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1、(10)申请公布号 CN 102751442 A (43)申请公布日 2012.10.24 C N 1 0 2 7 5 1 4 4 2 A *CN102751442A* (21)申请号 201110098198.8 (22)申请日 2011.04.19 H01L 51/52(2006.01) H01L 51/54(2006.01) H01L 51/56(2006.01) (71)申请人海洋王照明科技股份有限公司 地址 518100 广东省深圳市南山区南海大道 海王大厦A座22层 申请人深圳市海洋王照明技术有限公司 (72)发明人周明杰 王平 冯小明 钟铁涛 (74)专利代理机构广州华进联合专利。
2、商标代理 有限公司 44224 代理人何平 (54) 发明名称 有机电致发光装置及其制作方法 (57) 摘要 本发明涉及一种有机电致发光装置，包括依 次层叠的衬底层、阳极层、发光层及阴极层，此外， 该有机电致发光装置还包括设于衬底层与阳极层 之间的用于防止水分子或氧气渗入的第一水氧阻 隔层，以及设于第一水氧阻隔层与阳极层之间的 用于平整化第一水氧阻隔层的平整层。该有机电 致发光装置通过在衬底层及阳极层之间设置第一 水氧阻隔层及平整层，可以有效防止水分子及氧 气进入装置内部，从而可以有效提高有机电致发 光装置的稳定性和使用寿命。此外，本发明还涉及 一种有机电致发光装置的制作方法。 (51)Int。
3、.Cl. 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 2 页 1/1页 2 1.一种有机电致发光装置，包括依次层叠的衬底层、阳极层、发光层及阴极层，其特征 在于，所述有机电致发光装置还包括设于所述衬底层与所述阳极层之间的用于防止水分子 或氧气渗入的第一水氧阻隔层，以及设于所述第一水氧阻隔层与所述阳极层之间的用于平 整化所述第一水氧阻隔层的平整层，其中，所述衬底层由聚合物薄膜形成，所述第一水氧阻 隔层由第一铝膜形成，所述平整层选自紫外固化胶、环氧树脂、亚克力树脂或聚酰亚胺中的 一种形成。 2.如权利要。
4、求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第一水氧阻隔层的厚度 为20500nm；所述平整层的厚度为20100nm。 3.如权利要求1或2所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述阳极层由厚度在 20200nm之间的第二铝膜形成。 4.如权利要求1或2所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述阳极层包括第二铝膜 及沉积在所述第二铝膜上的三氧化二铝膜。 5.如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，还包括设于所述阴极层上的 第二水氧阻隔层。 6.如权利要求5所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第二水氧阻隔层为厚度 在80200nm之间的SiO膜。 7.如权利要求1所述的有机电致发光装置，。
5、其特征在于，所述聚合物薄膜使用的材料 为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、环烯烃共聚物、聚碳酸 酯、聚苯硫醚、聚乙烯或聚丙烯。 8.一种有机电致发光装置的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、将聚合物薄膜形成的衬底层清洗干净后干燥备用； 步骤二、在所述衬底层上沉积铝，形成第一水氧阻隔层； 步骤三、在所述第一水氧阻隔层上涂覆一层用于平整的黏胶，固化处理后形成平整层， 其中，黏胶为紫外固化胶、环氧树脂、亚克力树脂或聚酰亚胺； 步骤四、在固化处理后的所述平整层上依次沉积阳极层、发光层及阴极层。 9.如权利要求8所述的有机电致发光装置的制作方法，其特征在于，所述第一水。
6、氧阻 隔层的厚度为20500nm；所述平整层的厚度为20100nm；所述阳极层由厚度在20 200nm之间的第二铝膜形成。 10.如权利要求9所述的有机电致发光装置的制作方法，其特征在于，步骤四中在阳极 层沉积结束后还包括将构成所述阳极层的第二铝膜在臭氧环境下氧化10120秒以形成 三氧化二铝膜的步骤； 步骤四中在阴极层沉积结束后还包括在所述阴极层上沉积一层厚度在80200nm之 间的SiO膜形成第二水氧阻隔层的步骤。 权 利 要 求 书CN 102751442 A 1/6页 3 有机电致发光装置及其制作方法 【 技术领域 】 0001 本发明涉及电致发光器件制作领域，尤其涉及一种有机电致发光。
7、装置及其制作方 法。 【 背景技术 】 0002 有机电致发光(Organic Light Emission Diode，简称OLED)具有亮度高、材料选 择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性；同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快 等优势，并且OLED拥有极佳的柔韧性，可以折叠弯曲，是一种极具潜力的柔性显示技术和 光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国 内外众多研究者的关注重点。 0003 但传统制作的OLED器件中，大多数使用玻璃做基片，然后在基片表面附着透明导 电薄膜如氧化铟锡等作为透明电极。然而使用玻璃基片的OLED器件不具备弯曲的特点，。
8、而 且玻璃易碎，对OLED器件的应用造成了影响。采用聚合物薄膜如聚对苯二甲酸乙二醇酯代 替玻璃作为基底材料，能够使OLED器件获得良好的弯曲性，但是使用这些聚合物薄膜材料 也存在一些缺点，例如聚合物薄膜的气密性往往较差，会导致水分子和氧气分子渗入到器 件内部，严重影响器件的寿命和稳定性。 【 发明内容 】 0004 基于此，有必要提供一种能有效防止水氧进入装置内部、稳定性较好的有机电致 发光装置。 0005 一种有机电致发光装置，包括依次层叠的衬底层、阳极层、发光层及阴极层，此外， 该有机电致发光装置还包括设于衬底层与阳极层之间的用于防止水分子或氧气渗入的第 一水氧阻隔层，以及设于第一水氧阻隔。
9、层与阳极层之间的用于平整化第一水氧阻隔层的平 整层，其中，衬底层由聚合物薄膜形成，第一水氧阻隔层由第一铝膜形成，平整层由紫外固 化胶、环氧树脂、亚克力树脂或聚酰亚胺形成。 0006 优选的，第一水氧阻隔层的厚度为20500nm；平整层的厚度为20100nm。 0007 优选的，阳极层由厚度在20200nm之间的第二铝膜形成。 0008 优选的，阳极层包括第二铝膜及沉积在第二铝膜上的三氧化二铝膜。 0009 优选的，还包括设于阴极层上的第二水氧阻隔层。 0010 优选的，第二水氧阻隔层为厚度在80200nm之间的SiO膜。 0011 优选的，聚合物薄膜使用的材料为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、。
10、聚醚砜、聚 萘二甲酸乙二醇酯、环烯烃共聚物、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚乙烯或聚丙烯。 0012 该有机电致发光装置，在阳极层和发光层之间还进一步包括空穴注入层和空穴传 输层中的至少一种；在发光层和阴极层之间还进一步包括空穴阻挡层、电子传输层和电子 注入层中的至少一种。 0013 上述有机电致发光装置通过在衬底层及阳极层之间设置第一水氧阻隔层及平整 说 明 书CN 102751442 A 2/6页 4 层，可以有效防止水分子及氧气进入装置内部，从而可以有效提高有机电致发光装置的稳 定性和使用寿命，该平整层能够平整化第一水氧阻隔层的表面，降低膜层缺陷，避免装置产 生短路的现象，此外，该平整层还可以提高。
11、阳极层与衬底层之间的结合性能，从而提高有机 电致发光装置在挠曲使用状态下的稳定性。 0014 同时，通过在铝阳极层表面形成三氧化二铝膜，三氧化二铝膜与铝阳极层共同构 成Al/Al 2 O 3 的复合阳极结构，从而可以提高阳极功函，降低空穴注入势垒，提高载流子的注 入效率。 0015 该有机电致发光装置使用廉价的铝作为阳极材料，聚合物材料作衬底层，制作过 程简单，成本低，使用寿命长，挠曲性能好，发光性能稳定，在柔性照明和柔性显示领域能够 得到广泛的应用。 0016 此外，还有必要提供一种能有效防止水氧进入器件内部、稳定性较好的有机电致 发光装置的制作方法。 0017 一种有机电致发光装置的制作方。
12、法，包括如下步骤： 0018 步骤一、将聚合物薄膜形成的衬底层清洗干净后干燥备用； 0019 步骤二、在衬底层上沉积铝，形成第一水氧阻隔层； 0020 步骤三、在第一水氧阻隔层上涂覆一层用于平整的黏胶，固化处理后形成平整层， 其中，黏胶为紫外固化胶、环氧树脂、亚克力树脂或聚酰亚胺； 0021 步骤四、在固化处理后的平整层上依次沉积阳极层、发光层及阴极层。 0022 优选的，第一水氧阻隔层的厚度为20500nm；平整层的厚度为20100nm；阳极 层由厚度在20200nm之间的第二铝膜形成。 0023 优选的，步骤四中在阳极层沉积结束后还包括将构成阳极层的第二铝膜在臭氧环 境下氧化10120秒以。
13、形成三氧化二铝膜的步骤； 0024 进一步，步骤四中在阴极层沉积结束后还包括在阴极层上沉积一层厚度在80 200nm之间的SiO膜形成第二水氧阻隔层的步骤。 0025 上述制作方法原理简单，对设备要求低，可以广泛推广应用。 【 附图说明 】 0026 图1为一优选实施方式的有机电致发光装置的膜层结构示意图； 0027 图2为对比例4与实施例1制作的有机电致发光装置的发光强度与电压的关系曲 线图； 0028 图3为对比例5与实施例1制作的有机电致发光装置的发光强度与时间的关系曲 线图。 【 具体实施方式 】 0029 下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光装置及其制作方法作进一步详 细的说明。
14、。 0030 如图1所示，一优选实施方式的有机电致发光装置100包括依次层叠的衬底层 101、第一水氧阻隔层102、平整层103、阳极层104、空穴注入层105、空穴传输层106、发光层 107、电子传输层108、电子注入层109及阴极层110。 说 明 书CN 102751442 A 3/6页 5 0031 此外，在其他实施方式中，有机电致发光装置还可以只包括依次层叠的衬底层、阳 极层、发光层和阴极层。 0032 衬底层101为聚合物材料制作的薄膜。针对双端发射或顶发射装置，衬底层101可 以为透明或不透明材质。优选的，聚合物材料可以采用聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、 聚醚砜、聚萘二甲酸乙。
15、二醇酯、环烯烃共聚物、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚乙烯或聚丙烯等。采 用聚合物材料制作衬底层101可以提高有机电致发光装置100的挠曲性能。 0033 本实施方式的第一水氧阻隔层102由厚度范围在20500nm之间的第一铝膜形 成。第一铝膜可采用真空蒸镀、直流溅射、磁控溅射、射频溅射或分子束外延生长等方法制 备。第一水氧阻隔层102能够有效提高衬底层101的水氧阻隔性，防止水分子及氧气分子 进入有机电致发光装置100中，从而可以提高有机电致发光装置100的稳定性和使用寿命。 0034 由于第一铝膜的表面粗糙度较大，本实施方式的有机电致发光装置100进一步在 第一铝膜之上设有用于平整化第一铝膜的平整层。
16、103。平整层103可以采用紫外固化胶、环 氧树脂、亚克力树脂或聚酰亚胺等材料制备。平整层103可以平整化第一铝膜的表面，降低 膜层缺陷，避免有机电致发光装置100产生短路的现象，从而提高装置的稳定性。同时，平 整层103还可以提高阳极层104与衬底层101之间的结合性能，从而进一步提高有机电致 发光装置100在挠曲状态下的稳定性。 0035 阳极层104由沉积在平整层103之上的厚度在20200nm之间的第二铝膜形成。 第二铝膜可以采用真空蒸镀、直流溅射、磁控溅射、射频溅射、脉冲激光沉积或分子束外延 生长等方法制备，从工艺或成本方面考虑，优选的，采用真空蒸镀的方法制备。 0036 在其他实施。
17、例中，阳极层104包括第二铝膜及沉积在所述第二铝膜上的三氧化二 铝膜。三氧化二铝膜层与第二铝膜层一起形成Al/Al 2 O 3 的复合阳极结构。该复合阳极结构 可以提高阳极功函，降低空穴注入势垒，提高载流子的注入性能。 0037 空穴注入层105、空穴传输层106、发光层107、电子传输层108及电子注入层109 可以采用本领域所常用的材料制作。本实施方式的阴极层110采用半透明的阴极材料制 作。阴极材料可选自由铝、金、银、钙、镁、镁铝合金或镁银合金中至少一种，优选的，可以选 用铝与银制作的层状阴极，包括铝层和银层，其中铝层厚度为0.5nm，银层厚度为20nm。 0038 此外，本实施例的有机。
18、电致发光装置100在阴极层110表面进一步沉积有第二水 氧阻隔层(图中未示)。优选的，第二水氧阻隔层由厚度在80200nm之间的SiO膜形成。 0039 有机电致发光装置100使用廉价的铝作为阳极层104，聚合物材料作衬底层101， 制作过程简单，成本低，使用寿命长，挠曲性能好，发光性能稳定，在柔性照明和柔性显示领 域能够得到广泛的应用。 0040 上述有机电致发光装置100的制作过程，包括如下步骤： 0041 步骤S1：将聚合物材料制作的衬底层101依次用去离子水、丙酮及异丙醇等溶剂 清洗，清洗干净后干燥备用。 0042 步骤S2：采用真空蒸镀等方法在衬底层101上蒸镀一层第一水氧阻隔层10。
19、2。 0043 本实施方式的第一水氧阻隔层102由厚度在20500nm范围内的第一铝膜形成。 0044 步骤S3：在第一水氧阻隔层102之上采用旋涂等方法涂覆一层紫外固化胶、环氧 树脂、亚克力树脂或聚酰亚胺，固化处理后形成厚度在20100nm之间的平整层103。 0045 步骤S4：采用真空蒸镀等方法在平整层103上蒸镀一层阳极层104。 说 明 书CN 102751442 A 4/6页 6 0046 本实施方式的阳极层104为厚度在20200nm范围内的第二铝膜层。 0047 步骤S5：采用真空蒸镀等方法，在阳极层104上依次蒸镀空穴注入层105、空穴传 输层106、发光层107、电子传输层。
20、108、电子注入层109及阴极层110。 0048 此外，为了达到较好的封装效果，在蒸镀完阴极层110后，继续在阴极层110表面 蒸镀一层厚度为80200nm的SiO薄膜，作为阴极部分的第二水氧阻隔层，然后用透明聚 合物薄膜作为盖板，采用紫外固化胶对有机电致发光装置进行封装。 0049 该制作方法原理简单，对设备要求低，可以广泛推广应用。 0050 此外，在其他实施方式中，当阳极层为Al/Al 2 O 3 的复合阳极结构时，在蒸镀结束第 二铝膜后，将第二铝膜置于臭氧环境下氧化10120秒，在第二铝膜表面形成三氧化二铝 膜，进而形成Al/Al 2 O 3 复合阳极结构。采用复合阳极结构能够可以提。
21、高阳极功函，降低空穴 注入势垒，提高载流子的注入性能。 0051 以下为具体实施例及对比例部分。 0052 实施例1 0053 将PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜依次用清洁剂、去离子水清洗、氮气吹干后， 在真空度为510 -4 Pa的镀膜系统中，在薄膜表面蒸镀厚度为50nm的第一铝膜；在第一铝膜 表面旋涂一层厚度为50nm的紫外固化胶作为平整层；在平整层表面蒸镀一层厚度为80nm 的第二铝膜，并将第二铝膜在臭氧系统中氧化30s得到三氧化二铝薄膜层，然后在上面依 次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA，厚度为60nm的空穴传输层NPB，厚度为20nm 的发光层C545T:Alq 3 。
22、，厚度为40nm的电子传输层Alq 3 ，厚度为1nm的电子注入层LiF，厚度 为0.5nm的阴极Al，厚度为20nm Ag层及厚度为100nm的水氧阻挡层SiO；然后采用PET薄 膜作为盖板，用UV胶将装置封装。 0054 实施例2 0055 将PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)薄膜依次用清洁剂，去离子水清洗，氮气吹干后，在 真空度为510 -4 Pa的镀膜系统中，在其表面蒸镀厚度为20nm的第一铝膜；在第一铝膜表面 旋涂一层厚度为100nm的亚克力树脂作为平整层；在平整层表面蒸镀一层厚度为20nm的第 二铝膜，并将第二铝膜在臭氧系统中氧化10s得到三氧化二铝薄膜层，然后在上面依次蒸 镀厚度为40。
23、nm的空穴注入层CuPc，厚度为20nm的空穴传输层TCTA，厚度为10nm的发光层 DPVBi，厚度为40nm的电子传输层Bphen，厚度为1nm的电子注入层LiF，厚度为0.5nm的阴 极Al，厚度为20nm的Ag及厚度为100nm的水氧阻挡层SiO；然后采用PEN薄膜作为盖板， 用UV胶将装置封装。 0056 实施例3 0057 将PI(聚酰亚胺)薄膜依次用清洁剂，去离子水清洗，氮气吹干后，在真空度为 510 -4 Pa的镀膜系统中，在其表面蒸镀厚度为500nm的第一铝膜；在第一铝膜表面旋涂 一层厚度为20nm的聚酰亚胺作为平整层；在平整层表面蒸镀一层厚度为100nm的第二铝 膜，并将该。
24、第二铝膜在臭氧系统中氧化120s得到三氧化二铝薄膜层，随后在上面旋涂一层 PEDOT:PSS(40nm)作为空穴注入层，然后依次蒸镀厚度为50nm的空穴传输层MeO-TPD，厚 度为20nm的发光层CBP:DCM2，厚度为40nm的电子传输层TPBi，厚度为1nm的电子注入层 Liq，厚度为0.5nm的阴极Al，厚度为20nm的Ag及厚度为100nm的水氧阻挡层SiO，然后采 用PI薄膜作为盖板，用UV胶将装置封装。 说 明 书CN 102751442 A 5/6页 7 0058 实施例4 0059 将PES(聚醚砜)薄膜依次用清洁剂、去离子水清洗、氮气吹干后，在真空度为 510 -4 Pa的。
25、镀膜系统中，在薄膜表面蒸镀厚度为100nm的第一铝膜；在第一铝膜表面旋涂 一层厚度为50nm的环氧树脂作为平整层；在平整层表面蒸镀一层厚度为200nm的第二铝 膜，并将第二铝膜在臭氧系统中氧化50s得到三氧化二铝薄膜层，然后在上面依次蒸镀厚 度为30nm的空穴注入层m-MTDATA，厚度为60nm的空穴传输层NPB，厚度为20nm的发光层 C545T:Alq 3 ，厚度为40nm的电子传输层Alq 3 ，厚度为1nm的电子注入层LiF，厚度为0.5nm 的阴极Al，厚度为20nm Ag层及厚度为80nm的水氧阻挡层SiO；然后采用PES薄膜作为盖 板，用UV胶将装置封装。 0060 实施例5 。
26、0061 将PC(聚碳酸酯)薄膜依次用清洁剂、去离子水清洗、氮气吹干后，在真空度为 510 -4 Pa的镀膜系统中，在薄膜表面蒸镀厚度为100nm的第一铝膜；在第一铝膜表面旋涂 一层厚度为50nm的紫外固化胶作为平整层；在平整层表面蒸镀一层厚度为200nm的第二铝 膜，并将第二铝膜在臭氧系统中氧化50s得到三氧化二铝薄膜层，然后在上面依次蒸镀厚 度为30nm的空穴注入层m-MTDATA，厚度为60nm的空穴传输层NPB，厚度为20nm的发光层 C545T:Alq 3 ，厚度为40nm的电子传输层Alq 3 ，厚度为1nm的电子注入层LiF，厚度为0.5nm的 阴极Al，厚度为20nm Ag层及。
27、厚度为80nm的水氧阻挡层SiO；然后采用PC薄膜作为盖板， 用UV胶将装置封装。 0062 实施例6 0063 将PP(聚丙烯)薄膜依次用清洁剂、去离子水清洗、氮气吹干后，在真空度为 510 -4 Pa的镀膜系统中，在薄膜表面蒸镀厚度为100nm的第一铝膜；在第一铝膜表面旋涂 一层厚度为50nm的紫外固化胶作为平整层；在平整层表面蒸镀一层厚度为200nm的第二铝 膜，并将第二铝膜在臭氧系统中氧化50s得到三氧化二铝薄膜层，然后在上面依次蒸镀厚 度为30nm的空穴注入层m-MTDATA，厚度为60nm的空穴传输层NPB，厚度为20nm的发光层 C545T:Alq 3 ，厚度为40nm的电子传输。
28、层Alq 3 ，厚度为1nm的电子注入层LiF，厚度为0.5nm的 阴极Al，厚度为20nm Ag层及厚度为80nm的水氧阻挡层SiO；然后采用PP薄膜作为盖板， 用UV胶将装置封装。 0064 实施例7 0065 将COC(环烯烃共聚物)薄膜依次用清洁剂、去离子水清洗、氮气吹干后，在真空度 为510 -4 Pa的镀膜系统中，在薄膜表面蒸镀厚度为100nm的第一铝膜；在第一铝膜表面旋 涂一层厚度为50nm的紫外固化胶作为平整层；在平整层表面蒸镀一层厚度为200nm的第二 铝膜，并将第二铝膜在臭氧系统中氧化50s得到三氧化二铝薄膜层，然后在上面依次蒸镀 厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA。
29、，厚度为60nm的空穴传输层NPB，厚度为20nm的发光 层C545T:Alq 3 ，厚度为40nm的电子传输层Alq 3 ，厚度为1nm的电子注入层LiF，厚度为0.5nm 的阴极Al，厚度为20nm Ag层及厚度为80nm的水氧阻挡层SiO；然后采用COC薄膜作为盖 板，用UV胶将装置封装。 0066 对比例1 0067 将PET薄膜依次用清洁剂，去离子水清洗，氮气吹干后，在真空度为510 -4 Pa的 镀膜系统中，在其表面蒸镀厚度为50nm的第一铝膜；在第一铝膜表面旋涂一层厚度为50nm 说 明 书CN 102751442 A 6/6页 8 的紫外固化胶作为平整层；在平整层表面蒸镀一层厚。
30、度为80nm的第二铝膜，然后依次在第 二铝膜上面蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA，厚度为60nm的空穴传输层NPB，厚度 为20nm的发光层C545T:Alq 3 ，厚度为40nm的电子传输层Alq 3 ，厚度为1nm的电子注入层 LiF(1nm)，厚度为0.5nm的阴极Al，厚度为20nm的Ag及厚度为100nm的水氧阻挡层SiO， 然后采用PET薄膜作为盖板，用UV胶将装置封装。 0068 该对比例1与实施例1进行比较区别仅在于对比例1制作的有机电致发光装置不 包括有三氧化二铝膜，经测试对比例1与实施例1制备的有机电致发光装置的的发光强度 与电压关系曲线如图2所示。由图2得知。
31、，当阳极层表面覆盖有Al 2 O 3 后，由于Al 2 O 3 能够降 低空穴注入势垒，因此可以看到插入有Al 2 O 3 的发光装置的载流子注入能力要优于无Al 2 O 3 的发光装置。 0069 对比例2 0070 将PET薄膜依次用清洁剂，去离子水清洗，氮气吹干后，采用磁控溅射系统，在其 表面溅射一层厚度为100nm的ITO薄膜，然后在510 -4 Pa的镀膜系统中，依次在上面蒸镀 厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA，厚度为60nm的空穴传输层NPB，厚度为20nm的发光 层C545T:Alq 3 ，厚度为40nm的电子传输层Alq 3 ，厚度为1nm的电子注入层LiF，厚度为1。
32、00nm 的阴极Al，厚度为100nm的水氧阻挡层SiO；然后采用PET薄膜作为盖板，用UV胶将装置封 装。 0071 该对比例2与实施例1进行比较，区别仅在于对比例2制作的有机电致发光装置 不包括有第一铝膜，并且采用溅射ITO薄膜作为阳极层。经测试对比例2与实施例1制备 的有机电致发光装置的在反复弯折后的亮度变化比较如表1所示，发光强度与时间关系曲 线如图3所示。 0072 表1 0073 0074 表1的结果表明，实施例1中第一铝膜与衬底层的结合能力较好，在反复弯曲的过 程中，阳极层不会从衬底层脱落，因此能够保持有机电致发光装置发光的稳定性。 0075 由图3可知，采用覆盖第一铝膜的聚合物。
33、材料作为衬底层时，有机电致发光装置 的使用寿命明显优于单独的PET-ITO衬底，这是由于第一铝膜具有良好的水氧阻隔效果， 能够提高有机电致发光装置的使用寿命。 0076 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。 说 明 书CN 102751442 A 1/2页 9 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102751442 A 2/2页 10 图3 说 明 书 附 图CN 102751442 A 10 。