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1、(10)申请公布号 CN 102780203 A (43)申请公布日 2012.11.14 C N 1 0 2 7 8 0 2 0 3 A *CN102780203A* (21)申请号 201210270329.0 (22)申请日 2012.07.31 H02H 3/20(2006.01) H02H 3/24(2006.01) (71)申请人德力西电气有限公司 地址 325000 浙江省温州市乐清市柳市德力 西高科技工业园 (72)发明人马超 白建社 魏占勇 (74)专利代理机构温州瓯越专利代理有限公司 33211 代理人傅敏华 (54) 发明名称 一种过欠压保护电路 (57) 摘要 本发明涉。
2、及一种电子电路，特别是指对电压 检测，对过电压和欠电压进行保护的电路。本发 明采用以下技术方案：一种过欠压保护电路，其 特征在于：包括有全波整流电路单元、脱扣电路 单元和驱动电路单元，脱扣电路单元由脱扣线圈 L1、可控硅Q1和二极管D2串联构成，驱动电路单 元包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻 R5、稳压管ZD1、三极管Q2和二极管D7。通过采用 上述方案，本发明的目的在于克服现有技术存在 的不足，提供一种可以将电快速瞬变脉冲群试验 提高到4kV以上，浪涌试验提高到差模4kV，共模 5KV以上的新型的过欠压保护电路。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书2页 附图1页。
3、 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 1/1页 2 1.一种过欠压保护电路，其特征在于：包括有全波整流电路单元、脱扣电路单元和驱 动电路单元，脱扣电路单元由脱扣线圈L1、可控硅Q1和二极管D2串联构成，驱动电路单元 包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压管ZD1、三极管Q2和二极管D7，其中 电阻R1一端接全波整流电路单元的阴极，电阻R1另一端与电阻R3连接，电阻R3另一端接 GND，稳压管ZD1阴极接于电阻R1和电阻R3的结点，阳极接于可控硅Q1门极，电阻R2一端 接于全波整流电路单元的阴极，另一。
4、端接于三极管Q2发射极，三极管Q2基极经电阻R4接 于电阻器R1和电阻器R3的结点，集电极经电阻R5接于GND，二极管D7阳极接于晶体管Q2 集电极，阴极接于可控硅Q1门极。 2.根据权利要求1所述的过欠压保护电路，其特征在于：所述电阻R1和电阻R3的结 点上连接有极性电容器C1，该极性电容器C1阳极接于电阻器R1和电阻器R3的结点，阴极 接于GND，所述三极管Q2的发射极上连接有稳压管ZD2和电容C3，稳压管ZD2的阳极和电 容C3的另一端接于GND，所述可控硅Q1的门极上连接有电容C2，电容C2的另一端连接于 GND。 3.根据权利要求1或2所述的过欠压保护电路，其特征在于：所述全波整流电。
5、路单元 包括有压敏电阻RV1、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，L相和N相分别连接于 压敏电阻RV1两端后，接于二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6构成整流电路整流。 权 利 要 求 书CN 102780203 A 1/2页 3 一种过欠压保护电路 技术领域 0001 本发明涉及一种电子电路，特别是指对电压检测，对过电压和欠电压进行保护的 电路。 背景技术 0002 目前，电压常常会存在因接线失误将380V电压施加在220V电路上或电网不稳定 造成的电源过电压或欠电压，烧毁断路器下端负荷设备的情况，为解决因电源过压或欠压 造成的问题，采用电子检测电路检测到电压或欠压后驱。
6、动断路器进行分断，目的是保护断 路器下方负荷设备；现有的过欠压保护电路与本发明的完全不同，其存在电快速瞬变脉冲 群性能均不高于2kV，浪涌性能不高于4kV的缺陷。 发明内容 0003 本发明的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种可以将电快速瞬变脉冲群 试验提高到4kV以上，浪涌试验提高到差模4kV，共模5KV以上的新型的过欠压保护电路。 0004 为了实现以上目的，本发明采用以下技术方案：一种过欠压保护电路，其特征在 于：包括有全波整流电路单元、脱扣电路单元和驱动电路单元，脱扣电路单元由脱扣线圈 L1、可控硅Q1和二极管D2串联构成，驱动电路单元包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻 R。
7、4、电阻R5、稳压管ZD1、三极管Q2和二极管D7，其中电阻R1一端接全波整流电路单元的阴 极，电阻R1另一端与电阻R3连接，电阻R3另一端接GND，稳压管ZD1阴极接于电阻R1和电 阻R3的结点，阳极接于可控硅Q1门极，电阻R2一端接于全波整流电路单元的阴极，另一端 接于三极管Q2发射极，三极管Q2基极经电阻R4接于电阻器R1和电阻器R3的结点，集电 极经电阻R5接于GND，二极管D7阳极接于晶体管Q2集电极，阴极接于可控硅Q1门极。 0005 采用上述方案，脱扣线圈L1和可控硅Q1串联之后，与二极管D2串联构成脱扣电 路。二极管D2提高了可控硅Q1的触发电压，同时二极管D2的PN结结构提高。
8、了触发脱扣 电路所需的能量，这样就提高了电磁抗扰度性能。本电路通过合理设计及适当的元器件参 数选择，可以将电快速瞬变脉冲群性能提高到4kV以上，浪涌性能也提高到4kV以上。 0006 本发明的进一步设置是：所述电阻R1和电阻R3的结点上连接有极性电容器C1， 该极性电容器C1阳极接于电阻器R1和电阻器R3的结点，阴极接于GND，所述三极管Q2的 发射极上连接有稳压管ZD2和电容C3，稳压管ZD2的阳极和电容C3的另一端接于GND，所述 可控硅Q1的门极上连接有电容C2，电容C2的另一端连接于GND；所述全波整流电路单元包 括有压敏电阻RV1、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，L相。
9、和N相分别连接于压 敏电阻RV1两端后，接于二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6构成整流电路整流。 0007 通过上述进一步的方案，使该电路功能更加合理，其中稳压管DZ2提供欠压保护 的基准电压，同时保护三极管Q2，防止三极管Q2过电压击穿，电容C1和电容C3对电压进行 平滑作用，同时通过不同参数的选择，实现对上电时序的控制，电容C2滤除小信号噪声对 可控硅Q1造成的误触发，同时提高可控硅Q1阳极和阴极的dV/dt，降低被误触发的可能。 说 明 书CN 102780203 A 2/2页 4 0008 下面结合附图对本发明作进一步详细说明。 附图说明 0009 图1是本发明实施例电路结。
10、构图。 具体实施方式 0010 如图1所示，L相和N相分别连接于压敏电阻RV1两端后，接于二极管D3、二极管 D4、二极管D5和二极管D6构成的整流电路整流。脱扣线圈L1和二极管D1并联后，一端连 于二极管D4，另一端连于可控硅Q1阳极，二极管D2阳极接于可控硅Q1阴极，阴极接于GND， 电容C2一端接于可控硅Q1门极，另一端接于GND，电阻R1一端接于二极管D4阴极，另一端 接于电阻R3一端，而电阻R3另一端接于GND，极性电容器C1阳极接于电阻R1和电阻R3的 结点，阴极接于GND，电阻R2一端接于二极管D4阴极，另一端接于三极管Q2发射极。三极 管Q2基极经电阻R4接于电阻R1和电阻R3。
11、的结点，集电极经电阻R5接于GND，二极管D7 阳极接于三极管Q2集电极，阴极接于可控硅Q1门极。稳压管ZD2阴极接于三极管Q2发射 极，阳极接于GND，稳压管ZD1阴极接于电阻器R1和电阻器R3的结点，阳极接于可控硅Q1 门极，电容C3一端接于稳压管ZD2阴极，另一端接于GND。 0011 具体工作原理：电阻R1和电阻R3通过对整流后电压分压，当电压过高时，通过 ZD1稳压管驱动可控硅Q1实现脱扣保护；电阻R1和电阻R3通过对整流后电压分压，当电 压过低时，三极管Q2导通，通过D7驱动Q1实现脱扣保护。 说 明 书CN 102780203 A 1/1页 5 图1 说 明 书 附 图CN 102780203 A 。