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1、10申请公布号CN104046273A43申请公布日20140917CN104046273A21申请号201410296802122申请日20140628C09G1/0220060171申请人青岛宝泰新能源科技有限公司地址266000山东省青岛市李沧区郑佛路17号8室72发明人范向奎54发明名称一种半导体晶片抛光剂57摘要本发明公开了一种半导体晶片抛光剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质二氧化氯1116份，三乙胺812份，酒石酸59份，苯甲酸甲酯67份，聚乙烯醇23份，二氧化硅45份，过氧化氢79份，硫酸锌13份，硫酸镁24份，硬脂酸钙38份，云母粉610份，空心玻璃微珠28份，PH调节剂1。
2、3份。本发明的有益效果是配方简单、制作容易，其可在半导体加工的化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，从而达到平坦化的目的。51INTCL权利要求书1页说明书1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书1页10申请公布号CN104046273ACN104046273A1/1页21一种半导体晶片抛光剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质二氧化氯1116份，三乙胺812份，酒石酸59份，苯甲酸甲酯67份，聚乙烯醇23份，二氧化硅45份，过氧化氢79份，硫酸锌13份，硫酸镁24份，硬脂酸钙38份，云母粉610份，空心玻璃微珠28份，PH调节剂13份。权利要求书C。
3、N104046273A1/1页3一种半导体晶片抛光剂技术领域0001本发明涉及一种半导体晶片抛光剂。背景技术0002化学机械抛光是随着集成电路的工业发展成长起来的，其基本目的就是通过抛光过程获得近乎完美的晶体表面结构，用于集成电路的制造，随着集成电路工业技术指标的提高，线宽的不断缩小，可靠程度的要求越来越高，对抛光晶片的表面缺陷也要求越来越少，而且对表面的平整度，粗糙度，氧化层厚度及均匀性等等方面提出了非常严格的要求，这就促进了广泛应用于各种半导体晶片抛光过程中的化学机械抛光工艺及相关设备的不断发展和进步。发明内容0003本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体晶片绿色环保抛光剂。0004为解。
4、决上述技术问题，本发明采用的技术方案是一种半导体晶片抛光剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质二氧化氯1116份，三乙胺812份，酒石酸59份，苯甲酸甲酯67份，聚乙烯醇23份，二氧化硅45份，过氧化氢79份，硫酸锌13份，硫酸镁24份，硬脂酸钙38份，云母粉610份，空心玻璃微珠28份，PH调节剂13份。0005本发明的有益效果是配方简单、制作容易，其可在半导体加工的化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，从而达到平坦化的目的。具体实施方式0006实施例1一种半导体晶片抛光剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质二氧化氯1116份，三乙胺812份，酒石酸59份，苯甲酸甲酯67份，聚乙烯醇23份，二氧化硅45份，过氧化氢79份，硫酸锌13份，硫酸镁24份，硬脂酸钙38份，云母粉610份，空心玻璃微珠28份，PH调节剂13份。说明书CN104046273A。