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1、(10)申请公布号 CN 102651308 A (43)申请公布日 2012.08.29 C N 1 0 2 6 5 1 3 0 8 A *CN102651308A* (21)申请号 201210042246.6 (22)申请日 2012.02.22 2011-040544 2011.02.25 JP H01L 21/02(2006.01) H01L 21/335(2006.01) H01L 21/67(2006.01) (71)申请人富士通株式会社 地址日本神奈川县 (72)发明人尾崎史朗 武田正行 中村哲一 今纯一 (74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人蔡。
2、胜有 吴鹏章 (54) 发明名称 制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的 方法 (57) 摘要 本发明提供一种制造半导体器件的方法和清 洁半导体衬底的方法，所述制造半导体器件的方 法包括：以表面相对于垂直方向和水平方向倾斜 的方式保持半导体衬底；以及将半导体衬底浸没 在含有酸的清洁溶液中。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书6页 附图9页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 9 页 1/2页 2 1.一种制造半导体器件的方法，包括： 以表面相对于垂直方向和水平方向倾斜的方式保持半导体衬底；以及 将。
3、所述半导体衬底浸没在含有酸的清洁溶液中。 2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括， 在保持所述半导体衬底之前在所述半导体衬底上形成化合物半导体层。 3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，还包括， 在保持所述半导体衬底之前在所述化合物半导体层中形成凹部。 4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，还包括， 在保持所述半导体衬底之前在所述凹部的内表面上形成栅极绝缘膜。 5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中相对于垂直方向的倾斜角度是 10至80，并且相对于水平方向的倾斜角度是10至80。 6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括， 将所述半导体衬底。
4、放置在清洁装置中，所述清洁装置包括用于支撑所述半导体衬底的 支撑构件以及用于将所述半导体衬底以相对于垂直方向和水平方向倾斜的方式锁定的锁 定构件。 7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，还包括， 使容纳所述支撑构件和所述锁定构件的壳旋转。 8.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，还包括， 使与所述半导体衬底接触的旋转驱动构件旋转。 9.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，还包括， 在将所述半导体衬底放置在所述清洁装置中之前对所述清洁装置进行紫外线处理。 10.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，还包括， 在将所述半导体衬底放置在所述清洁装置中之前对用于将所述半导体衬底。
5、输送到所 述清洁装置的输送单元进行紫外线处理。 11.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括， 在将所述半导体衬底浸没之后对所述半导体衬底进行旋转干燥。 12.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，还包括， 在对所述半导体衬底进行旋转干燥之前对用于所述旋转干燥的单元进行干燥处理。 13.一种清洁半导体衬底的方法，包括： 以表面相对于垂直方向和水平方向倾斜的方式保持半导体衬底；以及 将所述半导体衬底浸没在含有酸的清洁溶液中。 14.根据权利要求13所述的清洁半导体衬底的方法，其中相对于垂直方向的倾斜角度 是10至80，并且相对于水平方向的倾斜角度是10至80。 15.根据权利要求。
6、13所述的清洁半导体衬底的方法，还包括， 将所述半导体衬底放置在清洁装置中，所述清洁装置包括用于支撑所述半导体衬底的 支撑构件以及用于将所述半导体衬底以相对于垂直方向和水平方向倾斜的方式锁定的锁 定构件。 16.根据权利要求15所述的清洁半导体衬底的方法，还包括， 使所述清洁装置旋转。 权 利 要 求 书CN 102651308 A 2/2页 3 17.根据权利要求15所述的清洁半导体衬底的方法，还包括， 使与所述半导体衬底接触的旋转驱动构件旋转。 18.一种清洁装置，包括： 支撑构件，所述支撑构件用于支撑半导体衬底；和 锁定构件，所述锁定构件锁定所述半导体衬底以使得所述半导体衬底相对于垂直方。
7、向 和水平方向倾斜。 19.根据权利要求18所述的清洁装置，还包括， 旋转驱动构件，所述旋转驱动构件通过使容纳所述支撑构件和所述锁定构件的壳旋转 来使所述半导体衬底旋转。 20.根据权利要求18所述的清洁装置，还包括， 旋转驱动构件，所述旋转驱动构件与所述半导体衬底接触，用于使所述清洁装置中的 所述半导体衬底旋转。 权 利 要 求 书CN 102651308 A 1/6页 4 制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的方法 技术领域 0001 本文讨论的实施方案涉及制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的方法。 背景技术 0002 其中使用GaN层作为电子传输层且AlGaN层设置在衬底上的电子器件(。
8、如化合物 半导体器件)包括GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)。在GaN基HEMT中，在AlGaN与GaN 之间的异质结界面处生成高浓度二维电子气(2DEG)。 0003 GaN的带隙是3.4eV，其大于Si的带隙(1.1eV)和GaAs的带隙(1.4eV)。GaN具 有高击穿场强和高电子饱和速度。GaN可以用作用于高电压工作及高输出化合物半导体器 件的材料，例如用于电源的半导体器件的材料。使用GaN基化合物半导体的化合物半导体 器件可以用作用于电动汽车的高效开关器件或高击穿电压功率器件。Si横向扩散的金属氧 化物半导体(LDMOS)晶体管或者GaAs场效应晶体管(FET)可能不适用于高输出。
9、、高效或者 高电压操作。 0004 为了生产具有良好特性的GaN基HEMT，可以将在生产工艺中产生的残留物如微粒 除去。例如，在具有能够进行常“断” (normally off)操作的栅极凹部结构的GaN基HEMT 中，为了减少由残留物引起的漏电流增加、由于电荷陷获而造成的阈电压的波动等，在形成 凹部与形成栅极绝缘膜之间进行清洁。 0005 在日本公开特许公报号2009-164226和日本公开特许公报号9-260331中公开了 相关的技术。 发明内容 0006 根据实施方案的一个方面，一种制造半导体器件的方法包括：以表面相对于垂直 方向和水平方向倾斜的方式保持半导体衬底；以及将半导体衬底浸没在。
10、含有酸的清洁溶液 中。 0007 根据上述方法，有效地去除了在酸清洁期间产生的气泡，由此提高清洁效率。 0008 本发明另外的优点和新颖特征将部分地在以下的描述中阐明，并且将部分地在本 领域技术人员研究以下内容或者在通过实践本发明而了解本发明时变得更加明显。 附图说明 0009 图1A至图1H示出制造半导体器件的一种示例性方法； 0010 图2A和图2B示出一种示例性清洁装置； 0011 图3示出一种示例性清洁槽； 0012 图4A和图4B示出一种示例性清洁装置； 0013 图5A和图5B示出一种示例性清洁装置； 0014 图6A和图6B示出一种示例性清洁装置； 0015 图7A和图7B分别示。
11、出示例性残留微粒； 说 明 书CN 102651308 A 2/6页 5 0016 图8示出一种示例性高输出放大器； 0017 图9A示出一种示例性功率因数校正(PFC)电路；以及 0018 图9B示出一种示例性电源装置。 具体实施方案 0019 图1A至图1H示出制造半导体器件的一种示例性方法。在图1A至图1H所示的制 造方法中，可以制造GaN基HEMT。 0020 如图1A所示，在衬底1上形成成核层2、电子传输层3、电子供给层4以及盖层5。 衬底1可以为例如SiC衬底。成核层2可以为例如AlN层或AlGaN层。电子传输层3可以 为例如未掺杂的i-GaN层。电子供给层4可以为例如n型n-Al。
12、GaN层。在形成n型n-AlGaN 层之前，可以形成未掺杂的i-AlGaN层作为间隔层。盖层5可以为例如n型n-GaN层。成 核层2、电子传输层3、电子供给层4以及盖层5可以通过晶体生长法如金属有机气相外延 (MOVPE)法来形成。取决于原料气体的选择，可以连续地形成这些层。作为铝(Al)的原料 和镓(Ga)的原料，可以分别使用例如三甲基铝(TMA)和三甲基镓(TMG)。作为氮(N)的原 料，可以使用例如氨(NH 3 )。用于作为电子供给层4例如n-AlGaN层或者盖层5例如n-GaN 层中包含的杂质的硅(Si)的原料，可以使用例如硅烷(SiH 4 )。 0021 电子传输层3的厚度可以为例如。
13、约3m。电子供给层4的厚度可以为例如约 30nm。在设置间隔层时，间隔层的厚度可以为例如约5nm。盖层5的厚度可以为例如约10nm。 在间隔层例如i-AlGaN层以及电子供给层4例如n-AlGaN层中，Al组成比可以为例如约 0.2。电子供给层4例如n-AlGaN层和保护层5例如n-GaN层可以以约510 18 cm -3 的量掺 杂有Si作为n型杂质。 0022 在这种堆叠结构中，在电子传输层3与电子供给层4之间的界面附近生成二维电 子气(2DEG)。由于盖层5，电子传输层3与电子供给层4之间的应力增加，其引起压电效应， 从而导致2DEG增加。因此，GaN基HEMT的导通态电流增加，这可以使。
14、得GaN基HEMT能够 进行高电流操作。 0023 如图1B所示，在盖层5、电子供给层4和电子传输层3的源电极形成区域中和漏 电极形成区域中分别形成凹陷部分6s和凹陷部分6d。在形成凹陷部分6s和凹陷部分6d 的过程中，形成具有使用于形成凹陷部分6s和凹陷部分6d的区域暴露出来的开口的抗蚀 剂图案。使用该抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，对盖层5、电子供给层4和电子传输层3进行干 法蚀刻。通过灰化等移除抗蚀剂图案。在干法蚀刻期间，例如可以将基于氯的气体用作蚀 刻气体。干法蚀刻可以例如在下述条件下进行：蚀刻气体的流量设定为30sccm，压力设定 为2Pa且施加的射频(RF)功率设定为20W。凹陷部分6s和。
15、凹陷部分6d的深度可以任意设 定，只要由2DEG引起的一定量的电流流动即可。 0024 如图1C所示，在凹陷部分6s中形成源电极7s，在凹陷部分6d中形成漏电极7d。 在形成源电极7s和漏电极7d期间，形成具有使用于形成源电极7s的区域暴露出来的开口 以及使用于形成漏电极7d的区域暴露出来的开口的抗蚀剂图案。使用该抗蚀剂图案作为 沉积掩模，形成导电膜。将附着至抗蚀剂图案的导电膜以及抗蚀剂图案移除。例如，可以通 过剥离工艺形成源电极7s和漏电极7d。例如，可以形成厚度为约20nm的Ta膜。可以在 Ta膜上形成厚度为约200nm的Al膜。可以通过例如气相沉积法形成Ta膜和Al膜。在移 说 明 书C。
16、N 102651308 A 3/6页 6 除抗蚀剂图案后，在400至1000(例如550)在氮气氛中进行热处理，由此形成欧姆 接触。 0025 如图1D所示，在盖层5和电子供给层4的用于形成栅极7g的区域中形成凹部6g。 在形成凹部6g期间，形成了包括使用于形成凹部6g的区域暴露出来的开口的抗蚀剂图案。 使用该抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，对盖层5和电子供给层4进行干法蚀刻。通过灰化等移 除抗蚀剂图案。在干法蚀刻期间，例如可以将基于氯的气体用作蚀刻气体。 0026 在形成凹部6g之后，通过借助于特定方法来对凹部6g的内侧进行清洁，可以移除 蚀刻残留物、抗蚀剂残留物等。 0027 如图1E所示，形成沿。
17、凹部6g的内表面布置的栅极绝缘膜8。栅极绝缘膜8可以为 例如氧化铝膜、氧化铪膜、氧化硅膜、氮化铝膜、氮化铪膜、氮化硅膜等。栅极绝缘膜8可以 通过原子层沉积(ALD)法等来形成。栅极绝缘膜8的厚度可以是约5nm至100nm，例如约 40nm。 0028 如图1F所示，在栅极绝缘膜8上形成包括使用于形成栅极的区域暴露出来的开口 10c的下层抗蚀剂图案10a以及包括比开口10c更窄的开口10d的上层抗蚀剂图案10b。在 形成下层抗蚀剂图案10a和上层抗蚀剂图案10b期间，例如通过旋涂法将碱溶性树脂如由 美国麦克化学公司(MicroChem Corp.)制造的PMGI(商品名称)施加到栅极绝缘膜8上，。
18、 继之以热处理以形成抗蚀剂膜。然后，例如通过旋涂法来施加光敏抗蚀剂材料如由住友化 学股份有限公司(Sumitomo Chemical Co.，Ltd.)制造的PFI32-A8(商品名称)，继之以热 处理以形成抗蚀剂膜。通过进行紫外线曝光，在上层抗蚀剂膜中形成宽度为约0.8m的开 口10d，由此形成包括开口10d的上层抗蚀剂图案10b。使用该上层抗蚀剂图案10b作为掩 模，用碱性显影剂对下层抗蚀剂膜进行湿法蚀刻。由此形成具有开口10c的下层抗蚀剂图 案10a。例如，如图1F所示，形成具有屋檐状结构的多层抗蚀剂膜。 0029 如图1G所示，在栅极绝缘膜8上形成栅极7g以填充凹部6g。在形成栅极7g。
19、的过 程中，使用下层抗蚀剂图案10a和上层抗蚀剂图案10b作为沉积掩模，形成导电膜。将附着 至上层抗蚀剂图案10b的导电膜、下层抗蚀剂图案10a以及上层抗蚀剂图案10b移除。通 过剥离工艺形成栅极7g。例如，可以形成厚度为约10nm的Ni膜。可以在Ni膜上形成厚度 为约300nm的Au膜。可以通过例如气相沉积法形成Ni膜和Au膜。可以使用例如加热的 有机溶剂来移除下层抗蚀剂图案10a和上层抗蚀剂图案10b。 0030 如图1H所示，形成保护膜9。形成接触孔、互连线等。以这种方式，制得GaN基 HEMT。 0031 图2A和图2B示出一种示例性清洁装置。可以用图2A和图2B所示的清洁装置对 凹部。
20、6g的内侧进行清洁。图2B是沿图2A中的线IIB-IIB截取的横截面图。 0032 清洁装置61容纳多个半导体衬底20。清洁装置61设置有四个壁构件24以形成 矩形筒。在一对壁构件24的内侧设置支撑半导体衬底20的支撑构件21。在一对所述壁构 件24的内侧高于支撑构件21的位置处设置多个下锁定构件22。在高于下锁定构件22的 位置处设置多个上锁定构件23，所述多个上锁定构件23在俯视图中相对于下锁定构件22 偏移。半导体衬底20在水平方向上的位置由一对下锁定构件22和上锁定构件23来确定， 而半导体衬底20在垂直方向上的位置由支撑构件21来确定。由于在俯视图中上锁定构件 23设置在与下锁定构件。
21、22的位置不同的位置处，所以与半导体衬底20的表面垂直的方向 说 明 书CN 102651308 A 4/6页 7 相对于水平方向倾斜。 0033 例如，可以将包括凹部6g等的衬底1如半导体衬底20放置在清洁装置61中。图 3示出一种示例性清洁槽。如图3所示，清洁装置61浸没在填充于清洁槽25中的清洁溶液 26中。清洁溶液26可以包括例如硫酸-过氧化氢混合物或氢氟酸。硫酸-过氧化氢混合 物可以移除抗蚀剂残留物，而氢氟酸可以移除化合物半导体残留物。在进行酸清洁之后，可 以进行水洗和旋转干燥。 0034 在酸清洁期间，清洁溶液26与半导体衬底20上的异物之间的反应可导致气泡形 成。例如，在半导体衬。
22、底20的沿垂直方向面向上的表面上，气泡可沿着垂直方向向上浮动。 在所述表面上较不可能发生气泡的停留，从而可以有效地清洁所述表面。通过反转半导体 衬底20，可以高效地清洁与所述表面相反的表面。例如，当上锁定构件23和/或下锁定构 件22沿水平方向移动时，可以容易地使上表面和下表面反转。半导体衬底20的所述表面 的法线方向相对于水平方向的角度可以是10至80。例如，当角度小于10时，在沿垂 直方向面向上的表面的下部上生成的气泡可能通过所述表面的附近且向上浮动。结果，可 能发生不均匀的清洁。当角度超过80时，气泡可能保留在沿垂直方向面向下的表面上，并 且可能使沿垂直方向面向下的表面处的清洁效率降低。。
23、 0035 多个半导体衬底20可以设置成在相邻的半导体衬底20之间具有一定的距离。例 如，在俯视图中没有重叠部分。多个半导体衬底20之间的干扰可以减少。结果，在位于较 低位置处的一个半导体衬底20上生成的气泡不会与位于较高位置处的另一个半导体衬底 20接触，从而可以提高另一个半导体衬底20的清洁效率。 0036 由于在清洁期间生成的气泡被高效地移除，所以提高了清洁效率。 0037 图4A和图4B示出一种示例性清洁装置。图4B是沿图4A中的线IVB-IVB截取的 横截面图。图5A和图5B示出一种示例性清洁装置。图5B是沿图5A中的线VB-VB截取的 横截面图。图6A和图6B示出一种示例性清洁装置。
24、。图6B是沿图6A中的线VIB-VIB截取 的横截面图。 0038 图4A和图4B所示的清洁装置62包括从外侧支撑四个壁构件24的壳33。从下方 支撑壁构件24的装置支撑构件34设置在壳33的下端上。装置支撑构件34可以从壳33 的下端向内部突出一段长度，所述长度与支撑半导体衬底20的支撑构件21的厚度基本相 等。清洁装置62设置有从上方保持且固定半导体衬底20的保持构件32以及使壳33绕着 沿水平方向延伸的轴旋转的旋转驱动构件31。 0039 当使用清洁装置62进行酸清洁时，例如，如图3所示，将清洁装置62浸没在填充 于清洁槽25中的清洁溶液26中，并且通过旋转驱动构件31使壳33旋转。随着。
25、旋转的进 行，每个半导体衬底20的两个表面都交替地沿垂直方向面向上。因此，可以高效率地清洁 半导体衬底20的两个表面。由于设置了保持构件32，所以减少了半导体衬底20的下落。 0040 图5A和图5B所示的清洁装置63设置有杆状旋转驱动构件41，该杆状旋转驱动 构件41与半导体衬底20中的每个半导体衬底的上端都接触且绕着沿水平方向延伸的轴旋 转。 0041 在使用清洁装置63进行酸清洁时，例如，如图3所示，将清洁装置63浸没在填充 于清洁槽25中的清洁溶液26中，旋转驱动构件41旋转。由于旋转驱动构件41与半导体 衬底20的上端接触，所以随着旋转驱动构件41的旋转，半导体衬底20在由壁构件24。
26、环绕 说 明 书CN 102651308 A 5/6页 8 的空间中旋转。减少了每个半导体衬底20中的两个表面上的气泡停留，从而高效地清洁两 个表面。 0042 图2A和2B、图4A和4B、或者图5A和5B所示的清洁装置61、62和63可以是用 于分批工艺的清洁装置。图6A和图6B所示的清洁装置64可以是用于单晶圆工艺的清洁 装置。清洁装置64设置有从其中心具有开口55的轮轴54起沿三个方向伸出的线型部分 56a、56b和56c。与半导体衬底的背面接触的上突出部51a、51b和51c分别设置在线型部 分56a、56b和56c的上表面侧上。上突出部51a、51b和51c各自具有凸形弯曲顶部。限制。
27、 半导体衬底沿水平方向的移动的挡块53a、53b和53c分别设置在线型部分56a、56b和56c 的上表面侧上。下突出部52a、52b和52c分别设置在线型部分56a、56b和56c的下表面侧 上。上突出部51a、51b和51c可以具有基本相同的高度。下突出部52b和52c可以具有基 本相同的高度。下突出部52a的高度可以小于下突出部52b和52c的高度。柄57设置在 线型部分56a的端部上。 0043 当使用清洁装置64进行酸清洁时，将半导体衬底放置在上突出部51a、51b和51c 上，并且使用柄57将清洁装置64浸没在填充于清洁槽中的清洁溶液中。当清洁装置64放 置在清洁槽的底部上时，因为。
28、下突出部52a、52b和52c之间的高度差，所以与半导体衬底的 表面垂直的方向相对于垂直方向倾斜。在半导体衬底的下表面上生成的气泡可以容易地向 上滑出，从而可以高效地清洁该表面。半导体衬底的所述表面的法线方向相对于垂直方向 的角度可以是10至80。当角度小于10时，气泡可保留在沿垂直方向面向下的表面 上。当角度超过80时，沿着垂直方向面向上的表面的下部部分上生成的气泡可通过所述 表面的附近且向上浮动，从而导致不均匀清洁的发生。半导体衬底的倾斜可由上突出部之 间的高度差而产生。作为一个替代方案，半导体衬底的倾斜可由上突出部之间和下突出部 之间的高度差而产生。 0044 图7A和图7B分别示出示例。
29、性的残留微粒。图7A示出在使用相对于半导体衬底 不倾斜的清洁装置来进行清洁时的残留微粒。图7B示出在使用图6A和图6B所示的清洁 装置64来进行酸清洁时在半导体衬底上的残留微粒。在图7B中，可除去更大量的微粒。 0045 在进行清洁之前，清洁装置可以经受紫外线处理。在将半导体衬底放置在清洁装 置中之前，用于输送半导体衬底的输送单元可以经受紫外线处理。在酸清洁之后进行旋转 干燥之前，用于旋转干燥的单元可以经受干燥处理。 0046 包括在清洁装置中的部件的数目可以少。包括在清洁装置中的部件可以是集成 的。在部件的数目大的时候，由于清洁而已经落下的异物等可能仍然保留在部件之间的连 接中，从而导致对半。
30、导体衬底的污染。 0047 使用上述清洁装置制作的GaN基HEMT可以用于例如高输出放大器。图8示出一 种示例性高输出放大器。耦接到源电极的源极端子81s设置在封装件的表面上。耦接到栅 电极的栅极端子81g和耦接到漏电极的漏极端子81d从封装件的侧面伸出。 0048 使用上述清洁装置制作的GaN基HEMT可以用于例如电源装置。图9A示出一种示 例性功率因数校正(PFC)电路。图9B示出一种示例性电源装置。图9B所示的电源装置可 以是服务器电源且可以包括图9A所示的PFC电路。 0049 如图9A所示，PFC电路90包括耦接到与交流(AC)电源耦接的二极管桥91的电 容器92。扼流线圈93的一个。
31、端子耦接到电容器92的一个端子。开关元件94的一个端子 说 明 书CN 102651308 A 6/6页 9 和二极管96的阳极耦接到扼流线圈93的另一个端子。开关元件94可以是使用上述清洁 装置制作的HEMT，并且其一个端子可以对应于HEMT的漏电极。开关元件94的另一个端子 可以对应于HEMT的源极。电容器95的一个端子耦接到二极管96的阴极。电容器92的另 一个端子、开关元件94的另外的端子、以及电容器95的另一个端子接地。在电容器95的 端子之间引出直流(DC)电源。 0050 如图9B所示，PFC电路90可以结合到服务器电源100等中。 0051 PFC电路可以用于高速工作的电源装置。
32、，如图9B所示的服务器电源100。开关元 件如开关元件94可以用于开关电源或电子器件。半导体器件可以用作用于全桥电源电路 的部件，如服务器电源电路。 0052 衬底可以是碳化硅(SiC)衬底、蓝宝石衬底、硅衬底、GaN衬底、GaAs衬底等。衬底 可以是导电的、半绝缘的或者绝缘的。 0053 栅电极、源电极或漏电极的结构可以为例如单层的。在获得欧姆特性时，可以省略 形成源电极和漏电极之后的热处理。栅电极可以经受热处理。 0054 上述清洁装置可以应用于制作除GaN基HEMT之外的半导体器件。 0055 已经根据以上的优点对本发明的示例实施方案进行了描述。将理解的是这些示例 仅是对本发明进行说明。。
33、对本领域技术人员来说许多变化和修改将是明显的。 说 明 书CN 102651308 A 1/9页 10 图1A 图1B 图1C 图1D 图1E 说 明 书 附 图CN 102651308 A 10 2/9页 11 图1F 图1G 图1H 说 明 书 附 图CN 102651308 A 11 3/9页 12 图2A 图2B 说 明 书 附 图CN 102651308 A 12 4/9页 13 图3 说 明 书 附 图CN 102651308 A 13 5/9页 14 图4A 图4B 说 明 书 附 图CN 102651308 A 14 6/9页 15 图5A 图5B 说 明 书 附 图CN 102651308 A 15 7/9页 16 图6A 图6B 说 明 书 附 图CN 102651308 A 16 8/9页 17 图7A 图7B 图8 说 明 书 附 图CN 102651308 A 17 9/9页 18 图9A 图9B 说 明 书 附 图CN 102651308 A 18 。