说明书一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备 方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。 其典型结构是在ITO玻璃上制备几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上 方有低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。
OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优 点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位 的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里 发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入 研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目 前已经到达了大规模量产的前夜。
柔性产品是有机电致发光器件的发展趋势，但目前普遍存在寿命短，因此 封装的好坏直接影响器件的寿命。传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装， 其边沿用紫外聚合树脂密封，但这种方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较 大，增加了器件的重量，并且该方法不能应用于柔性有机电致放光器件的封装。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制 备方法。该有机电致发光器件可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵 蚀，保护有机电致发光器件的有机功能材料和电极免遭破坏，对柔性OLED器件 的寿命有显著的提高。本发明方法适用于封装以导电玻璃基板制备的有机电致 发光器件，也适用于封装以塑料或金属为基底制备的柔性有机电致发光器件。
本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。
一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电 基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层 和封装层，所述阳极导电基板和封装层形成封闭空间，所述空穴注入层、空穴 传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层容置在所述封闭空间内， 所述封装层包括依次层叠的碳氮化硅层和无机阻挡层；所述无机阻挡层的材质 为氧化硼（B2O3）、氧化铝（Al2O3）、氧化镓（Ga2O3）、氧化铟（In2O3）或氧化 铊（Tl2O3）。
和所述阴极层相邻的是所述碳氮化硅层，所述无机阻挡层设置在所述碳氮 化硅层上。
所述碳氮化硅层具有优异的抗氧化性能，超高的硬度和优异的抗腐蚀性能； 采用等离子体增强化学气相沉积法沉积速率快，薄膜厚度和成份的均匀性好， 有利于无机阻挡层在所述碳氮化硅层表面上成膜。
无机阻挡层的材质为氧化硼（B2O3）、氧化铝（Al2O3）、氧化镓（Ga2O3）、 氧化铟（In2O3）或氧化铊（Tl2O3），致密性高，可有效的防止水氧的侵蚀。
优选地，所述碳氮化硅层的厚度为100～150nm，所述无机阻挡层的厚度为 15～20nm。
优选地，所述碳氮化硅层和所述无机阻挡层交替层叠3～5次。
优选地，所述碳氮化硅层和所述无机阻挡层交替层叠，一方面可以有效缓 解层无机阻挡层产生的内应力，减小对封装效果的影响，另一方面，延长了水、 氧渗透路径，可以达到优良的封装效果，有效减少外部水、氧等活性物质对有 机电致发光器件的侵蚀，延长器件寿命。
优选地，所述阳极导电基板为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。
更优选地，所述阳极导电基板为氧化铟锡（ITO）导电玻璃基板。
优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3） 和五氧化二钒（V2O5）中的一种掺杂到1,1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基] 环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N,N’-（1-萘基）-N,N’- 二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）形成的混合材料，掺杂质量分数为25%～35%， 更优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）掺杂到NPB形成的混合 材料，所述MoO3在NPB中的掺杂质量分数为25%。
优选地，所述空穴传输层材质为1,1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环 己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N,N’-（1-萘基）-N,N’- 二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），更优选地，所述空穴传输层的材质为4,4',4''-三(咔 唑-9-基)三苯胺（TCTA）。
优选地，所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料， 所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基） -4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双 （4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2-甲基-二苯基[f,h] 喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3） 或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、 8-羟基喹啉铝（Alq3）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯 基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，所述客体材料在所述主体材料中的 掺杂质量分数为1%～15%。
更优选地，所述发光层的材质为Ir(ppy)3掺杂到TPBI形成的混合材料，所述 Ir(ppy)3在TPBI中的掺杂质量分数为5%。
优选地，所述的电子传输层材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联 苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）或N-芳基苯并咪唑 （TPBI），更优选地，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。
优选地，所述电子注入层的材质为氟化铯（CsF）、叠氮化铯（CsN3）和氮 化铯（Cs3N）中的一种掺杂到4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联苯-4-基)-5-(4- 叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）和N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的一 种形成的混合材料，掺杂质量分数为5%～30%；更优选地，所述电子注入层的 材质为CsN3掺杂到Bphen形成的混合材料，所述CsN3在Bphen中的掺杂质量 分数为25%。
优选地，所述阴极层可以为非透明金属阴极（铝、银、金等）层或透明阴 极层（介质层/金属层/介质层等，如ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS等）。
更优选地，所述阴极层材质为铝。
另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步 骤：
（1）在洁净的阳极导电基板上采用真空蒸镀的方法依次制备空穴注入层、 空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，得到有机电致发光 器件样品；
（2）将所述有机电致发光器件样品置于等离子体增强化学气相沉积室中， 在所述有机电致发光器件样品上制备碳氮化硅层；碳源和硅源为甲基硅烷，氮 源为氨气；
（3）将制备有碳氮化硅层的有机电致发光器件样品置于原子层沉积系统的 沉积室中，然后往所述沉积室中分别注入金属源和氧源，制备得到所述无机阻 挡层，所述无机阻挡层的材质为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟或氧化铊； 制备所述无机阻挡层时，所述金属源为三甲基硼、三甲基铝、三甲基镓、三甲 基铟或三甲基铊，所述氧源为水蒸气；
所述碳氮化硅层和所述无机阻挡层形成封装层，所述封装层和阳极导电基 板形成封闭空间，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子 注入层和阴极层容置在所述封闭空间内，得到所述有机电致发光器件。
优选地，制备所述氮碳化硅层时，同时通入氢气，所述氢气的流量为190～ 210sccm，所述甲基硅烷的流量为4～10sccm，所述氨气的流量是甲基硅烷的流 量的20～30倍。
优选地，制备所述无机阻挡层时的一个制备周期为：
（a）将金属源随载气注入所述沉积室中并在所述碳氮化硅层上沉积，注入 时间为10～20ms，载气流量为10～20sccm；
（b）注入载气冲洗沉积室，注入时间为5～10s，流量为10～20sccm；
（c）然后将水蒸气随载气注入沉积室中，与所述金属源发生反应，注入时 间为10～20ms，载气流量为10～20sccm；
（d）注入载气冲洗洗沉积室，注入时间为5～10s，流量为10～20sccm；
重复所述制备周期，得到厚度为15～20nm的所述无机阻挡层。
优选地，所述载气为氮气或氩气。
所述三甲基硼（B(CH3)3）、三甲基铝（Al(CH3)3）、三甲基镓（Ga(CH3)3）、 三甲基铟（In(CH3)3）和三甲基铊（TI(CH3)3）的化学式分别为：
优选地，所述碳氮化硅层的厚度为100～150nm。
优选地，所述碳氮化硅层和所述无机阻挡层交替层叠3～5次。
所述碳氮化硅层具有优异的抗氧化性能，超高的硬度和优异的抗腐蚀性能； 采用等离子体增强化学气相沉积法沉积速率快，薄膜厚度和成份的均匀性好， 有利于无机阻挡层在所述碳氮化硅层表面上的成膜。
无机阻挡层的材质为氧化硼（B2O3）、氧化铝（Al2O3）、氧化镓（Ga2O3）、 氧化铟（In2O3）或氧化铊（Tl2O3），采用原子层沉积的方法制备无机阻挡层， 通过高精度的在线控制，制备得到的无机阻挡层的薄膜不但均匀，而且纯度高、 保形性好，无机阻挡层的致密性高，可有效的防止水氧的侵蚀。
所述碳氮化硅层和所述无机阻挡层交替层叠3～5次，所述碳氮化硅层和所 述无机阻挡层交替层叠，一方面可以有效缓解层无机阻挡层产生的内应力，减 小对封装效果的影响，另一方面，延长了水、氧渗透路径，可以达到优良的封 装效果，有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，延长器 件寿命。
优选地，所述阳极导电基板为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。
更优选地，所述阳极导电基板为氧化铟锡（ITO）导电玻璃基板。
优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3） 和五氧化二钒（V2O5）中的一种掺杂到1,1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基] 环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N,N’-（1-萘基）-N,N’- 二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）形成的混合材料，掺杂质量分数为25%～35%， 更优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）掺杂到NPB形成的混合 材料，MoO3在NPB中的掺杂质量分数为25%。
优选地，所述空穴传输层材质为1,1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环 己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N,N’-（1-萘基）-N,N’- 二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），更优选地，所述空穴传输层的材质为4,4',4''-三(咔 唑-9-基)三苯胺（TCTA）。
优选地，所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料， 所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基） -4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双 （4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2-甲基-二苯基[f,h] 喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3） 或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、 8-羟基喹啉铝（Alq3）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯 基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，所述客体材料在所述主体材料中的 掺杂质量分数为1%～15%。
更优选地，所述发光层的材质为Ir(ppy)3掺杂到TPBI形成的混合材料，所述 Ir(ppy)3在TPBI中的掺杂质量分数为5%。
优选地，所述的电子传输层材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联 苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）或N-芳基苯并咪唑 （TPBI），更优选地，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。
优选地，所述电子注入层的材质为氟化铯（CsF）、叠氮化铯（CsN3）和氮 化铯（Cs3N）中的一种掺杂到4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联苯-4-基)-5-(4- 叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）和N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的一 种形成的混合材料，掺杂质量分数为5%～30%；更优选地，所述电子注入层的 材质为CsN3掺杂到Bphen形成的混合材料，CsN3在Bphen中的掺杂质量分数 为25%。
优选地，所述阴极层可以为非透明金属阴极（铝、银、金等）层或透明阴 极层（介质层/金属层/介质层等，如ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS等）。
更优选地，所述阴极层材质为铝。
本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：
（1）本发明有机电致发光器件可以有效地减少外部水、氧等活性物质对有 机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，显 著地提高有机电致发光器件的寿命；
（2）本发明有机电致发光器件的水蒸气渗透率（WVTR）为6.0×10-6g/m2·day 左右，寿命达13,010小时以上；
（3）本发明方法适用于封装以导电玻璃为阳极基板制备的有机电致发光器 件，也适用于封装以塑料或金属为阳极基底制备的柔性有机电致发光器件。本 发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件；
（4）本发明有机电致发光器件材料廉价，封装方法方式简单，易大面积制 备，适于工业化大规模使用。
附图说明
图1是本发明实施例1有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
以下所述是本发明的优选实施方式。应当指出，对于本技术领域的普通技 术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和调整，这 些改进和调整也视为在本发明的保护范围内。
实施例1：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）ITO导电玻璃基板1前处理：将ITO导电玻璃基板1依次放入丙酮、乙醇、 去离子水、乙醇中，分别超声清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对 洗净后的ITO玻璃基板1进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高 导电层表面的功函数；ITO玻璃基板1厚度为100nm；
空穴注入层2：在ITO导电玻璃基板1上蒸镀MoO3掺杂NPB得到的混合材料， MoO3在NPB中的掺杂质量分数为25%，蒸镀均采用高真空镀膜设备进行，蒸镀 时真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为得到空穴注入层2，厚度为10nm;
空穴传输层3：采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输 材料，在空穴注入层2上蒸镀TCTA，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为蒸 发厚度为40nm；
发光层4：在空穴传输层3上蒸镀发光层4，发光层4的材质为主体材料和客 体材料混合形成的混合材料，主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基) 苯（TPBI），客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，客体材料质量占主 体材料质量的5%，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为蒸发厚度为20nm；
电子传输层5的制备：在发光层4上蒸镀4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作 为电子传输材料，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为蒸发厚度为30nm；
电子注入层6的制备：在电子传输层5上蒸镀电子注入材料形成电子注入层 6，电子注入层6材质为CsN3掺杂Bphen形成的混合材料，CsN3在Bphen中的掺杂 质量分数为25%，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为蒸发厚度为20nm；
阴极层7的制备：在电子注入层6上蒸镀金属阴极7，金属阴极7采用铝（Al）， 厚度为100nm，蒸镀真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为得到有机电致发光器 件样品；
（2）将有机电致发光器件样品置于等离子体增强化学气相沉积室中，硅源 和碳源为甲基硅烷，氮源为NH3，同时通入H2，甲基硅烷的流量为7sccm，氨气 的流量是甲基硅烷流量的25倍，H2的流量为200sccm，氮碳化硅层801的厚度为 150nm；
（3）在碳氮化硅层801上采用原子层沉积的方法制备无机阻挡层802，无机 阻挡层的材质为B2O3；
制备无机阻挡层802的一个制备周期为：
（a）将B(CH3)3随氮气注入原子层沉积系统的沉积室中并在碳氮化硅层上沉 积，注入时间为15ms，氮气流量为15sccm；
（b）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为15sccm；
（c）然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与B(CH3)3发生反应，注入时间为 15ms，氮气流量为15sccm；
（d）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为15sccm；
重复上述制备周期，得到厚度为20nm的无机阻挡层802。
（4）再在无机阻挡层802上采用步骤（2）的方法和材质制备碳氮化硅层803， 在碳氮化硅层803上采用步骤（3）的方法和材质制备无机阻挡层804，以此类推， 最终使碳氮化硅层和无机阻挡层交替层叠5次得到封装层，封装层和阳极导电基 板形成封闭空间，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入 层和阴极层容置在该封闭空间内，得到有机电致发光器件。
本实施例有机电致发光器件的水蒸气渗透率（WVTR，g/m2·day）为5.5×10-6， 有机电致发光器件的寿命为13,120h（T70@1000cd/m2）。
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示， 本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO导电玻璃基板1、空穴注入层2、空穴 传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6、阴极层7和封装层8，封装层8 包括6层碳氮化硅层和5层无机阻挡层，5层碳氮化硅层分别为碳氮化硅层801、 碳氮化硅层803、碳氮化硅层805、碳氮化硅层807和碳氮化硅层809，5层无机阻 挡层分别为无机阻挡层802、无机阻挡层804、无机阻挡层806、无机阻挡层808 和无机阻挡层810，封装层8和阳极导电基板1形成封闭空间，空穴注入层2、空 穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和阴极层7容置在该封闭空间 内，得到有机电致发光器件。
实施例2：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤（1）同实施例1；
（2）将有机电致发光器件样品置于等离子体增强化学气相沉积室中，硅源 和碳源为甲基硅烷，氮源为NH3，同时通入H2，甲基硅烷的流量为8sccm，氨气 的流量是甲基硅烷流量的24倍，H2的流量为205sccm，氮碳化硅层的厚度为 140nm；
（3）在碳氮化硅层上采用原子层沉积的方法制备无机阻挡层，无机阻挡层 的材质为Al2O3；
制备无机阻挡层的一个制备周期为：
（a）将Al(CH3)3随氮气注入原子层沉积系统的沉积室中并在碳氮化硅层上 沉积，注入时间为20ms，氮气流量为20sccm；
（b）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为10s，流量为20sccm；
（c）然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与Al(CH3)3发生反应，注入时间 为20ms，氮气流量为20sccm；
（d）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为10s，流量为20sccm；
重复上述制备周期，得到厚度为19nm的无机阻挡层。
（4）再在无机阻挡层上采用步骤（2）的方法和材质制备碳氮化硅层，在 该碳氮化硅层上采用步骤（3）的方法和材质制备无机阻挡层，以此类推，最终 使碳氮化硅层和无机阻挡层交替层叠4次得到封装层，封装层和阳极导电基板形 成封闭空间，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和 阴极层容置在该封闭空间内，得到有机电致发光器件。
本实施例有机电致发光器件的水蒸气渗透率（WVTR，g/m2·day）为5.8×10-6， 有机电致发光器件的寿命为13,090h（T70@1000cd/m2）。
实施例3：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤（1）同实施例1；
（2）将有机电致发光器件样品置于等离子体增强化学气相沉积室中，硅源 和碳源为甲基硅烷，氮源为NH3，同时通入H2，甲基硅烷的流量为6sccm，氨气 的流量是甲基硅烷流量的21倍，H2的流量为210sccm，氮碳化硅层的厚度为 140nm；
（3）在碳氮化硅层上采用原子层沉积的方法制备无机阻挡层，无机阻挡层 的材质为Ga2O3；
制备无机阻挡层的一个制备周期为：
（a）将Ga(CH3)3随氮气注入原子层沉积系统的沉积室中并在碳氮化硅层上 沉积，注入时间为10ms，氮气流量为10sccm；
（b）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为5s，流量为10sccm；
（c）然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与Ga(CH3)3发生反应，注入时间 为10ms，氮气流量为10sccm；
（d）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为5s，流量为10sccm；
重复上述制备周期，得到厚度为18nm的无机阻挡层。
（4）再在无机阻挡层上采用步骤（2）的方法和材质制备碳氮化硅层，在 该碳氮化硅层上采用步骤（3）的方法和材质制备无机阻挡层，以此类推，最终 使碳氮化硅层和无机阻挡层交替层叠3次得到封装层，封装层和阳极导电基板形 成封闭空间，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和 阴极层容置在该封闭空间内，得到有机电致发光器件。
本实施例有机电致发光器件的水蒸气渗透率（WVTR，g/m2·day）为6.0×10-6， 有机电致发光器件的寿命为13,060h（T70@1000cd/m2）。
实施例4：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤（1）同实施例1；
（2）将有机电致发光器件样品置于等离子体增强化学气相沉积室中，硅源 和碳源为甲基硅烷，氮源为NH3，同时通入H2，甲基硅烷的流量为10sccm，氨气 的流量是甲基硅烷流量的20倍，H2的流量为190sccm，氮碳化硅层的厚度为 130nm；
（3）在碳氮化硅层上采用原子层沉积的方法制备无机阻挡层，无机阻挡层 的材质为In2O3；
制备无机阻挡层的一个制备周期为：
（a）将In(CH3)3随氮气注入沉积室中并在碳氮化硅层上沉积，注入时间为 15ms，氮气流量为17sccm；
（b）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为17sccm；
（c）然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与In(CH3)3发生反应，注入时间 为15ms，氮气流量为17sccm；
（d）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为17sccm；
重复上述制备周期，得到厚度为16nm的无机阻挡层。
（4）再在无机阻挡层上采用步骤（2）的方法和材质制备碳氮化硅层，在 该碳氮化硅层上采用步骤（3）的方法和材质制备无机阻挡层，以此类推，最终 使碳氮化硅层和无机阻挡层交替层叠3次得到封装层，封装层和阳极导电基板形 成封闭空间，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和 阴极层容置在该封闭空间内，得到有机电致发光器件。
本实施例有机电致发光器件的水蒸气渗透率（WVTR，g/m2·day）为6.2×10-6， 有机电致发光器件的寿命为113,050h（T70@1000cd/m2）。
实施例5：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤（1）同实施例1；
（2）将有机电致发光器件样品置于等离子体增强化学气相沉积室中，硅源 和碳源为甲基硅烷，氮源为NH3，同时通入H2，甲基硅烷的流量为4sccm，氨气 的流量是甲基硅烷流量的30倍，H2的流量为190sccm，氮碳化硅层的厚度为 100nm；
（3）在碳氮化硅层上采用原子层沉积的方法制备无机阻挡层，无机阻挡层 的材质为Tl2O3；
制备无机阻挡层的一个制备周期为：
（a）将Tl(CH3)3随氮气注入沉积室中并在碳氮化硅层上沉积，注入时间为 15ms，氮气流量为11sccm；
（b）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为11sccm；
（c）然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与Tl(CH3)3发生反应，注入时间 为15ms，氮气流量为11sccm；
（d）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为7s，流量为11sccm；
重复上述制备周期，得到厚度为15nm的无机阻挡层。
（4）再在无机阻挡层上采用步骤（2）的方法和材质制备碳氮化硅层，在 该碳氮化硅层上采用步骤（3）的方法和材质制备无机阻挡层，以此类推，最终 使碳氮化硅层和无机阻挡层交替层叠3次得到封装层，封装层和阳极导电基板形 成封闭空间，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和 阴极层容置在该封闭空间内，得到有机电致发光器件。
本实施例有机电致发光器件的水蒸气渗透率（WVTR，g/m2·day）为6.4×10-6， 有机电致发光器件的寿命为13,030h（T70@1000cd/m2）。
实施例6：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤（1）同实施例1；
（2）将有机电致发光器件样品置于等离子体增强化学气相沉积室中，硅源 和碳源为甲基硅烷，氮源为NH3，同时通入H2，甲基硅烷的流量为5sccm，氨气 的流量是甲基硅烷流量的20倍，H2的流量为190sccm，氮碳化硅层的厚度为 110nm；
（3）在碳氮化硅层上采用原子层沉积的方法制备无机阻挡层，无机阻挡层 的材质为B2O3；
制备无机阻挡层的一个制备周期为：
（a）将B(CH3)3随氮气注入沉积室中并在碳氮化硅层上沉积，注入时间为 10ms，氮气流量为15sccm；
（b）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为10s，流量为15sccm；
（c）然后将水蒸气随氮气注入沉积室中，与B(CH3)3发生反应，注入时间为 10ms，氮气流量为15sccm；
（d）注入氮气冲洗沉积室，注入时间为10s，流量为15sccm；
重复上述制备周期，得到厚度为15nm的无机阻挡层。
（4）再在无机阻挡层上采用步骤（2）的方法和材质制备碳氮化硅层，在 该碳氮化硅层上采用步骤（3）的方法和材质制备无机阻挡层，以此类推，最终 使碳氮化硅层和无机阻挡层交替层叠3次得到封装层，封装层和阳极导电基板形 成封闭空间，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和 阴极层容置在该封闭空间内，得到有机电致发光器件。
本实施例有机电致发光器件的水蒸气渗透率（WVTR，g/m2·day）为6.5×10-6， 有机电致发光器件的寿命为13,010h（T70@1000cd/m2）。
效果实施例
为有效证明本发明有机电致发光器件及其制备方法的有益效果，提供相关 实验数据如下。
表1是实施例1～6有机电致发光器件水蒸气渗透率，表2是实施例1～6有 机电致发光器件寿命情况。
表1.实施例1～6有机电致发光器件水蒸气渗透率
表2.实施例1～6有机电致发光器件寿命情况
从表1可以看出，本发明有机电致发光器件的水蒸气渗透率（WVTR）为 6.0×10-6g/m2·day左右，从表2可以看出，本发明有机电致发光器件的寿命达 13,010小时以上（T70@1000cd/m2）。T70@1000cd/m2代表有机电致发光器件亮 度衰减到初始亮度（初始亮度为1000cd/m2）70%所用的时间。
综上，本发明提供的有机电致发光器件可有效地减少外部水、氧等活性物 质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保 护，满足封装的密封性要求，可显著地提高OLED器件的寿命。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细， 但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域 的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和 改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附 权利要求为准。