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蒽衍生物、 使用它的发光元件和使用它的发光器件
     本 申 请 为 分 案 申 请， 原 申 请 的 申 请 日 为 2005 年 12 月 26 日， 申请号为 200580045241.7( 国际申请号为 PCT/JP2005/024206， 分案申请号为 201010248545.6)， 发 明名称为 “蒽衍生物、 使用它的发光元件和使用它的发光器件” 。技术领域
     本发明涉及蒽衍生物， 和尤其， 涉及能够用作制造发光元件的材料的蒽衍生物。 背景技术 近年来， 用于显示器和类似器件中的许多发光元件具有一种结构， 其中含有发光 物质的层被插入在一对电极之间。 当通过从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空 穴的复合所产生的激子返回到基态时， 此类发光元件会发射光。
     为了获得具有优异的发光效率和良好色度的发光元件或能够防止光猝灭等的发 光元件， 已经在发光元件的领域中进行了与用作制造这类发光元件的材料的物质有关的各 种研究。
     例如， 专利文献 1 公开了具有优异的发光效率和长期耐久性的有机 EL 元件的材 料。
     同时， 在发光元件中， 电流通过空穴或电子的传输在电极之间流动。在这种情况 下， 接收空穴或电子等的发光物质， 或被氧化或还原等的发光物质有时无法返回到中性状 态， 并且改变为具有不同性能和不同结构的不同物质。当发光物质的性能和结构的变化得 到积累时， 发光元件的特性会也会发生变化。
     因此， 对于性能难以因为氧化或还原而变化的发光物质的开发是高度期望的。
     专利文献 1 ： 日本专利申请公开 No.2001-131541。
     发明内容 本发明的目的是提供一种物质， 它对于氧化反应的重复具有高耐受作用并且能够 用作发光元件的材料。 另外， 本发明的另一个目的是提供发光元件和发光器件， 各自由于在 氧化反应的重复所引起的物质特性的变化而在发光元件的工作特性上的劣化将会减少。
     本发明的一方面是由通式 (1) 表示的蒽衍生物。
     在通式 (1) 中， R1 代表氢或具有 1-4 个碳原子的烷基。R2 表示氢， 具有 1-4 个碳原 子的烷基和具有 6 到 12 个碳原子的芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代基。 R3 表示氢， 具有 1-4 个碳原子的烷基， 和具有 6 到 12 个碳原子的芳基中的任何一个。芳基 1 可具有取代基或没有取代基。Ph 表示苯基。苯基可具有取代基或没有取代基。X1 表示具 有 6 到 15 个碳原子的亚芳基。亚芳基可具有取代基或没有取代基。
     本发明的另一个方面是由通式 (2) 表示的蒽衍生物。
     在通式 (2) 中， R4 表示氢或具有 1-4 个碳原子的烷基。R5 和 R6 表示氢， 或键接于 7 8 9 彼此的芳族环， 以及 R 和 R 表示氢， 或键接于彼此的芳族环。R 表示氢， 具有 1-4 个碳原子 的烷基， 和具有 6 到 12 个碳原子的芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代基。 10 R 表示氢， 具有 1-4 个碳原子的烷基， 和具有 6 到 12 个碳原子的芳基中的任何一个。芳基 2 可具有取代基或没有取代基。Ph 表示苯基。苯基可具有取代基或没有取代基。
     本发明的另一个方面是由通式 (3) 表示的蒽衍生物。
     在通式 (3) 中， R11 表示氢或具有 1-4 个碳原子的烷基。R12 表示氢， 具有 1-4 个碳 原子的烷基， 和具有 6 到 12 个碳原子的芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代 13 基。R 表示氢， 具有 1-4 个碳原子的烷基， 和具有 6 到 12 个碳原子的芳基中的任何一个。 3 芳基可具有取代基或没有取代基。Ph 表示苯基。苯基可具有取代基或没有取代基。
     本发明的另一个方面是由通式 (4) 表示的蒽衍生物。在通式 (4) 中， R14 表示氢， 具有 1-4 个碳原子的烷基， 和具有 6 到 12 个碳原子的 15 芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代基。R 表示氢， 具有 1-4 个碳原子的烷
     基， 和具有 6 到 12 个碳原子的芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代基。Ph4 表示苯基。苯基可具有取代基或没有取代基。
     本发明的另一个方面是由通式 (5) 表示的蒽衍生物。
     在通式 (5) 中， R16 表示氢或具有 1-4 个碳原子的烷基。
     本发明的另一个方面是由通式 (6) 表示的蒽衍生物。
     在通式 (6) 中， X2 表示具有 6 到 15 个碳原子的亚芳基。亚芳基可具有取代基或没 有取代基。
     本发明的另一个方面是由通式 (7) 表示的蒽衍生物。在通式 (7) 中， R17 表示氢， 具有 1-4 个碳原子的烷基， 和具有 6 到 12 个碳原子的 芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代基。
     本发明的另一个方面是由通式 (8) 表示的蒽衍生物。
     在通式 (8) 中， R18 表示氢， 具有 1-4 个碳原子的烷基， 和具有 6 到 12 个碳原子的 芳基中的任何一个。芳基可具有取代基或没有取代基。
     本发明的另一个方面是具有在电极之间的层的发光元件， 该层含有由通式 (1) 到 (8) 中的任何一个表示的蒽衍生物。
     本发明的另一个方面是采用含有由通式 (1) 到 (8) 中的任何一个表示的蒽衍生物 的发光元件的发光器件。
     本发明的另一个方面是在像素部中具有发光元件的发光器件， 该发光元件含有由 通式 (1) 到 (8) 中的任何一个表示的蒽衍生物。
     本发明的另一个方面是装有发光器件的电子设备， 该发光器件采用含有由通式 (1) 到 (8) 中的任何一个表示的蒽衍生物的发光元件。
     根据本发明， 能够获得高度耐氧化反应的重复进行的物质， 后者能够用作制造发 光元件的材料。 另外， 根据本发明， 有可能获得高度耐氧化反应的重复进行和耐还原反应的 重复进行的物质， 后者能够用作制造发光元件的材料。
     通过实施本发明， 有可能获得发光元件， 其中在由物质 ( 它用于在电极之间提供 的层中 ) 的氧化反应的重复进行所引起的元件特性上的劣化能够减少。还有可能获得发光 元件， 它能够长时间稳定地发光并且由于氧化反应的重复进行而由发光物质的性能变化所 引起的发光元件的特性变化将显得较低。
     附图概述
     图 1 是解释本发明的发光元件的横剖面视图 ；
     图 2 是解释本发明的发光元件的横剖面视图 ；
     图 3 是解释本发明所应用的发光器件的顶视图 ；
     图 4 是解释包括在本发明所应用的发光器件中的电路的图解 ； 图 5 是本发明所应用的发光器件的顶视图 ； 图 6 是解释本发明所应用的发光器件的帧操作 (flame operation) 的图解 ；图 7 是解释包括在本发明所应用的发光器件中的电路的图解 ；
     图 8A 到 8C 是本发明所应用的发光器件的横剖面视图 ；
     图 9A 到 9C 是本发明所应用的电子设备的图解 ；
     图 10 是显示本发明的蒽衍生物的吸收光谱的图解 ；
     图 11 是显示本发明的蒽衍生物的吸收光谱的图解 ；
     图 12A 和 12B 是显示了由本发明的蒽衍生物的循环伏安法 (CV) 得到的测量结果 的图解 ；
     图 13A 和 13B 是在合成实施例 1 中合成的 PCA 的 1H-NMR 图 ；
     图 14A 和 14B 是在合成实施例 1 中合成的 PCABPA 的 1H-NMR 图 ；
     图 15 是解释在一个实施方案中制造的发光元件的横剖面视图 ；
     图 16 是显示在实施方案 2 中制造的发光元件的亮度 - 电压特性的图解 ；
     图 17 是显示在实施方案 2 中制造的发光元件的亮度 - 电流效率特性的图解 ；
     图 18 是显示在实施方案 2 中制造的发光元件的发射光谱的图解 ；
     图 19 是显示在实施方案 3 中制造的发光元件的亮度 - 电压特性的图解 ；
     图 20 是显示在实施方案 3 中制造的发光元件的亮度 - 电流效率特性的图解 ；
     图 21 是显示在实施方案 3 中制造的发光元件的发射光谱的图解 ； 图 22 是显示在实施方案 4 中制造的发光元件的亮度 - 电压特性的图解 ； 图 23 是显示在实施方案 4 中制造的发光元件的亮度 - 电流效率特性的图解 ； 图 24 是显示在实施方案 4 中制造的发光元件的发射光谱的图解 ； 图 25 是显示在实施方案 5 中制造的发光元件的亮度 - 电压特性的图解 ； 图 26 是显示在实施方案 5 中制造的发光元件的亮度 - 电流效率特性的图解 ； 图 27 是显示在实施方案 5 中制造的发光元件的发射光谱的图解 ； 图 28 是显示在实施方案 6 中制造的发光元件的亮度 - 电压特性的图解 ； 图 29 是显示在实施方案 6 中制造的发光元件的亮度 - 电流效率特性的图解 ； 图 30 是显示在实施方案 6 中制造的发光元件的发射光谱的图解 ； 图 31 是显示在实施方案 7 中制造的发光元件的亮度 - 电压特性的图解 ； 图 32 是显示在实施方案 7 中制造的发光元件的亮度 - 电流效率特性的图解 ； 图 33 是显示在实施方案 7 中制造的发光元件的发射光谱的图解 ； 图 34 是显示在实施方案 8 中制造的发光元件的亮度 - 电压特性的图解 ； 图 35 是显示在实施方案 8 中制造的发光元件的亮度 - 电流效率特性的图解 ； 图 36 是显示在实施方案 8 中制造的发光元件的发射光谱的图解 ； 图 37 是显示在实施方案 9 中制造的发光元件的亮度 - 电压特性的图解 ； 图 38 是显示在实施方案 9 中制造的发光元件的亮度 - 电流效率特性的图解 ； 图 39 是显示在实施方案 9 中制造的发光元件的发射光谱的图解 ； 图 40 是显示在实施方案 10 中制造的发光元件的亮度 - 电压特性的图解 ； 图 41 是显示在实施方案 10 中制造的发光元件的亮度 - 电流效率特性的图解 ； 图 42 是显示在实施方案 10 中制造的发光元件的发射光谱的图解 ； 图 43 是显示在实施方案 11 中制造的发光元件的亮度 - 电压特性的图解 ； 图 44 是显示在实施方案 11 中制造的发光元件的亮度 - 电流效率特性的图解 ；图 45 是显示在实施方案 11 中制造的发光元件的发射光谱的图解 ； 图 46 是解释本发明的发光器件的一种样式的示意性图解 ； 图 47A 和 47B 是在合成实施例 2 中合成的 PCABBA 的 1H-NMR 图 ； 图 48 是显示本发明的蒽衍生物的吸收光谱的图解 ； 和 图 49 是显示本发明蒽衍生物的发射光谱的图解。具体实施方式
     以下描述根据本发明的实施方案样式。 本领域中的那些技术人员能够容易地理解 的是， 在这里公开的实施方案样式和细节能够在不脱离本发明的目的和范围的前提下以各 种方式加以改变。本发明不得解释为限于以下给出的实施方案的描述。
     实施方案样式 1
     描述本发明的蒽衍生物的一种样式。
     作为本发明的蒽衍生物， 能够给出由下列结构式 (1) 到 (40) 表示的蒽衍生物。
     这些蒽衍生物能够通过进行例如由下面合成路线 (a-1) 表示的， 在骨架中含有蒽 如 9， 10- 二溴芳基蒽的化合物 A 和在骨架中含有芳基氨基咔唑的化合物 B 的偶联反应来获 得。此外， 合成本发明蒽衍生物的方法不局限于这里描述的合成方法并且本发明蒽衍生物 能够通过其它合成方法来合成。
     在合成路线 (a-1) 中， R19 表示氢或叔丁基。R20 表示选自具有 1-4 个碳原子的烷 基， 如氢， 甲基， 乙基和叔丁基， 和具有 1 到 12 个碳原子的芳基如苯基、 联苯基和萘基当中的 5 一个基团。此外， 芳基可具有取代基或没有取代基。Ph 表示苯基。苯基可具有取代基或没 3 有取代基。X 表示具有 6 到 15 个碳原子的亚芳基如亚苯基， 亚萘基， 亚蒽基， 和 9， 9- 二甲 基芴 -2， 7- 二基。
     化合物 A 能够按照合成路线 (a-2) 表示的方法， 使用二溴芳烃 ( 化合物 C) 和在骨 架中含有蒽醌的化合物作为主要原材料来获得的。同时， 化合物 B 能够通过在骨架中含有 咔唑的化合物的第三位置上用溴取代氢， 然后通过进行反应使得氨基取代溴来获得， 按照 合成路线 (a-3) 表示的方法。
     虽然 9， 10- 双 ( 溴芳基 ) 蒽用作化合物 A， 它具有蒽骨架， 在这一实施方案样式中， 9， 10- 双 ( 碘芳基 ) 蒽或类似物也可以使用。在合成路线 (a-2) 中， 9， 10- 双 ( 碘芳基 ) 蒽 能够通过使用二碘芳烃如 1， 5- 二碘萘和 2， 7- 二碘 -9， 9- 二甲基芴作为化合物 C 的替代物 来获得。此外， 该 1， 5- 二碘萘， 该 2， 7- 二碘 -9， 9- 二甲基芴和类似物能够通过下面方式进 行合成来获得。首先， 该 1， 5- 二碘萘能够如下获得 ： 在 1， 5- 二氨基萘中含的氨基通过使用 亚硝酸钠和浓硫酸被改变为重氮盐， 然后该重氮盐通过使用碘化钾来置换成碘。 此外， 该 2，
     7- 二碘 -9， 9- 二甲基芴能够如下获得 ： 芴的第二位和第七位过使用原高碘酸来碘化， 和然 后碘化的芴的第九位通过使用氢氧化钠溶液， 苄基三甲基铵氯化物和碘代甲烷在二甲亚砜 ( 缩写 ： DMSO) 中二甲基化。
     如以上所述， 本发明的蒽衍生物耐氧化反应的重复进行。该蒽衍生物有时也耐还 原反应的重复进行以及氧化反应的重复进行。另外， 如上所述的本发明蒽衍生物能够发射 蓝光。 因此， 蒽衍生物能够用作制造蓝光发射元件的发光物质。 因为如上所述的本发明的蒽 衍生物具有在 HOMO 能级和 LUMO 能级之间的大能隙， 它能够用作用于分散发射出红光至蓝 光的发光物质的物质， 或基质材料。 通过使用本发明的蒽衍生物作为发光物质或基质材料， 有可能获得在由于氧化反应的重复进行所引起的基质性能上有较低变化的发光元件， 其中 随着发光时间等的积聚在驱动电压上的提高也会减少。
     实施方案样式 2
     使用本发明的蒽衍生物作为发光物质的发光元件的一个样式将参考图 1 来描述。
     在第一电极 101 和第二电极 102 之间有发光层 113 的发光元件示于图 1 中。发光 层 113 含有由通式 (1) 至 (8) 以及结构式 (1) 至 (40) 中的任何一个表示的本发明蒽衍生 物。
     在该发光元件中， 从第一电极 101 注入的空穴和从第二电极 102 注入的电子在发 光层 113 处复合， 这使得本发明的蒽衍生物被激发。处于激发态的本发明的蒽衍生物在返 回到基态时发射光。因此， 本发明的蒽衍生物作为发光物质。
     该发光层 113 优选是这样的层， 其中由通式 (1) 到 (8) 和结构式 (1) 到 (40) 中 的任何一个表示的本发明蒽衍生物被分散在能隙大于本发明的蒽衍生物的能隙的物质中。 这能够防止由于浓集， 从本发明的蒽衍生物发射的光消灭。此外， 该能隙表示 LUMO 能级和 HOMO 能级之间的能隙。
     虽然用于分散本发明的蒽衍生物的物质没有特别限制， 但是除了蒽衍生物如 2- 叔丁基 -9， 10- 二 (2- 萘基 ) 蒽 ( 缩写 ： t-BuDNA) 和咔唑衍生物如 4， 4′ - 二 (N- 咔唑 基 ) 联苯 ( 缩写 ： CBP) 之外， 金属配合物如双 [2-(2- 羟基苯基 ) 吡啶合 ] 锌 ( 缩写 ： Znpp2) 和双 [2-(2- 羟基苯基 ) 苯并 唑合 ] 锌 ( 缩写 ： Zn(BOX)2) 等是优选的。一种或多种物质 可以选自上述的物质并混合在本发明的蒽衍生物中以便将本发明的蒽衍生物分散在一种 或多种物质中。其中混入了多种化合物的这样的层能够通过共蒸镀来形成。共蒸镀是一种 蒸镀方法， 其中原材料分别地从在一个加工室中提供的多个蒸镀源蒸发以及蒸发的原材料 在气态下混合以便沉积在目标材料上。 同时， 第一电极 101 和第二电极 102 没有特别限制。它们能够通过除了氧化铟 锡 (ITO)， 含有氧化硅的氧化铟锡和含有 2-20wt ％氧化锌的氧化铟之外， 使用金 (Au)， 铂 (Pt)， 镍 (Ni)， 钨 (W)， 铬 (Cr)， 钼 (Mo)， 铁 (Fe)， 钴 (Co)， 铜 (Cu)， 钯 (Pd) 和类似物来形成。 第一电极 101 也能够除铝之外通过使用镁和银的合金， 铝和锂的合金或类似物来形成。此 外， 形成第一电极 101 和第二电极 102 的方法没有特别限制。例如， 它们能够通过使用溅射 法， 蒸镀或类似方法来形成。为了将光发射到外部， 第一电极 101 和第二电极 102 中的一个 或两者优选通过使用氧化铟锡或类似物或通过使用银、 铝或类似物来形成到几个 nm 到几 十个 nm 的厚度， 以使可见光可以透过。
     如图 1 中所示， 空穴传输层 112 可以提供在第一电极 101 和发光层 113 之间。 空穴
     传输层是具有将从第一电极 101 注入的空穴传输到发光层 113 的功能的层。 因此， 提供空穴 传输层 112 有可能增大在第一电极 101 和发光层 113 之间的距离。结果， 有可能防止由于 在第一电极 101 等中所含的金属而使得光发射消灭。空穴传输层优选通过使用具有强空穴 传输特性的物质来形成。尤其， 空穴迁移率为 1×10-6cm2/Vs 或更多的物质优选用于形成空 穴传输层。 此外， 具有强劲的空穴传输特性的物质是这样的一种物质， 它的空穴迁移率强于 电子迁移率以及空穴迁移率与电子迁移率的比率 ( 即空穴迁移率 / 电子迁移率 ) 是 100 或 更多。作为能够用于形成空穴传输层 112 的物质的特定例子， 能够给出 4， 4’ - 双 [N-(1- 萘 基 )-N- 苯基氨基 ] 联苯 ( 缩写 ： NPB)， 4， 4’ - 双 [N-(3- 甲基苯基 )-N- 苯基氨基 ] 联苯 ( 缩 写： TPD)， 4， 4’ ， 4” - 三 (N， N- 二苯基氨基 ) 三苯胺 ( 缩写 ： TDATA)， 4， 4’ ， 4” - 三 [N-(3- 甲 基苯基 )-N- 苯基氨基 ] 三苯胺 ( 缩写 ： MTDATA)， 4， 4’ - 双 {N-[4-(N， N- 二 - 间 - 甲苯基氨 基 ) 苯基 ]-N- 苯基 - 氨基 } 联苯 ( 缩写 ： DNTPD)， 1， 3， 5- 三 [N， N- 二 ( 间甲苯基 ) 氨基 ] 苯 ( 缩写 ： 间 -MTDAB)， 4， 4’ ， 4” - 三 (N- 咔唑基 ) 三苯胺 ( 缩写 ： TCTA)， 酞菁 ( 缩写 ： H2Pc)， 铜酞菁 ( 缩写 ： CuPc)， 氧钒基酞菁 ( 缩写 ： VOPc) 等等。此外， 空穴传输层 112 可以是具有 多层结构的层， 它是通过结合两个或多个的包括上述物质的层所形成的。
     同时， 如图 1 中所示， 电子传输层 114 可以提供在第二电极 102 和发光层 113 之间。 电子传输层是具有将从第二电极 102 注入的电子传输到发光层 113 的功能的层。 因此， 通过 提供电子传输层 114 有可能增大在第二电极 102 和发光层 113 之间的距离。 结果， 有可能防 止由于在第二电极 102 等中所含的金属而使得光发射消灭。电子传输层优选通过使用具有 强的电子传输特性的物质来形成。尤其， 电子迁移率为 1×10-6cm2/Vs 或更高的物质优选用 于形成电子传输层。 此外， 具有强劲的电子传输特性的物质是这样的一种物质， 它的电子迁 移率强于空穴迁移率以及电子迁移率与空穴迁移率的比率 ( 即电子迁移率 / 空穴迁移率 ) 是 100 或更多。 作为用于形成电子传输层 114 的物质的特定例子， 能够给出金属配合物如三 (8- 喹啉醇合 ) 铝 ( 缩写 ： Alq3)， 三 (4- 甲基 -8- 喹啉醇合 ) 铝 ( 缩写 ： Almq3)， 双 (10- 羟基 苯并 [h]- 喹啉合 ) 铍 ( 缩写 ： BeBq2)， 双 (2- 甲基 -8- 喹啉醇合 )-4- 苯基苯酚合 - 铝 ( 缩 写： BAlq)， 双 [2-(2- 羟基苯基 ) 苯并 基 )-1， 3， 4唑合 ] 锌 ( 缩写 ： Zn(BOX)2)， 和双 [2-(2- 羟基苯 二唑 -2- 基 ] 苯 基 ) 苯并噻唑合 ] 锌 ( 缩写 ： Zn(BTZ)2)。另外， 能够给出 2-(4- 联苯基 )-5-(4- 叔 - 丁基苯 二唑 ( 缩写 ： PBD)， 1， 3- 双 [5-(p- 叔 - 丁基苯基 )-1， 3， 4( 缩写 ： OXD-7)， 3-(4- 叔 - 丁基苯基 )-4- 苯基 -5-(4- 联苯基 )-1， 2， 4- 三唑 ( 缩写 ： TAZ)， 3-(4- 叔 - 丁基苯基 )-4-(4- 乙基苯基 )-5-(4- 联苯基 )-1， 2， 4- 三唑 ( 缩写 ： p-EtTAZ)， 红菲绕啉 ( 缩写 ： BPhen)， 浴铜灵 ( 缩写 ： BCP)， 4， 4- 双 (5- 甲基苯并 唑 -2- 基 ) (缩 写： BzOs) 等等。此外， 电子传输层 114 可以是具有多层结构的层， 它是通过结合两个或多 个的包括上述物质的层所形成的。
     除上述的物质之外， 空穴传输层 112 和电子传输层 114 中的每一种可通过使用双 极性物质来形成。 该双极性物质是这样一种物质， 当比较电子迁移率和空穴迁移率时， 一种 载流子的迁移率与另一种载流子的迁移率的比率是 100 或更低， 和优选 10 或更低。作为双 极性物质， 能够给出， 例如 2， 3- 双 (4- 二苯基氨基苯基 ) 喹喔啉 ( 缩写 ： TPAQn) 等等。在 -6 2 双极性物质之中， 尤其， 具有 1×10 cm /Vs 或更高的空穴和电子迁移率的物质是优选使用 的。同时， 空穴传输层 112 和电子传输层 114 可以通过使用相同的双极性物质来形成。
     如图 1 中所示， 空穴注入层 111 也可以提供在第一电极 101 和空穴传输层 112 之间。空穴注入层 111 是可以帮助空穴从第一电极 101 注入到空穴传输层 112 中的层。通过 提供空穴注入层 111， 有可能减少在第一电极 101 和空穴传输层 112 之间的电离电位差异， 以使空穴容易地注入。该空穴注入层 111 优选通过使用电离电位低于空穴传输层 112 的物 质的电离电位并且高于形成第一电极 101 所用的物质的电离电位的物质或通过使用当作 为 1-2nm 厚度的薄膜提供在空穴传输层 112 和第一电极 101 之间时能带发生弯曲的物质来 形成。作为能够用于形成空穴注入层 111 的物质的特定例子， 能够给出酞菁化合物如酞菁 ( 缩写 ： H2Pc) 和铜酞菁 ( 缩写 ： CuPc)， 聚合物如聚 ( 亚乙基二氧基噻吩 )/ 聚 ( 苯乙烯磺酸 盐 ) 水溶液 ( 缩写 ： PEDOT/PSS) 等。即， 空穴注入层 111 能够通过从具有空穴传输特性的 物质中选择物质来形成， 借助于该物质， 使空穴注入层 111 中的电离电位相对小于空穴传 输层 112 的电离电位。此外， 当提供空穴注入层 111 时， 第一电极 101 优选通过使用具有高 的功函数的物质如氧化铟锡来形成。
     电子注入层 115 也可以提供在第二电极 102 和电子传输层 114 之间， 如图 1 中所 示。电子注入层 115 是具有帮助电子从第二电极 102 注入到电子传输层 114 的功能的层。 通过提供电子注入层 115， 有可能减少在第二电极 102 和电子传输层 114 之间的电子亲合性 的差异， 使得电子容易地注入。电子注入层 115 优选通过使用电子亲合性高于包含在电子 传输层 114 中的物质的电子亲合性并低于包含在第二电极 102 中的物质的电子亲合性的物 质， 或通过使用当作为 1-2nm 厚度的薄膜提供在电子传输层 114 和第二电极 102 之间时能 带发生弯曲的物质来形成。作为能够用于形成电子注入层 115 的物质的特定例子， 能够给 出无机材料如碱金属， 碱土金属， 碱金属的氟化物， 碱土金属的氟化物， 碱金属氧化物， 和碱 土金属氧化物。除该无机材料之外， 在能够用于形成电子传输层 114 的物质如 BPhen， BCP， p-EtTAZ， TAZ 和 BzOs 当中， 具有比用于形成电子传输层 114 的物质的电子亲合性更高的电 子亲合性的物质能够被选择来用于形成电子注入层 115。 即， 使得电子注入层 115 的电子亲 合性相对高于电子传输层 114 的电子亲合性的物质选自具有电子传输性能的物质， 从而能 够形成电子注入层 115。此外， 当提供电子注入层 115 时， 第一电极 101 优选通过使用具有 低功函数的物质如铝来形成。
     在如上所述的本发明的发光元件中， 空穴注入层 111， 空穴传输层 112， 发光层 113， 电子传输层 114 和电子注入层 115 可以通过分别使用任何方法来形成， 如蒸镀， 墨喷和 涂敷法。此外， 第一电极 101 和第二电极 102 可通过使用任何方法如溅射和蒸镀来形成。
     另外， 空穴产生层可以作为空穴注入层 111 的替代物来提供。另外地， 电子产生层 可以作为电子注入层 115 的替代物来提供。
     该空穴产生层是产生空穴的层。 空穴产生层能够通过将空穴迁移率强于电子迁移 率的物质与对于空穴迁移率强于电子迁移率的该物质显示出电子接受性能的物质进行混 合来形成。 空穴产生层也能够通过将选自双极性物质中的至少一种物质与对于双极性物质 显示出电子接受性能的物质混合来形成。作为空穴迁移率强于电子迁移率的物质， 能够使 用与能够用于形成空穴传输层 112 的物质相同的物质。作为双极性物质， 能够使用双极性 物质如 TPAQn。同样， 在具有比电子迁移率更强的空穴迁移率的物质以及双极性物质当中， 尤其， 在骨架中含有三苯胺的物质是优选使用的。 通过使用在骨架中含有三苯胺的物质， 有 可能更容易地产生空穴。作为显示出该电子接受性能的物质， 金属氧化物如氧化钼， 氧化 钒， 氧化钌和氧化铼是优选使用的。此外， 该电子产生层是产生电子的层。电子产生层能够通过将电子迁移率强于空 穴迁移率的物质与对于电子迁移率强于空穴迁移率的物质显示出电子给予性能的物质进 行混合来形成。 电子产生层也能够通过将选自双极性物质中的至少一种物质与对于双极性 物质显示出电子给予性能的物质混合来形成。这里， 作为电子迁移率强于空穴迁移率的物 质， 能够使用与能够用于形成电子传输层 114 的物质相同的物质。作为双极性物质， 能够 使用上述的双极性物质如 TPAQn。作为显示出该电子给予性能的物质， 能够使用选自碱金 属和碱土金属中的物质。具体地说， 选自氧化锂 (Li2O)， 氧化钙 (CaO)， 氧化钠 (Na2O)， 氧化 钾 (K2O) 和氧化镁 (MgO) 中的至少一种物质能够用作显示出电子给予性能的物质。另外， 碱金属氟化物或碱土金属氟化物， 和具体地说， 选自氟化锂 (LiF)， 氟化铯 (CsF) 和氟化钙 (CaF2) 中的至少一种物质能够用作显示出电子给予性能的物质。 此外， 碱金属氮化物， 碱土 金属氮化物等， 或具体地说， 选自二氮化三钙、 氮化镁和类似物中的至少一种物质能够用作 显示出电子给予性能的物质。
     因为具有上述结构的本发明的发光元件使用本发明的蒽衍生物， 所以， 根据由于 氧化反应的重复进行在发光物质的性能上的变化， 在发光元件的特性上有较少的变化。结 果， 该发光元件能够长时间稳定地发光。 另外， 因为包括上述结构的本发明的发光元件使用 本发明的蒽衍生物， 它能够高效地发光。 实施方案样式 3
     当本发明的蒽衍生物与发光物质一起包括在发光层中时， 该蒽衍生物能够用作分 散该发光物质的物质或用作基质材料。在实施方案样式 3 中， 使用本发明的蒽衍生物作为 基质材料的发光元件的样式将参考图 2 来描述。
     图 2 显示了在第一电极 201 和第二电极 202 之间有发光层 213 的发光元件。空穴 注入层 211 和空穴传输层 212 提供在第一电极 201 和发光层 213 之间， 而电子传输层 214 和 电子注入层 215 提供在第二电极 202 和发光层 213 之间。此外， 发光元件的叠层结构没有 特别限制。 本发明在实施时可以任意地决定是否提供或不提供空穴注入层 211， 空穴传输层 212， 电子传输层 214， 电子注入层 215 和除这些层之外的其它层。此外， 该空穴注入层 211， 空穴传输层 212， 电子传输层 214 和电子注入层 215 可以与在实施方案样式 2 中描述的空穴 注入层 111， 空穴传输层 112， 电子传输层 114 和电子注入层 115 相同， 因此这些无需进一步 在这一实施方案样式中描述。类似地， 因为第一电极 201 和第二电极 202 可以分别与在实 施方案样式 1 中描述的第一电极 101 和第二电极 102 相同， 它们无需进一步在这里描述。
     在本实施方案样式的发光元件中， 发光层 213 含有本发明的蒽衍生物以及具有在 450 到 700nm 范围内， 和优选 480nm 到 600nm 范围内的光谱峰的发光物质。具体地说， 该发 光物质分散在使用本发明的蒽衍生物所形成的层中。 通过使用该物质和本发明的蒽衍生物 的组合， 能够获得发光元件， 其中来自基质材料的光难以混合并且由发光物质引起的光能 够有选择地发射。
     另外， 本发明的蒽衍生物耐氧化反应的重复进行。 此外， 本发明的蒽衍生物有时耐 还原反应的重复进行以及耐氧化反应的重复进行。因此， 对于基质材料被激发和通过将如 此引起的激发能转移到发光物质来发射光的发光元件而言， 由于氧化反应的重复进行而在 基质材料的特性上有较少变化， 以及随着发光时间等的积聚所引起的驱动电压的增加能够 减少。
     实施方案样式 4
     因为在实施方案样式 2 和 3 中描述的本发明的发光元件耐氧化反应的重复进行 ( 它有时还耐还原反应的重复进行 ) 并且能够长时间稳定地发光， 所以， 长时间显示理想图 像的发光器件能够通过使用本发明的发光元件来获得。
     在这一实施方案样式中， 具有显示功能的发光器件的电路结构和驱动方法将参考 图 3， 4， 5 和 6 来描述。
     图 3 是本发明所应用的发光器件的示意性顶视图。在图 3 中， 在基板 6500 上提供 像素部 6511， 源信号线驱动电路 6512， 写入栅信号线驱动电路 6513 和擦除栅信号线驱动 电路 6514。源信号线驱动电路 6512， 写入栅信号线驱动电路 6513 和擦除栅信号线驱动电 路 6514 分别地通过布线组被连接到 FPC( 挠性印刷电路 )6503， 它们是外部输入终端。源 信号线驱动电路 6512， 写入栅信号线驱动电路 6513 和擦除栅信号线驱动电路 6514 分别 从 FPC 6503 接收视频信号， 时钟信号， 起始信号， 复位信号等等。FPC 6503 与印刷布线板 (PWB)6504 连接。此外， 不需要在与像素部 6511 同一基板上形成驱动电路部。例如， 通过采 用 TCP( 其中 IC 芯片安装在具有布线图案的 FPC 上 ) 或类似物， 在基板之外提供驱动电路 部分。 按列延伸的多个源信号线在像素部 6511 中按行排列。同时， 供电线路按行排列。 按行延伸的多个栅信号线在像素部 6511 中按列排列。另外， 各自包括发光元件的多个电路 在像素部 6511 中排列。
     图 4 是显示了操作一个像素的电路的图解。如图 4 中所示的电路包括第一晶体管 901， 第二晶体管 902 和发光元件 903。
     第一和第二晶体管 901 和 902 中的每一个是包括栅电极， 漏极区和源极区的三端 子元件。沟道区插入在该漏极区和该源极区之间。作为源极区的区域和作为漏极区的区域 将取决于晶体管的结构、 操作条件等来变化， 因此难以确定那一个区域作为源极区或漏极 区。因此， 作为源极区或漏极区的区域在这一实施方案样式中分别地被表示为第一电极和 第二电极。
     提供栅信号线 911 和写入栅信号线驱动电路 913， 它们通过开关 918 来彼此电连接 或断开。 提供栅信号线 911 和擦除栅信号线驱动电路 914， 它们通过开关 919 来彼此电连接 或断开。提供源信号线 912， 以便借助于开关 920 被电连接到源信号线驱动电路 915 或电 源 916。第一晶体管 901 的栅被电连接到该栅信号线 911。第一晶体管的第一电极被电连 接到源信号线 912， 而它的第二电极被电连接到第二晶体管 902 的栅电极。第二晶体管 902 的第一电极被电连接到供电线 917， 而它的第二电极被电连接到包括在发光元件 903 中的 一个电极。此外， 该开关 918 可以包括在写入栅信号线驱动电路 913 中。该开关 919 也可 以包括在擦除栅信号线驱动电路 914 中。另外， 该开关 920 可以包括在源信号线驱动电路 915 中。
     晶体管， 发光元件等在像素部中的排列没有特别限制。例如， 能够使用如在图 5 的 顶视图中所示的排列。在图 5 中， 第一晶体管 1001 的第一电极被连接到源信号线 1004， 而 第一晶体管的第二电极连接到第二晶体管 1002 的栅电极。第二晶体管的第一电极连接到 供电线 1005 和第二晶体管的第二电极连接到发光元件的电极 1006。 栅信号线 1003 的一部 分用作第一晶体管 1001 的栅电极。
     接着在下面描述用于驱动该发光器件的方法。图 6 是解释一个帧随时间推移的操 作的图解。在图 6 中， 水平方向指示时间经过， 而纵向指示栅信号线的扫描级数。
     当图像显示在本发明的发光器件上时， 在显示期间反复地进行重写操作。重写操 作的次数没有特别限制。然而， 该重写操作优选进行约 60 次 /1 秒， 使得观看显示图像的人 无法看出图像的闪烁。操作该重写操作和一个图像 ( 一个帧 ) 的显示操作的时间在这里称 为一个帧周期。
     如图 6 中所示， 一个帧被分成四个副帧 501， 502， 503 和 504， 包括写入期 501a， 502a， 503a 和 504a 和保持期 501b， 502b， 503b 和 504b。被施加发射光的信号的发光元件将 在保持期中发射光。在第一副帧 501， 第二副帧 502， 第三副帧 503 和第四副帧 504 中保持 3 2 1 0 期的长度比满足 2 ∶ 2 ∶ 2 ∶ 2 ＝ 8 ∶ 4 ∶ 2 ∶ 1。这允许该发光器件显示出 4- 位灰 度标。此外， 位的数目和灰度标的数目不局限于在这一实施方案样式中所示的那些。例如， 一个帧可以分成八个副帧从而实现 8 位灰度标。
     下面描述在一个帧中的操作。在副帧 501 中， 写入操作首先按顺序在第一行到最 后一行中进行。因此， 写入期的起始时间对于各行都有变化。保持期 501b 按顺序在写入期 501a 已经终止的各行中开始。在保持期 501b 中， 施加了发射光的信号的发光元件保持在 发光状态。在终止该保持期 501b 之后， 副帧 501 顺序地在各行中改变为下一个副帧 502。 在该副帧 502 中， 写入操作按照与副帧 501 同样的方式按顺序在第一行到最后一行中进行。 上述操作反复进行到副帧 504 的保持期 504b， 然后终止。 在终止在副帧 504 中的操作后， 下 一个帧中的操作就开始。因此， 在各副帧中发光时间的总和对应于各发光元件在一个帧中 的发光时间。 通过改变各发光元件的发光时间和将这些发光元件以各种方式组合在一个像 素内， 能够获得具有不同的亮度和不同的色度的各种彩色显示。
     当该保持期被确定为强制地在写入期已终止并且在该写入操作终止直到最后一 行之前 ( 如在副帧 504 中所示 ) 该保持期已开始的行中终止时， 优选的是在保持期 504b 之 后提供擦除期 504c， 以便强制地停止光发射。光发射被强制停止的行在一定时期 ( 这段时 期被称作非发光期 504d) 内不发光。在最后一行中终止该写入期时， 下一个副帧 ( 或下一 个帧 ) 的写入期顺序地立即从第一行开始。这能够防止在副帧 504 中的写入期与在下一个 副帧中的写入期交叠。
     虽然在这一实施方案样式中按照保持期长度下降的顺序来排列副帧 501 到 504， 但是它们不是必须按照这一顺序来排列。例如， 副帧可以按照保持期的长度的递增顺序来 排列。另外地， 副帧可以按照随机顺序来排列。另外， 这些副帧可以进一步被分成多个帧。 也就是说， 栅信号线的扫描可以在供给相同视频信号的时期中若干次执行。
     下面描述在图 4 中所示的在电路的写入期和擦除期中的操作。
     首先描述在写入期中的操作。在该写入期中， 在第 n 行 (n 是自然数 ) 的栅信号线 911 经由开关 918 被电连接到写入栅信号线驱动电路 913。 在第 n 行中的栅信号线 911 与擦 除栅信号线驱动电路 914 不电连接。源信号线 912 经由开关 920 被电连接到源信号线驱动 电路 915。在这种情况下， 信号被输入被连接到第 n 行 (n 是自然数 ) 中的栅信号线 911 的 第一晶体管 901 的栅极， 因此接通第一晶体管 901。此刻， 视频信号同时被输入第一列到最 后一列中的源信号线之中。此外， 从各列中的源信号线 912 输入的视频信号彼此独立。从 源信号线 912 输入的视频信号经由连接到各源信号线的第一晶体管 901 被输入第二晶体管902 的栅电极。 在此时， 从供电线 917 提供给发光元件 903 的电流的量取决于在第二晶体管 902 中输入的信号。同时， 还根据电流的量决定发光元件 903 是否发光或不发光。例如， 当 第二晶体管 902 属于 P- 沟道类型时， 通过将低电平信号输入第二晶体管 902 的栅电极， 该 发光元件 903 发射光。另一方面， 当第二晶体管 902 属于 N- 沟道类型时， 通过将高电平信 号输入第二晶体管 902 的栅电极， 该发光元件 903 发射光。
     接着， 描述在擦除期中的操作。在该擦除期中， 在第 n 行 (n 是自然数 ) 的栅信号 线 911 经由开关 919 被电连接到擦除栅信号线驱动电路 914。在第 n 行的栅信号线 911 与 写入栅信号线驱动电路 913 不电连接。源信号线 912 经由开关 920 被电连接到电源 916。 在这种情况下， 在将信号输入第一晶体管 901( 它连接到在第 n 行的栅信号线 911) 的栅极 时， 第一晶体管 901 接通。在此时， 擦除信号同时被输入源信号线的第一到最后一列中。从 源信号线 912 输入的擦除信号经由第一晶体管 901( 它连接到各源信号线 ) 被输入第二晶 体管 902 的栅电极中。通过在第二晶体管 902 中输入的信号来强制停止从供电线 917 流过 发光元件 903 的电流供应。这强制地使得发光元件 903 不发射光。例如， 当第二晶体管 902 属于 P- 沟道类型时， 通过将高电平信号输入第二晶体管 902 的栅电极中， 该发光元件 903 不发射光。另一方面， 当第二晶体管 902 属于 N- 沟道类型时， 通过将低电平信号输入第二 晶体管 902 的栅电极中， 该发光元件 903 不发射光。
     此外， 在该擦除期中， 擦除用信号通过上述操作被输入第 n 行 (n 是自然数 )。然 而， 如上所述， 第 n 行有时保留在擦除期中， 而另一个行 ( 例如， 第 m 行 (m 是自然数 )) 保留 在写入期中。 在这种情况下， 因为通过利用在同一列中的源信号线， 擦除用信号需要输入第 n 行和写入用信号需要输入第 m 行， 所以， 以下提及的操作是优选进行的。
     在第 n 行中的发光元件 903 通过在擦除期中的上述操作变成非发光状态之后， 通 过接通 / 关闭该开关 920， 栅信号线 911 和擦除栅信号线驱动电路 914 立即彼此断开以及源 信号线 912 连接到源信号线驱动电路 915。栅信号线 911 和写入栅信号线驱动电路 913 彼 此连接， 而源信号线和源信号线驱动电路 915 彼此连接。信号有选择地从写入栅信号线驱 动电路 913 输入第 m 行中的信号线并且第一晶体管接通， 与此同时写入用信号从源信号线 驱动电路 915 输入第一到最后一列中的源信号线。由输入这些信号， 在第 m 行中的发光元 件发光或不发光。
     在如上所述终止在第 m 行中的写入期后， 擦除期立即在第 n+1 行中开始。因此， 通 过接通 / 关闭开关 920， 栅信号线 911 和写入栅信号线驱动电路 913 彼此断开， 而源信号线 连接到电源 916。同时， 栅信号线 911 和写入栅信号线驱动电路 913 彼此断开， 而栅信号线 911 连接到擦除栅信号线驱动电路 914。信号有选择地从擦除栅信号线驱动电路 914 输入 n+1 行的栅信号线， 以便在第一晶体管中输入接通第一晶体管用的信号， 同时擦除信号从电 源 916 输入其中。在用这样的方式终止在第 n+1 行中的擦除期时， 写入期立即在第 m+1 行 中开始。擦除期和写入期可以同样方式地交替重复， 直至最后一行的擦除期为止。
     虽然在这一实施方案样式中在第 m 行中的写入期被提供在第 n 行的擦除期与第 n+1 行的擦除期之间， 但是本发明不限于此。 第 m 行的写入期可以提供在第 n-1 行的擦除期 与第 n 行的擦除期之间。
     此外， 在这一实施方案样式中， 与副帧 504 类似， 当提供非发光期 504d 时， 将擦除 栅信号线驱动电路 914 与一个栅信号线断开而与此同时将写入栅信号线驱动电路 913 连接到另一个栅信号线的操作反复地进行。 这一操作可以在其中没有特别提供非发光期的帧中 进行。
     实施方案样式 5
     具有控制发光元件的光发射或不发光的功能的电路不局限于图 4 中所示的一种。 例如， 可以使用在图 7 中所示的电路。
     在图 7 中， 排列第一晶体管 2101， 第二晶体管 2103， 擦除二极管 2111， 和发光元件 2104。第一晶体管 2101 的源极和漏极独立地连接到信号线 2105 和第二晶体管 2103 的栅 极。第一晶体管 2101 的栅极连接到第一栅线 2107。第二晶体管 2103 的源极和漏极独立地 连接到电源线 2106 和发光元件 2104。擦除二极管 2111 同时连接到第二晶体管 2103 的栅 和第二栅线 2117。
     保持电容器 2102 具有保持第二晶体管 2103 的栅电位的功能。因此， 该保持电容 器连接在第二晶体管 2103 的栅和该电源线 2106 之间。然而， 保持电容器 2102 的位置不限 于此。该保持电容器 2102 可以设置使得该保持电容器保持第二晶体管 2103 的栅电位。当 第二晶体管 2103 的栅电位通过使用第二晶体管 2103 的栅电容器或类似物来保持时， 该保 持电容器 2102 可以省去。
     驱动方法是如下。选择第一栅线 2107 以接通第一晶体管 2101， 然后信号从信号 线 2105 输入保持电容器 2102 中。然后， 第二晶体管 2103 的电流根据信号来控制， 以使电 流从第一电源线 2106 经由发光元件 2104 流入到第二电源线 2108。
     为了擦除该信号， 选择第二栅线 2117( 在这种情况下， 第二栅线的电位提高 ) 和接 通擦除二极管 2111， 将电流从第二栅线 2117 输入到第二晶体管 2103 的栅。 因此， 第二晶体 管 2103 变成关断状态。然后， 电流没有从第一电源线 2106 经由发光元件 2104 流入到第二 电源线 2108。结果， 产生了非发光期， 和发光期能够自由地控制。
     为了保持信号， 第二栅线 2117 不选择 ( 在这种情况下， 第二栅线的电位降低 )。 因 此， 由于擦除二极管 2111 被关断， 第二晶体管 2103 的栅电位得到保持。
     此外， 擦除二极管 2111 没有特别限制， 只要它是具有整流性能的元件。PN 型二极 管或 PIN 型二极管都可以使用。另外地， 肖特基二极管或齐纳二极管都可以使用。
     此外， 二极管连接 ( 即， 栅和漏极彼此连接 ) 可以使用晶体管来进行。另外， 可以 使用 P- 沟道型晶体管。
     实施方案样式 6
     包括本发明的发光元件的发光器件的例子参考图 8A 到 8C 的横剖面视图来描述。
     在图 8A 到 8C 中的每一个中， 为了驱动本发明的发光元件 12 所提供的晶体管 11 被 虚线包围。本发明的发光元件 12 包括在第一电极 13 和第二电极 14 之间的发光层 15。晶 体管 11 的漏极和第一电极 13 利用穿过第一中间层绝缘膜 16(16a， 16b 和 16c) 的布线 17 电连接于彼此。发光元件 12 通过隔壁层与其它相邻的发光元件分隔开。在本实施方案样 式中， 具有该结构的发光器件被提供在基板 10 上。
     在图 8A-8C 中的每一个中显示的晶体管 11 属于顶栅型， 其中在半导体层的与基板 相反的一侧上提供栅电极。此外， 晶体管 11 的结构没有特别限于此， 例如可以使用底栅型 结构。对于底栅型， 其中在形成沟道的半导体层上形成保护膜 ( 沟道保护型 ) 的结构或其 中形成沟道的半导体层部分地被蚀刻 ( 沟道蚀刻型 ) 的结构都可以使用。此外， 包括在晶体管 11 中的半导体层可通过使用晶体半导体， 非晶半导体， 半非 晶半导体和类似物中的任何一种来形成。
     具体地说， 该半非晶半导体具有在非晶结构和晶体结构 ( 包括单晶结构和多晶结 构 ) 之间的中间结构， 以及就自由能而言稳定的第三状态。半非晶半导体进一步包括具有 短程有序兼有晶格位错的结晶区。 0.5-20nm 尺寸的晶粒包括在半非晶半导体薄膜的至少一 部分中。拉曼光谱向着低于 520cm-1 的波数位移。被认为从 Si 晶格形成的 (111) 和 (220) 衍射峰可以通过 X 射线衍射法在半非晶半导体中观察到。半非晶半导体含有至少 1 原子％ 或更多的氢或卤素以封端悬挂键。半非晶半导体也被称为微晶半导体。半非晶半导体是通 过用硅化物气体的辉光放电分解法 ( 等离子体 CVD) 来形成的。至于该硅化物气体， 能够 使用 SiH4， Si2H6， SiH2Cl2， SiHCl3， SiCl4， SiF4 等等。该硅化物气体也可用 H2， 或用 H2 与选 自 He、 Ar、 Kr 和 Ne 中的一种或多种稀有气体元素的混合物来稀释。该稀释率设定在 1 ∶ 2 到 1 ∶ 1,000 范围内。该压力大致设定在 0.1 至 133Pa 范围内。电源频率被设定在 1 到 120MHz， 优选 13 到 60MHz。 基板加热温度可以设定为 300℃或更低， 和优选， 100℃到 250℃。 相对于在膜中所含的杂质元素， 大气成分的杂质如氧， 氮和碳的各浓度优选设定为 1×1020/ cm3 或更低。尤其， 该氧浓度被设定为 5×1019/cm3 或更低， 和优选， 1×1019/cm3 或更低。
     作为晶体半导体层的特定例子， 可以列举从单晶硅， 多晶硅， 硅锗或类似物制得的 半导体层。晶体半导体层可以由激光结晶法形成。例如， 晶体半导体层可以借助于使用镍 或类似物的固相生长方法由结晶法来形成。
     当半导体层通过使用非晶物质例如非晶硅来形成时， 优选的是使用具有仅仅包括 N 沟道晶体管作为该晶体管 11 和其它晶体管 ( 包括在电路中的用于驱动发光元件的晶体 管 ) 的电路的发光器件。另外地， 可以使用具有包括 N 沟道晶体管或 P 沟道晶体管的电路 的发光器件。同时， 可以使用具有同时包括 N 沟道晶体管和 P 沟道晶体管的电路的发光器 件。
     第一中间层绝缘膜 16 可以包括在图 8A 和 8C 中所示的多个层或包括单个层。具 体地说， 中间绝缘层 16a 通过使用无机材料如氧化硅和氮化硅来形成。中间层绝缘层 16b 通过使用丙烯酸系聚合物， 硅氧烷 ( 它是具有由硅 (Si)- 氧 (O) 键形成的骨架结构并包括 氢或有机基团如烷基作为其取代基的化合物 )， 或能够通过施用诸如氧化硅之类的材料所 形成的具有自平面化性能的物质来形成。中间层绝缘层 16c 通过使用含有氩 (Ar) 的氮化 硅薄膜来形成。构成各自层的物质没有特别限于此。因此， 可以使用除上述物质之外的物 质。另外地， 使用除了上述物质以外的物质所形成的层可以与上述的层相结合提供。因此， 第一中间层绝缘膜 16 可以通过同时使用无机材料和有机材料或通过使用无机材料或有机 材料来形成。
     隔壁层 18 的边缘部分优选具有这种形状， 其中曲率半径连续地变化。 该隔壁层 18 通过使用丙烯酸系聚合物， 硅氧烷， 抗蚀剂， 氧化硅等等来形成。此外， 该隔壁层 18 可以通 过使用无机膜和有机膜中的任何一种或两者来形成。
     图 8A 和 8C 显示了一些结构， 其中仅仅第一中间层绝缘膜 16(16a， 16b 和 16c) 夹在 晶体管 11 和发光元件 12 之间。另外地， 如图 8B 中所示， 第一中间层绝缘膜 16(16a 和 16b) 和第二中间层绝缘膜 19(19a 和 19b) 可以提供在该晶体管 11 和发光元件 12 之间。在图 8B 中所示的发光器件中， 第一电极 13 穿过第二中间层绝缘膜 19 而被连接到布线 17。第二中间层绝缘膜 19 可以包括多个层或单个层以及第一中间层绝缘膜 16。第二 中间层绝缘层 19a 通过使用丙烯酸系聚合物， 硅氧烷， 或能够通过施涂诸如氧化硅之类的 材料所形成的具有自平面化性能的物质来形成。 第二中间绝缘层 19b 通过使用含有氩 (Ar) 的氮化硅薄膜来形成。构成第二中间层绝缘膜的各层的物质没有特别限于它们。因此， 可 以使用除上述物质之外的物质。另外地， 从除了上述物质以外的物质所形成的层可以与层 19a 和 19b 相结合提供。因此， 第二中间层绝缘膜 19 可以通过同时使用无机材料和有机材 料或通过使用无机材料或有机材料来形成。
     当第一电极和第二电极两者都通过使用具有光透射性能的物质在发光元件 12 中 形成时， 在发光元件中产生的光能够透过第一电极 13 和第二电极 14 来发射， 如在图 8A 中 的箭头所示。 当仅仅第二电极 14 通过使用具有光透射性能的物质来形成时， 在发光元件 12 中产生的光仅仅能够透过第二电极 14 来发射， 如图 8B 中的箭头所示。在这种情况下， 第一 电极 13 优选使用具有高反射率的材料来形成。另外地， 使用具有高反射率的材料所形成的 膜 ( 反射膜 ) 优选在第一电极 13 下方提供。当仅仅第一电极 13 通过使用具有光透射性能 的物质来形成时， 在发光元件 12 中产生的光仅能够透过第一电极 13 来发射， 如图 8C 中的 箭头所示。在这种情况下， 第二电极 14 优选通过使用具有高反射率的材料来形成或反射膜 优选被提供在第二电极 14 之上。 另外， 在发光元件 12 中， 第一电极 13 可以用作阳极和第二电极 14 可以用作阴极。 另外地， 第一电极 13 可以用作阴极和第二电极 14 可以用作阳极。在前一种情况下， 晶体管 11 是 P 沟道晶体管。在后一种情况下， 晶体管 11 是 N 沟道晶体管。
     实施方案样式 7
     如在实施方案样式 4 到 6 中所述， 本发明的发光元件可以连接到晶体管而用作有 源矩阵发光器件的像素， 它在接收来自晶体管的信号时发光或不发光。 另外地， 本发明的发 光元件可用于图 46 中所示的无源发光器件， 它驱动发光元件但无需提供用于驱动该晶体 管和类似器件的元件。
     图 46 显示了使用本发明制造的无源发光器件的透视图。在图 46 中， 电极 1902 和 电极 1906 提供在基板 1901 和基板 1907 之间。该电极 1902 和该电极 1906 彼此交叉提供。 此外， 发光层 1905( 它由虚线描绘， 使得电极 1902， 隔壁层 1904 等的排列能够辨认 ) 提供在 电极 1902 和电极 1906 之间。另外， 空穴传输层， 电子传输层等可以提供在发光层 1905 和 电极 1902 之间， 或在发光层 1905 和电极 1906 之间。隔壁层 1904 提供在电极 1902 的边缘 处。因此， 电极 1902 的边缘被该隔壁层 1904 覆盖。此外， 该无源的发光器件能够通过使用 在低驱动电压下操作的本发明发光元件在较低电耗下驱动。
     实施方案样式 8
     通过装配本发明的发光器件， 能够获得长时间显示理想图像且具有较低的由于显 示图像的波动所引起的信息错误识别的电子设备。
     装配了本发明发光器件的电子设备的例子示于图 9A 到 9C 中。
     图 9A 显示了根据本发明制造的膝上型个人电脑， 它包括主体 5521， 外壳 5522， 显 示部 5523， 键盘 5524， 等等。通过将具有本发明发光元件的发光器件引入到显示部分中， 完 成了个人电脑。
     图 9B 显示根据本发明制造的移动式电话， 它包括主体 5552， 显示部 5551， 声频输出部分 5554， 音频输入部分 5555， 操作开关 5556 和 5557， 天线 5553 等等。通过将具有本发 明发光元件的发光器件引入到显示部分中， 完成了移动式电话。
     图 9C 显示了根据本发明制造的电视接收机， 它包括显示部 5531， 外壳 5532， 扬声 器 5533 等。通过将具有本发明发光元件的发光器件引入到显示部分中， 完成了电视接收 机。
     如以上所述， 本发明的发光器件适合用作各种类型的电子设备的显示部分。
     虽然在本发明的该实施方案样式中描述了膝上型个人电脑、 移动式电话和电视接 收机， 但是具有本发明的发光元件的发光器件可以装配在汽车导航， 照相机， 照明设备等 上。
     实施方案 1
     ( 合成实施例 1)
     在本合成实施例中描述一种合成由结构式 (1) 表示的蒽衍生物的方法。
     [ 步骤 1]
     下面描述合成 9， 10- 双 (4- 溴苯基 )-2- 叔丁基蒽的方法。
     在氮气流下在 -78 ℃的温度下， 1.58mol/L(13.4ml) 的丁基锂己烷溶液被滴加在 含有 5.0g 的 1， 4- 二溴苯的干乙醚溶液 (200ml) 中。在滴加丁基锂己烷溶液之后， 混合物 在相同的温度下搅拌 1 小时。在 -78℃的温度下， 将含有 2- 叔丁基蒽醌 (2.80g) 的干乙醚 溶液 (40ml) 滴加在混合物中， 然后反应溶液慢慢地被加热到室温。在反应溶液搅拌一夜之 后， 在其中添加水， 有机层用乙酸乙酯萃取。 有机层用饱和盐水洗涤， 然后用硫酸镁干燥。 干 燥的物质进行过滤和浓缩。然后， 该残留物由硅胶色谱法 ( 展开溶剂， 己烷 - 乙酸乙酯 ) 提 纯， 获得 5.5g 的化合物。
     当所获得的化合物由核磁共振 (1H-NMR) 方法测量时， 已证实化合物是 9， 10- 双 (4- 溴苯基 )-2- 叔丁基 -9， 10- 二羟基 -9， 10- 二氢蒽。 1
     这 一 化 合 物 的 H-NMR 显 示 如 下。1H-NMR(300MHz， CDCl3) ： δ ＝ 1.31(s， 9H)， 2.81(s， 1H)， 2.86(s， 1H)， 6.82-6.86(m， 4H)， 7.13-7.16(m， 4H)， 7.36-7.43(m， 3H)， 和 7.53-7.70(m， 4H)。
     同时， 下面显示了 9， 10- 双 (4- 溴苯基 )-2- 叔丁基 -9， 10- 二羟基 -9， 10- 二氢蒽 的合成路线 (b-1)。
     在大气中， 将 987mg(1.55mmol) 的所获得的 9， 10- 双 (4- 溴苯基 )-2- 叔丁基 -9， 10- 二羟基 -9， 10- 二氢蒽， 664mg(4mmol) 的碘化钾和 1.48g(14mmol) 的膦酸钠一水合物悬浮于 12ml 的冰醋酸中。 混合物在加热的同时进行回流和搅拌两个小时。 反应混合物被冷却 到室温和所产生的沉淀被过滤和用约 50ml 的甲醇洗涤而获得滤液。该滤液经过干燥获得 13 700mg 的化合物， 它是米色粉末。产率是 82％。当这一化合物由核磁共振 (1H-NMR， C-NMR) 方法测量时， 已证实化合物是 9， 10- 双 (4- 溴苯基 )-2- 叔丁基蒽。 1
     下面显示该化合物的 H-NMR 和 13C-NMR 谱。 1
     H-NMR(300MHz， CDCl3) ： δ ＝ 1.28(s， 9H)， 7.25-7.37(m， 6H)， 7.44-7.48(m， 1H)， 7.56-7.65(m， 4H)， 和 7.71-7.76(m， 4H)。 13
     C-NMR(47MHz， CDCl3) ： δ ＝ 30.8， 35.0， 120.8， 121.7， 121.7， 124.9， 125.0， 125.2 ， 126.4 ， 126.6 ， 126.6 ， 128.3 ， 129.4 ， 129.7 ， 129.9 ， 131.6 ， 131.6 ， 133.0 ， 133.0 ， 135.5， 135.7， 138.0， 138.1 和 147.8。
     此外， 下面显示了 9， 10- 双 (4- 溴苯基 )-2- 叔丁基蒽的合成路线 (b-2)。
     [ 步骤 2]
     描述合成 3-(N- 苯基氨基 )-9- 苯基咔唑的方法。
     首 先， 将 24.3g(100mmol) 的 N- 苯 基 咔 唑 溶 于 600ml 的 冰 醋 酸 中， 然后将 17.8g(100mmol) 的 N- 溴琥珀酰亚胺慢慢地添加到其中。混合物在室温下搅拌一夜。将该 冰醋酸溶液滴加到 1L 冰水中， 同时加以搅拌。沉淀的白色固体用水洗涤三次。将该白色固 体溶于 150ml 的二乙醚中， 然后用饱和碳酸氢钠溶液和水洗涤。该有机层用硫酸镁干燥， 然 后过滤。获得的滤液进行浓缩。在所获得的残留物中添加约 50mL 的甲醇， 然后通过用超声 波辐射使之均匀地溶解在其中。这一溶液静置， 沉淀出白色固体。这一溶液进行过滤， 滤液 进行干燥而获得 28.4g( 产率 ： 88％ ) 的 3- 溴 -9- 苯基咔唑， 它是白色粉末。
     此外， 下面显示了 3- 溴 -9- 苯基咔唑的合成路线 (c-1)。接 着， 在 氮 气 氛 中， 将 110ml 的 脱 水 二 甲 苯 和 7.0g (75mmol) 的 苯 胺 添 加 到 19g(60mmol) 的 3- 溴 -9- 苯基咔唑， 340mg(0.6mmol) 的双 ( 二亚苄基丙酮 ) 钯 (0)( 缩写 ： Pd(dba)2)， 1.6g(3.0mmol) 的 1， 1- 双 ( 二苯基膦基 ) 二茂铁 ( 缩写 ： DPPF)， 和 13g(180mmol) 的叔丁醇钠 ( 缩写 ： tBuONa) 的混合物。该混合物进行搅拌， 同时在氮气氛中在 90℃下加热 7.5 小时。在反应终止之后， 将已加热至 50℃的约 500ml 甲苯添加到悬浮液中， 该悬浮液通 过 florisil、 矾土和赛力特进行过滤。所获得的滤液进行浓缩， 在残留物中添加己烷 - 乙 酸乙酯， 然后用超声波辐射。所获得的悬浮液进行过滤， 滤液经过干燥而获得 15g( 产率 ： 1 75 ％ ) 的米色粉末。通过核磁共振 ( H-NMR) 方法， 已证实这一米色粉末是 3-(N- 苯基氨 基 )-9- 苯基咔唑 ( 缩写 ： PCA)。
     下面显示化合物的 1H-NMR。1H-NMR 图也示于图 13A 和 13B 中。此外， 图 13B 是显 示图 13A 在 5ppm 至 9ppm 范围内的放大部分的图。 1
     H-NMR(300MHz， CDCl3) ： δ ＝ 5.69(s， 1H)， 6.84(t， J ＝ 6.9， 2H)， 6.97(d， J ＝ 7.8， 2H)， 7.20-7.61(m， 13H)， 7.90(s， 1H)， 和 8.04(d， j ＝ 7.8， 1H)。
     此外， 下面显示了 3-(N- 苯基氨基 )-9- 苯基咔唑的合成路线 (c-2)。
     [ 步骤 3]
     描述合成 9， 10- 双 {4-[N-(9- 苯基咔唑 -3- 基 )-N- 苯基氨基 ] 苯基 }-2- 叔丁基 蒽 ( 缩写 ： PCABPA) 的方法。
     在氮气氛中， 将 10ml 的脱水甲苯加入到 540mg(1.0mmol) 的 9， 10- 双 (4- 溴苯 基 )-2- 叔 丁 基 蒽， 670mg(2.0mmol) 的 3-(N- 苯 基 氨 基 )-9- 苯 基 咔 唑， 12mg(0.02mmol) 的 双 ( 二 亚 苄 基 丙 酮 ) 钯 (0)， 110mg(0.2mmol) 的 1， 1- 双 ( 二 苯 基 膦 基 ) 二 茂 铁， 和 600mg(6.2mmol) 的叔丁醇钠的混合物中。混合物进行搅拌， 同时在氮气氛中在 90℃下加 热 5 小时。在反应终止后， 在悬浮液中添加约 100ml 的甲苯， 然后通过 florisil、 矾土和赛 力特进行过滤。所获得的滤液进行浓缩， 由硅胶色谱法 ( 甲苯∶己烷＝ 1 ∶ 1) 获得目标
     物质。目标物质进行浓缩， 所获得的残留物通过二氯甲烷 - 己烷重结晶获得 500mg( 产率 ： 48 ％ ) 的黄绿色粉末。通过使用核磁共振 (1H-NMR) 方法， 已经证实， 该黄绿色粉末是 9， 10- 双 {4-[N-(9- 苯基咔唑 -3- 基 )-N- 苯基氨基 ] 苯基 }-2- 叔丁基蒽 ( 缩写 ： PCABPA)。 1 1
     下面显示该化合物的 H-NMR。 H-NMR 图也示于图 14A 和 14B 中。此外， 图 14B 是 显示图 14A 的在 6.5ppm 至 8.5ppm 范围内的放大部分的图。 1
     H-NMR(300MHz， DMSO-d) ： δ ＝ 3.33(s， 9H)， 6.98-7.79(m， 44H)， 和 8.16-8.27(m， 4H)。
     此外， 下面示出 PCABPA 的合成路线 (d-1)。
     PCABPA 的吸收光谱示于图 10。在图 10 中， 水平轴表示波长 (nm) 和纵轴表示吸 收强度 ( 给定的单位 )。此外， 线 (a) 表示 PCABPA 是膜形式时的吸收光谱， 而线 (b) 表示PCABPA 溶于甲苯溶液中时的吸收光谱。PCABPA 的发射光谱示于图 11。在图 11 中， 水平轴 表示波长 (nm) 和纵轴表示光发射强度 ( 给定的单位 )。线 (a) 表示 PCABPA 是膜形式时的 发射光谱 ( 激发波长 ： 352nm)， 和线 (b) 表示 PCABPA 溶于甲苯溶液中时的发射光谱 ( 激发 波长 ： 390nm)。根据图 11， 已知的是， PCABPA 的光发射具有对于膜形式而言的在 488nm 处的 峰并具有对于在甲苯溶液中的溶解状态而言的在 472nm 处的峰。这些光发射被认为是蓝光 发射。
     当膜是通过所获得的 PCABPA 的蒸镀形成和薄膜状态的化合物的电离电位通过 使用光电子分光光度计 (#AC-2， Riken Keiki Co.， Ltd.) 测量时， 电离电位是 5.31eV。 处于薄膜状态的化合物的吸收光谱通过使用 UV 和可见光分光光度计 (#V-550， Japan Spectroscopy Corporation) 来测量， 以及在吸收光谱的较长波长侧的吸收边缘的波长被 设定是能隙 (2.77eV)。在这些条件下， 当测量 LUMO 能级时， 它是 -2.54eV。
     此外， 当所获得的 PCABPA 的分解温度 Td 通过热重量分析 / 差热分析仪 (#TG/DTA 320， Seiko Instruments Inc.) 来测量时， Td 是 485℃， 因此， 众所周知是 PCABPA 显示出优 异的耐热性能。
     另外， PCABPA 的氧化反应特性和还原反应特性通过循环伏安法 (CV) 测量法来测 量。此外， 电化学分析器 (#ALS model 600A， BASInc.) 用于该测量。 关于在 CV 测量中使用的溶液， 脱水二甲基甲酰胺 (DMF) 用作溶剂。四高氯酸 - 正 丁基铵 (n-Bu4NClO4)， 它是支持电解质， 溶于溶剂中， 以使四高氯酸正丁基铵的浓度是 100mmol/L。同时， 将待测量的 PCABPA 溶解， 以使它的浓度被设定是 1mmol/L。此外， 铂电极 (PTE 铂电极， BAS Inc.) 用作工作电极。铂电极 (VC-3Pt 反电极 (5cm)， BAS Inc.) 用作辅 助电极。Ag/Ag+ 电极 (RE 5 非水参比电极， BAS Inc.) 用作参比电极。
     氧化反应特性被测量如下。在相对于参比电极而言的工作电极的电位从 -0.01V 改变为 0.6V 之后， 将电位从 0.6V 变化到 -0.01V 的扫描被设定为一个周期， 并进行 100 个 周期测量。此外， CV 测量的扫描速率被设定为 0.1V/s。
     还原反应特性被测量如下。在相对于参比电极而言的工作电极的电位从 -0.9V 改 变为 -2.7V 之后， 将电位从 -2.7V 变化到 -0.9
     V 的扫描被设定为一个周期， 并进行 100 个周期测量。此外， CV 测量的扫描速率被 设定为 0.1V/s。
     测量 PCABPA 的氧化反应特性的结果示于图 12A 中。同时， 测量 PCABPA 的还原 水平轴表示相对于参 反应特性的结果示于图 12B 中。在图 12A 和 12B 之中的每一个中， 比电极而言的工作电极的电位 (V)， 而纵轴表示在工作电极和辅助电极之间流过的电流量 -5 (1×10 A)。
     根据图 12A， 已知的是氧化电位是 0.42V( 相对于 Ag/Ag+ 电极 )。根据图 12B， 已知 的是还原电位是 -2.39V( 相对于 Ag/Ag+ 电极 )。虽然该扫描重复 100 次， 但是 CV 曲线的峰 位置和峰强度在氧化反应和还原反应的每一个中几乎不变化。因此， 已知的是属于本发明 的化合物中的一种的 PCABPA 相对于氧化反应的重复进行而言是绝对稳定的。另外， 也已知 的是， 相对于还原反应的重复进行而言， PCABPA 是绝对稳定的。
     合成实施例 2 在合成实施例 2 中描述合成 9， 10- 双 {4′ -[N-(9- 苯基咔唑 -3- 基 )-N- 苯基氨基 ] 联苯 -4- 基 }-2- 叔丁基蒽 ( 缩写 ： PCABBA) 的方法， 它是结构式 (13) 表示的蒽衍生物。
     [ 步骤 1]
     首先， 描述合成 9， 10- 双 (4′ - 溴联苯 -4- 基 )-2- 叔丁基蒽的方法。
     具体地说， 将 6.55g(21.0mmol) 的 4， 4′ - 二溴联苯倒入三颈烧瓶 (500ml) 中， 然 后用氮气置换在三颈烧瓶中的空气。接着， 将 200ml 的四氢呋喃添加到其中。混合物被冷 却到 -80℃， 然后将 14.5ml(22.3mmol) 的正丁基锂 (1.54mol/L 的己烷溶液 ) 滴加到其中， 在将温度保持在 -80℃的同时将混合物搅拌 1 小时。在仍然将温度保持在 -80℃的同时， 将 混合溶液 ( 其中 2.07g(10.0mmol) 的蒽醌悬浮于 20ml 的四氢呋喃 ( 缩写 ： THF) 中 ) 滴加 到反应溶液中。在滴加终止之后， 混合物进一步搅拌两个小时， 同时温度从 -80℃提高到室 温。在反应之后， 将 110ml 的乙醇添加到产物中， 然后搅拌。随后， 反应溶液用水和饱和盐 水洗涤， 然后， 用硫酸镁干燥。反应混合物自然过滤和该滤液被浓缩而获得浅黄色固体 ( 合 成路线 (e-1))。
     将所获得的浅黄色固体， 6.64g(40mmol) 的碘化钾， 12.7g(120mmol) 的膦酸钠一 水合物， 和 120ml 的冰醋酸倾倒在茄子型烧瓶中， 后者是具有 500ml 容量的容器。混合物 回流两个小时。在反应之后， 产物的温度被冷却到室温， 然后， 沉淀的固体通过抽滤被收 集。固体从二氯甲烷 - 乙醇中重结晶获得 3.43g( 产率 ： 51 ％ ) 的 9， 10- 双 (4 ′ - 溴联 苯 -4- 基 )-2- 叔丁基蒽的浅黄色固体， 它是目标物质 ( 合成路线 (e-2))。
     此外， 下面显示了步骤 1 的合成路线 (e-1) 和 (e-2)。
     [ 步骤 2]接着， 将描述合成 9， 10- 双 {4 ′ -[N-(9- 苯基咔唑 -3- 基 )-N- 苯基氨基 ] 联 苯 -4- 基 }-2- 叔丁基蒽的方法， 它由结构式 (13) 表示。
     具体地说， 将 700mg(1.0mmol) 的 9， 10- 双 (4 ′ - 溴联苯 -4- 基 )-2- 叔丁基蒽 ( 它在合成实施例 2 的步骤 1 中获得 )， 670mg(2.0mmol) 的 3-(N- 苯基氨基 )-9- 苯基咔唑 ( 缩写 ： PCA)( 它在合成实施例 1 的步骤 2 中获得 )， 60mg(0.10mmol) 的双 ( 二亚苄基丙酮 ) 钯 (0)， 1.0ml(0.50mmol) 的三叔丁基膦 (10wt ％己烷溶液 )， 和 0.4g(4.0mmol) 的叔丁醇 钠倾倒在烧瓶中， 将 10ml 的脱水二甲苯添加到其中， 然后用氮气置换该烧瓶中的空气。混 合物进行搅拌， 同时在氮气氛中在 120℃下加热六小时。在反应之后， 将约 200ml 的甲苯添 由 加到该悬浮液中。混合物通过 florisil 和赛力特进行过滤。所获得的滤液进行浓缩， 硅胶色谱法 ( 甲苯∶己烷＝ 1 ∶ 1) 获得目标物质。目标物质进行浓缩， 所获得的残留物通过用超声波辐射进行重结晶而获得 70mg( 产率 ： 6％ ) 的 9， 10- 双 {4′ -[N-(9- 苯基咔 唑 -3- 基 )-N- 苯基氨基 ] 联苯 -4- 基 }-2- 叔丁基蒽 ( 缩写 ： PCABBA) 的米色粉末， 它是目 标物质。
     同时， 下面示出步骤 2 的合成路线 (f-1)。
     1 下面显示了 1H-NMR 分析的结果。同时， H-NMR 图示于图 47A 和 47B 中。此外， 图 47B 是显示图 47A 在 9ppm 至 6ppm 范围内的放大部分的图。48CN 102522503 A
     1说明书44/54 页H-NMR(300MHz ，DMSO-d) ： δ ＝ 1.22(s ， 9H) ， 7.04(t ，J ＝ 6.9Hz ， 2H) ， 7.14-7.79(m， 39H)， 7.88-7.94(m， 4H)， 8.12(d， J ＝ 1.5Hz， 2H)， 和 8.20(d， J ＝ 8.4Hz， 2H)。
     此外， PCABBA 在甲苯溶液中的吸收光谱示于图 48。在图 48 中， 水平轴表示波长 (nm) 和纵轴表示吸收强度 ( 给定的单位 )。同时， PCABBA 在甲苯溶液中的发射光谱示于图 49。在图 49 中， 水平轴表示波长 (nm) 和纵轴表示光发射强度 ( 给定的单位 )。根据图 49， 已知的是 PCABBA 的光发射具有在甲苯溶液中时的在 445nm 处的峰， 并且确认光发射是蓝 色。因此， 已知的是 PCABBA 是作为发射蓝光的发光物质的合适物质。
     实施方案 2
     在本实施方案中描述制造使用在合成实施例 1 中合成的 PCABPA 作为发光物质的 发光元件的方法以及该发光元件的工作特性。
     如图 15 中所示， 含有氧化硅的氧化铟锡是通过溅射法在玻璃基板 301 上形成的， 从而形成第一电极 302。第一电极 302 的厚度被设定是 110nm。此外， 第一电极被形成为具 有正方形， 尺寸为 2mm×2mm。
     接着， 将在表面上已形成了第一电极 302 的玻璃基板 301 固定到放置于真空蒸镀 装置中的座上。
     真空蒸镀装置的内部被抽真空以使压力降低至 1×10-4Pa。然后， 由蒸镀在第一电 极 302 上形成包括铜酞菁的第一层 303。第一层 303 的厚度被设定为 20nm。当发光元件工 作时， 第一层 303 作为空穴注入层。
     随后， 由蒸镀在第一层 303 上形成包括 NPB 的第二层 304。第二层 304 的厚度被设 定为 40nm。当发光元件工作时， 第二层 304 作为空穴传输层。
     由共蒸镀在第二层 304 上形成包括 t-BuDNA 和 PCABPA 的第三层 305。第三层 305 的厚度被设定为 40nm。在 t-BuDNA 和 PCABPA 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.05。因此， PCABPA 分散在 t-BuDNA 中。当发光元件工作时该第三层 305 作为发光层。此外， 该 PCABPA 作为发光物质。
     接着， 由蒸镀在第三层 305 上形成包括 Alq3 的第四层 306。第四层 306 的厚度被 设定为 20nm。当发光元件工作时， 第四层 306 作为电子传输层。
     由蒸镀在第四层 306 上形成包括氟化钙的第五层 307。第五层 307 的厚度被设定 为 1nm。当发光元件工作时， 第五层 307 作为电子注入层。
     接着， 在第五层 307 上形成包括铝的第二电极 308。第二电极 308 的厚度设定为 200nm。
     当电压施加于以上制造的发光元件以使第一电极 302 的电位高于第二电极 308 的 电位时， 电流通过发光元件。 空穴和电子在作为发光层的第三层 305 处复合产生激发能。 激 发的 PCABPA 在返回到基态时发光。
     该发光元件被密封在氮气氛的手套箱中， 以便不让发光元件暴露于大气。 其后， 测 量发光元件的工作特性。此外， 该测量是在室温下进行 ( 在温度维持在 25℃的气氛中 )。
     测量结果示于图 16 和图 17。图 16 显示了电压 - 亮度特性的测量结果， 而图 17 显 示了亮度 - 电流效率特性的测量结果。在图 16 中， 水平轴表示该电压 (V) 和纵轴表示该亮 2 度 (cd/m )。同样， 在图 17 中， 水平轴表示亮度 (cd/m2) 和纵轴表示电流效率 (cd/A)。
     在这一实施方案中制造的发光元件的发射光谱示于图 18。 在图 18 中， 水平轴表示波长 (nm) 和纵轴表示强度 ( 给定的单位 )。根据图 18， 已知的是本实施方案的发光元件具 有在 477nm 处的发射光谱的峰， 并发射蓝光。另外， 其 CIE 色度座标是 x ＝ 0.16， y ＝ 0.28。 因此， 已知的是本实施方案的发光元件发射出具有良好色纯度的蓝光。
     实施方案 3
     在本实施方案中描述制造使用在合成实施例 1 中合成的 PCABPA 作为发光物质的 发光元件的方法以及该发光元件的工作特性。此外， 本实施方案的发光元件与实施方案 2 的发光元件类似之处在于结构中五个层被叠层在第一电极和第二电极之间， 其中这些层的 物质和厚度彼此不同。本实施方案将参考也用于实施方案 2 的描述中的图 15 来描述。
     如图 15 中所示， 含有氧化硅的氧化铟锡是通过溅射法在玻璃基板 301 上形成的， 从而形成第一电极 302。第一电极 302 的厚度被设定是 110nm。此外， 第一电极被形成为具 有正方形， 尺寸为 2mm×2mm。
     接着， 将在表面上已形成了第一电极 302 的玻璃基板 301 固定到放置于真空蒸镀 装置中的座上。
     真空蒸镀装置的内部被抽真空以使压力降低至 1×10-4Pa。然后， 由蒸镀在第一电 极 302 上形成包括铜酞菁的第一层 303。第一层 303 的厚度被设定为 20nm。当发光元件工 作时， 第一层 303 作为空穴注入层。
     随后， 由蒸镀在第一层 303 上形成包括 4， 4’ - 双 [N-(4- 联苯基 )-N- 苯基氨基 ] 联苯 ( 缩写 ： BBPB) 的第二层 304。第二层 304 的厚度被设定为 40nm。当发光元件工作时， 第二层 304 作为空穴传输层。
     由共蒸镀在第二层 304 上形成包括 t-BuDNA 和 PCABPA 的第三层 305。第三层 305 的厚度被设定为 40nm。在 t-BuDNA 和 PCABPA 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.05。因此， PCABPA 分散在 t-BuDNA 中。当发光元件工作时该第三层 305 作为发光层。此外， 该 PCABPA 作为发光物质。
     接着， 由蒸镀在第三层 305 上形成包括 Alq3 的第四层 306。第四层 306 的厚度被 设定为 20nm。当发光元件工作时， 第四层 306 作为电子传输层。
     由蒸镀在第四层 306 上形成包括氟化钙的第五层 307。第五层 307 的厚度被设定 为 1nm。当发光元件工作时， 第五层 307 作为电子注入层。
     接着， 在第五层 307 上形成包括铝的第二电极 308。第二电极 308 的厚度设定为 200nm。
     当电压施加于以上制造的发光元件以使第一电极 302 的电位高于第二电极 308 的 电位时， 电流通过发光元件。 空穴和电子在作为发光层的第三层 305 处复合产生激发能。 激 发的 PCABPA 在返回到基态时发光。
     该发光元件被密封在氮气氛的手套箱中， 以便不让发光元件暴露于大气。 其后， 测 量发光元件的工作特性。此外， 该测量是在室温下进行 ( 在温度维持在 25℃的气氛中 )。
     测量结果示于图 19 和图 20。图 19 显示了电压 - 亮度特性的测量结果， 而图 20 显 示了亮度 - 电流效率特性的测量结果。在图 19 中， 水平轴表示该电压 (V) 和纵轴表示该亮 2 度 (cd/m )。同样， 在图 20 中， 水平轴表示亮度 (cd/m2) 和纵轴表示电流效率 (cd/A)。
     在这一实施方案中制造的发光元件的发射光谱示于图 21。 在图 21 中， 水平轴表示 波长 (nm) 和纵轴表示强度 ( 给定的单位 )。根据图 21， 已知的是本实施方案的发光元件具有在 479nm 处的发射光谱的峰， 并发射蓝光。另外， 其 CIE 色度座标是 x ＝ 0.16， y ＝ 0.29。 因此， 已知的是本实施方案的发光元件发射出具有良好色纯度的蓝光。
     实施方案 4
     在本实施方案中描述制造使用在合成实施例 1 中合成的 PCABPA 作为发光物质的 发光元件的方法以及该发光元件的工作特性。此外， 本实施方案的发光元件与实施方案 2 的发光元件类似之处在于结构中五个层被叠层在第一电极和第二电极之间， 其中这些层的 物质和厚度彼此不同。本实施方案将参考也用于实施方案 2 的描述中的图 15 来描述。
     如图 15 中所示， 含有氧化硅的氧化铟锡是通过溅射法在玻璃基板 301 上形成的， 从而形成第一电极 302。第一电极 302 的厚度被设定是 110nm。此外， 第一电极被形成为具 有正方形， 尺寸为 2mm×2mm。
     接着， 将在表面上已形成了第一电极 302 的玻璃基板 301 固定到放置于真空蒸镀 装置中的座上。
     真空蒸镀装置的内部被抽真空以使压力降低至 1×10-4Pa。然后， 由蒸镀在第一电 极 302 上形成包括铜酞菁的第一层 303。第一层 303 的厚度被设定为 20nm。当发光元件工 作时， 第一层 303 作为空穴注入层。
     随后， 由蒸镀在第一层 303 上形成包括 BSPB 的第二层 304。第二层 304 的厚度被 设定为 40nm。当发光元件工作时， 第二层 304 作为空穴传输层。
     由共蒸镀在第二层 304 上形成包括 t-BuDNA 和 PCABPA 的第三层 305。第三层 305 的厚度被设定为 40nm。 在 t-BuDNA 和 PCABPA 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.1。 因此， PCABPA 分散在 t-BuDNA 中。当发光元件工作时该第三层 305 作为发光层。此外， 该 PCABPA 作为发 光物质。
     接着， 由蒸镀在第三层 305 上形成包括 Alq3 的第四层 306。第四层 306 的厚度被 设定为 20nm。当发光元件工作时， 第四层 306 作为电子传输层。
     由蒸镀在第四层 306 上形成包括氟化钙的第五层 307。第五层 307 的厚度被设定 为 1nm。当发光元件工作时， 第五层 307 作为电子注入层。
     接着， 在第五层 307 上形成包括铝的第二电极 308。第二电极 308 的厚度设定为 200nm。
     当电压施加于以上制造的发光元件以使第一电极 302 的电位高于第二电极 308 的 电位时， 电流通过发光元件。 空穴和电子在作为发光层的第三层 305 处复合产生激发能。 激 发的 PCABPA 在返回到基态时发光。
     该发光元件被密封在氮气氛的手套箱中， 以便不让发光元件暴露于大气。 其后， 测 量发光元件的工作特性。此外， 该测量是在室温下进行 ( 在温度维持在 25℃的气氛中 )。
     测量结果示于图 22 和图 23。图 22 显示了电压 - 亮度特性的测量结果， 而图 23 显 示了亮度 - 电流效率特性的测量结果。在图 22 中， 水平轴表示该电压 (V) 和纵轴表示该亮 2 度 (cd/m )。同样， 在图 23 中， 水平轴表示亮度 (cd/m2) 和纵轴表示电流效率 (cd/A)。
     在这一实施方案中制造的发光元件的发射光谱示于图 24。 在图 24 中， 水平轴表示 波长 (nm) 和纵轴表示强度 ( 给定的单位 )。根据图 24， 已知的是本实施方案的发光元件具 有在 474nm 处的发射光谱的峰， 并发射蓝光。另外， 其 CIE 色度座标是 x ＝ 0.16， y ＝ 0.25。 因此， 已知的是本实施方案的发光元件发射出具有良好色纯度的蓝光。实施方案 5
     在本实施方案中描述制造使用在合成实施例 1 中合成的 PCABPA 作为发光物质的 发光元件的方法以及该发光元件的工作特性。此外， 本实施方案的发光元件与实施方案 2 的发光元件类似之处在于结构中五个层被叠层在第一电极和第二电极之间， 其中这些层的 物质和厚度彼此不同。本实施方案将参考也用于实施方案 2 的描述中的图 15 来描述。
     如图 15 中所示， 含有氧化硅的氧化铟锡是通过溅射法在玻璃基板 301 上形成的， 从而形成第一电极 302。第一电极 302 的厚度被设定是 110nm。此外， 第一电极被形成为具 有正方形， 尺寸为 2mm×2mm。
     接着， 将在表面上已形成了第一电极 302 的玻璃基板 301 固定到放置于真空蒸镀 装置中的座上。
     真空蒸镀装置的内部被抽真空以使压力降低至 1×10-4Pa。然后， 由蒸镀在第一电 极 302 上形成包括 DNTPD 的第一层 303。第一层 303 的厚度被设定为 50nm。当发光元件工 作时， 第一层 303 作为空穴注入层。
     随后， 由蒸镀在第一层 303 上形成包括 NPB 的第二层 304。第二层 304 的厚度被设 定为 10nm。当发光元件工作时， 第二层 304 作为空穴传输层。
     由共蒸镀在第二层 304 上形成包括 CzPA 和 PCABPA 的第三层 305。第三层 305 的 厚度被设定为 40nm。在 CzPA 和 PCABPA 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.05。因此， PCABPA 分 散在 CzPA 中。当发光元件工作时该第三层 305 作为发光层。此外， 该 PCABPA 作为发光物 质。
     接着， 由蒸镀在第三层 305 上形成包括 Alq3 的第四层 306。第四层 306 的厚度被 设定为 20nm。当发光元件工作时， 第四层 306 作为电子传输层。
     由蒸镀在第四层 306 上形成包括氟化钙的第五层 307。第五层 307 的厚度被设定 为 1nm。当发光元件工作时， 第五层 307 作为电子注入层。
     接着， 在第五层 307 上形成包括铝的第二电极 308。第二电极 308 的厚度设定为 200nm。
     当电压施加于以上制造的发光元件以使第一电极 302 的电位高于第二电极 308 的 电位时， 电流通过发光元件。 空穴和电子在作为发光层的第三层 305 处复合产生激发能。 激 发的 PCABPA 在返回到基态时发光。
     该发光元件被密封在氮气氛的手套箱中， 以便不让发光元件暴露于大气。 其后， 测 量发光元件的工作特性。此外， 该测量是在室温下进行 ( 在温度维持在 25℃的气氛中 )。
     测量结果示于图 25 和图 26。图 25 显示了电压 - 亮度特性的测量结果， 而图 26 显 示了亮度 - 电流效率特性的测量结果。在图 25 中， 水平轴表示该电压 (V) 和纵轴表示该亮 2 度 (cd/m )。同样， 在图 26 中， 水平轴表示亮度 (cd/m2) 和纵轴表示电流效率 (cd/A)。
     在这一实施方案中制造的发光元件的发射光谱示于图 27。 在图 27 中， 水平轴表示 波长 (nm) 和纵轴表示强度 ( 给定的单位 )。根据图 27， 已知的是本实施方案的发光元件具 有在 478nm 处的发射光谱的峰， 并发射蓝光。另外， 其 CIE 色度座标是 x ＝ 0.16， y ＝ 0.28。 因此， 已知的是本实施方案的发光元件发射出具有良好色纯度的蓝光。
     实施方案 6
     在本实施方案中描述制造使用在合成实施例 1 中合成的 PCABPA 作为发光物质的发光元件的方法以及该发光元件的工作特性。此外， 本实施方案的发光元件与实施方案 2 的发光元件类似之处在于结构中五个层被叠层在第一电极和第二电极之间， 其中这些层的 物质和厚度彼此不同。本实施方案将参考也用于实施方案 2 的描述中的图 15 来描述。
     如图 15 中所示， 含有氧化硅的氧化铟锡是通过溅射法在玻璃基板 301 上形成的， 从而形成第一电极 302。第一电极 302 的厚度被设定是 110nm。此外， 第一电极被形成为具 有正方形， 尺寸为 2mm×2mm。
     接着， 将在表面上已形成了第一电极 302 的玻璃基板 301 固定到放置于真空蒸镀 装置中的座上。
     真空蒸镀装置的内部被抽真空以使压力降低至 1×10-4Pa。然后， 由蒸镀在第一电 极 302 上形成包括 DNTPD 的第一层 303。第一层 303 的厚度被设定为 50nm。当发光元件工 作时， 第一层 303 作为空穴注入层。
     随后， 由蒸镀在第一层 303 上形成包括 NPB 的第二层 304。第二层 304 的厚度被设 定为 10nm。当发光元件工作时， 第二层 304 作为空穴传输层。
     由共蒸镀在第二层 304 上形成包括 CzPA 和 PCABPA 的第三层 305。第三层 305 的 厚度被设定为 40nm。在 CzPA 和 PCABPA 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.04。因此， PCABPA 分 散在 CzPA 中。当发光元件工作时该第三层 305 作为发光层。此外， 该 PCABPA 作为发光物 质。
     接着， 由蒸镀在第三层 305 上形成包括 Alq3 的第四层 306。第四层 306 的厚度被 设定为 10nm。当发光元件工作时， 第四层 306 作为电子传输层。
     由共蒸镀在第四层 306 上形成包括 Alq3 和 Li 的第五层 307。第五层 307 的厚度 被设定为 10nm。在 Alq3 和 Li 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.01。当发光元件工作时， 第五 层 307 作为电子注入层。
     接着， 在第五层 307 上形成包括铝的第二电极 308。第二电极 308 的厚度设定为 200nm。
     当电压施加于以上制造的发光元件以使第一电极 302 的电位高于第二电极 308 的 电位时， 电流通过发光元件。 空穴和电子在作为发光层的第三层 305 处复合产生激发能。 激 发的 PCABPA 在返回到基态时发光。
     该发光元件被密封在氮气氛的手套箱中， 以便不让发光元件暴露于大气。 其后， 测 量发光元件的工作特性。此外， 该测量是在室温下进行 ( 在温度维持在 25℃的气氛中 )。
     测量结果示于图 28 和图 29。图 28 显示了电压 - 亮度特性的测量结果， 而图 29 显 示了亮度 - 电流效率特性的测量结果。在图 28 中， 水平轴表示该电压 (V) 和纵轴表示该亮 2 度 (cd/m )。同样， 在图 29 中， 水平轴表示亮度 (cd/m2) 和纵轴表示电流效率 (cd/A)。
     在这一实施方案中制造的发光元件的发射光谱示于图 30。 在图 30 中， 水平轴表示 波长 (nm) 和纵轴表示强度 ( 给定的单位 )。根据图 30， 已知的是本实施方案的发光元件具 有在 487nm 处的发射光谱的峰， 并发射蓝光。另外， 其 CIE 色度座标是 x ＝ 0.17， y ＝ 0.32。 因此， 已知的是本实施方案的发光元件发射出具有良好色纯度的蓝光。
     实施方案 7
     在本实施方案中描述制造使用在合成实施例 1 中合成的 PCABPA 作为发光物质的 发光元件的方法以及该发光元件的工作特性。此外， 本实施方案的发光元件与实施方案 2的发光元件类似之处在于结构中五个层被叠层在第一电极和第二电极之间， 其中这些层的 物质和厚度彼此不同。本实施方案将参考也用于实施方案 2 的描述中的图 15 来描述。
     如图 15 中所示， 含有氧化硅的氧化铟锡是通过溅射法在玻璃基板 301 上形成的， 从而形成第一电极 302。第一电极 302 的厚度被设定是 110nm。此外， 第一电极被形成为具 有正方形， 尺寸为 2mm×2mm。
     接着， 将在表面上已形成了第一电极 302 的玻璃基板 301 固定到放置于真空蒸镀 装置中的座上。
     真空蒸镀装置的内部被抽真空以使压力降低至 1×10-4Pa。然后， 由蒸镀在第一电 极 302 上形成包括 DNTPD 的第一层 303。第一层 303 的厚度被设定为 50nm。当发光元件工 作时， 第一层 303 作为空穴注入层。
     随后， 由蒸镀在第一层 303 上形成包括 NPB 的第二层 304。第二层 304 的厚度被设 定为 10nm。当发光元件工作时， 第二层 304 作为空穴传输层。
     由共蒸镀在第二层 304 上形成包括 DPCzPA 和 PCABPA 的第三层 305。 第三层 305 的 厚度被设定为 40nm。在 DPCzPA 和 PCABPA 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.04。因此， PCABPA 分散在 DPCzPA 中。当发光元件工作时该第三层 305 作为发光层。此外， 该 PCABPA 作为发 光物质。
     接着， 由蒸镀在第三层 305 上形成包括 Alq3 的第四层 306。第四层 306 的厚度被 设定为 10nm。当发光元件工作时， 第四层 306 作为电子传输层。
     由共蒸镀在第四层 306 上形成包括 Alq3 和 Li 的第五层 307。第五层 307 的厚度 被设定为 10nm。在 Alq3 和 Li 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.01。当发光元件工作时， 第五 层 307 作为电子注入层。
     接着， 在第五层 307 上形成包括铝的第二电极 308。第二电极 308 的厚度设定为 200nm。
     当电压施加于以上制造的发光元件以使第一电极 302 的电位高于第二电极 308 的 电位时， 电流通过发光元件。 空穴和电子在作为发光层的第三层 305 处复合产生激发能。 激 发的 PCABPA 在返回到基态时发光。
     该发光元件被密封在氮气氛的手套箱中， 以便不让发光元件暴露于大气。 其后， 测 量发光元件的工作特性。此外， 该测量是在室温下进行 ( 在温度维持在 25℃的气氛中 )。
     测量结果示于图 31 和图 32。图 31 显示了电压 - 亮度特性的测量结果， 而图 32 显 示了亮度 - 电流效率特性的测量结果。在图 31 中， 水平轴表示该电压 (V) 和纵轴表示该亮 2 度 (cd/m )。同样， 在图 32 中， 水平轴表示亮度 (cd/m2) 和纵轴表示电流效率 (cd/A)。
     在这一实施方案中制造的发光元件的发射光谱示于图 33。 在图 33 中， 水平轴表示 波长 (nm) 和纵轴表示强度 ( 给定的单位 )。根据图 33， 已知的是本实施方案的发光元件具 有在 487nm 处的发射光谱的峰， 并发射蓝光。另外， 其 CIE 色度座标是 x ＝ 0.17， y ＝ 0.32。 因此， 已知的是本实施方案的发光元件发射出具有良好色纯度的蓝光。
     实施方案 8
     在本实施方案中描述制造使用在合成实施例 1 中合成的 PCABPA 作为发光物质的 发光元件的方法以及该发光元件的工作特性。此外， 本实施方案的发光元件与实施方案 2 的发光元件类似之处在于结构中五个层被叠层在第一电极和第二电极之间， 其中这些层的物质和厚度彼此不同。本实施方案将参考也用于实施方案 2 的描述中的图 15 来描述。
     如图 15 中所示， 含有氧化硅的氧化铟锡是通过溅射法在玻璃基板 301 上形成的， 从而形成第一电极 302。第一电极 302 的厚度被设定是 110nm。此外， 第一电极被形成为具 有正方形， 尺寸为 2mm×2mm。
     接着， 将在表面上已形成了第一电极 302 的玻璃基板 301 固定到放置于真空蒸镀 装置中的座上。
     真空蒸镀装置的内部被抽真空以使压力降低至 1×10-4Pa。然后， 由蒸镀在第一电 极 302 上形成包括 DNTPD 的第一层 303。第一层 303 的厚度被设定为 50nm。当发光元件工 作时， 第一层 303 作为空穴注入层。
     随后， 由蒸镀在第一层 303 上形成包括 NPB 的第二层 304。第二层 304 的厚度被设 定为 10nm。当发光元件工作时， 第二层 304 作为空穴传输层。
     由共蒸镀在第二层 304 上形成包括 t-BuDNA 和 PCABPA 的第三层 305。第三层 305 的厚度被设定为 40nm。在 t-BuDNA 和 PCABPA 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.04。因此， PCABPA 分散在 t-BuDNA 中。当发光元件工作时该第三层 305 作为发光层。此外， 该 PCABPA 作为发光物质。
     接着， 由蒸镀在第三层 305 上形成包括 Alq3 的第四层 306。第四层 306 的厚度被 设定为 10nm。当发光元件工作时， 第四层 306 作为电子传输层。
     由共蒸镀在第四层 306 上形成包括 Alq3 和 Li 的第五层 307。第五层 307 的厚度 被设定为 10nm。在 Alq3 和 Li 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.01。当发光元件工作时， 第五 层 307 作为电子注入层。
     接着， 在第五层 307 上形成包括铝的第二电极 308。第二电极 308 的厚度设定为 200nm。
     当电压施加于以上制造的发光元件以使第一电极 302 的电位高于第二电极 308 的 电位时， 电流通过发光元件。 空穴和电子在作为发光层的第三层 305 处复合产生激发能。 激 发的 PCABPA 在返回到基态时发光。
     该发光元件被密封在氮气氛的手套箱中， 以便不让发光元件暴露于大气。 其后， 测 量发光元件的工作特性。此外， 该测量是在室温下进行 ( 在温度维持在 25℃的气氛中 )。
     测量结果示于图 34 和图 35。图 34 显示了电压 - 亮度特性的测量结果， 而图 35 显 示了亮度 - 电流效率特性的测量结果。在图 34 中， 水平轴表示该电压 (V) 和纵轴表示该亮 2 度 (cd/m )。同样， 在图 35 中， 水平轴表示亮度 (cd/m2) 和纵轴表示电流效率 (cd/A)。
     在这一实施方案中制造的发光元件的发射光谱示于图 36。 在图 36 中， 水平轴表示 波长 (nm) 和纵轴表示强度 ( 给定的单位 )。根据图 36， 已知的是本实施方案的发光元件具 有在 482nm 处的发射光谱的峰， 并发射蓝光。另外， 其 CIE 色度座标是 x ＝ 0.16， y ＝ 0.29。 结果， 已知的是本实施方案的发光元件发射出具有良好色纯度的蓝光。
     实施方案 9
     在本实施方案中描述制造使用在合成实施例 1 中合成的 PCABPA 作为发光物质的 发光元件的方法以及该发光元件的工作特性。此外， 本实施方案的发光元件与实施方案 2 的发光元件类似之处在于结构中五个层被叠层在第一电极和第二电极之间， 其中这些层的 物质和厚度彼此不同。本实施方案将参考也用于实施方案 2 的描述中的图 15 来描述。如图 15 中所示， 含有氧化硅的氧化铟锡是通过溅射法在玻璃基板 301 上形成的， 从而形成第一电极 302。第一电极 302 的厚度被设定是 110nm。此外， 第一电极被形成为具 有正方形， 尺寸为 2mm×2mm。
     接着， 将在表面上已形成了第一电极 302 的玻璃基板 301 固定到放置于真空蒸镀 装置中的座上。
     真空蒸镀装置的内部被抽真空以使压力降低至 1×10-4Pa。然后， 由蒸镀在第一电 极 302 上形成包括 CuPc 的第一层 303。第一层 303 的厚度被设定为 20nm。当发光元件工 作时， 第一层 303 作为空穴注入层。
     随后， 由蒸镀在第一层 303 上形成包括 NPB 的第二层 304。第二层 304 的厚度被设 定为 40nm。当发光元件工作时， 第二层 304 作为空穴传输层。
     由共蒸镀在第二层 304 上形成包括 CzPA 和 PCABPA 的第三层 305。第三层 305 的 厚度被设定为 40nm。在 CzPA 和 PCABPA 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.04。因此， PCABPA 分 散在 CzPA 中。当发光元件工作时该第三层 305 作为发光层。此外， 该 PCABPA 作为发光物 质。
     接着， 由蒸镀在第三层 305 上形成包括 Alq3 的第四层 306。第四层 306 的厚度被 设定为 10nm。当发光元件工作时， 第四层 306 作为电子传输层。
     由共蒸镀在第四层 306 上形成包括 Alq3 和 Li 的第五层 307。第五层 307 的厚度 被设定为 10nm。在 Alq3 和 Li 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.01。当发光元件工作时， 第五 层 307 作为电子注入层。
     接着， 在第五层 307 上形成包括铝的第二电极 308。第二电极 308 的厚度设定为 200nm。
     当电压施加于以上制造的发光元件以使第一电极 302 的电位高于第二电极 308 的 电位时， 电流通过发光元件。 空穴和电子在作为发光层的第三层 305 处复合产生激发能。 激 发的 PCABPA 在返回到基态时发光。
     该发光元件被密封在氮气氛的手套箱中， 以便不让发光元件暴露于大气。 其后， 测 量发光元件的工作特性。此外， 该测量是在室温下进行 ( 在温度维持在 25℃的气氛中 )。
     测量结果示于图 37 和图 38。图 37 显示了电压 - 亮度特性的测量结果， 而图 38 显 示了亮度 - 电流效率特性的测量结果。在图 37 中， 水平轴表示该电压 (V) 和纵轴表示该亮 2 度 (cd/m )。同样， 在图 38 中， 水平轴表示亮度 (cd/m2) 和纵轴表示电流效率 (cd/A)。
     在这一实施方案中制造的发光元件的发射光谱示于图 39。 在图 39 中， 水平轴表示 波长 (nm) 和纵轴表示强度 ( 给定的单位 )。根据图 39， 已知的是本实施方案的发光元件具 有在 481nm 处的发射光谱的峰， 并发射蓝光。另外， 其 CIE 色度座标是 x ＝ 0.17， y ＝ 0.31。 因此， 已知的是本实施方案的发光元件发射出具有良好色纯度的蓝光。
     实施方案 10
     在本实施方案中描述制造使用在合成实施例 1 中合成的 PCABPA 作为发光物质的 发光元件的方法以及该发光元件的工作特性。此外， 本实施方案的发光元件与实施方案 2 的发光元件类似之处在于结构中五个层被叠层在第一电极和第二电极之间， 其中这些层的 物质和厚度彼此不同。本实施方案将参考也用于实施方案 2 的描述中的图 15 来描述。
     如图 15 中所示， 含有氧化硅的氧化铟锡是通过溅射法在玻璃基板 301 上形成的，从而形成第一电极 302。第一电极 302 的厚度被设定是 110nm。此外， 第一电极被形成为具 有正方形， 尺寸为 2mm×2mm。
     接着， 将在表面上已形成了第一电极 302 的玻璃基板 301 固定到放置于真空蒸镀 装置中的座上。
     真空蒸镀装置的内部被抽真空以使压力降低至 1×10-4Pa。然后， 由蒸镀在第一电 极 302 上形成包括 CuPc 的第一层 303。第一层 303 的厚度被设定为 20nm。当发光元件工 作时， 第一层 303 作为空穴注入层。
     随后， 由蒸镀在第一层 303 上形成包括 NPB 的第二层 304。第二层 304 的厚度被设 定为 40nm。当发光元件工作时， 第二层 304 作为空穴传输层。
     由共蒸镀在第二层 304 上形成包括 DPCzPA 和 PCABPA 的第三层 305。 第三层 305 的 厚度被设定为 40nm。在 DPCzPA 和 PCABPA 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.04。因此， PCABPA 分散在 DPCzPA 中。当发光元件工作时该第三层 305 作为发光层。此外， 该 PCABPA 作为发 光物质。
     接着， 由蒸镀在第三层 305 上形成包括 Alq3 的第四层 306。第四层 306 的厚度被 设定为 10nm。当发光元件工作时， 第四层 306 作为电子传输层。
     由共蒸镀在第四层 306 上形成包括 Alq3 和 Li 的第五层 307。第五层 307 的厚度 被设定为 10nm。在 Alq3 和 Li 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.01。当发光元件工作时， 第五 层 307 作为电子注入层。
     接着， 在第五层 307 上形成包括铝的第二电极 308。第二电极 308 的厚度设定为 200nm。
     当电压施加于以上制造的发光元件以使第一电极 302 的电位高于第二电极 308 的 电位时， 电流通过发光元件。 空穴和电子在作为发光层的第三层 305 处复合产生激发能。 激 发的 PCABPA 在返回到基态时发光。
     该发光元件被密封在氮气氛的手套箱中， 以便不让发光元件暴露于大气。 其后， 测 量发光元件的工作特性。此外， 该测量是在室温下进行 ( 在温度维持在 25℃的气氛中 )。
     测量结果示于图 40 和图 41。图 40 显示了电压 - 亮度特性的测量结果， 而图 41 显 示了亮度 - 电流效率特性的测量结果。在图 40 中， 水平轴表示该电压 (V) 和纵轴表示该亮 2 度 (cd/m )。同样， 在图 41 中， 水平轴表示亮度 (cd/m2) 和纵轴表示电流效率 (cd/A)。
     在这一实施方案中制造的发光元件的发射光谱示于图 42。 在图 42 中， 水平轴表示 波长 (nm) 和纵轴表示强度 ( 给定的单位 )。根据图 42， 已知的是本实施方案的发光元件具 有在 485nm 处的发射光谱的峰， 并发射蓝光。另外， 其 CIE 色度座标是 x ＝ 0.17， y ＝ 0.31。 因此， 已知的是本实施方案的发光元件发射出具有良好色纯度的蓝光。
     实施方案 11
     在本实施方案中描述制造使用在合成实施例 1 中合成的 PCABPA 作为发光物质的 发光元件的方法以及该发光元件的工作特性。此外， 本实施方案的发光元件与实施方案 2 的发光元件类似之处在于结构中五个层被叠层在第一电极和第二电极之间， 其中这些层的 物质和厚度彼此不同。本实施方案将参考也用于实施方案 2 的描述中的图 15 来描述。
     如图 15 中所示， 含有氧化硅的氧化铟锡是通过溅射法在玻璃基板 301 上形成的， 从而形成第一电极 302。第一电极 302 的厚度被设定是 110nm。此外， 第一电极被形成为具有正方形， 尺寸为 2mm×2mm。
     接着， 将在表面上已形成了第一电极 302 的玻璃基板 301 固定到放置于真空蒸镀 装置中的座上。
     真空蒸镀装置的内部被抽真空以使压力降低至 1×10-4Pa。然后， 由蒸镀在第一电 极 302 上形成包括 CuPc 的第一层 303。第一层 303 的厚度被设定为 20nm。当发光元件工 作时， 第一层 303 作为空穴注入层。
     随后， 由蒸镀在第一层 303 上形成包括 NPB 的第二层 304。第二层 304 的厚度被设 定为 40nm。当发光元件工作时， 第二层 304 作为空穴传输层。
     由共蒸镀在第二层 304 上形成包括 t-BuDNA 和 PCABPA 的第三层 305。第三层 305 的厚度被设定为 40nm。在 t-BuDNA 和 PCABPA 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.04。因此， PCABPA 分散在 t-BuDNA 中。当发光元件工作时该第三层 305 作为发光层。此外， 该 PCABPA 作为发光物质。
     接着， 由蒸镀在第三层 305 上形成包括 Alq3 的第四层 306。第四层 306 的厚度被 设定为 10nm。当发光元件工作时， 第四层 306 作为电子传输层。
     由共蒸镀在第四层 306 上形成包括 Alq3 和 Li 的第五层 307。第五层 307 的厚度 被设定为 10nm。在 Alq3 和 Li 之间的质量比被调节到 1 ∶ 0.01。当发光元件工作时， 第五 层 307 作为电子注入层。
     接着， 在第五层 307 上形成包括铝的第二电极 308。第二电极 308 的厚度设定为 200nm。
     当电压施加于以上制造的发光元件以使第一电极 302 的电位高于第二电极 308 的 电位时， 电流通过发光元件。 空穴和电子在作为发光层的第三层 305 处复合产生激发能。 激 发的 PCABPA 在返回到基态时发光。
     该发光元件被密封在氮气氛的手套箱中， 以便不让发光元件暴露于大气。 其后， 测 量发光元件的工作特性。此外， 该测量是在室温下进行 ( 在温度维持在 25℃的气氛中 )。
     测量结果示于图 43 和图 44。图 43 显示了电压 - 亮度特性的测量结果， 而图 44 显 示了亮度 - 电流效率特性的测量结果。在图 43 中， 水平轴表示该电压 (V) 和纵轴表示该亮 2 度 (cd/m )。同样， 在图 44 中， 水平轴表示亮度 (cd/m2) 和纵轴表示电流效率 (cd/A)。
     在这一实施方案中制造的发光元件的发射光谱示于图 45。 在图 45 中， 水平轴表示 波长 (nm) 和纵轴表示强度 ( 给定的单位 )。根据图 45， 已知的是本实施方案的发光元件具 有在 476nm 处的发射光谱的峰， 并发射蓝光。另外， 其 CIE 色度座标是 x ＝ 0.16， y ＝ 0.28。 因此， 已知的是本实施方案的发光元件发射出具有良好色纯度的蓝光。
     附图符号说明
     101 ： 第一电极， 102 ； 第二电极， 111 ： 空穴注入层， 112 ： 空穴传输层， 113 ： 发光层， 114 ： 电子传输层， 115 ： 电子注入层， 201 ： 第一电极， 202 ： 第二电极， 211 ： 空穴注入层， 212 ： 空穴传输层， 213 ： 发光层， 214 ： 电子传输层， 215 ： 电子注入层， 301 ： 玻璃基板， 302 ： 第一 电极， 303 ： 第一层， 304 ： 第二层， 305 ： 第三层， 306 ： 第四层， 307 ： 第五层， 308 ： 第二电极， 6500 ； 基板， 6503 ： FPC， 6504 ： 印刷布线板 (PWB)， 6511 ： 像素部， 6512 ： 源信号线驱动电路， 6513 ： 写入栅信号线驱动电路， 6514 ： 擦除栅信号线驱动电路， 901 ： 第一晶体管， 902 ； 第二 晶体管， 903 ： 发光元件， 911 ： 栅信号线， 912 ： 源信号线， 913 ： 写入栅信号线驱动电路， 914 ：擦除栅信号线驱动电路， 915 ： 源信号线驱动电路， 916 ： 电源， 917 ： 供电线， 918 ： 开关， 919 ： 开关， 920 ； 开关， 1001 ： 第一晶体管， 1002 ： 第二晶体管， 1003 ： 栅信号线， 1004 ： 源信号线， 1005 ： 供电线， 1006 ： 电极， 501 ： 副帧， 502 ； 副帧， 503 ； 副帧， 504 ： 副帧， 501a ： 写入期， 501b ： 保持期， 502a ： 写入期， 502b ： 保持期， 503a ： 写入期， 503b ： 保持期， 504a ： 写入期， 504b ； 保 持期， 504c ： 擦除期， 504d ： 非发光期， 2101 ： 第一晶体管， 2102 ： 保持电容器， 2103 ： 第二晶 体管， 2111 ： 擦除二极管， 2104 ； 发光元件， 2105 ； 信号线， 2106 ： 第一电源线， 2108 ： 第二电 源线， 2107 ： 第一栅线， 2117 ： 第二栅线， 10 ： 基板， 11 ： 晶体管， 12 ： 发光元件， 13 ： 第一电极， 14 ； 第二电极， 15 ： 发光层， 16a， 16b， 16c ： 第一中间层绝缘膜， 17 ： 布线， 18 ： 隔壁层， 19a， 19b ： 第二中间层绝缘膜， 5521 ： 主体， 5522 ： 外壳， 5523 ： 显示部， 5524 ： 键盘， 5551 ： 显示部， 5552 ： 主体， 5553 ： 天线， 5554 ： 声频输出部分， 5555 ： 音频输入部分， 5556 ： 操作开关， 5531 ： 显示部， 5532 ： 外壳， 5533 ： 扬声器， 1901 ： 基板， 1902 ： 电极， 1904 ： 隔壁层， 1905 ： 发光层， 1906 ： 电极， 1907 ： 基板