基板的处理装置和处理方法.pdf

本发明提供一种处理装置，能够利用处理液，均匀地处理在竖立状态下进行搬运的基板。在利用处理液处理基板的处理装置中，具有在竖立状态下向规定方向搬运基板的搬运装置和向在竖立状态下利用该搬运装置搬运的基板喷射处理液的蚀刻处理部(18)，该蚀刻处理部具有多个向基板的板面喷射处理液的喷嘴(21a～21d)，这些多个喷嘴按规定间隔配置在基板的高度方向上，并且，位于高度方向上方的喷嘴比位于下方的喷嘴处在基板的搬运方向后方的位置上。

1.  一种基板的处理装置，利用处理液处理基板，其特征在于，具有：
搬运装置，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；及
处理部，向利用该搬运装置在竖立状态下搬运的基板喷射处理液；
上述处理部具有向上述基板的板面喷射处理液的多个喷嘴，这些多个喷嘴按规定间隔配置在上述基板的高度方向上，并且，位于高度方向上方的喷嘴比位于下方的喷嘴处在上述基板的搬运方向的后方。

2.  如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，在上述基板的搬运方向相邻的喷嘴，从各自的喷嘴喷射后沿着基板的板面流动的处理液的区域不重叠地间隔设置。

3.  如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，位于高度方向上方的喷嘴，比位于下方的喷嘴的处理液的喷射量设定得大。

4.  如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，上述喷嘴被配置在喷射方向朝斜上方以使得被喷射的处理液画抛物线、而且处理液的抛物线的顶点部分接触到基板的板面的位置上。

5.  一种基板的处理装置，利用处理液处理基板，其特征在于，具有：
搬运装置，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；及
多个喷嘴，向利用该搬运装置在竖立状态下搬运的基板的板面喷射处理液；
将上述多个喷嘴配置成，沿着上述基板的高度方向，而且间距随着从高度方向上方向下方依次变大。

6.  一种基板的处理装置，利用处理液处理基板，其特征在于，具有：
搬运装置，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；及
多个喷嘴，向利用该搬运装置在竖立状态下搬运的基板的板面喷射处理液；
将上述多个喷嘴配置成，沿着上述基板的高度方向按规定间隔配置，而且供给到位于高度方向上方的喷嘴中的处理液的压力，比供给到位于下方的喷嘴中的处理液的压力设定得高。

7.  一种基板的处理装置，利用处理液处理基板，其特征在于，具有：
搬运装置，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；及
多个喷嘴，向利用该搬运装置在竖立状态下搬运的基板的板面喷射处理液；
将上述多个喷嘴配置成，沿着上述基板的高度方向按规定间隔配置，而且供给到位于高度方向上方的喷嘴中的处理液的流量，比供给到位于下方的喷嘴中的处理液的流量设定得大。

8.  一种基板的处理方法，沿着基板的高度方向配置多个喷嘴，从这些喷嘴喷射处理液来处理基板，其特征在于，具有以下工序：
搬运工序，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；及
喷射工序，从多个喷嘴向竖立状态下搬运的基板喷射处理液，而且使从各喷嘴喷射后沿着基板的板面流下的各自的处理液的区域不重叠。

9.  一种基板的处理方法，沿着基板的高度方向配置多个喷嘴，从这些喷嘴喷射处理液来处理基板，其特征在于，具有以下工序：
搬运工序，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；及
喷射工序，从上述多个喷嘴向竖立状态下搬运的基板喷射处理液，而且使供给到位于上述基板的高度方向上部的喷嘴中的处理液，比供给到位于下部的喷嘴中的处理液的压力和流量中的至少一方大。

基板的处理装置和处理方法
技术领域
本发明涉及在利用处理液处理基板的情况下适用的基板的处理装置和处理方法。
背景技术
在使用于液晶显示装置中的玻璃制的基板上形成电路图形。要在基板上形成电路图形，就采用平版印刷工艺。平版印刷(lithography)工艺如周知的，在上述基板上涂覆抗蚀剂，在该抗蚀剂上通过形成了电路图形的掩膜而照射光。
接着，去掉抗蚀剂的没照射光的部分或照射了光的部分，蚀刻基板的已去掉了抗蚀剂的部分，蚀刻之后，通过反复多次进行去掉抗蚀剂等的一系列的工序，就在上述基板上形成电路图形。
在这样的平版印刷工艺中，需要在上述基板上利用显影液、蚀刻液或者蚀刻后去掉抗蚀剂的剥离液等处理液处理基板的工序，另外还有利用作为处理液的清洗液进行清洗的工序等，还需要在清洗后去掉附着残留在基板上的清洗液的干燥工序。
现有技术中，在对基板进行上述一系列处理的情况下，上述基板在水平状态下，利用水平配置轴线的搬运辊，依次被搬运到各自的处理容器中，然后，利用处理液进行处理，或者喷射压缩气体进行干燥处理。
但是，近来使用于液晶显示装置的玻璃制的基板趋于大型化和薄型化。因此，若水平搬运基板，搬运辊间的基板的挠曲就变大，故产生了不能在基板的整个板面上均匀地进行各处理容器中的处理的情况。
基板若大型化，设置了搬运该基板的搬运辊的搬运轴就变长。并且，基板大型化，供给到基板上的处理液的量就增大，根据基板上的处理液的量而施加到上述搬运轴上的载荷就变大，所以，搬运轴的挠曲就增大。因此，由于搬运轴挠曲而基板发生挠曲，有时就不能进行均匀的处理。
因此，在利用处理液处理基板时，为了防止上述基板因处理液的重量而挠曲，就考虑使基板立起规定的角度，例如70度的角度来进行搬运。若在使基板立起的竖立状态下进行搬运，处理液就不滞留在基板的板面上，就能够从上方顺利地流向下方，故能够防止因处理液的重量而基板挠曲。
在向竖立状态的基板供给处理液的情况下，例如，考虑利用喷嘴，分别从基板的上下方向的多个地方供给处理液。但是，在利用多个喷嘴仅向基板的板面供给处理液中，供给到基板上部的处理液处理了基板的上部后，与供给到基板下部的处理液混合，反应性变差，因此，有时基板下部的处理比上部差。并且，流经基板上部与下部的处理液的速度因高度差异而不同，因此，就产生了因其速度差而不能均匀地处理基板的上部和下部的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种处理装置，在竖立状态下搬运基板后用处理液进行处理的情况下，能够整体都大致均匀地处理该基板。
为了解决上述技术问题，本发明的一种基板的处理装置，利用处理液处理基板，其特征在于，具有：
搬运装置，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；
处理部，向利用该搬运装置在竖立状态下搬运的基板喷射处理液，
上述处理部具有向上述基板的板面喷射处理液的多个喷嘴，这些多个喷嘴按规定间隔配置在基板的高度方向上，并且，位于高度方向上方的喷嘴比位于下方的喷嘴处在上述基板的搬运方向的后方。
本发明地一种基板的处理装置，利用处理液处理基板，其特征在于，具有：
搬运装置，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；
多个喷嘴，向利用该搬运装置在竖立状态下搬运的基板的板面喷射处理液，
将上述多个喷嘴配置成，沿着上述基板的高度方向，而且间距随着从高度方向上方向下方依次变大。
本发明的一种基板的处理装置，利用处理液处理基板，其特征在于，具有：
搬运装置，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；
多个喷嘴，向利用该搬运装置在竖立状态下搬运的基板的板面喷射处理液，
将上述多个喷嘴配置成，沿着上述基板的高度方向按规定间隔配置，而且供给到位于高度方向上方的喷嘴中的处理液的压力，比供给到位于下方的喷嘴中的处理液的压力设定得高。
本发明的一种基板的处理装置，利用处理液处理基板，其特征在于，具有：
搬运装置，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；
多个喷嘴，向利用该搬运装置在竖立状态下搬运的基板的板面喷射处理液，
将上述多个喷嘴配置成，沿着上述基板的高度方向按规定间隔配置，而且供给到位于高度方向上方的喷嘴中的处理液的流量，比供给到位于下方的喷嘴中的处理液的流量设定得大。
本发明的一种基板的处理方法，沿着基板的高度方向配置多个喷嘴，从这些喷嘴喷射处理液处理基板，其特征在于，具有：
搬运工序，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；
喷射工序，从多个喷嘴向竖立状态下搬运的基板喷射处理液，而且使从各喷嘴喷射后沿着基板的板面流下的各自的处理液的区域不重叠。
本发明的一种基板的处理方法，沿着基板的高度方向配置多个喷嘴，从这些喷嘴喷射处理液处理基板，其特征在于，具有：
搬运工序，在竖立状态下向规定方向搬运上述基板；
喷射工序，从上述多个喷嘴向竖立状态下搬运的基板喷射处理液，而且使供给到位于上述基板的高度方向上部的喷嘴中的处理液，比供给到位于下部的喷嘴中的处理液的压力和流量中的至少一方大。
发明的效果如下：
根据本发明，由于从各喷嘴喷射到基板上的处理液能够不混合而从基板的上部流向下部，因此，从各自的喷嘴喷射的处理液中不混合其他喷嘴喷射的处理液，反应性不变差。因此，就能够利用从多个喷嘴喷射的处理液，大致均匀地处理在竖立状态下搬运的基板。
根据本发明，由于能够大致均匀地向竖立状态下搬运的基板的上部和下部喷射处理液，因此，就能够大致均匀地处理基板的上部和下部。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的处理装置的概略结构的斜视图。
图2是示出蚀刻处理部的喷嘴的配置状态的侧面图。
图3是示出蚀刻处理部的喷嘴的配置状态的正面图。
图4是示出了基板的搬运速度与对应于喷嘴的高度位置而不同的基板下端部中的蚀刻液向基板搬运方向移动的距离的图表。
图5是示出了对于蚀刻液的供给高度，基板下部的蚀刻液的速度与蚀刻液到达基板下部的时间的关系的图表。
图6是示出了基板搬运速度为2000m/sec时的从各喷嘴喷射出的蚀刻液流经的区域的图。
图7是示出了基板搬运速度为4000m/sec时的从各喷嘴喷射出的蚀刻液流经的区域的图。
图8是示出了基板搬运速度为6000m/sec时的从各喷嘴喷射出的蚀刻液流经的区域的图。
图9是示出本发明的第二实施方式涉及的基板与喷嘴的关系的侧面图。
图10是示出本发明的第三实施方式涉及的基板与喷嘴的关系的侧面图。
图11是示出本发明的第四实施方式涉及的基板与喷嘴的关系的侧面图。
图12是示出本发明的第五实施方式涉及的基板与喷嘴的关系的侧面图。
图13是示出图12中示出的基板与喷嘴的关系的正面图。
图14是示出本发明的第六实施方式涉及的基板与喷嘴的关系的侧面图。
图15是示出本发明的第七实施方式涉及的基板与喷嘴的关系的侧面图。
图16是示出从喷嘴画抛物线喷射的处理液与基板的关系的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的一个实施方式。
图1至图8示出本发明的第一实施方式。图1中示出的处理装置具有基台1。在该基台1的上面的纵向一端，横向分离设置着装载部2和卸载部3。所述装载部2和卸载部3具有矩形板状的支承部件4，该支承部件4将下端部作为支点，可沿着箭头示出的基台1的横向摇动驱动。
在装载部2与卸载部3的一个侧面(图中仅示出装载部2)的下端部，按规定间隔设置着多个下部支承辊5，在上端部按规定间隔设置着多个上部支承辊6。由未图示的驱动源旋转驱动下部支承辊5。
在竖立状态中，从未图示的供给部向上述装载部2供给未处理的基板W。已供给到装着部2的基板W下端与下部支承辊5结合支持，上端与上部支承辊6结合支持。然后，通过向规定方向旋转驱动下部支承辊5，将未处理的基板W供给到后述的处理站中。
在上述处理站中处理后的基板W，被搬出到上述卸载部3中。搬出到卸载部3中的基板W下端与下部支承辊5结合支持，上端与上部支承辊6结合支持。
由用点划线示出的盖7覆盖着上述基台1的除了装载部2和卸载部3的部分。在该盖7内，沿着基台1的纵向，依次单行设置着作为处理站的固定站8和同样作为处理站的旋转站9。
在上述固定站8和旋转站9的一个侧面和其他侧面上，分别设置着搬运装置10。该搬运装置10在各站8、9的下端部具有沿着横向按规定间隔设置的驱动辊13。由驱动源12旋转驱动该驱动辊13。在各驱动辊13的上方，设置着分别沿着上下方向按规定间隔设置的多个支承辊14，在本实施方式中是3个。
上述驱动辊13无详细的图示，但在外周面上形成了V沟的同时，水平地设置着旋转轴线，上述支承辊14垂直设置着旋转轴线。
位于上下方向的3个支承辊14，分别设置在突出设置在各站8、9的侧面上的安装部件15的尖端部上。将沿着上下方向设置的3个支承辊14设定成，距站8、9的侧面的突出距离随着向上方而变小。
这样，从上述装载部2供给到上述固定站8的一个侧面上的基板W，下端与驱动辊13的V沟结合，通过将一个侧面支持在上述支承辊14上，成为上端比下端向各站8、9的侧面侧倾斜规定角度的状态，由上述驱动辊13进行搬运。
设定位于上下方向的3个支承辊14的距各站8、9的侧面的突出距离，使得使下端支持在驱动辊13上的基板W按例如70～85度的角度倾斜地保持。若使基板W按70～85度的角度倾斜，就可以不倒向与倾斜方向相反的方向，而在稳定的状态下进行搬运。而且，防止基板W在水平搬运的情况下因自重而弯曲。在本实施方式中，上述基板W按75度的角度倾斜搬运。
在从上述装载部2向固定站8的一个侧面的搬运装置10供给基板W的情况下，通过使装载部2的支承部件4按照与保持在固定站8上的基板W的倾斜角度相同的角度倾斜，就能够从装载部2向固定站8的一个侧面顺利地交接基板W。
同样地，在从固定站8的其他侧面搬出基板W到卸载部3的情况下，若使该卸载部3的支承部件4按照与基板W相同的角度倾斜，就能够从上述固定站8的其他侧面向上述卸载部3顺利地交接基板W。
在上述固定站8的一个侧面上，作为处理装置，分别依次设置着电刷清洗部17、作为处理部的蚀刻处理部18和纯水清洗部19，在上述旋转站9的一个侧面和其他侧面上，分别设置着作为处理装置的干燥处理部20(图中仅示出一方)。
上述电刷清洗部17无详细的图示，但构成无端状，使电刷面对置，配置了沿着基板W的上下方向无端移动的一对皮带。然后，通过向这些一对皮带的电刷面间搬运上述基板W，就电刷清洗了基板W的一对板面即表面和背面。
由上述电刷清洗部17清洗后的基板W的表面和背面中，表面由上述蚀刻处理部18进行蚀刻处理。如图2和图3所示，该蚀刻处理部18具有多个喷嘴，在本实施方式中具有第一至第四喷嘴21a～21d。
第一至第四喷嘴21a～21d按规定间隔配置在高度方向上，同时，对于基板W的搬运方向，配置成位于上方的喷嘴比位于下方的喷嘴处在图3中箭头示出的基板W的搬运方向后方的位置上。这样，连接多个喷嘴21a～21d的直线L对于基板W的搬运方向倾斜θ角度。
按照基板W的高度尺寸设定第一至第四喷嘴21a～21d的高度方向的间隔，根据基板W的搬运速度，设定沿着基板W的搬运方向的配置、即在基板W的搬运方向中相邻的喷嘴的间隔。
例如，在基板W的高度尺寸为1800mm的情况下，如图3所示，将第一喷嘴21a的高度h₁配置在1800mm的高度位置上，将第二喷嘴21b的高度h₂配置在1350mm的高度位置上，将第三喷嘴21c的高度h₃配置在900mm的高度位置上，将第四喷嘴21d的高度h₄配置在450mm的高度位置上。
如图2所示，第一至第四喷嘴21a～21d分别与从主供给管22分支的4个分支管23连接。在各分支管23上设置着流量控制阀24。这样，就能够从第一至第四喷嘴21a～21d向着基板W的表面，按照基于各自的流量控制阀24设定的流量，喷射作为处理液的蚀刻液。再有，在上述主供给管22上设置开关控制阀25，通过开放该开关控制阀25，向各分支管23供给蚀刻液。
将沿着基板W的搬运方向的喷嘴间隔设定成，从各喷嘴21a～21d喷射到基板W的板面上的蚀刻液，根据基板W的搬运速度沿着基板W的板面流动的区域各自不重叠。
图4是在基板W的搬运速度为2000mm/min、4000mm/min和6000mm/min时，利用实验，求出从配置在上述各高度位置上的第一至第四喷嘴21a～21d喷射的蚀刻液流经基板W的板面的区域的图表。在该图中，曲线X₁～X₄是基板W的搬运速度为2000mm/min的情况，曲线Y₁～Y₄是基板W的搬运速度为4000mm/min的情况，曲线Z₁～Z₄是基板W的搬运速度为6000mm/min的情况。
例如，从配置在高度1800mm的位置上的第一喷嘴21a喷射的蚀刻液，在基板W的搬运速度为2000mm/min时，如曲线X₁所示，从第一喷嘴21a喷射的蚀刻液，流经从垂直方向下方向基板W的搬运方向偏移约20mm区域的范围。在搬运速度为4000mm/min时，如曲线Y₁所示，流经从垂直方向下方向基板W的搬运方向偏移约40mm区域的范围。在搬运速度为6000mm/min时，如曲线Z₁所示，流经从垂直方向下方向基板W的搬运方向偏移约60mm区域的范围。
图6至图8示出了基于图4中示出的实验，在基板W的搬运速度为2000mm/min、4000mm/min和6000mm/min时，使得从第一～第四喷嘴21a～21d喷射后流经基板W的板面的蚀刻液的区域各自不重叠的上述第一～第四喷嘴21a～21d的配置状态和从各喷嘴喷射后沿着基板W的板面流动的蚀刻液的区域。
在图5中，曲线A示出了从第一～第四喷嘴21a～21d喷射到基板W的板面上后流向下方的蚀刻液的在基板W的下端部中的速度，曲线B示出了从各喷嘴21a～21d喷射到基板W的板面上的蚀刻液到达基板W的下端部的时间。
从该图表可知，从基板W的高位置喷射的蚀刻液比从低位置喷射的蚀刻液到达下端部的时间长，但基板W的下端部中的速度比从低位置喷射的蚀刻液快。
例如，从高度900mm位置的第三喷嘴21c喷射的蚀刻液到达下端部的时间是0.44sec，故从高度位于2倍的1800mm位置上的第一喷嘴21a喷射的蚀刻液到达下端部的计算上的时间是其2倍的0.88sec，但实测值是0.62sec。即，在基板W的下端部中，由于从高位置落下的蚀刻液比从低位置落下的蚀刻液加速度大，故得到如图5所示的测定结果。
上述纯水清洗部19利用纯水清洗在上述蚀刻清洗部18中蚀刻后的基板W的板面。纯水清洗部19的详细结构未图示，但例如从对于基板W的搬运方向倾斜规定角度形成的多个缝隙状的喷嘴，能够大致均匀地将纯水喷射到基板W的整个的正反两面上。这样，通过经过上述纯水清洗部19，在上述蚀刻处理部18中蚀刻处理而残留的蚀刻液就被洗掉。
上述干燥处理部20去掉附着残留在上述纯水处理部19中清洗处理后的基板W上的纯水。干燥处理部20由用比较高的压力喷射惰性气体等清洁的压缩气体的气刀构成，通过向搬运的基板W的正反两面喷射压缩气体，就去掉了在上述纯水处理部19中清洗处理而附着残留在该板面上的纯水。
基板W在干燥处理部20中一进行干燥处理，设置了该干燥处理部20的旋转站9就180度旋转，将干燥处理后的基板W向着卸载部3侧。在该状态下，向着卸载部3搬运基板W，从搬运装置10交接给上述卸载部3。
根据上述结构的处理装置，由搬运装置10将基板W向规定方向搬运，在电刷清洗部17中清洗后，到达蚀刻处理部18，在此，蚀刻处理基板W的表面。在蚀刻处理基板W的情况下，如图6至图8所示，按照基板W的高度尺寸和搬运速度，配置着蚀刻处理部18的第一至第四喷嘴21a～21d。
即，按照基板W的搬运速度，设定着上述第一至第四喷嘴21a～21d的间隔，使得从第一至第四喷嘴21a～21d分别喷射到基板W板面上后流向下方的蚀刻液的各区域不重叠。
例如，在按6000mm/sec搬运速度搬运基板W的情况下，如图8所示，若将从第一至第四喷嘴21a～21d喷射的蚀刻液向着下方流动的区域设为第一至第四区域R₁～R₄，则在基板W的上下方向全长上，这些各区域R₁～R₄与相邻的其他区域不重叠。
因此，蚀刻了基板W的第一区域R₁后的蚀刻液不与蚀刻了第二区域R₂的蚀刻液混合，同样地，蚀刻处理了第三、第四区域R₃、R₄后的蚀刻液中不混合蚀刻处理了其他区域后的蚀刻液。
例如，若蚀刻了第一区域R₁后的蚀刻液与蚀刻了第二区域R₂后的蚀刻液混合，则蚀刻液的反应性就变差。但是，如上所述，从第一至第四喷嘴21a～21d喷射的蚀刻液不混合，而流经各自的区域R₁～R₄。
因此，利用反应性没变差的蚀刻液，蚀刻处理基板W的从各喷嘴21a～21d喷射的蚀刻液所涉及的区域R₁～R₄，就能够在基板W的整个表面上均匀地进行该蚀刻处理。
如图8所示，若按照第一至第四喷嘴21a～21d的配置高度，将基板W的高度方向分为第一至第四高度部分H₁～H₄，则第一高度部分H₁就仅被流经第一区域R₁的蚀刻液蚀刻，但第二高度部分H₂被流经第一、第二区域R₁、R₂的蚀刻液蚀刻。同样地，第三高度部分H₃被流经第一至第三区域R₁～R₃的蚀刻液蚀刻，第四高度部分H₄被流经第一至第四区域R₁～R₄的蚀刻液蚀刻。
图8中用斜线示出由蚀刻液蚀刻各高度部分H₁～H₄的面积。第四高度部分H₄由于被从第一至第四喷嘴21a～21d喷射的蚀刻液蚀刻，故成为最大，若将该部分的面积设为“1”，则仅由来自第一喷嘴的蚀刻液蚀刻的第一高度部分H₁的面积就等于0.016。同样地，第二高度部分等于0.125，第三高度部分等于0.422。
若将流向第四高度部分H₄的蚀刻液的流量设为“1”，则对第一至第三高度部分H₁～H₃设定从第一至第四喷嘴21a～21d喷射的蚀刻液的流量，使之成与上述面积比的倒数相应的流量。
例如，根据第一高度部分H₄与第一高度部分H₁的面积比是1∶0.016，就设定流量比是其倒数的1∶62.5的来自第一喷嘴21a的蚀刻液的供给量。同样地，将第一高度部分H₄与第二高度部分H₂的流量比设定为1∶8.0，将第四高度部分H₄与第三高度部分H₃的流量比设定为1∶2.4。
这样地，若按照面积比的倒数设定来自各喷嘴的蚀刻液的供给量，基板W的各高度部分从蚀刻液接受的每单位时间的蚀刻处理量(处理面积×蚀刻液量)就大致相同，因此，就能够大致均匀地蚀刻处理基板W的整个表面。
图9示出本发明的第二实施方式。该实施方式沿着在竖立状态下进行搬运的基板W的高度方向，从基板W的上方沿着下方单行配置着多个喷嘴，例如5个喷嘴21。设定多个喷嘴21，使这些喷嘴21的间距P₁～P₄随着从基板W的高度方向上方向到下方依次变大。
再有，在连接了喷嘴2 1的各分支管23上设置着与第一实施方式相同的流量控制阀24，在主供给管22上设置着开关控制阀25。
从喷嘴21向基板W的高度方向上部喷射供给的蚀刻液，比向下部喷射供给的蚀刻液的向下方落下的速度大。因此，在沿着基板W的高度方向等间隔配置了多个喷嘴21的结构中，基板W的上部接受的每单位时间的蚀刻处理量就比下部小。
但是，如上所述地，使多个喷嘴21的配置间距在基板W的上部比下部密集，就能够在基板W的高度方向全长上使基板W接受的每单位时间的蚀刻处理量大致相同。这样，就可以在整体上均匀地进行基板W的蚀刻处理。
图10示出本发明的第三实施方式。该实施方式沿着在竖立状态下进行搬运的基板W的高度方向，大致等间隔地配置多个喷嘴，例如4个喷嘴21。各喷嘴21与第一实施方式同样地，通过分支管23，与主供给管22连接。
在各分支管23上分别设置压力设定阀31，就能够利用该压力设定阀31，设定从各喷嘴21喷射的蚀刻液的压力。在该实施方式中，供给到位于高度方向上方的喷嘴21中的蚀刻液的压力，比供给到位于下方的喷嘴21中的压力设定得高。
这样，由于能够向在竖立状态下搬运的基板W的高度方向上部，供给比下部多的蚀刻液，因此，就能够在基板W的高度方向全长上进行大致均匀的蚀刻。
在图10中示出的第三实施方式中，也可以取代压力设定阀31，在各分支管23上设置流量调整阀。这样，能够调整从各喷嘴21喷射的蚀刻液的流量。例如，利用各流量调整阀，将供给到位于高度方向上方的喷嘴21中的蚀刻液的量，比向位于下方的喷嘴21供给的量多。
这样，由于能够向在竖立状态下搬运的基板W的高度方向上部，供给比下部多量的蚀刻液，因此，即使供给到基板W上部的蚀刻液比供给到下部的蚀刻液流向下方的速度快，也能够大致均匀地蚀刻基板W的高度方向的全长。
图11示出本发明的第四实施方式。该实施方式与第一实施方式类似，但利用第一至第六的6个喷嘴21a～21f，对基板W喷射供给处理液。
第一、第二喷嘴21a、21b设置在第一集水管35a上，第三、第四喷嘴21c、21d设置在第二集水管35b上，第五、第六喷嘴21e、21f设置在第三集水管35c上。各集水管35a～35c分别通过设置了流量控制阀24的分支管23，与设置了开关控制阀25的主供给管22连接。
第一集水管35a配置在最上段，第二集水管35b配置在中段，第三集水管35c配置在下段。这样，第一喷嘴21a处于最高位置，第二至第六喷嘴21b～21f依次降低高度配置。另外，第一至第六喷嘴21a～21f与第一实施方式同样地，配置成位于高度方向上方的喷嘴比位于下方的喷嘴处在基板W的搬运方向后方的位置上。
这样地，通过在第一至第三集水管35a～35c上各设置了2个喷嘴，若设置在各集水管35a～35c上的2个喷嘴的口径相同，就能够按相同的流量喷射处理液。在想改变从设置在一个集水管上的2个喷嘴喷射的处理液的流量的情况下，可以改变2个喷嘴的口径。能够利用设置在各分支管23上的流量控制阀24，调整供给到3个集水管35a～35c中的处理液的流量。
从而，在这样的结构中，也可以将从6个喷嘴21a～21f喷射的处理液的量，设定成位于高度方向上方的喷嘴比位于下方的喷嘴的量大。
图12和图13示出本发明的第五实施方式。在上述各实施方式中，作为喷嘴，举出了扁型和锥型等的处理液的喷射断面为圆形的喷嘴，但在本实施方式中，使用直线状喷射的缝隙型的喷嘴。
在该第五实施方式中，在基板W的高度方向上，按规定间隔配置着缝隙型的第一至第五喷嘴121a～121e，并且使得位于高度方向上方的喷嘴比位于下方的喷嘴处在基板W的搬运方向后方的位置上。各喷嘴121a～121e向着铅直方向下方配置着处理液的喷射方向。
通过使用缝隙型的喷嘴121a～121e，能够均匀且迅速地向基板W的整个面喷射处理液，因此，就能在板面整体上均匀地进行利用处理液的处理。
此外，由于缝隙型的喷嘴不是雾状喷射处理液，故很少发生重雾。因此，在药液处理后喷射纯水的情况下，能够防止纯水的重雾附着在基板W的还没喷射纯水的部分上而药液的反应与其他部分不同的情况。其结果，就能够利用药液均匀地处理基板W全体。
在本实施方式中，向各喷嘴121a～121e供给的处理液与第一实施方式相同，在主供给管22上设置开关控制阀25，从该主供给管22分支5个分支管23，分别通过流量控制阀24，与各喷嘴121a～121e连接各分支管23。从而，能够通过调整各流量控制阀24的开度，来控制对各喷嘴121a～121e的处理液的供给量。
图14示出本发明的第六实施方式。该实施方式与第五实施方式的相同点是使用缝隙型的5个喷嘴121a～121e，但对于按规定角度倾斜缝隙面进行搬运的基板W的板面大致平行地配置各喷嘴。即，与第五实施方式的不同点在于，向着对于基板W的板面正交的方向配置着处理液的喷射方向。
再有，在该第六实施方式中，第一至第六喷嘴121a～121e与上述第五实施方式同样地，配置成位于高度方向上方的喷嘴比位于下方的喷嘴处在基板W的搬运方向后方的位置上。
在这样的结构中，与第五实施方式同样地，能够均匀且迅速地向基板W的整个面上喷射处理液，故能够在板面整体上均匀地进行利用处理液的处理。
图15和图16是本发明的第七实施方式。该第七实施方式是图14中示出的第六实施方式的变形例。即，在喷嘴上使用缝隙型的5个喷嘴121a～121e。各喷嘴121a～121e在基板W的高度方向上，按规定间隔配置成位于高度方向上方的喷嘴比位于下方的喷嘴处在基板W的搬运方向后方的位置上。
各喷嘴121a～121e如图5中箭头所示，向着上方配置着喷射方向，使得从缝隙喷射的处理液画抛物线P。另外，如图16所示，各喷嘴121a～121e配置成从缝隙喷射的处理液的抛物线P的顶点T的部分接触到基板W的板面。
这样地，若对基板W的板面配置各喷嘴121a～121e，处理液就在流速接近于0的缓慢的状态下与基板W的板面接触，在该板面上流向下方。因此，防止处理液在基板W的板面上反冲。
例如，在用作为处理液的纯水漂洗已利用药液等作为处理液处理过的基板的情况下，若纯水强力地接触到基板W的板面后反冲，有时包含药液的纯水就附着在基板W的未漂洗的邸内部分上，药液被稀释后该部分的反应与其他部分不同，基板W的处理状态就不均匀。
但是，通过从各喷嘴121a～121e喷射漂洗液成抛物线状，使该抛物线的顶点T的部分与基板W的板面接触，漂洗液就在基板W的板面上几乎不反冲。因此，就没有包含药液的漂洗液附着在基板W的已经漂洗处理后的部分上进行反应的情况，因此，能够防止漂洗处理时在基板W的处理状态中发生不均。
再有，在该第七实施方式中，作为处理液，不限于漂洗液，也可以是药液。在使用了药液的情况下，与使用了漂洗液的情况相同，由于药液不在基板W的板面上反冲而附着在其他部分上，故能够防止利用药液的基板W的处理不均匀的情况。
此外，作为喷嘴，不限于缝隙型，也可以是扁型和锥型等其他类型的喷嘴。
本发明不限定于上述各实施方式，可以在不脱离主旨的范围内做各种各样的变形。例如，作为在处理部中供给到基板上的处理液，不限定于蚀刻液，可以是处理基板的其他药液、例如显影液、剥离液、过氧化氢水、氨水等。此外，本发明也可以适用于纯水清洗部中，在该情况下，通过从喷嘴供给纯水，就能够在整个面上均匀地进行基板的漂洗处理。