一种双栅氧半导体器件制造方法 技术领域 ：
本发明涉及半导体器件制造技术领域， 尤其涉及一种双栅氧半导体器件制造方 法。 背景技术 ：
双栅氧半导体器件中包括一个源极、 一个漏极和两个栅极， 其中两个栅极互相独 立， 且两个栅极下的栅氧层的厚度不同， 以满足不同应用场景的需求。例如 ： 厚栅氧层一侧 用于作为输入或输出的高压器件， 薄栅氧层的一侧用于作为数字 - 逻辑运算的低压器件。 上述双栅氧半导体器件的特性使其可以用于作为高频放大器、 混频器、 解调器或增益控制 放大器等， 因此， 双栅氧半导体器件在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
现有的双栅氧半导体器件制造工艺通常包括以下步骤 ： 通过热氧化工艺在半导体 晶片表面形成厚栅氧层 ； 在厚栅氧层区域表面上依次通过涂布光刻胶、 曝光、 显影步骤形成 厚栅氧层区域的光刻胶图形 ； 以厚栅氧层区域的光刻胶图形为掩模、 通过刻蚀工艺去除薄 栅氧层区域的厚栅氧层 ； 在去除厚栅氧层后的区域通过热氧化工艺形成薄栅氧层。
然而， 上述现有的双栅氧半导体器件制造工艺存在以下缺陷 ： 其需要用过两次热 氧化制程才能分别形成厚栅氧层和薄栅氧层， 因此， 其工艺流程复杂， 致使双栅氧半导体器 件的生产成本较高， 生产效率较低。 发明内容
为解决上述技术问题， 本发明的目的在于提供一种双栅氧半导体器件制造方法， 以解决现有技术的双栅氧半导体器件制造工艺存在的工艺流程复杂、 生产成本较高和生产 效率较低的缺陷。
为解决上述问题， 本发明实施例提供了如下技术方案 ：
一种双栅氧半导体器件制造方法， 包括 ：
在半导体晶片表面上依次通过涂布光刻胶、 曝光、 显影步骤形成厚栅氧层区域的 光刻胶图形 ；
以厚栅氧层区域的光刻胶图形为掩模、 通过离子注入工艺向薄栅氧层区域注入氮 原子， 形成氮注入层 ；
去除半导体晶片表面上的光刻胶 ；
采用热氧化工艺在半导体晶片表面一次性形成厚栅氧层与薄栅氧层。
优选的，
在所述涂布光刻胶之前， 还包括 ：
在半导体晶片表面形成氧化硅层 ；
在形成栅氧层之前， 向薄栅氧层区域注入氮原子之后， 还包括 ：
去除所述氧化硅层。
优选的，所述氧化硅层通过淀积工艺形成。
优选的，
所述氧化硅层的厚度为 150 ～ 300 埃。
优选的，
在形成所述氧化硅层之后， 还包括 ：
进行离子注入工艺在半导体晶片中形成阱区。
优选的，
在形成所述氧化硅层之后， 涂布光刻胶之前， 还包括 ：
在氧化硅层表面上淀积形成氮化硅层 ；
在氮化硅层中形成局部场氧化隔离区域的图形 ；
以氮化硅层为掩模， 进行氧化形成局部场氧化隔离， 以划分厚栅氧层区域和薄栅 氧层区域 ；
去除所述氮化硅层。
优选的，
在形成所述氧化硅层之后， 涂布光刻胶之前， 还包括 ：
在氧化硅层表面上淀积形成氮化硅层 ；
在氮化硅层中形成浅槽隔离区域的图形 ；
以氮化硅层为掩模， 进行刻蚀工艺形成浅槽隔离， 以划分厚栅氧层区域和薄栅氧 层区域 ；
采用绝缘材质填充所述浅槽隔离 ； 去除所述氮化硅层。
与现有技术相比， 上述技术方案具有以下优点 ：
应用本发明实施例所提供的技术方案， 所述双栅氧半导体器件制造过程中， 栅氧 层形成之前， 在设定的薄栅氧层区域中通过离子注入工艺注入氮原子， 形成氮注入层， 使后 续通过热氧化工艺在半导体晶片表面形成栅氧层时， 由于氮注入层会降低半导体晶片表面 的氧化速率， 而没有氮注入层的半导体晶片表面的氧化速率正常， 因此， 通过一次热氧化制 程即可以实现 ： 在有氮注入层区域的半导体晶片表面形成薄栅氧层， 在没有氮注入层区域 的半导体晶片表面形成厚栅氧层。因此， 本实施例提供的方案， 相对比与现有技术， 能够减 少一次热氧化制程， 所以能够简化工艺流程， 降低生产成本较高并提高生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案， 下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以 根据这些附图获得其他的附图。
图 1 为本发明实施例一提供的双栅氧半导体器件制造方法流程示意图 ；
图 2 为形成厚栅氧层的光刻胶图形后的双栅氧器件结构示意图 ；
图 3 为形成氮注入层后的双栅氧半导体器件结构示意图 ；
图 4 为去除半导体晶片表面上的光刻胶后的双栅氧半导体器件结构示意图 ；图 5 为形成栅氧层后的双栅氧半导体器件结构示意图 ； 图 6 为本发明实施例二提供的表面形成氧化硅层后的器件半导体器件结构示意 图 7 为包括氧化硅层的双栅氧半导体器件在形成氮注入层时的结构示意图 ； 图 8 为形成阱区之后的双栅氧半导体器件结构示意图 ； 图 9 为本发明实施例三提供的形成氮化硅层之后的双栅氧半导体器件结构示意图；
图； 图 10 为形成局部场氧化隔离区域图形之后的双栅氧半导体器件结构示意图 ；
图 11 为形成局部场氧化隔离区域之后的双栅氧半导体器件结构示意图 ；
图 12 为本发明实施例三提供双栅氧半导体器件结构示意图。
其中， 图 2 至图 12 中的图标分别表示 ：
201 为半导体晶片， 202 为薄栅氧层区域和厚栅氧层区域之间的隔离区， 203 为厚 栅氧层区域的光刻胶图形， 204 为预设的薄栅氧层区域， 205 为预设的厚栅氧层区域， 206 为 氮原子注入层， 207 为薄栅氧层， 208 为厚栅氧层， 209 为氧化硅层， 210 为阱区， 211 为氮化硅 层， 212 为局部场氧化隔离区域的图形。
具体实施方式 正如背景技术部分所述， 现有的双栅氧半导体器件制造工艺中其需要用过两次热 氧化制程才能分别形成厚栅氧层和薄栅氧层， 因此， 其存在工艺流程复杂， 双栅氧半导体器 件的生产成本较高， 生产效率较低等缺陷。
为此， 本发明实施例提供了一种双栅氧半导体器件制造方法， 该方法包括以下步 骤：
在半导体晶片表面上依次通过涂布光刻胶、 曝光、 显影步骤形成厚栅氧层区域的 光刻胶图形 ；
以厚栅氧层区域的光刻胶图形为掩模、 通过离子注入工艺向薄栅氧层区域注入氮 原子， 形成氮注入层 ；
去除半导体晶片表面上的光刻胶 ；
采用热氧化工艺在半导体晶片表面一次性形成厚栅氧层与薄栅氧层。
应用本发明实施例所提供的双栅氧半导体器件制造方法， 在通过热氧化工艺在半 导体晶片表面形成栅氧层时， 由于氮注入层会降低半导体晶片表面的氧化速率， 而没有氮 注入层的半导体晶片表面的氧化速率正常， 因此， 通过一次热氧化工艺既可以实现 ： 在有氮 注入层的区域的半导体晶片表面形成薄栅氧层， 在没有氮注入层的半导体晶片表面形成厚 栅氧层。 因此， 本实施例提供的方案， 相对比与现有技术， 能够减少一次热氧化制程， 所以能 够简化工艺流程， 降低生产成本较高并提高生产效率。
以上是本申请的核心思想， 下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例 中的技术方案进行清楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳 动前提下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明， 但是本发明还可以
采用其他不同于在此描述的其它方式来实施， 本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的 情况下做类似推广， 因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次， 本发明结合示意图进行详细描述， 在详述本发明实施例时， 为便于说明， 表 示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大， 而且所述示意图只是示例， 其在此不应 限制本发明保护的范围。此外， 在实际制作中应包含长度、 宽度及深度的三维空间尺寸。
实施例一 ：
本实施例提供了一种双栅氧半导体器件制造方法， 如图 1 所示， 为该方法的一种 流程示意图， 该方法具体包括以下步骤 ：
步骤 S101， 在半导体晶片表面上依次通过涂布光刻胶、 曝光、 显影步骤形成厚栅氧 层区域的光刻胶图形。
参见图 2 所示， 为形成厚栅氧层区域的光刻胶图形后的双栅氧半导体器件结构示 意图， 其中 ： 201 为半导体晶片， 204 为预设的薄栅氧层区域， 205 为预设的厚栅氧层区域， 202 为预设的薄栅氧层区域 204 和厚栅氧层区域 205 之间的隔离区， 203 为厚栅氧层区域 205 的光刻胶图形。由图 2 可知， 光刻胶层经显影后， 薄栅氧层区域 204 表面上无光刻胶覆 盖， 厚栅氧层区域 205 表面上覆盖有光刻胶图形 203。 本实施例中所述的厚栅氧层区域和薄 栅氧层区域均为栅氧层形成之前的区域。
需要说明的是， 本实施例中的半导体晶片 201 可以包括半导体元素， 例如单晶、 多晶或非晶结构的硅或硅锗 (SiGe)， 也可以包括混合的半导体结构， 例如碳化硅、 锑化 铟、 碲化铅、 砷化铟、 磷化铟、 砷化镓或锑化镓、 合金半导体或其组合 ； 也可以是绝缘体上硅 (SOI)。 此外， 半导体晶片 201 还可以包括其它的结构， 例如外延层或掩埋层的多层结构。 虽 然在此描述了可以形成基底的材料的几个示例， 但是可以作为半导体晶片的任何材料均落 入本发明的精神和范围。
步骤 S102， 以厚栅氧层区域的光刻胶图形为掩模、 通过离子注入工艺向薄栅氧层 区域注入氮原子， 形成氮注入层。
参见图 3 所示， 为薄栅氧层区域形成氮注入层后的双栅氧半导体器件结构示意 图， 其中 ： 201 为半导体晶片， 204 为预设的薄栅氧层区域， 205 为预设的厚栅氧层区域， 202 为预设的薄栅氧层区域 204 和厚栅氧层区域 205 之间的隔离区， 203 为厚栅氧层区域 205 的 光刻胶图形， 206 为薄栅氧层区域 204 中的氮原子注入层。 所述氮原子注入层 206 与薄栅氧 层区域 204 的形状重合。
步骤 S103， 去除半导体晶片表面上的光刻胶。
本步骤中， 去除半导体晶片表面上的光刻胶具体指的是 ： 去除半导体晶片表面上 厚栅氧层区域对应的光刻胶图形 203。 如图 4 所示， 为去除半导体晶片表面上的光刻胶后的 双栅氧半导体器件结构示意图， 其中 ： 201 为半导体晶片， 204 为预设的薄栅氧层区域， 205 为预设的厚栅氧层区域， 202 为预设的薄栅氧层区域 204 和厚栅氧层区域 205 之间的隔离 区， 206 为薄栅氧层区域 204 中的氮原子注入层。
步骤 S104， 采用热氧化工艺在半导体晶片表面一次性形成厚栅氧层与薄栅氧层。
如图 5 所示， 为形成栅氧层后的双栅氧半导体器件结构示意图， 其中 ： 201 为半导 体晶片， 204 为预设的薄栅氧层区域， 205 为预设的厚栅氧层区域， 202 为预设的薄栅氧层区 域 204 和厚栅氧层区域 205 之间的隔离区， 206 为薄栅氧层区域 204 中的氮原子注入层， 207为最终形成的薄栅氧层， 208 为最终形成的厚栅氧层。
由于薄栅氧层区域 204 中的氮注入层 206 会降低半导体晶片 201 表面的氧化速 率， 而没有氮注入层的厚栅氧层区域 205 对应的半导体晶片表面的氧化速率正常， 因此， 通 过一次热氧化制程即可以实现 ： 在有氮注入层的区域的半导体晶片表面形成薄栅氧层， 在 没有氮注入层的半导体晶片表面形成厚栅氧层。 因此， 本实施例提供的方案， 相对比与现有 技术， 能够减少一次热氧化制程， 所以能够简化工艺流程， 降低生产成本较高并提高生产效 率。
此外， 在越来越小的线宽和越来越薄的栅氧层的要求下， 现有工艺难以控制形成 的薄栅氧层的厚度。而本发明实施例提供的方法中， 可以通过控制氮注入层的氮原子的浓 度和厚度， 实现控制氮注入层对应的半导体晶片表面的氧化速率， 进而控制热氧化工艺中 形成的薄栅氧层的厚度， 以得到厚度较薄的栅氧层。
实施例二 ：
本实施例为实施例一的优选实施例， 在实施例一提供的方案的基础上， 本实施例 提供的方案， 在形成厚栅氧层区域的光刻胶图形之前， 具体的在所述涂布光刻胶之前， 还可 以包括 ： 在半导体晶片表面形成氧化硅层。
如图 6 所示， 为形成半导体晶片表面形成氧化硅层后的双栅氧半导体器件结构示 意图， 其中， 201 为半导体晶片， 209 为氧化硅层。本实施例中， 所述氧化硅层 209 可以通过 淀积工艺形成。在后续的阱区或氮注入层形成过程中， 氧化硅层 209 可以作为阻挡和保护 层， 控制离子或原子的注入的深度和浓度， 并防止在注入过程中对半导体晶片过度损伤。 具 体的， 所述氧化硅层 209 的厚度可以为 150 ～ 300 埃。
如图 7 所示， 为包括氧化硅层 209 的双栅氧半导体器件在形成氮注入层后的结构 示意图。同时， 在形成氮注入层之后， 可以去除所述氧化硅层 209。
同时， 本实施例提供的方法还可以包括阱区的形成过程， 具体的， 在形成氧化硅层 之后， 还可以包括 ：
进行离子注入， 在半导体晶片中形成阱区。
阱区的形成过程具体可以包括 ： 在氧化硅层 209 表面上依次通过涂布光刻胶、 曝 光、 显影步骤形成阱区的光刻胶图形 ； 以阱区的光刻胶图形为掩模， 进行离子注入。
如图 8 所示， 为形成阱区之后的双栅氧半导体器件结构示意图， 其中， 201 为半导 体晶片， 209 为氧化硅层， 210 为阱区。根据器件导电类型的不同， 所述阱区 210 可以为 N 阱 或 P 阱。在阱区 210 的形成过程中， 氧化硅层 209 可以作为阻挡和保护层， 控制离子注入的 深度和浓度。
实施例三 ：
在上述实施例一和实施例二提供的方案的基础上， 本实施例还优选的提供了在双 栅氧半导体器件的薄栅氧层和厚栅氧层之间形成隔离区的方法， 所述述隔离区可以为局部 场氧化隔离或浅槽隔离。
其中， 形成局部场氧化隔离的方法可以为 ：
在形成所述氧化硅层之后， 涂布光刻胶之前， 包括 ：
步骤 31 ： 在氧化硅层表面上淀积形成氮化硅层 ；
如图 9 所示， 为形成氮化硅层之后的双栅氧半导体器件结构示意图， 其中 211 为氮 化硅层。氮化硅层 211 是一层坚固的掩模材料， 能够在局部场氧化隔离形成过程中保护半 导体晶片的有源区， 并可作为抛光制程中的阻挡材质。
步骤 32 ： 在氮化硅层中形成局部场氧化隔离区域的图形。
如图 10 所示， 为形成局部场氧化隔离区域图形之后的双栅氧半导体器件结构示 意图， 其中 212 为定义的局部场氧化隔离区域图形。
步骤 33 ： 以氮化硅层为掩模， 进行氧化形成局部场氧化隔离， 以划分厚栅氧层区 域和薄栅氧层区域。
如图 11 所示， 其中 202 为形成的局部场氧化隔离区域， 202 的一侧可设置为厚栅氧 层区域， 另一侧设置为薄栅氧层区域。由于局部场氧化隔离区域中为绝缘的氧化硅， 因此， 实现了厚栅氧层区域和薄栅氧层区域的隔离。
步骤 34 ： 去除所述氮化硅层。
如图 12 所示， 为应用本实施例的方案最终形成的双栅氧半导体器件结构示意图。
此外， 形成浅槽隔离的方法可以为 ：
在形成所述氧化硅层之后， 涂布光刻胶之前， 还包括 ： 步骤 41 ： 在氧化硅层表面上淀积形成氮化硅层。
步骤 42 ： 在氮化硅层中形成浅槽隔离区域的图形。
步骤 43 ： 以氮化硅层为掩模， 进行刻蚀工艺形成浅槽隔离， 以划分厚栅氧层区域 和薄栅氧层区域。
步骤 44 ： 采用绝缘材质填充所述浅槽隔离。
步骤 45 ： 去除所述氮化硅层。
由于形成浅槽隔离的方法和形成局部场氧化隔离的方法类同， 其相似之处可相互 参见， 不再赘述。浅槽隔离区域比局部场氧化隔离区域占用的面积更小， 其隔离效果也更 好， 因此， 非常适用于小尺寸双栅氧半导体器件中。
应用本发明实施例所提供的双栅氧半导体器件制造方法， 在通过热氧化工艺在半 导体晶片表面形成栅氧层时， 由于氮注入层会降低半导体晶片表面的氧化速率， 而没有氮 注入层的半导体晶片表面氧化速率的氧化速率正常， 因此， 通过一次热氧化工艺既可以实 现： 在有氮注入层区域的半导体晶片表面形成薄栅氧层， 在没有氮注入层区域的半导体晶 片表面形成厚栅氧层。因此， 本实施例提供的方案， 相对比与现有技术， 能够减少一次热氧 化制程， 所以能够简化工艺流程， 降低生产成本较高并提高生产效率。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述， 每个部分重点说明的都是与其他部分 的不同之处， 各个部分之间相同相似部分互相参见即可。 对所公开的实施例的上述说明， 使 本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。 对这些实施例的多种修改对本领域的专业技 术人员来说将是显而易见的， 本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围 的情况下， 在其它实施例中实现。因此， 本发明将不会被限制于本文所示的实施例， 而是要 符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。