《驱动电路.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《驱动电路.pdf（18页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 CN 104022626 A (43)申请公布日 2014.09.03 C N 1 0 4 0 2 2 6 2 6 A (21)申请号 201310063143.2 (22)申请日 2013.02.28 H02M 1/08(2006.01) (71)申请人力博特公司 地址美国俄亥俄州哥伦布迪尔伯恩道1050 号 (72)发明人卢军 (74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理 有限公司 11291 代理人黄志华 (54) 发明名称 驱动电路 (57) 摘要 本发明公开了一种驱动电路，包括第一被驱 动单元、第一开关单元、升压单元和第一稳压单 元，其中：第一被驱动单元和第一开关。
2、单元串联 形成第一支路；升压单元的第一端为额定驱动电 源接线端，第二端和第一支路的第一端相连，第三 端和第一支路的第二端相连并接地；第一稳压单 元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和第 一支路的第一端相连。采用本发明提供的驱动电 路，能够解决现有技术中的快速驱动电路需要两 路电源输入的问题。 (51)Int.Cl. 权利要求书3页 说明书8页 附图6页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书3页 说明书8页 附图6页 (10)申请公布号 CN 104022626 A CN 104022626 A 1/3页 2 1.一种驱动电路，其特征在于，包括第一被驱动单元、。
3、第一开关单元、升压单元和第一 稳压单元，其中： 所述第一被驱动单元和所述第一开关单元串联形成第一支路； 所述升压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第一支路的第一端相 连，第三端和所述第一支路的第二端相连并接地；在所述第一开关单元断开时，所述升压单 元升高自身的第二端和第三端间电压值大于所述额定驱动电源电压值，所述升压单元的第 二端和第三端间电压的极性和所述额定驱动电源电压的极性相同； 所述第一稳压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第一支路的第一端 相连；在所述第一开关单元闭合后，所述额定驱动电源通过所述第一稳压单元为所述第一 被驱动单元提供额定驱动电压。 2.如权利要求。
4、1所述的电路，其特征在于，所述升压单元，具体包括晶体管、二极管、电 感和电容，其中： 所述电感的一端作为所述升压单元的第一端； 所述电感的另一端和所述晶体管的第一端、所述二极管的阳极相连；所述二极管的阴 极和所述电容的一端相连，作为所述升压单元的第二端； 所述晶体管的第二端和所述电容的另一端相连，作为所述升压单元的第三端。 3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述升压单元，具体包括晶体管、二极管、变 压器和电容，其中： 所述变压器初级的一端作为所述升压单元的第一端； 所述变压器次级的一端和所述二极管的阳极相连；所述二极管的阴极和所述电容的一 端相连，作为所述升压单元的第二端； 所述变压器初。
5、级的另一端和所述晶体管的第一端相连；所述晶体管的第二端和所述变 压器次级的另一端、所述电容的另一端相连，作为所述升压单元的第三端。 4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一开关单元具体为晶体管，所述晶体 管的第一端作为所述第一开关单元的第一端，所述晶体管的第二端作为所述第一开关单元 的第二端。 5.如权利要求2-4任一所述的电路，其特征在于，所述晶体管具体为电力场效应晶体 管，所述电力场效应晶体管的漏极作为所述晶体管的第一端，所述电力场效应晶体管的源 极作为所述晶体管的第二端。 6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一稳压单元具体为二极管，所述二极 管的阳极作为所述第一稳压单元。
6、的第一端，所述二极管的阴极作为所述第一稳压单元的第 二端。 7.一种驱动电路，其特征在于，包括第二被驱动单元、第二开关单元、调压单元、隔离单 元和第二稳压单元，其中： 所述第二被驱动单元和所述第二开关单元串联形成第二支路； 所述调压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第二支路的第二端相 连，第三端和所述隔离单元的第一端相连并接地，所述隔离单元的第二端和所述第二支路 的第一端相连；在所述第二开关单元断开时，所述调压单元升高自身的第二端和第三端间 电压值大于所述额定驱动电源电压值，所述调压单元的第二端和第三端间电压的极性和所 权 利 要 求 书CN 104022626 A 2/3页 3 。
7、述额定驱动电源电压的极性相反；所述隔离单元对所述调压单元的第二端和第三端间电压 和所述额定驱动电源电压进行隔离； 所述第二稳压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第二支路的第一端 相连；在所述第二开关单元闭合后，所述额定驱动电源通过所述第二稳压单元为所述第二 被驱动单元提供额定驱动电压。 8.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述调压单元，具体包括晶体管、二极管、电 感和电容，其中： 所述晶体管的第一端作为所述调压单元的第一端； 所述晶体管的第二端和所述电感的一端、所述二极管的阴极相连，所述二极管的阳极 和所述电容的一端相连，作为所述调压单元的第二端； 所述电容的另一端和所述电感的。
8、另一端相连，作为所述调压单元的第三端。 9.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第二开关单元具体为晶体管，所述晶体 管的第一端作为所述第二开关单元的第一端，所述晶体管的第二端作为所述第二开关单元 的第二端。 10.如权利要求8或9所述的电路，其特征在于，所述晶体管具体为电力场效应晶体管， 所述电力场效应晶体管的漏极作为所述晶体管的第一端，所述电力场效应晶体管的源极作 为所述晶体管的第二端。 11.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第二稳压单元具体为二极管，所述二 极管的阳极作为所述第二稳压单元的第一端，所述二极管的阴极作为所述第二稳压单元的 第二端。 12.如权利要求7所述的电路，其。
9、特征在于，所述隔离单元具体为二极管，所述二极管 的阳极作为所述隔离单元的第一端，所述二极管的阴极作为所述隔离单元的第二端。 13.一种驱动电路，其特征在于，包括第三被驱动单元、第三开关单元和降压单元，其 中： 所述第三被驱动单元和所述第三开关单元串联形成第三支路； 所述降压单元的第一端为高压电源接线端，第二端和所述第三支路的一端相连，第三 端和所述第三支路的另一端相连并接地；在所述第三开关单元断开时，所述降压单元保持 自身的第二端和第三端间电压值等于所述高压电源电压值，在所述第三开关单元闭合后， 所述降压单元降低自身的第二端和第三端间电压值等于所述第三被驱动单元的额定驱动 电压值。 14.如权。
10、利要求13所述的电路，其特征在于，所述降压单元，具体包括晶体管、二极管、 电感和电容，其中： 所述晶体管的第一端作为所述降压单元的第一端； 所述晶体管的第二端和所述二极管的阴极、所述电感的一端相连；所述电感的另一端 和所述电容的一端相连，作为所述降压单元的第二端； 所述电容的另一端和所述二极管的阳极相连，作为所述降压单元的第三端。 15.如权利要求13所述的电路，其特征在于，所述第三开关单元具体为晶体管，所述晶 体管的第一端作为所述第三开关单元的第一端，所述晶体管的第二端作为所述第三开关单 元的第二端。 权 利 要 求 书CN 104022626 A 3/3页 4 16.如权利要求14或15所。
11、述的电路，其特征在于，所述晶体管具体为电力场效应晶体 管，所述电力场效应晶体管的漏极作为所述晶体管的第一端，所述电力场效应晶体管的源 极作为所述晶体管的第二端。 权 利 要 求 书CN 104022626 A 1/8页 5 驱动电路 技术领域 0001 本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种驱动电路。 背景技术 0002 在目前的驱动电路中，为了缩短驱动对象在上电后的响应时间，往往采用瞬时高 压上电的方法，即在驱动对象上电瞬间给驱动对象输入一个高于额定驱动电压的电压，以 达到快速驱动的目的。现有技术中的快速驱动电路多采用两路电源供电，由一路高压电源 实现驱动对象上电瞬间的高压输入，由一路额定驱动。
12、电源为驱动对象提供稳态时的额定驱 动电压输入。以接触器的快速驱动电路为例对现有技术中的快速驱动电路进行说明，如图1 所示，额定驱动电源Vcc和高压电源Vh通过两个二极管D1、D2并联，在MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，电力场效应晶体管）Q关断时，高压电源Vh通 过二极管D3、电阻R给电容C充电，在MOS管Q导通瞬间，接触器RLY线圈上电，电容C为接 触器RLY提供瞬时高压，电容C电压迅速下降到接触器RLY的额定驱动电压后，由额定驱动 电源Vcc为接触器RLY提供稳态时的额定驱动电压。 0003 然而，该快速驱动电路中。
13、存在高压电源和额定驱动电源两路电源输入，高低压电 源必须共地，因此该快速驱动电路将会导致系统耦合性较高，不能应用在要求高低压电源 隔离的系统中。 发明内容 0004 本发明实施例提供一种驱动电路，用以解决现有技术中的快速驱动电路需要两路 电源输入的问题。 0005 本发明实施例提供一种驱动电路，包括第一被驱动单元、第一开关单元、升压单元 和第一稳压单元，其中： 0006 所述第一被驱动单元和所述第一开关单元串联形成第一支路； 0007 所述升压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第一支路的第一端 相连，第三端和所述第一支路的第二端相连并接地；在所述第一开关单元断开时，所述升压 单元升。
14、高自身的第二端和第三端间电压值大于所述额定驱动电源电压值，所述升压单元的 第二端和第三端间电压的极性和所述额定驱动电源电压的极性相同； 0008 所述第一稳压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第一支路的第 一端相连；在所述第一开关单元闭合后，所述额定驱动电源通过所述第一稳压单元为所述 第一被驱动单元提供额定驱动电压。 0009 本发明实施例提供一种驱动电路，包括第二被驱动单元、第二开关单元、调压单 元、隔离单元和第二稳压单元，其中： 0010 所述第二被驱动单元和所述第二开关单元串联形成第二支路； 0011 所述调压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第二支路的第二端 相。
15、连，第三端和所述隔离单元的第一端相连并接地，所述隔离单元的第二端和所述第二支 说 明 书CN 104022626 A 2/8页 6 路的第一端相连；在所述第二开关单元断开时，所述调压单元升高自身的第二端和第三端 间电压值大于所述额定驱动电源电压值，所述调压单元的第二端和第三端间电压的极性和 所述额定驱动电源电压的极性相反；所述隔离单元对所述调压单元的第二端和第三端间电 压和所述额定驱动电源电压进行隔离； 0012 所述第二稳压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第二支路的第 一端相连；在所述第二开关单元闭合后，所述额定驱动电源通过所述第二稳压单元为所述 第二被驱动单元提供额定驱动电压。
16、。 0013 本发明实施例提供一种驱动电路，包括第三被驱动单元、第三开关单元和降压单 元，其中： 0014 所述第三被驱动单元和所述第三开关单元串联形成第三支路； 0015 所述降压单元的第一端为高压电源接线端，第二端和所述第三支路的一端相连， 第三端和所述第三支路的另一端相连并接地；在所述第三开关单元断开时，所述降压单元 保持自身的第二端和第三端间电压值等于所述高压电源电压值，在所述第三开关单元闭合 后，所述降压单元降低自身的第二端和第三端间电压值等于所述第三被驱动单元的额定驱 动电压值。 0016 本发明实施例提供的驱动电路，在第一开关单元闭合前，升压单元升高自身的第 二端和第三端间电压大。
17、于额定驱动电压，在第一开关单元闭合瞬间，升压单元能够为驱动 对象提供瞬时高压，升压单元的第二端和第三端间电压迅速减小至额定驱动电压后，由额 定驱动电源为驱动对象提供额定驱动电压，可见，该驱动电路在实现快速驱动的基础上仅 需要一路电源输入，避免了驱动电路采用两路电源输入时导致的系统耦合性较高的问题， 可应用在要求高低压电源隔离的系统中。 附图说明 0017 附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施 例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中： 0018 图1为现有技术中的驱动电路的结构图； 0019 图2为本发明实施例提供的驱动电路的结构图之一； 002。
18、0 图3为本发明实施例1提供的驱动电路的详细结构图； 0021 图4为本发明实施例1提供的驱动电路中驱动电压波形示意图； 0022 图5为本发明实施例2提供的驱动电路的详细结构图； 0023 图6为本发明实施例提供的驱动电路的结构图之二； 0024 图7为本发明实施例3提供的驱动电路的详细结构图； 0025 图8为本发明实施例3提供的驱动电路中驱动电压波形示意图； 0026 图9为本发明实施例提供的驱动电路的结构图之三； 0027 图10为本发明实施例4提供的驱动电路的详细结构图； 0028 图11为本发明实施例4提供的驱动电路中驱动电压波形示意图。 具体实施方式 0029 为了给出单路电源输。
19、入的驱动电路的实现方案，本发明实施例提供了一种驱动电 说 明 书CN 104022626 A 3/8页 7 路，以下结合说明书附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实 施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的 实施例及实施例中的特征可以相互组合。 0030 本发明实施例提供了一种驱动电路，如图2所示，包括第一被驱动单元21、第一开 关单元22、升压单元23和第一稳压单元24，其中： 0031 第一被驱动单元21和第一开关单元22串联形成第一支路； 0032 升压单元23的第一端231为额定驱动电源Vcc接线端，第二端232和第一支路。
20、的 第一端相连，第三端233和第一支路的第二端相连并接地GND；在第一开关单元22断开时， 升压单元23升高自身的第二端232和第三端233间电压值大于额定驱动电源Vcc电压值， 升压单元23的第二端232和第三端233间电压的极性和额定驱动电源Vcc电压的极性相 同； 0033 第一稳压单元24的第一端241为额定驱动电源Vcc接线端，第二端242和第一支 路的第一端相连；在第一开关单元22闭合后，额定驱动电源Vcc通过第一稳压单元24为第 一被驱动单元21提供额定驱动电压。 0034 其中，第一开关单元22具体可以为晶体管，由晶体管的第一端作为第一开关单元 22的第一端221，由晶体管的第。
21、二端作为第一开关单元22的第二端222。 0035 其中，升压单元23有多种实现电路，具体可以采用如下电路实现，包括晶体管、二 极管、电感和电容，电感的一端作为升压单元23的第一端231；电感的另一端和晶体管的 第一端、二极管的阳极相连；二极管的阴极和电容的一端相连，作为升压单元23的第二端 232；晶体管的第二端和电容的另一端相连，作为升压单元23的第三端233。 0036 升压单元23也可以采用如下电路实现，具体包括晶体管、二极管、变压器和电容， 变压器初级的一端作为升压单元23的第一端231；变压器次级的一端和二极管的阳极相 连；二极管的阴极和电容的一端相连，作为升压单元23的第二端23。
22、2；变压器初级的另一端 和晶体管的第一端相连；晶体管的第二端和变压器次级的另一端、电容的另一端相连，作为 升压单元23的第三端233。 0037 上述第一开关单元22和升压单元23中的晶体管具体可以为MOS管，由MOS管的 漏极作为晶体管的第一端，由MOS管的源极作为晶体管的第二端。 0038 该晶体管具体也可以为三极管、绝缘栅双极晶体管等。 0039 下面针对升压单元的不同实现方式，以接触器的驱动电路为例，用具体实施例对 上述驱动电路进行详细说明。 0040 实施例1： 0041 本发明实施例1提供了一种驱动电路，包括第一被驱动单元21、第一开关单元22、 升压单元23和第一稳压单元24，其。
23、中： 0042 第一被驱动单元21和第一开关单元22串联形成第一支路；升压单元23的第一端 231为额定驱动电源Vcc接线端，第二端232和第一支路的第一端相连，第三端233和第一 支路的第二端相连并接地GND；第一稳压单元24的第一端241为额定驱动电源Vcc接线端， 第二端242和第一支路的第一端相连。 0043 本发明实施例1提供的驱动电路的详细结构如图3所示。 0044 第一被驱动单元21具体为接触器RLY； 说 明 书CN 104022626 A 4/8页 8 0045 第一开关单元22具体为第一MOS管Q1，第一MOS管Q1的漏极作为第一开关单元 22的第一端221，第一MOS管Q。
24、1的源极作为第一开关单元22的第二端222； 0046 升压单元23具体包括第二MOS管Q2、第一二极管D1、电感L和电容C，其中，电感 L的一端作为升压单元23的第一端231；电感L的另一端和第二MOS管Q2的漏极、第一二 极管D1的阳极相连；第一二极管D1的阴极和电容C的一端相连，作为升压单元23的第二 端232；第二MOS管Q2的源极和电容C的另一端相连，作为升压单元23的第三端233； 0047 第一稳压单元24具体为第二二极管D2，第二二极管D2的阳极作为第一稳压单元 24的第一端241，第二二极管D2的阴极作为第一稳压单元24的第二端242。 0048 为了进一步说明本发明实施例1。
25、提供的驱动电路，下面对其工作原理进行详细阐 述。 0049 该驱动电路待机时，第一MOS管Q1栅极输入低电平，第一MOS管Q1关断，同时，第 二MOS管Q2栅极输入PWM波电压，第二MOS管Q2反复导通关断，使得电容C两端电压大于 额定驱动电源Vcc电压，该电容C两端电压和额定驱动电源Vcc电压极性相同，此时可以根 据实际情况，通过调整第二MOS管Q2栅极输入的PWM波电压的占空比或者调整电感L来实 现电容C两端电压达到驱动接触器RLY所需的瞬时高压。 0050 该驱动电路工作时，第一MOS管Q1栅极输入高电平，第一MOS管Q1导通，电容C 为接触器RLY提供瞬时高压；同时，第二MOS管Q2栅。
26、极输入低电平，第二MOS管Q2关断，电 容C两端电压迅速减小至额定驱动电源Vcc电压后，由额定驱动电源Vcc通过第二二极管 D2为接触器RLY提供额定驱动电压。 0051 采用本发明实施例1提供的驱动电路得到的接触器RLY驱动电压Vd波形如图4 所示，Vg1为第一MOS管Q1栅极输入电压，Vg2为第二MOS管Q2栅极输入电压。可见，采用 本发明实施例1提供的驱动电路，实现了对接触器RLY的快速驱动，并且该驱动电路仅需要 一路电源输入，可应用在要求高低压电源隔离的系统中，避免了现有技术中的驱动电路采 用两路电源输入时导致的系统耦合性较高的问题。 0052 较佳的，为达到更好的驱动效果还可以增加稳。
27、压二极管和第一MOS管Q1并联，以 抑制尖峰。 0053 实施例2： 0054 本发明实施例2提供了一种驱动电路，包括第一被驱动单元21、第一开关单元22、 升压单元23和第一稳压单元24，其中： 0055 第一被驱动单元21和第一开关单元22串联形成第一支路；升压单元23的第一端 231为额定驱动电源Vcc接线端，第二端232和第一支路的第一端相连，第三端233和第一 支路的第二端相连并接地GND；第一稳压单元24的第一端241为额定驱动电源Vcc接线端， 第二端242和第一支路的第一端相连。 0056 本发明实施例2提供的驱动电路的详细结构如图5所示。 0057 第一被驱动单元21具体为接。
28、触器RLY； 0058 第一开关单元22具体为第一MOS管Q1，第一MOS管Q1的漏极作为第一开关单元 22的第一端221，第一MOS管Q1的源极作为第一开关单元22的第二端222； 0059 升压单元23具体包括第二MOS管Q2、第一二极管D1、变压器T和电容C，其中变压 器T初级的一端作为升压单元23的第一端231；变压器T次级的一端和第一二极管D1的 说 明 书CN 104022626 A 5/8页 9 阳极相连；第一二极管D1的阴极和电容C的一端相连，作为升压单元23的第二端232；变 压器T初级的另一端和第二MOS管Q2的漏极相连；第二MOS管Q2的源极和变压器T次级 的另一端、电容。
29、C的另一端相连，作为升压单元23的第三端232； 0060 第一稳压单元24具体为第二二极管D2，第二二极管D2的阳极作为第一稳压单元 24的第一端241，第二二极管D2的阴极作为第一稳压单元24的第二端242。 0061 本发明实施例2提供的驱动电路的工作原理与上实施例1类似，区别在于在该驱 动电路待机时，通过变压器T使电容C两端电压大于额定驱动电源Vcc电压，此时，可以根 据实际情况，通过调整第二MOS管Q2栅极输入的PWM波电压的占空比或者调整变压器T的 变比来实现电容C两端电压达到驱动接触器RLY所需的瞬时高压。 0062 本发明上述实施例1和实施例2提供的驱动电路，得到的被驱动对象的。
30、驱动电压 的极性和额定驱动电源电压的极性相同，相应的，本发明实施例还提供了一种驱动电路，通 过该驱动电路得到的被驱动对象的驱动电压的极性和额定驱动电源电压的极性相反，该驱 动电路如图6所示，包括第二被驱动单元61、第二开关单元62、调压单元63、隔离单元64和 第二稳压单元65，其中： 0063 第二被驱动单元61和第二开关单元62串联形成第二支路； 0064 调压单元63的第一端631为额定驱动电源Vcc接线端，第二端632和第二支路的 第二端相连，第三端633和隔离单元64的第一端641相连并接地GND，隔离单元64的第二 端642和第二支路的第一端相连；在第二开关单元62断开时，调压单元。
31、63升高自身的第二 端632和第三端633间电压值大于额定驱动电源Vcc电压值，调压单元63的第二端632和 第三端633间电压的极性和额定驱动电源Vcc电压的极性相反；隔离单元64对调压单元63 的第二端632和第三端633间电压和额定驱动电源Vcc电压进行隔离； 0065 第二稳压单元65的第一端651为额定驱动电源Vcc接线端，第二端652和第二支 路的第一端相连；在第二开关单元62闭合后，额定驱动电源Vcc通过第二稳压单元65为第 二被驱动单元61提供额定驱动电压。 0066 其中，第二开关单元62具体为晶体管，晶体管的第一端作为第二开关单元62的第 一端，晶体管的第二端作为第二开关单。
32、元62的第二端。 0067 其中，调压单元63具体可采用如下电路实现，包括晶体管、二极管、电感和电容， 晶体管的第一端作为调压单元63的第一端631；晶体管的第二端和电感的一端、二极管的 阴极相连，二极管的阳极和电容的一端相连，作为调压单元63的第二端632；电容的另一端 和电感的另一端相连，作为调压单元63的第三端633。 0068 上述第二开关单元62和调压单元63中的晶体管具体可以为MOS管，MOS管的漏 极作为晶体管的第一端，MOS管的源极作为晶体管的第二端。 0069 该晶体管具体也可以为三极管、绝缘栅双极晶体管等。 0070 下面以接触器的驱动电路为例，用具体实施例对上述驱动电路进。
33、行详细说明。 0071 实施例3： 0072 本发明实施例3提供了一种驱动电路，包括第二被驱动单元61、第二开关单元62、 调压单元63、隔离单元64和第二稳压单元65，其中： 0073 第二被驱动单元61和第二开关单元62串联形成第二支路；调压单元63的第一端 631为额定驱动电源Vcc接线端，第二端632和第二支路的第二端相连，第三端633和隔离 说 明 书CN 104022626 A 6/8页 10 单元64的第一端641相连并接地GND，隔离单元64的第二端642和第二支路的第一端相 连；第二稳压单元65的第一端651为额定驱动电源Vcc接线端，第二端652和第二支路的 第一端相连。 。
34、0074 本发明实施例3提供的驱动电路的详细结构如图7所示。 0075 第二被驱动单元61具体为接触器RLY； 0076 第二开关单元62具体为第一MOS管Q1，第一MOS管Q1的漏极作为第二开关单元 62的第一端621，第一MOS管Q1的源极作为第二开关单元62的第二端622； 0077 调压单元63具体包括第二MOS管Q2、第一二极管D1、电感L和电容C，其中，第二 MOS管Q2的漏极作为调压单元63的第一端631；第二MOS管Q2的源极和电感L的一端、第 一二极管D1的阴极相连，第一二极管D1的阳极和电容C的一端相连，作为调压单元63的 第二端632；电容C的另一端和电感L的另一端相连，。
35、作为调压单元63的第三端633； 0078 第二稳压单元64具体为第二二极管D2，第二二极管D2的阳极作为第二稳压单元 64的第一端641，第二二极管D2的阴极作为第二稳压单元64的第二端642； 0079 隔离单元65具体为第三二极管D3，第三二极管D3的阳极作为隔离单元65的第一 端651，第三二极管D3的阴极作为隔离单元65的第二端652。 0080 为了进一步说明本发明实施例3提供的驱动电路，下面对其工作原理进行详细阐 述。 0081 该驱动电路待机时，第一MOS管Q1栅极输入低电平，第一MOS管Q1关断，同时，第 二MOS管Q2栅极输入PWM波电压，第二MOS管Q2反复导通关断，使得。
36、电容C两端电压大于 额定驱动电源Vcc电压，该电容C两端电压和额定驱动电源Vcc电压极性相反，此时可以根 据实际情况，通过调整第二MOS管Q2栅极输入的PWM波电压的占空比或者调整电感L来实 现电容C两端电压达到驱动接触器RLY所需的瞬时高压。 0082 该驱动电路工作时，第一MOS管Q1栅极输入高电平，第一MOS管Q1导通，电容C 为接触器RLY提供瞬时高压；同时，第二MOS管Q2栅极输入低电平，第二MOS管Q2关断，电 容C两端电压迅速减小至额定驱动电源Vcc电压后，由额定驱动电源Vcc通过第二二极管 D2为接触器RLY提供额定驱动电压。 0083 采用本发明实施例3提供的驱动电路得到的接。
37、触器RLY驱动电压Vd波形如图8 所示，Vg1为第一MOS管Q1栅极输入电压，Vg2为第二MOS管Q2栅极输入电压。可见，采用 本发明实施例3提供的驱动电路，实现了对接触器RLY的快速驱动，并且该驱动电路仅需要 一路电源输入，可应用在要求高低压电源隔离的系统中，避免了现有技术中的驱动电路采 用两路电源输入时导致的系统耦合性较高的问题。 0084 本发明上述实施例1-3提供的驱动电路均输入额定驱动电源，对额定驱动电源进 行升压得到被驱动对象上电时的瞬时高压，相应的，本发明实施例还提供了一种驱动电路， 输入高压电源，对高压电源进行降压得到被驱动对象上电后的额定驱动电压，该驱动电路 如图9所示，包括。
38、第三被驱动单元91、第三开关单元92和降压单元93，其中： 0085 第三被驱动单元91和第三开关单元92串联形成第三支路； 0086 降压单元93的第一端931为高压电源Vh接线端，第二端932和第三支路的一端 相连，第三端933和第三支路的另一端相连并接地GND；在第三开关单元92断开时，降压单 元93保持自身的第二端932和第三端933间电压值等于高压电源Vh电压值，在第三开关 说 明 书CN 104022626 A 10 7/8页 11 单元92闭合后，降压单元93降低自身的第二端932和第三端933间电压值等于第三被驱 动单元91的额定驱动电压值。 0087 其中，第三开关单元92具。
39、体可以为晶体管，晶体管的第一端作为第三开关单元92 的第一端921，晶体管的第二端作为第三开关单元92的第二端922。 0088 其中，降压单元93具体可采用如下电路实现，包括晶体管、二极管、电感和电容， 晶体管的第一端作为降压单元93的第一端931；晶体管的第二端和二极管的阴极、电感的 一端相连；电感的另一端和电容的一端相连，作为降压单元93的第二端932；电容的另一端 和二极管的阳极相连，作为降压单元93的第三端933。 0089 上述晶体管具体可以为MOS管，由MOS管的漏极作为晶体管的第一端，由MOS管的 源极作为晶体管的第二端。 0090 该晶体管具体也可以为三极管、绝缘栅双极晶体管。
40、等。 0091 下面以接触器的驱动电路为例，用具体实施例对上述驱动电路进行详细说明。 0092 实施例4： 0093 本发明实施例4提供了一种驱动电路，包括第三被驱动单元91、第三开关单元92 和降压单元93，其中： 0094 第三被驱动单元91和第三开关单元92串联形成第三支路；降压单元93的第一端 931为高压电源Vh接线端，第二端932和第三支路的一端相连，第三端933和第三支路的另 一端相连并接地GND。 0095 本发明实施例4提供的驱动电路的详细结构如图10所示。 0096 第三被驱动单元91具体为接触器RLY； 0097 第三开关单元92具体为第一MOS管Q1，第一MOS管Q1的。
41、漏极作为第三开关单元 92的第一端921，第一MOS管Q1的源极作为第三开关单元92的第二端922； 0098 降压单元93具体包括第二MOS管Q2、二极管D、电感L和电容C，第二MOS管Q2的 漏极作为降压单元93的第一端931；第二MOS管Q2的源极和二极管D的阴极、电感L的一 端相连；电感L的另一端和电容C的一端相连，作为降压单元93的第二端932；电容C的另 一端和二极管D的阳极相连，作为降压单元93的第三端933。 0099 为了进一步说明本发明实施例4提供的驱动电路，下面对其工作原理进行详细阐 述。 0100 该驱动电路待机时，第一MOS管Q1栅极输入低电平，第一MOS管Q1关断，。
42、同时，第 二MOS管Q2栅极输入高电平，第二MOS管Q2导通，高压电源V h通过电感L给电容C充电， 直至电容C两端电压和高压电源Vh电压相等。 0101 该驱动电路工作时，第一MOS管Q1栅极输入高电平，第一MOS管Q1导通，电容C 为接触器RLY提供瞬时高压；同时，第二MOS管Q2栅极输入PWM波电压，第二MOS管Q2反 复导通关断，使得电容C两端电压低于高压电源Vh电压，此时可以根据实际情况，通过调整 第二MOS管Q2栅极输入的PWM波电压的占空比或者调整电感L来实现电容C两端电压等 于接触器RLY的额定驱动电压。 0102 采用本发明实施例4提供的驱动电路的到的接触器RLY驱动电压Vd。
43、波形如图11 所示，Vg1为第一MOS管Q1栅极输入电压，Vg2为第二MOS管Q2栅极输入电压。可见，采 用本发明实施例4提供的驱动电路，在第一MOS管Q1导通时，电容C两端电压从高压电源 说 明 书CN 104022626 A 11 8/8页 12 Vh电压迅速减小至额定驱动电压，实现了对接触器RLY的快速驱动，并且该驱动电路仅需 要一路电源输入，可应用在要求高低压电源隔离的系统中，避免了现有技术中的驱动电路 采用两路电源输入时导致的系统耦合性较高的问题。 0103 综上所述，本发明实施例提供的驱动电路，包括第一被驱动单元、第一开关单元、 升压单元和第一稳压单元，其中：第一被驱动单元和第一开。
44、关单元串联形成第一支路；升 压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和第一支路的第一端相连，第三端和第一 支路的第二端相连并接地；在第一开关单元断开时，升压单元升高自身的第二端和第三端 间电压值大于额定驱动电源电压值，升压单元的第二端和第三端间电压的极性和额定驱动 电源电压的极性相同；第一稳压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和第一支路 的第一端相连；在第一开关单元闭合后，额定驱动电源通过第一稳压单元为第一被驱动单 元提供额定驱动电压。采用本发明实施例提供的驱动电路，能够解决现有技术中的快速驱 动电路需要两路电源输入的问题。 0104 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变。
45、型而不脱离本发明的精 神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。 说 明 书CN 104022626 A 12 1/6页 13 图1 图2 说 明 书 附 图CN 104022626 A 13 2/6页 14 图3 图4 说 明 书 附 图CN 104022626 A 14 3/6页 15 图5 图6 说 明 书 附 图CN 104022626 A 15 4/6页 16 图7 图8 说 明 书 附 图CN 104022626 A 16 5/6页 17 图9 图10 说 明 书 附 图CN 104022626 A 17 6/6页 18 图11 说 明 书 附 图CN 104022626 A 18 。