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1、(10)申请公布号 CN 102457273 A (43)申请公布日 2012.05.16 C N 1 0 2 4 5 7 2 7 3 A *CN102457273A* (21)申请号 201110320352.1 (22)申请日 2011.10.20 2010-235450 2010.10.20 JP H03L 7/099(2006.01) (71)申请人拉碧斯半导体株式会社 地址日本东京都 (72)发明人太矢隆士 (74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公 司 72001 代理人王岳 王忠忠 (54) 发明名称 振荡电路 (57) 摘要 本发明提供一种在输出具有数百兆赫兹的振 荡频率的。
2、振荡信号的情况下，能抑制设置在半导 体集成电路内的其他电路的特性恶化的振荡电 路。振荡电路的特征在于，具有：谐振电路，其包 括设置在半导体集成电路的内部的内部电容器、 以及设置在半导体集成电路的外部的外部电容器 和外部电感器；以及放大电路，输入端和输出端 连接于谐振电路，谐振电路具有：第一闭合电路， 其包括内部电容器、外部电感器、以及连接内部电 容器和外部电感器的布线；以及第二闭合电路， 其包括外部电容器、外部电感器、以及连接外部电 容器和外部电感器的布线，并具有比第一闭合电 路的布线电阻小的布线电阻。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书8页 附图5页 (19)。
3、中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 8 页 附图 5 页 1/1页 2 1.一种振荡电路，包含于半导体集成电路中，其特征在于，具有： 谐振电路，其包括设置在所述半导体集成电路的内部的内部电容器、以及设置在所述 半导体集成电路的外部的外部电容器和外部电感器；以及 放大电路，输入端和输出端连接于所述谐振电路， 所述谐振电路具有：第一闭合电路，其包括所述内部电容器、所述外部电感器、以及连 接所述内部电容器和所述外部电感器的布线；以及第二闭合电路，其包括所述外部电容器、 所述外部电感器、以及连接所述外部电容器和所述外部电感器的布线，并具有比所述第一 闭合电路。
4、的布线电阻小的布线电阻。 2.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，所述第一闭合电路的布线长度比所 述第二闭合电路的布线长度长。 3.根据权利要求2所述的振荡电路，其特征在于，所述第一闭合电路的布线的截面积 小于所述第二闭合电路的布线的截面积。 4.根据权利要求2或3所述的振荡电路，其特征在于，所述外部电容器设置在由所述第 一闭合电路包围的区域的外部。 5.根据权利要求2或3所述的振荡电路，其特征在于，所述外部电容器的电容大于所述 内部电容器的电容。 6.根据权利要求2或3所述的振荡电路，其特征在于，所述放大电路设置在所述半导体 集成电路的外部。 7.根据权利要求6所述的振荡电路，其特征在。
5、于，在所述半导体集成电路的内部具有 输入端和输出端连接于所述谐振电路的副放大电路。 权 利 要 求 书CN 102457273 A 1/8页 3 振荡电路 技术领域 0001 本发明涉及可进行高频率振荡的振荡电路。 背景技术 0002 以往在无线机中使用由谐振电路和晶体管构成的振荡电路，其中该谐振电路由电 感器以及电容器构成。作为电容器使用变容二极管，由此构成压控振荡电路（VCO：voltage controlled oscillator，压控振荡器），可进行频率控制。此外，能通过该压控振荡电路、相 位比较器、环路滤波器、以及分频器形成相位同步电路（PLL：Phase-locked loop，。
6、锁相环）， 并在PLL频率合成器中使用。 0003 近年来，上述那样的振荡电路作为半导体集成电路的一部分而形成。作为将振荡 电路形成为半导体集成电路的一部分的方法，有将构成振荡电路的全部部件形成于半导体 集成电路内的情况、或将构成振荡电路的部件的一部分形成于半导体集成电路外（即，作为 外带部件而形成）的情况。例如，当振荡频率为数百兆赫兹（MHz）以下时，需要具有约10纳 亨（nH）电感的电感器。在这种情况下，当将该电感器设置在半导体集成电路内时，半导体集 成电路内的该电感器的占有面积变得过大，半导体集成电路自身也变大。因此，在具有数百 MHz以下的振荡频率的振荡电路中，通常进行将电感器设置在半。
7、导体集成电路的外部。另一 方面，当振荡频率为1吉赫兹（GHz）以上时，需要具有约5nH电感的电感器，该电感器能收 容在半导体集成电路内。例如，在专利文献1中公开了将电感器作为外带部件而形成的振 荡电路。进而，在专利文献2中公开了将电容器作为外带部件而形成的振荡电路。在专利 文献3中公开了一种振荡电路，其具有如下结构：将电容器设置在半导体集成电路内，将电 感器设置为外带部件，进而对该电感器串联连接外带的电容器。 0004 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开2007110504号公报； 专利文献2：日本特开平7131243号公报； 专利文献3：日本特开平6132728号公报。 0005 。
8、但是，在无线机中，将具有接收电路、发送电路、相位同步电路、控制电路等各种功 能的电路收容在半导体集成电路中，在处理微弱的信号的接收电路中，来自振荡电路的信 号的干扰成为问题。 0006 例如，在具有晶体管和电容器设置在半导体集成电路内、仅电感器设置在半导体 集成电路外的构造的振荡电路中，以15nH的电感器来实现500MHz的振荡频率的情况下，根 据以下的关系式（1），电容为6.75皮法（pF）。 0007 数式1 说 明 书CN 102457273 A 2/8页 4 再有，在上式中，f为谐振频率，L为电感，C为电容。当将振荡状态中的谐振电路的电 压振幅的有效值设为1V时，电感器的电抗为2fL=。
9、47.1（）。由此，在谐振电路中流过的 高频率电流为147.1=21.2（mA）。这种高频率电流是与半导体集成电路自身的电源电流 相匹敌的大电流。 0008 当这样的高频率电流在谐振电路中流过时，从构成谐振电路的电流路径的导电性 材料中放射出电磁波，进而半导体元件的衬底电位发生变动，使半导体集成电路内的其他 电路的特性恶化。例如，会产生所谓接收灵敏度的下降的半导体集成电路的特性恶化。 0009 为了解决上述那样的问题，考虑使振荡振幅变小，但当使振荡振幅变小时，振荡信 号的纯度会恶化，因此难以使用这种方法。此外，还考虑了使振荡电路和其他电路的间隔变 宽、或在振荡电路和其他电路之间设置屏蔽，但由于。
10、半导体集成电路的面积以及成本会增 加，所以也难以使用这种方法。 发明内 容 0010 本发明是鉴于如上情况而做出的，其提供一种在输出具有数百兆赫兹的振荡频率 的振荡信号的情况下能抑制设置在半导体集成电路内的其他电路的特性恶化的振荡电路。 0011 为了解决上述的问题，本发明的振荡电路是包含于半导体集成电路中的振荡电 路，其特征在于，具有：谐振电路，其包括设置在所述半导体集成电路的内部的内部电容器、 以及设置在所述半导体集成电路的外部的外部电容器和外部电感器；以及放大电路，输入 端和输出端连接于所述谐振电路，所述谐振电路具有：第一闭合电路，其包括所述内部电容 器、所述外部电感器、以及连接所述内部。
11、电容器和所述外部电感器的布线；以及第二闭合电 路，其包括所述外部电容器、所述外部电感器、以及连接所述外部电容器和所述外部电感器 的布线，并具有比所述第一闭合电路的布线电阻小的布线电阻。 0012 本发明的振荡电路具有谐振电路，该谐振电路包括：第一闭合电路，其包括设置在 半导体集成电路内部的内部电容器、设置在半导体集成电路外部的外部电感器、以及连接 内部电容器和外部电感器的布线；以及第二闭合电路，其包括设置在半导体集成电路外部 的外部电容器、外部电感器、以及连接外部电容器和外部电感器的布线。而且，由于第二闭 合电路的布线电阻小于第一闭合电路的布线电阻，所以在半导体集成电路的外部容易流过 高频率电。
12、流，能降低因在振荡时流过的高频率电流而使半导体集成电路内的其他电路受到 的影响。 0013 即，在本发明的振荡电路中，即使在输出具有数百兆赫兹的振荡频率的振荡信号 的情况下，也能抑制设置在半导体集成电路内的其他电路的特性恶化。 附图说明 0014 图1是具备本发明的实施例1的振荡电路的无线机的等效电路图。 0015 图2是构成本发明的实施例1的振荡电路的谐振电路的概略结构图。 0016 图3是用于说明具备本发明的实施例1的振荡电路的无线机中的高频磁场的概略 结构图。 0017 图4是具备本发明的实施例2的振荡电路的无线机的等效电路图。 0018 图5是本发明的实施例2的振荡电路的概略结构图。 。
13、说 明 书CN 102457273 A 3/8页 5 0019 附图标记的说明 10 无线机；20 振荡电路；21 放大电路；22 谐振电路；60 半导体集成电 路；C1、C2 内部电容器；C3 外部电容器；L1 外部电感器。 具体实施方式 0020 下面，针对本发明的实施例，一边参照附图，一边详细地进行说明。 0021 实施例1 首先，一边参照图1至图3，一边针对本发明的实施例1的振荡电路进行说明。图1是 具备本发明的实施例1的振荡电路的无线机的等效电路图。图2是构成本发明的实施例1 的振荡电路的谐振电路的概略结构图。图3是用于说明具备本发明的实施例1的振荡电路 的无线机中的高频磁场的概略结。
14、构图。 0022 如图1所示那样，无线机10包括：振荡电路20、接收电路30、发送电路40、控制电 路50。在无线机10中，振荡电路20的一部分、接收电路30、发送电路40以及控制电路50 设置在半导体集成电路60的内部。接收电路30具有接收从其他无线机向无线机10供给的 数据并进行预定的处理的功能。此外，发送电路40具有生成用于从无线机10向其他无线 机发送的数据并发送该数据的功能。控制电路50具有对振荡电路20、接收电路30、发送电 路40供给控制信号并以这些电路进行预定的工作的方式进行控制的功能。再有，在无线机 10中，除了这些电路以外，也可具有用于累积数据的存储器部等，并不限定于上述的。
15、结构。 0023 振荡电路20包括：放大电路21以及与放大电路21的输入端和输出端连接的谐 振电路22。放大电路21包括：设置在半导体集成电路60内的两个p沟道型MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）晶体管P1、P2、以及两个n沟道型MOS晶体管 N1、N2。具体的放大电路21的结构如下。MOS晶体管P1、P2的源极端与电源电压Vdd连接， MOS晶体管P1的漏极端与MOS晶体管N1的漏极端连接，MOS晶体管P2的漏极端与MOS晶 体管N2的漏极端连接。此外，MOS晶体管P1的漏极端与MOS晶体管P2、N2的栅极端连接， MOS晶体管P2的漏极端与MOS。
16、晶体管P1、N1的栅极端连接。进而，MOS晶体管P1的栅极端 与MOS晶体管N1的栅极端以及MOS晶体管P2、N2的漏极端连接，MOS晶体管P2的栅极端 与MOS晶体管N2的栅极端以及MOS晶体管P1、N1的漏极端连接。而且，MOS晶体管N1、N2 的源极端与接地电位连接。 0024 谐振电路22包括：两个内部电容器C1、C2以及变容二极管D1、D2，其设置在半导 体集成电路60内；和外部电感器L1以及外部电容器C3，其设置在半导体集成电路60的外 部。具体的谐振电路22的结构如下。变容二极管D1、D2的阳极彼此被连接，进而，变容二 极管D1、D2的阳极与频率控制电压Vc连接。变容二极管D1的。
17、阴极与内部电容器C1以及 半导体集成电路60的外部连接端子T1连接，变容二极管D2的阴极与内部电容器C2以及半 导体集成电路60的外部连接端子T2连接。内部电容器C1、C2的一端与接地电位连接。此 外，内部电容器C1以及变容二极管D1与连接电路21的MOS晶体管P1、N1的漏极端连接， 内部电容器C2以及变容二极管D2与连接电路21的MOS晶体管P2、N2的漏极端连接。在 半导体集成电路60的外部，外部电感器L1和外部电容器C3相对于半导体集成电路60并 联连接，外部电感器L1以及外部电容器C3的一端经由连接点T3与半导体集成电路60的 外部连接端子T1连接，外部电感器L1以及外部电容器C3的。
18、另一端经由连接点T4与半导 说 明 书CN 102457273 A 4/8页 6 体集成电路60的外部连接端子T2连接。 0025 接着，一边参照图2，一边对谐振电路22的结构详细地进行说明。再有，在图2中， 将从外部电感器L1的两端起布线伸长的方向定义为X方向，将从外部连接端子T1、T2起布 线伸长的方向定义为Y方向。 0026 如图2所示那样，谐振电路22具有两个闭合电路，即，第一闭合电路23（以虚线表 示），通过变容二极管D1、D2以及外部电感器L1经由外部连接端子T1、T2连接而形成；和 第二闭合电路24（以点划线表示），通过外部电感器L1以及外部电容器C3连接而形成。构 成第一闭合电。
19、路23的布线的布线长度比构成第二闭合电路24的布线的布线长度长。即， 被第一闭合电路23包围的面积大于被构成第二闭合电路24的布线包围的面积。再有，构 成第一闭合电路23的布线的材料和构成第二闭合电路24的布线的材料是相同的。 0027 此外，构成第一闭合电路23的布线的一部分的宽度W1小于构成第二闭合电路24 的布线的宽度W2。具体地，在构成第一闭合电路23的布线中的、从连接点T3经由外部连接 端子T1、变容二极管D1、D2、以及外部连接端子T2到达连接点T4的布线的宽度W1小于构 成第二闭合电路24的布线的宽度W2。在此，构成第一闭合电路23的布线的厚度和构成第 二闭合电路24的布线的厚度。
20、相等。因此，构成第一闭合电路23的布线的截面积小于构成 第二闭合电路24的布线的截面积。 0028 进而，在Y方向伸长的宽度W1的布线、以及在Y方向伸长的宽度W2的布线以外缘 一致的方式连接于连接点T3、T4。 0029 再有，不需要使构成第二闭合电路24的全部布线的宽度大于构成第一闭合电路 23的布线的宽度，例如，也可以仅使构成第二闭合电路24的布线中的、在Y方向伸长的布线 的宽度变大。再有，在Y方向伸长的宽度W1的布线、以及在Y方向伸长的宽度W2的布线也 可以以内缘一致的方式连接于连接点T3、T4，进而也可以以各布线的中央部一致的方式连 接于连接点T3、T4。 0030 通过具有上述那样的。
21、结构，从而振荡电路20以由内部电容器C1、C2、外部电容器 C3、以及变容二极管D1、D2的电容器的合成电容和外部电感器L1的电感来决定的频率进行 振荡。再有，通过使施加于变容二极管D1、D2的频率控制电压Vc变化，从而能使振荡频率 变化。 0031 在实施例1中，将外部电感器L1的电感设为15纳亨（nH），将半导体集成电路60 内的内部电容器C1、C2、变容二极管D1、D2的电容器的合成电容设为1.75皮法（pF），将外 部电容器C3的电容设为5pF，将振荡频率设为500MHz。在此，振荡频率500MHz中的外部电 感器L1的电抗为47.1欧姆（），在外部电感器L1中流过的高频率电流为21.。
22、2mA。此外， 在外部电感器L1中流过的高频率电流是对经由半导体集成电路60流过的（即，在第一闭合 电路23中流过的）高频率电流和经由外部电容器C3流过的（即，在第二闭合电路24中流 过的）高频率电流进行合成后的电流。因此，在外部电感器L1中流过的21.2mA的高频率 电流是在第一闭合电路23中流过的5.5mA的高频率电流、和在第二闭合电路24中流过的 15.7mA的高频率电流合成后的电流。像这样，将用于决定振荡频率的电容器分开配置在半 导体集成电路60的内外，而且使设置在半导体集成电路60的外侧的外部电容器C3的电容 大于设置在半导体集成电路60内的电容器的合成电容，由此能降低在半导体集成电。
23、路60 内流过的电流量。由此，能降低因在振荡电路20中流过的高频率电流而使半导体集成电路 说 明 书CN 102457273 A 5/8页 7 60内的接收电路30、发送电路40以及控制电路50受到的影响。 0032 此外，在实施例1中，构成第一闭合电路23的布线的布线长度比构成第二闭合电 路24的布线的布线长度长，进而构成第一闭合电路23的布线的截面积小于构成第二闭合 电路24的布线的截面积，构成两布线的材料是相同的。即，第一闭合电路23中的布线电阻 大于第二闭合电路24的布线电阻。因此，在第二闭合电路24中容易流过高频率电流，能高 效率地实现在上述那样的半导体集成电路60内流过的电流量的降。
24、低，能降低半导体集成 电路60内的接收电路30、发送电路40以及控制电路50所受到的影响。此外，在必须将半 导体集成电路60内的电容器的合成电容设为与外部电容器C3的电容相同或为其以上的情 况下，通过使用上述的布线宽度的关系，能谋求在半导体集成电路60内流过的电流量的降 低，能降低半导体集成电路60内的接收电路30、发送电路40以及控制电路50所受到的影 响。 0033 再有，只要能使第一闭合电路23中的布线电阻小于第二闭合电路24的布线电阻， 就不限定于上述那样的构造。例如，可以对第一闭合电路23的布线使用具有比第二闭合电 路的布线材料低的导电率的材料。此外，通过不仅变更布线宽度，还变更布线。
25、厚度，从而使 第一闭合电路23中的布线电阻小于第二闭合电路24的布线电阻。 0034 进而，在实施例1中，使被第一闭合电路23包围的面积大于被第二闭合电路24包 围的面积。由于高频磁场的强度通过被电流路径包围的面积和电流值之积来确定，所以通 过使被电流量变大的第二闭合电路24包围的面积变小，能降低第二闭合电路24中的高频 磁场的强度。 0035 进而，针对外部电感器L1在+Y方向配置内部电容器C1、C2以及变容二极管D1、 D2，在-Y方向配置外部电容器C3（即，将外部电容器C3配置在被第一闭合电路23包围的 区域外），在连接点T3以及T4中第一闭合电路23和第二闭合电路24的伸长方向不同（即。
26、， 伸长方向为+Y方向或-Y方向），因此在同一时刻在第一闭合电路23和第二闭合电路24中 流过的高频率电流的朝向变为相反。即，在第一闭合电路23中产生的高频率电流的相位相 对于在第二闭合电路24中产生的高频率电流反转。而且，如图3所示那样，在预定时刻的 第一闭合电路23中的高频磁场的朝向（虚线的箭头）、和第二闭合电路24中的高频磁场的 朝向（点划线的箭头）变为相反。因此，能通过由在第二闭合电路24中流过的高频率电流产 生的高频磁场来抵消由在第一闭合电路23中流过的高频率电流产生的高频磁场，能降低 因在第一闭合电路23中产生的高频磁场而使半导体集成电路60内的接收电路30、发送电 路40以及控制。
27、电路50等其他电路受到的影响。 0036 如上述那样，由于高频磁场的强度通过被电流路径包围的面积和电流值之积来确 定，所以更优选以使被第一闭合电路23包围的面积和在第一闭合电路23中流过的电流量 之积与被第二闭合电路24包围的面积和在第二闭合电路24中流过的电流量之积相等的方 式，决定第一闭合电路23以及第二闭合电路24的布线长度以及宽度、进而内部电容器C1、 C2、变容二极管D1、D2以及外部电容器C3的电容。再有，只要能使在第一闭合电路23中产 生的高频率电流的相位相对于在第二闭合电路24中产生的高频率电流反转，就不需要如 上述那样配置外部电感器L1以及外部电容器C3。例如，可以将外部电容。
28、器C3设置在被第 一闭合电路23包围的区域内。 0037 再有，放大电路21不限于包括p沟道型MOS晶体管以及n沟道型MOS晶体管的情 说 明 书CN 102457273 A 6/8页 8 况，也可以仅包括p沟道型或n沟道型的任一类型的MOS晶体管。此外，外部电感器L1可 以具有中点抽头，进而也可以使用串联连接了两个电感器的结构。进而，振荡电路20的结 构并不限于上述的结构，也可构成科耳皮兹电路、哈脱莱振荡电路或克拉泼（Clapp）电路。 但是，在任一情况下都需要在半导体集成电路的外部至少配置电感器以及电容器。此外，也 可以取代外部电感器L1而配置石英振子，构成石英振荡电路。 0038 如以上。
29、那样，本发明的振荡电路20具有：第一闭合电路23，其包括：设置在半导体 集成电路60的内部的内部电容器C1、C2、设置在半导体集成电路60的外部的外部电感器 L1以及连接内部电容器C1、C2以及外部电感器L1的布线；以及第二闭合电路24，其包括： 设置在半导体集成电路60的外部的外部电容器C3、外部电感器L1、以及连接外部电容器C3 以及外部电感器L1的布线。而且，由于第二闭合电路24的布线电阻小于第一闭合电路23 的布线电阻，所以在半导体集成电路60的外部容易流过高频率电流，能降低因在振荡时流 过的高频率电流而使半导体集成电路60内的其他电路受到的影响。 0039 即，在本发明的振荡电路中，。
30、即使在输出具有数百兆赫兹的振荡频率的振荡信号 的情况下，也能抑制设置在半导体集成电路内的其他电路的特性恶化。 0040 实施例2 在实施例1的无线机中，虽然在半导体集成电路内设置有构成振荡电路的放大电路， 但也可以将放大电路设置在半导体集成电路的外部。一边参照图4以及图5，一边对在这 样的情况下的无线机的结构进行说明。图4是具备本发明的实施例2的振荡电路的无线机 的等效电路图，图5是本发明的实施例2的振荡电路的概略结构图。再有，针对与构成实施 例1的无线机10的构件相同的构件以及相同的结构，省略其说明，在附图中赋予相同的附 图标记。 0041 如图4所示那样，无线机100包括：振荡电路120、。
31、接收电路30、发送电路40、控制 电路50、基极电压偏置电路130、以及发射极电压偏置电路（电流源）140。在无线机100中， 振荡电路120的一部分、接收电路30、发送电路40、控制电路50、基极电压偏置电路130、以 及发射极电压偏置电路140设置在半导体集成电路160的内部。 0042 振荡电路120包括：放大电路121以及谐振电路122。放大电路121包括设置在 半导体集成电路160的外部的NPN型双极晶体管170。双极晶体管170的基极经由外部连 接端子T5以及电阻R1与设置在半导体集成电路160内的基极电压偏置电路130连接。此 外，双极晶体管170的发射极经由外部连接端子T5与设。
32、置在半导体集成电路160内的发射 极电流偏置电路140连接。进而，双极晶体管170的集电极与电源电压Vdd连接。 0043 谐振电路122包括：两个内部电容器C1、C2以及变容二极管D1、D2，其设置在半 导体集成电路160内；以及外部电感器L1以及外部电容器C3C7，其设置在半导体集成 电路160的外部。具体的谐振电路122的结构如下。在半导体集成电路160的外部，外部 电感器L1以及外部电容器C3相对于半导体集成电路160并联连接，外部电感器L1以及外 部电容器C3的一端经由连接点T3与半导体集成电路160的外部连接端子T1连接，外部电 感器L1以及外部电容器C3的另一端经由连接点T4与半。
33、导体集成电路160的外部连接端 子T2连接。此外，在外部电容器C3的一端经由连接点T7连接有外部电容器C5，在另一端 经由连接点T8连接有外部电容器C4。在外部电容器C5经由连接点T9连接有外部电容器 C6，在外部电容器C6经由连接点T10连接有外部电容器C7。进而，外部电容器C3、C5经由 说 明 书CN 102457273 A 7/8页 9 连接点T7、T11与双极晶体管170的基极连接，外部电容器C5、C6经由连接点T9、T12与双 极晶体管170的发射极连接，外部电容器C7经由连接点T13与双极晶体管170的集电极连 接。而且，外部电容器C4经由连接点T14与接地电位连接，外部电容器C。
34、6、C7经由连接点 T10、T14与接地电位连接。在此，外部电容器C4、C7是为了降低具有电源电压Vdd的电源 的阻抗而被设置的。再有，由于半导体集成电路160内的结构和实施例1是相同的，所以省 略其说明。 0044 接着，一边参照图5，一边对谐振电路122的结构详细地进行说明。再有，在图5 中，将从外部电感器L1的两端起布线伸长的方向定义为X方向，将从外部连接端子T1、T2 起布线伸长的方向定义为Y方向。 0045 如图5所示那样，谐振电路122具有四个闭合电路，即，和实施例1相同的第一闭 合电路23以及第二闭合电路24；第三闭合电路151（以双点划线表示），连接外部电容器 C3、C4、C5。
35、、C6而形成；以及第四闭合电路152（以虚线表示），连接外部电容器C6、C7以及 双极晶体管170而形成。在此，构成第一闭合电路23的布线的布线长度比构成第二闭合电 路24、第三闭合电路151以及第四闭合电路152的布线的布线长度长。 0046 此外，构成第三闭合电路151以及第四闭合电路152的布线的宽度W3、以及构成第 四闭合电路152的布线的宽度W4和第二闭合电路24的布线的宽度W2是相同的。此外，从 双极晶体管170的基极到连接点T7的布线的宽度W5和构成第一闭合电路23的布线的一 部分的宽度W1是相同的。在此，第一闭合电路23、第二闭合电路24、第三闭合电路152以 及第四闭合电路1。
36、53的布线的厚度相等。因此，构成第一闭合电路23的布线的截面积小于 构成第三闭合电路152以及第四闭合电路153的布线的截面积。进而，第一闭合电路23、第 二闭合电路24、第三闭合电路152以及第四闭合电路153的布线的材料是相同的。 0047 通过具有上述那样的结构，振荡电路120以通过内部电容器C1、C2、外部电容器 C3C7、以及变容二极管D1、D2的电容器的合成电容和外部电感器L1的电感来决定的频 率进行振荡。再有，通过使施加于变容二极管D1、D2的频率控制电压Vc变化，从而能使振 荡频率变化。 0048 在实施例2中，将用于决定振荡频率的电容器分开配置在半导体集成电路160的 内外，。
37、而且使设置在半导体集成电路160的外侧的外部电容器C3C7的合成电容大于设 置在半导体集成电路160内的电容器的合成电容，因此能降低在半导体集成电路160内流 过的电流量。由此，能降低因在振荡电路120中流过的高频率电流而使半导体集成电路160 内的接收电路30、发送电路40以及控制电路50受到的影响。 0049 此外，在实施例2中，构成第一闭合电路23的布线的布线长度比构成第二闭合电 路24、第三闭合电路151以及第四闭合电路152的布线的布线长度长，进而构成第一闭合电 路23的布线的截面积小于构成第二闭合电路24、第三闭合电路151以及第四闭合电路152 的布线的截面积，构成两布线的材料是。
38、相同的。即，第一闭合电路23中的布线电阻小于第 二闭合电路24、第三闭合电路151以及第四闭合电路152的布线电阻。因此，在第二闭合电 路24、第三闭合电路151以及第四闭合电路152中容易流过高频率电流，能高效率地实现在 上述那样的半导体集成电路160内流过的电流量的降低，能降低半导体集成电路160内的 接收电路30、发送电路40以及控制电路50所受到的影响。 0050 进而，在实施例2中，将放大电路121设置在半导体集成电路160的外部，因此从 说 明 书CN 102457273 A 8/8页 10 构成放大电路121的双极晶体管170流到接地电位的电流不会流到半导体集成电路160 内，因。
39、此能降低因这样的电流产生而使接收电路30、发送电路40以及控制电路50受到的影 响。 0051 再有，在实施例2中也和实施例1同样地，在相同时刻在第一闭合电路23和第二 闭合电路24中流过的高频率电流的朝向变为相反。因此，预定时刻的第一闭合电路23中 的高频磁场的朝向、和第二闭合电路24中的高频磁场的朝向变为相反，能通过由在第二闭 合电路24中流过的高频率电流产生的高频磁场来抵消由在第一闭合电路23中流过的高频 率电流产生的高频磁场。此外，在实施例2中，由于在第三闭合电路151以及第四闭合电路 152中也流过高频率电流，所以更优选以对通过在第一闭合电路23、第二闭合电路24、第三 闭合电路15。
40、1以及第四闭合电路152的每一个中流过的高频率电流所产生的各个高频磁场 进行合成后的高频磁场的强度变小的方式，决定第一闭合电路23、第二闭合电路24、第三 闭合电路151以及第4闭合电路152的布线长度以及宽度、进而内部电容器C1、C2、变容二 极管D1、D2以及外部电容器C3C7的电容。 0052 再有，也可在半导体集成电路160内还设置实施例1的放大电路21。通常，在使用 半导体集成电路160内的放大电路21的情况下，能降低消耗电流，但难以使振荡频率的变 动变小。另一方面，在使用半导体集成电路160的外部的放大电路121的情况下，能使振荡 频率的变动变小，但难以能够降低消耗电流。因此，更优。
41、选通过将放大电路设置在半导体集 成电路160的内外，从而在与振荡频率的变动的抑制相比更需要谋求消耗电流的降低的数 据的接收时，进行使用了半导体集成电路160内的放大电路21的振荡工作，在与消耗电流 的降低相比更需要谋求振荡频率的变动的抑制的数据的发送时，进行使用了半导体集成电 路160的外部的放大电路121的振荡工作。 说 明 书CN 102457273 A 10 1/5页 11 图 1 说 明 书 附 图CN 102457273 A 11 2/5页 12 图 2 说 明 书 附 图CN 102457273 A 12 3/5页 13 图 3 说 明 书 附 图CN 102457273 A 13 4/5页 14 图 4 说 明 书 附 图CN 102457273 A 14 5/5页 15 图 5 说 明 书 附 图CN 102457273 A 15 。