粉有限，若封装材料内的荧光粉使用过 多，不但会导致成本提高，还因荧光粉本身遮蔽半导体发出的光而影响发光效率。业界有采 用减少封装材料的方式来节省成本，但封装材料太少致使封装材料难于有效覆盖整个发光 二极管，导致封装的良率下降。 发明内容 0004 有鉴于此，有必要提供一种半导体发光元件封装结构及其制造方法，使用该制造 方法得到的半导体封装结构具有较高的良率。 0005 一种半导体发光元件封装结构，包括基板、设于所述基板上的电极、固定在基板上 并与电极达成电性连接的半导体发光元件，以及置于基板上且包覆半导体发光元件的荧光 层，所述荧光层由粘度为5000-。
8、50000cps的液态材料烘烤而成。 0006 一种半导体发光元件封装结构的制造方法，步骤包括： 提供基板，所述基板具有电极； 固定半导体发光元件，将所述半导体发光元件设置在基板上并与电极达成电性连接； 使用点胶针，将粘度为5000-50000cps的液态材料涂覆于半导体发光元件周围，所述 液态材料包含硅树脂以及荧光物质；以及 烘烤所述液态材料形成荧光层。 0007 本发明半导体封装结构通过调整荧光层呈液态时的粘度，可使荧光层能较好的覆 盖半导体发光元件，从而得到较好的封装性能。同时该制造方法采用点胶的方式，可方便控 制液态材料的用量，避免浪费荧光材料，可以降低成本。 0008 下面参照附图，。
9、结合具体实施例对本发明作进一步的描述。 附图说明 0009 图1至图5为本发明半导体发光元件封装结构的制造方法中各步骤所得的半导体 发光元件封装结构的剖视示意图。 说 明 书CN 102790159 A 2/3页 4 0010 主要元件符号说明 基板100 电极10、11 半导体发光元件20 荧光层30 液态封装材料50 封装层60 反射杯70 导线90 点胶针200 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。 具体实施方式 0011 请参考图5，一种半导体发光元件封装结构包括基板100，基板100上设有两个电 极10、11，同时还设有一个反射杯70。反射杯70的底部设有半导体发光元件2。
10、0。半导体发 光元件20与基板100上的两个电极10、11形成电连接。荧光层30完全包覆在半导体发光 元件20的周围。另外，还有一层封装层60置于荧光层30上并填满反射杯70。 0012 基板100可由导热性良好的材料所制成，比如金属或陶瓷，以便于半导体发光元 件20的散热。若基板100由金属材料制成时，需考虑基板100与两个电极10、11的隔绝， 此为本领域的公知常识，此不赘述。 0013 反射杯70的材质可与基板100相同，并可一体成型。本实施例中的反射杯70与 基板100分开成型。反射杯70的反射开口角度可根据实际出光角进行设计。在其他实施 例中，该反射杯70也可不需要，而使半导体发光元。
11、件20具有较大的发光角度。 0014 半导体发光元件20可以是半导体激光器、发光二极管等元件。本发明中以发光二 极管为例进行说明。半导体发光元件20的材料可选自氮化镓、氮化铟镓、磷化镓等半导体 发光材料，具体取决于实际的发光需求。优选地，本实施例中采用可发蓝光的半导体材料制 造半导体发光元件20，以最终输出理想的白光。半导体发光元件20可以是垂直型发光二极 管，亦可以是正负焊点在同一侧的发光二极管。图5中所示的半导体发光元件20的正负焊 点在同一侧，并采用导线90实现半导体发光元件20与基板100上的两个电极10、11的电 连接。可以理解半导体晶粒20在其他实施例中可通过覆晶的方式与电极10、。
12、11达成电性 连接。 0015 荧光层30完全包覆在半导体发光元件20的周围。所述荧光层30由粘度约为 5000-50000cps（厘泊）的液态封装材料50烘烤而成。由该种粘度范围的液态封装材料50 可较好地对荧光层30进行封装，以保证良率。所述荧光层30包含硅树脂（Silicone）以 及荧光物质，所述荧光物质可为钇铝石榴石（YAG）或硅酸盐（Silicate）等其他类型的荧光 粉。其中荧光物质占荧光层30的质量比例为10%-40%。该种比例可充分保证荧光物质的绝 对数量，使半导体发光元件20可发出理想的白光。另外，荧光层30设计为不完全包覆导线 90，也即导线90的至少一部分露出在荧光层3。
13、0之外。因此，可以减少液态封装材料50的 用量，以免浪费，进而节省成本。 0016 封装层60的材质可为硅树脂（Silicone）或环氧树脂（Epoxy），将所述材料填充在 反射杯70内并完全覆盖荧光层30，用以保护荧光层30及半导体发光元件20。需要指出的 说 明 书CN 102790159 A 3/3页 5 是，在其他实施例中该封装层60也可不需要。 0017 下面以上述实施例中的半导体发光元件封装结构为例，并结合其他附图介绍其制 造方法。 0018 请参考图1，提供基板100，所述基板100具有两个电极10、11，并形成一反射杯 70。在本实施例中以基板100形成反射杯70并且包含两个电。
14、极10、11予以说明，在其他实 施例中基板100可根据需要包含多个电极10、11，也可不形成反射杯70。 0019 请参考图2，提供半导体发光元件20。所述半导体发光元件20设置在反射杯70 底部，并用导线90通过打线方式与电极10、11达成电性连接； 请参考图3，利用点胶针200将一粘度为5000-50000cps的液态封装材料50涂覆于 半导体发光元件20周围。液态封装材料50的用量使导线90的至少一部分外露为佳。所 述液态封装材料50包含硅树脂（Silicone）以及荧光物质，所述荧光物质可为钇铝石榴石 （YAG）或硅酸盐（Silicate）等其他类型的荧光粉。其中荧光物质占荧光层30的。
15、质量比例 为10%-40%。在利用点胶针200涂覆液态封装材料50到半导体发光元件20的周围时，可采 用开口面积大于半导体发光元件20上表面的面积的点胶针200，如此可增加液态封装材料 50在点胶时的面积，同时液态封装材料50可更容易且快速的完全包覆半导体发光元件20。 0020 请参考图4，将液态封装材料50点到半导体发光元件20的周围后，烘烤所述液态 封装材料50以形成荧光层30。液态封装材料50覆盖半导体发光元件20后，立即将液态封 装材料50烘烤定型，保证液态封装材料50会在流离半导体发光元件20前即固化。 0021 请参考图5，再设置一封装层60，所述封装层60材质可为硅树脂（Silicone）或环 氧树脂（Epoxy），填充于反射杯70内并完全覆盖荧光层30从而完成封装。 说 明 书CN 102790159 A 1/5页 6 图1 说 明 书 附 图CN 102790159 A 2/5页 7 图2 说 明 书 附 图CN 102790159 A 3/5页 8 图3 说 明 书 附 图CN 102790159 A 4/5页 9 图4 说 明 书 附 图CN 102790159 A 5/5页 10 图5 说 明 书 附 图CN 102790159 A 10 。