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1、(10)申请公布号 CN 102468126 A (43)申请公布日 2012.05.23 C N 1 0 2 4 6 8 1 2 6 A *CN102468126A* (21)申请号 201010533943.2 (22)申请日 2010.11.05 H01L 21/02(2006.01) B08B 3/08(2006.01) (71)申请人无锡华润上华半导体有限公司 地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产 业开发区汉江路5号 申请人无锡华润上华科技有限公司 (72)发明人吴贵财 刘金慧 王盼磊 张蔚 (74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理 有限公司 44224 代理人何平 (。
2、54) 发明名称 圆片清洗方法 (57) 摘要 本发明涉及一种圆片清洗方法，包括以下步 骤：检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是 否大于等于预设时间，若是，则采用蚀刻液对圆片 进行清洗。上述圆片清洗方法，预先检测时间间隔 是否大于等于预设时间，若是，则采用蚀刻液对圆 片进行清洗，避免了刚换蚀刻液对圆片背面的多 晶硅介质层过腐蚀，而导致晶背发花。工艺流程简 单，不需要更换或优化设备，不会增加成本。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 2 页 1/1页 2 1.一种圆片。
3、清洗方法，包括以下步骤： 检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔； 在所述时间间隔大于等于预设时间时，采用蚀刻液对圆片进行清洗。 2.根据权利要求1所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：当所述时 间间隔小于预设时间时，继续进行检测。 3.根据权利1或2所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述蚀刻液为有机胺碱溶剂。 4.根据权利3所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述有机胺碱溶剂为EKC270，所述预 设时间为4小时。 5.根据权利要求1所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述圆片包括通孔层、金属层和 焊盘层，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括： 采用蚀刻液清洗所述通孔层。 6.根据权利要。
4、求5所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述清洗通孔层的时间为40分 钟。 7.根据权利要求5所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述蚀刻液对圆片进行清洗的 具体步骤包括： 采用蚀刻液清洗所述金属层。 8.根据权利要求7所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述清洗金属层的时间为20分 钟。 9.根据权利要求5所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述蚀刻液对圆片进行清洗的 具体步骤包括： 采用蚀刻液清洗所述焊盘层。 10.根据权利要求9所述的圆片清洗方法，其特征在于，所述清洗焊盘层的时间为40分 钟。 权 利 要 求 书CN 102468126 A 1/3页 3 圆片清洗方法 【 技术领域 】 0001 本发明。
5、涉及半导体工艺，特别涉及一种圆片清洗方法。 【 背景技术 】 0002 半导体工艺中，需要采用蚀刻液对圆片进行清洗，以去除干法蚀刻后残留的多聚 物(PLOYMER)，一般采用有机胺碱溶剂EKC进行清洗。然而该工序完成后有时会出现圆片晶 背发花的严重异常现象，且晶背异常图形主要含有多种机器手臂形状。 【 发明内容 】 0003 基于此，有必要提供一种圆片清洗方法，减少圆片晶背产生缺陷。 0004 一种圆片清洗方法，包括以下步骤： 0005 检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于预设时间，若是，则采用 蚀刻液对圆片进行清洗。 0006 优选地，所述方法还包括步骤：当检测所述时间间隔小于预。
6、设时间时，继续进行检 测。 0007 优选地，所述蚀刻液为有机胺碱溶剂。 0008 优选地，所述有机胺碱溶剂为EKC270，所述预设时间为4小时。 0009 优选地，所述圆片包括通孔层、金属层和焊盘层，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具 体步骤包括： 0010 采用蚀刻液清洗所述通孔层。 0011 优选地，所述清洗通孔层的时间为40分钟。 0012 优选地，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括： 0013 采用蚀刻液清洗所述金属层。 0014 优选地，所述清洗金属层的时间为20分钟。 0015 优选地，所述蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括： 0016 采用蚀刻液清洗所述焊盘层。 0017 优选地。
7、，所述清洗焊盘层的时间为40分钟。 0018 上述圆片清洗方法，预先检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于 预设时间，若是，则采用蚀刻液对圆片进行清洗，避免了刚换蚀刻液对圆片背面的多晶硅介 质层过腐蚀，而导致晶背发花。工艺流程简单，不需要更换或优化设备，不会增加成本。 【 附图说明 】 0019 图1为一个实施例中圆片清洗方法流程图； 0020 图2为一个实施例中EKC270对多晶硅介质的蚀刻速率示意图； 0021 图3为一个实施例中EKC270对氧化层的蚀刻速率示意图； 0022 图4为一个实施例中EKC270对含氧化层的多晶硅介质清洗的状态示意图。 说 明 书CN 1024681。
8、26 A 2/3页 4 【 具体实施方式 】 0023 如图1所示，一种圆片清洗方法，包括以下步骤： 0024 步骤S10，检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于预设时间，若 是，则执行步骤S20，若否，则继续检测。即在进行传统的蚀刻液清洗步骤S20前增加步骤 S10。该预设时间是根据蚀刻液对圆片的蚀刻速率的实验结果设定。以DuPont Electronic Technologies公司下属的EKC Technology公司生产的EKC270为蚀刻液，则该预设时间根 据实验结果为4小时，该时间可有适当的偏差。另外，蚀刻液的生命周期(life time)为相 邻两次蚀刻液换液的时间间隔。
9、，可预先设定。一般圆片在蚀刻液清洗后，在其圆片的晶背表 面会留下发花，晶背包括多晶硅介质(U-PLOY)和氧化层(OXIDE)介质。 0025 如图2所示，实验表明，当距上次EKC270(6575)的换液的时间小于4小时 时，即相邻两次EKC270换液之间的时间间隔小于4小时时，对多晶硅介质的腐蚀速率快且 均一性差，随着距上次EKC270的换液的时间的增加，EKC270对多晶硅介质的腐蚀速率逐渐 降低，当距上次EKC270的换液的时间大于等于4小时时，腐蚀速率约为这样腐 蚀速率较慢，且相对稳定，腐蚀均一性较好，不易形成晶背的发花，减少了晶背缺陷的出现。 0026 EKC270的成分包括胺基有机。
10、物(R-NH 2 )，异丙醇胺(MIPA)，椰油酰胺(MEA)，二乙 二醇胺(DGA)，己二胺(HDA)，邻苯二酚(Catechol)和水(H 2 O)。EKC270对多晶硅介质具有 腐蚀反应，腐蚀的速率取决于水的含量，如表1，水的含量越高，则EKC270对多晶硅介质腐 蚀速率越快。 0027 表1 0028 0029 另外，如图3所示，EKC270对氧化层介质的腐蚀速率很低，大约为如 图4为EKC270对含氧化层的多晶硅介质清洗时的结果示意图。 0030 步骤S20，采用蚀刻液清洗圆片。圆片的通孔层(VIA)、金属层(METAL)和焊盘层 (PAD)经过干法蚀刻(dry etch)后，在通孔。
11、层、金属层和焊盘层上产生多聚物(PLOYMER)。 采用蚀刻液对圆片进行清洗的具体步骤包括： 0031 采用蚀刻液清洗通孔层上产生的多聚物，清洗时间为40分钟。 说 明 书CN 102468126 A 3/3页 5 0032 采用蚀刻液清洗金属层上产生的多聚物，清洗时间为20分钟。 0033 采用蚀刻液清洗焊盘层上产生的多聚物，清洗时间为40分钟。 0034 上述清洗时间可以偏差1至2分钟。 0035 上述圆片清洗方法，预先检测相邻两次蚀刻液换液之间的时间间隔是否大于等于 预设时间，若是，则采用蚀刻液对圆片进行清洗，避免了使用刚换蚀刻液对圆片背面的多晶 硅介质层过腐蚀，而导致晶背发花。工艺流程简单，不需要更换或优化设备，不会增加成本。 0036 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。 说 明 书CN 102468126 A 1/2页 6 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102468126 A 2/2页 7 图3 图4 说 明 书 附 图CN 102468126 A 。