等离子显示屏及其制作方法 【技术领域】
本发明涉及等离子显示技术领域， 具体而言， 涉及一种等离子显示屏及其制作方法。 背景技术 通用的交流气体放电显示屏采用表面放电型结构。如附图 1， 示出了现有技术中 的一种交流气体放电等离子显示屏的结构示意图， 该显示屏包括上基板 1’ 及与之封接在一 起的下基板 7’ 。上基板 1’ 设置有透明电极 (ITO)2’ 和汇流电极 3’ 和增加对比度的黑条 12’ ， 透明电极 2’ 和汇流电极 3’ 构成放电电极， 在上基板 1’ 和位于上基板 1’ 上的放电电 极的表面都覆盖一层介质层 4’ ， 在介质层 4’ 上覆盖一层介质保护层 5’ 。下基板 7’ 包括设 置在其上且与放电电极垂直的寻址电极 8’ ， 覆盖寻址电极 8’ 的介质层 6’ ， 以及位于介质层 6’ 上且具有一定高度的障壁 9’ ， 障壁 9’ 将放电空间隔开， 形成了与寻址电极 8’ 平行的荧 光粉槽 10’ ， 在荧光粉槽 10’ 的底部覆盖有荧光粉层 11’ 。将上基板 1’ 和下基板 7’ 用低熔 点玻璃粉封接在一起后充入 Ne、 Ar、 Xe 等惰性混合气体， 之后通电使电极放电。
发明内容 本发明旨在提供一种结构简单的等离子显示屏及其制作方法。
为了实现上述目的， 根据本发明的一个方面， 提供了一种等离子显示屏， 包括 ： 第 一基板 ； 第二基板， 与第一基板相对地布置并封接在一起 ； 寻址电极， 设置在第二基板朝向 第一基板的一侧 ； 第一介质绝缘层， 覆盖在寻址电极上 ； 汇流电极， 设置在第一介质绝缘层 朝向第一基板的一侧 ； 第二介质绝缘层， 覆盖在汇流电极上 ； 以及障壁， 设置在第二介质绝 缘层朝向第一基板的一侧， 并由第一基板覆盖。
进一步地， 寻址电极和障壁平行设置， 并且， 汇流电极与寻址电极垂直设置。
进一步地， 在障壁的表面还设有保护膜层， 在保护膜层的底部设有荧光粉层。
根据本发明的另一方面， 提供了一种等离子显示屏的制作方法， 包括以下步骤 ： 制 作第一基板 ； 制作第二基板， 在第二基板一侧的表面制作寻址电极 ； 在寻址电极表面涂覆 形成第一介质绝缘层 ； 在第一介质绝缘层的表面制作汇流电极 ； 在汇流电极表面涂覆形成 第二介质绝缘层 ； 在第二介质绝缘层的表面制作障壁 ； 以及将第一基板覆盖在障壁上， 并 与第二基板封接在一起。
进一步地， 在制作障壁的步骤之后， 还包括以下步骤 ： 在障壁的表面形成保护膜 层。
进一步地， 通过蒸镀形成厚度为 800nm 的保护膜层， 保护膜层的材质为氧化镁。
进一步地， 通过光刻工艺制作寻址电极。
进一步地， 第一介质绝缘层和第二介质绝缘层均通过涂覆浆料、 干燥和烧结的步 骤形成。
进一步地， 在将第一基板和第二基板封接的步骤之前， 还包括以下步骤 ： 在障壁形
成的长形槽内填充荧光粉混合物， 荧光粉混合物为荧光粉和氧化镁晶体的混合物。
进一步地， 在将第一基板和第二基板封接的步骤之前， 还包括以下步骤 ： 在第二基 板的侧向边沿形成封接框， 通过涂覆、 干燥和烧结形成封接框。
在本发明的技术方案中， 等离子显示屏包括 ： 第一基板、 第二基板、 寻址电极、 第一 介质绝缘层、 汇流电极、 第二介质绝缘层和障壁。其中， 第二基板与第一基板封接， 寻址电 极、 第一介质绝缘层、 汇流电极、 第二介质绝缘层和障壁均设置在第二基板上， 具体地， 寻址 电极设置在第二基板朝向第一基板的一侧 ； 第一介质绝缘层覆盖在寻址电极上 ； 汇流电极 设置在第一介质绝缘层朝向第一基板的一侧 ； 第二介质绝缘层覆盖在汇流电极上 ； 障壁设 置在第二介质绝缘层朝向第一基板的一侧。
本发明的等离子显示屏的无需制备透明电极和遮光电极结构， 较现有技术的等离 子显示屏结构简单， 本发明的等离子显示屏的发光原理如下 ：
首先在寻址期， 通过寻址电极与汇流电极在需要发光的单元内进行一次弱放电， 在相应的放电单元内累积相应的壁电荷， 然后在扫描期， 需要发光的单元对应的汇流电极 进行放电， 加上之前壁电荷的累积作用， 电场强度可以激发惰性气体产生能级跃迁从而发 射真空紫外光， 真空紫外光激发荧光粉， 从而产生三基色可见光。 与现有技术的发光单元相 比， 不同之处在于寻址和扫描放电过程都在第二基板图形面进行。 附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解， 本发明的示 意性实施例及其说明用于解释本发明， 并不构成对本发明的不当限定。在附图中 ：
图 1 示出了现有技术的等离子显示屏的结构示意图 ；
图 2 示出了根据本发明的等离子显示屏的实施例的结构示意图 ； 以及
图 3 示出了根据本发明的等离子显示屏的制作方法的实施例的流程示意图。 具体实施方式
需要说明的是， 在不冲突的情况下， 本申请中的实施例及实施例中的特征可以相 互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
如图 2 所示， 本实施例的等离子显示屏包括 ： 第一基板 1、 第二基板 2、 寻址电极 3、 第一介质绝缘层 4、 汇流电极 5、 第二介质绝缘层 6 和障壁 7。第二基板 2 与第一基板 1 相对 地布置并封接在一起 ； 寻址电极 3 设置在第二基板 2 朝向第一基板 1 的一侧 ； 第一介质绝缘 层 4 覆盖在寻址电极 3 上 ； 汇流电极 5 设置在第一介质绝缘层 4 朝向第一基板 1 的一侧 ； 第 二介质绝缘层 6 覆盖在汇流电极 5 上 ； 障壁 7 设置在第二介质绝缘层 6 朝向第一基板 1 的 一侧， 并由第一基板 1 覆盖。寻址电极 3 和障壁 7 平行设置， 并且， 汇流电极 5 与寻址电极 3 垂直设置。
本实施例的等离子显示屏的无需制备透明电极和遮光电极结构 ( 一般为黑条 )， 较现有技术的等离子显示屏结构简单， 本实施例的等离子显示屏的发光原理如下 ：
首先在寻址期， 通过寻址电极 3 与汇流电极 5 在需要发光的单元内进行一次弱放 电， 在相应的放电单元内累积相应的壁电荷， 然后在扫描期， 需要发光的单元对应的汇流电 极 5 进行放电， 加上之前壁电荷的累积作用， 电场强度可以激发惰性气体产生能级跃迁从而发射真空紫外光， 真空紫外光激发荧光粉， 从而产生三基色可见光。 与现有技术的发光单 元相比， 不同之处在于寻址和扫描放电过程都在第二基板 2 图形面进行。
需要注意的是， 由于本实施例的寻址和扫描放电过程都在第二基板 2 图形面进 行， 因此相应的第一和第二层介质绝缘层厚度与现有技术中第一和第二层介质绝缘层厚度 要有所改变， 两层介质也需要相匹配的烧结收缩比例， 同时由于放电过程在第二基板表面 发生， 为了提高第二介质绝缘层 6 及障壁 7 对可见光的反射， 在障壁 7 的表面还设有保护 膜层， 优选使用氧化镁 (MgO)， 在保护膜层的底部设有荧光粉层。保护膜层在制作完成障壁 7 后进行蒸镀形成， 相应的为了提高二次电子发射系数提高寻址响应速度， 在荧光粉内添加 MgO 微晶颗粒。
如图 3 所示， 本实施例的等离子显示屏的制作方法， 包括以下步骤 ：
S10 ： 制作第一基板 1。
S20 ： 制作第二基板 2。
S30 ： 在第二基板 2 一侧的表面制作寻址电极 3。优选地， 通过光刻工艺制作寻址 电极 3。
S40 ： 在寻址电极 3 表面涂覆形成第一介质绝缘层 4。 优选地， 第一介质绝缘层 4 可 以通过涂覆浆料、 干燥和烧结的步骤形成。 S50 ： 在第一介质绝缘层 4 的表面制作汇流电极 5。
S60 ： 在汇流电极 3 表面涂覆形成第二介质绝缘层 6。 优选地， 第二介质绝缘层 6 可 以通过涂覆浆料、 干燥和烧结的步骤形成。
S70 ： 在第二介质绝缘层 6 的表面制作障壁 7。
S80 ： 将第一基板 1 覆盖在障壁上， 并与第二基板 2 封接在一起。优选地， 在第二基 板 2 的侧向边沿形成封接框， 通过涂覆、 干燥和烧结形成封接框， 第一基板 1 和第二基板 2 通过该封接框进行封接。
优选地， 在制作障壁 7 的步骤之后， 还包括以下步骤 ： 在障壁 7 的表面形成保护膜 层。
根据权利要求 5 的制作方法， 通过蒸镀形成厚度为 800nm 的保护膜层， 保护膜层的 材质为氧化镁。保护膜层可以提高第二介质绝缘层 6 及障壁 7 对可见光的反射。
优选地， 在将第一基板 1 和第二基板 2 封接的步骤之前， 还包括以下步骤 ： 在障壁 7 形成的长形槽内填充荧光粉混合物， 荧光粉混合物为荧光粉和氧化镁晶体的混合物。 为了 提高二次电子发射系数提高寻址响应速度， 在荧光粉内添加 MgO 微晶颗粒。
根 据 本 发 明 的 上 述 等 离 子 显 示 屏 的 制 作 方 法 制 作 50 寸 HD 规 格， 分辨率为 1366*768 的等离子显示屏， 具体步骤如下 ：
先制作前基板， 选取透过率高的超薄玻璃 ( 厚度在 1μm 左右 )。
再制作后基板 ：
先在后玻璃基板以光刻工艺上制作寻址 ADD 电极图形。在玻璃基板上印刷寻址 电极 Ag 浆料——干燥——以带有电极图形的掩模板曝光——显影——烧结——形成寻址 ADD 电极。其中寻址电极要对应于装有荧光粉的障壁槽位置。
ADD 电极制作完成后， 制作介质绝缘层。 在 ADD 电极表面涂覆介质绝缘层浆料—— 干燥、 烧结——形成介质绝缘层。
在后介质层表面上印刷汇流电极所需要浆料干燥——以带有电极图形的掩模板 曝光——显影——烧结——形成汇流电极。
汇流电极制作完成后， 制作介质绝缘层。在汇流电极表面涂覆介质绝缘层浆 料——干燥、 烧结——形成介质绝缘层。
在介质绝缘层涂覆障壁浆料 - 干燥 - 烧结 - 涂 PR 胶层 - 干燥 - 曝光 - 显影 - 刻 蚀形成障壁图形，
在障壁表面经蒸镀形成厚度为 800nm 的保护膜层 (MgO 或其他复合材料 ) 图层。
在障壁内填充荧光粉 - 干燥， 其中荧光粉中掺入保护膜微晶颗粒 (MgO 晶体 )。
再对下基板进行封接框涂覆 - 干燥 - 烧结， 完成后基板制作。其中封接框材料使 用无 Pb 的低玻粉材料。
再通过对合封接排气， 等离子显示屏结构制作完成。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已， 并不用于限制本发明， 对于本领域的技 术人员来说， 本发明可以有各种更改和变化。 凡在本发明的精神和原则之内， 所作的任何修 改、 等同替换、 改进等， 均应包含在本发明的保护范围之内。