并联均流电路.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201110390174.X

申请日:

2011.11.30

公开号:

CN102497086A

公开日:

2012.06.13

当前法律状态:

驳回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H02M 1/06申请公布日:20120613|||实质审查的生效IPC(主分类):H02M 1/06申请日:20111130|||公开

IPC分类号:

H02M1/06

主分类号:

H02M1/06

申请人:

华为技术有限公司

发明人:

邹相阳; 章陶

地址:

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

优先权:

专利代理机构:

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人:

申健

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内容摘要

本发明公开了一种并联均流电路,涉及高频电力电子电路领域,无需在电路中额外增加电阻即可实现稳态均流。该并联均流电路包括:并联的多个负温度系数半导体;分别与所述多个负温度系数半导体串联的多个导电线圈;所述多个导电线圈长度相同、匝数相同且以相同的方向缠绕在同一磁芯,形成同名端在同一侧的耦合电感。

权利要求书

1: 一种并联均流电路, 其特征在于, 包括 : 并联的多个负温度系数半导体 ; 分别与所述多个负温度系数半导体串联的多个导电线圈 ; 所述多个导电线圈长度相同、 匝数相同且以相同的方向缠绕在同一磁芯, 形成同名端 在同一侧的耦合电感。2: 根据权利要求 1 所述的并联均流电路, 其特征在于, 所述负温度系数半导体为晶闸管或二极管。

说明书


并联均流电路

    【技术领域】
     本发明涉及高频电力电子电路领域, 尤其涉及一种并联均流电路。背景技术
     随着在高频电力电子电路中功率密度的提高, 单个晶闸管 (Silicon Controlled Rectifier, SCR) 或二极管越来越难以满足电流应力和散热的需要, 需要使用 N(N ≥ 2) 个晶 闸管和二极管并联使用, 而晶闸管和二极管都属于负温度系数半导体, 不能直接并联使用, 通常采用串联电阻或者异名端耦合电感以使晶闸管和二极管并联均流。 采用串联电阻的方 式需要在电路中额外增加电阻, 而采用串联异名端耦合电感 ( 耦合电感的同名端在异侧 ) 的方式则无法实现稳态均流。发明内容
     本发明的实施例提供一种并联均流电路, 无需在电路中额外增加电阻即可实现稳 态均流。
     为解决上述技术问题, 本发明的实施例采用如下技术方案 :
     一种并联均流电路, 包括 :
     并联的多个负温度系数半导体 ;
     分别与所述多个负温度系数半导体串联的多个导电线圈 ;
     所述多个导电线圈长度相同、 匝数相同且以相同的方向缠绕在同一磁芯, 形成同 名端在同一侧的耦合电感。
     稳态下, 当某一支路中电流增大, 根据楞次定律, 耦合电感阻碍上述支路中电流的 增大, 相应的, 阻碍其他支路中电流的减小。 由于上述多个导电线圈长度相同、 匝数相同, 因 此每个导电线圈的阻抗 Z 相同, 且由于每个导电线圈以相同的方向缠绕在同一磁芯, 形成 同名端在同一侧的耦合电感, 因此每个导电线圈的电压 U 也相同, 根据电流 I 与电压 U 和阻 抗 Z 之间的关系, 即 I = U/Z, 可知流过每条导电线圈的电流相同, 即实现了多个二极管稳态 下的并联均流, 且不需要在电路中额外增加电阻。 附图说明
     为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案, 下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍, 显而易见地, 下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例, 对于本领域普通技术人员来讲, 在不付出创造性劳动的前提下, 还可以 根据这些附图获得其他的附图。
     图 1 为本发明实施例中一种二极管的并联均流电路图 ;
     图 2 为本发明实施例中一种晶闸管的并联均流电路图。 具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图, 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完 整地描述, 显然, 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例, 而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例, 本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例, 都属于本发明保护的范围。
     如图 1 所示, 本发明实施例提供了一种并联均流电路, 包括 : 并联的多个负温度系 数半导体, 本实施例中的负温度系数半导体为二极管 D ; 分别与多个负温度系数半导体即 二极管 D 串联的多个导电线圈 ; 多个导电线圈长度相同、 匝数相同且以相同的方向缠绕在 同一磁芯, 形成同名端在同一侧的耦合电感 L。
     稳态下, 当某一支路中电流增大, 根据楞次定律, 耦合电感阻碍上述支路中电流的 增大, 相应的, 阻碍其他支路中电流的减小, 迫使所有支路的电流趋于相等。由于上述多个 导电线圈长度相同、 匝数相同, 因此每个导电线圈的阻抗 Z 相同, 且由于每个导电线圈以相 同的方向缠绕在同一磁芯, 形成同名端在同一侧的耦合电感, 因此每个导电线圈的电压 U 也相同, 不会因为同名端在异侧而造成自感电压与互感电压的相互抵消, 根据电流 I 与电 压 U 和阻抗 Z 之间的关系, 即 I = U/Z, 可知流过每条导电线圈的电流相同, 即实现了多个 二极管稳态下的并联均流。由于实际电路中通常就有电感, 因此只需要将电路中已经有的 电感用于稳态下的并联均流, 与现有技术相比, 不需要在电路中额外增加电阻。 需要说明的 是, 图 1 中仅以两个二极管的并联为例说明本发明实施例, 两个以上的二极管并联的方式 与此相同。
     进一步地, 负温度系数半导体除可以为二极管 D 外, 还可以如图 2 所示, 为晶闸管 SCR。
     实现了多个晶闸管或二极管在稳态下的并联均流。由于实际电路中通常就有电 感, 因此只需要将电路中已经有的电感用于本方案即可实现稳态下的并联均流, 与现有技 术相比, 不需要在电路中额外增加电阻。
     以上所述, 仅为本发明的具体实施方式, 但本发明的保护范围并不局限于此, 任何 熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内, 可轻易想到变化或替换, 都应涵 盖在本发明的保护范围之内。 因此, 本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

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资源描述

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1、(10)申请公布号 CN 102497086 A (43)申请公布日 2012.06.13 C N 1 0 2 4 9 7 0 8 6 A *CN102497086A* (21)申请号 201110390174.X (22)申请日 2011.11.30 H02M 1/06(2006.01) (71)申请人华为技术有限公司 地址 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为 总部办公楼 (72)发明人邹相阳 章陶 (74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理 有限公司 11274 代理人申健 (54) 发明名称 并联均流电路 (57) 摘要 本发明公开了一种并联均流电路,涉及高频 电力电子电路领域,。

2、无需在电路中额外增加电阻 即可实现稳态均流。该并联均流电路包括:并联 的多个负温度系数半导体;分别与所述多个负温 度系数半导体串联的多个导电线圈;所述多个导 电线圈长度相同、匝数相同且以相同的方向缠绕 在同一磁芯,形成同名端在同一侧的耦合电感。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 1/1页 2 1.一种并联均流电路,其特征在于,包括: 并联的多个负温度系数半导体; 分别与所述多个负温度系数半导体串联的多个导电线圈; 所述多个导电线圈长度相同、匝数相同且以相同的。

3、方向缠绕在同一磁芯,形成同名端 在同一侧的耦合电感。 2.根据权利要求1所述的并联均流电路,其特征在于, 所述负温度系数半导体为晶闸管或二极管。 权 利 要 求 书CN 102497086 A 1/2页 3 并联均流电路 技术领域 0001 本发明涉及高频电力电子电路领域,尤其涉及一种并联均流电路。 背景技术 0002 随着在高频电力电子电路中功率密度的提高,单个晶闸管(Silicon Controlled Rectifier,SCR)或二极管越来越难以满足电流应力和散热的需要,需要使用N(N2)个晶 闸管和二极管并联使用,而晶闸管和二极管都属于负温度系数半导体,不能直接并联使用, 通常采用串。

4、联电阻或者异名端耦合电感以使晶闸管和二极管并联均流。采用串联电阻的方 式需要在电路中额外增加电阻,而采用串联异名端耦合电感(耦合电感的同名端在异侧) 的方式则无法实现稳态均流。 发明内容 0003 本发明的实施例提供一种并联均流电路,无需在电路中额外增加电阻即可实现稳 态均流。 0004 为解决上述技术问题,本发明的实施例采用如下技术方案: 0005 一种并联均流电路,包括: 0006 并联的多个负温度系数半导体; 0007 分别与所述多个负温度系数半导体串联的多个导电线圈; 0008 所述多个导电线圈长度相同、匝数相同且以相同的方向缠绕在同一磁芯,形成同 名端在同一侧的耦合电感。 0009 。

5、稳态下,当某一支路中电流增大,根据楞次定律,耦合电感阻碍上述支路中电流的 增大,相应的,阻碍其他支路中电流的减小。由于上述多个导电线圈长度相同、匝数相同,因 此每个导电线圈的阻抗Z相同,且由于每个导电线圈以相同的方向缠绕在同一磁芯,形成 同名端在同一侧的耦合电感,因此每个导电线圈的电压U也相同,根据电流I与电压U和阻 抗Z之间的关系,即IU/Z,可知流过每条导电线圈的电流相同,即实现了多个二极管稳态 下的并联均流,且不需要在电路中额外增加电阻。 附图说明 0010 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面。

6、描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以 根据这些附图获得其他的附图。 0011 图1为本发明实施例中一种二极管的并联均流电路图; 0012 图2为本发明实施例中一种晶闸管的并联均流电路图。 具体实施方式 说 明 书CN 102497086 A 2/2页 4 0013 下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例,都属于本发明保护的范围。 。

7、0014 如图1所示,本发明实施例提供了一种并联均流电路,包括:并联的多个负温度系 数半导体,本实施例中的负温度系数半导体为二极管D;分别与多个负温度系数半导体即 二极管D串联的多个导电线圈;多个导电线圈长度相同、匝数相同且以相同的方向缠绕在 同一磁芯,形成同名端在同一侧的耦合电感L。 0015 稳态下,当某一支路中电流增大,根据楞次定律,耦合电感阻碍上述支路中电流的 增大,相应的,阻碍其他支路中电流的减小,迫使所有支路的电流趋于相等。由于上述多个 导电线圈长度相同、匝数相同,因此每个导电线圈的阻抗Z相同,且由于每个导电线圈以相 同的方向缠绕在同一磁芯,形成同名端在同一侧的耦合电感,因此每个导。

8、电线圈的电压U 也相同,不会因为同名端在异侧而造成自感电压与互感电压的相互抵消,根据电流I与电 压U和阻抗Z之间的关系,即IU/Z,可知流过每条导电线圈的电流相同,即实现了多个 二极管稳态下的并联均流。由于实际电路中通常就有电感,因此只需要将电路中已经有的 电感用于稳态下的并联均流,与现有技术相比,不需要在电路中额外增加电阻。需要说明的 是,图1中仅以两个二极管的并联为例说明本发明实施例,两个以上的二极管并联的方式 与此相同。 0016 进一步地,负温度系数半导体除可以为二极管D外,还可以如图2所示,为晶闸管 SCR。 0017 实现了多个晶闸管或二极管在稳态下的并联均流。由于实际电路中通常就有电 感,因此只需要将电路中已经有的电感用于本方案即可实现稳态下的并联均流,与现有技 术相比,不需要在电路中额外增加电阻。 0018 以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何 熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵 盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。 说 明 书CN 102497086 A 1/1页 5 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102497086 A 。

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