半导体装置及其制造方法.pdf

本发明的目的在于提供一种以低成本兼顾半导体装置的小型化和可靠性的提高的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：陶瓷衬底(1)；多个电路图案(1a)，其配置在陶瓷衬底(1)表面；半导体元件(2)，其配置在至少1个电路图案(1a)的表面；以及封装树脂(4)，其封装陶瓷衬底(1)、多个电路图案(1a)以及半导体元件(2)，在相邻的电路图案(1a)的相对的侧面形成欠切部(1aa)，在欠切部(1aa)中，电路图案(1a)的表面的端部(11)与电路图案(1a)的和陶瓷衬底(1)接触的面的端部(12)相比，向该电路图案(1a)的外侧突出，在欠切部(1aa)中也填充封装树脂(4)。

权利要求书1.  一种半导体装置，其特征在于，具有： 陶瓷衬底； 多个电路图案，其配置在所述陶瓷衬底表面； 半导体元件，其配置在至少1个所述电路图案的表面；以及 封装树脂，其封装所述陶瓷衬底、所述多个电路图案以及所述 半导体元件， 在相邻的所述电路图案的相对的侧面形成欠切部， 在所述欠切部中，所述电路图案的表面的端部与所述电路图案 的和所述陶瓷衬底接触的面的端部相比，向该电路图案的外侧突出， 在所述欠切部中也填充所述封装树脂。 2.  一种半导体装置的制造方法，其是制造权利要求1所述的半 导体装置的制造方法，其特征在于，包括： (a)在所述陶瓷衬底的表面形成金属膜的工序；以及 (b)对所述金属膜进行蚀刻而形成所述电路图案的工序， 在所述工序(b)中，通过对所述电路图案的侧面进行过蚀刻而 形成所述欠切部。 3.  一种半导体装置的制造方法，其是制造权利要求1所述的半 导体装置的制造方法，其特征在于，包括： (c)冲裁金属板从而形成所述电路图案的工序； (d)在所述工序(c)之后，通过对所述电路图案的端部进行 冲压，从而形成所述欠切部的工序；以及 (e)在所述工序(d)之后，将所述电路图案粘贴在所述陶瓷 衬底的表面的工序。 4.  根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于， 在所述电路图案的表面，沿着该电路图案的表面的端部形成槽， 从所述电路图案的表面的端部至所述槽为止的距离小于或等于 该电路图案的厚度， 在所述槽中也填充所述封装树脂。 5.  一种半导体装置的制造方法，其是制造权利要求4所述的半 导体装置的制造方法，其特征在于，包括： (f)将所述电路图案形成在所述陶瓷衬底表面的工序；以及 (g)在所述工序(f)之后，沿着所述电路图案的表面的端部 向该电路图案的表面施加压力，从而形成所述槽的工序， 在所述工序(g)中，施加所述压力的位置相距所述电路图案的 表面的端部的距离小于或等于该电路图案的厚度， 在形成所述槽时，所述电路图案的表面的端部被向外侧挤出， 形成所述欠切部。 6.  根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于， 在所述电路图案上沿着该电路图案的外周在俯视观察时形成凹 凸，该凹凸也由所述封装树脂封装。 7.  根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于， 在所述电路图案表面形成有孔，在该孔中也填充所述封装树脂 8.  根据权利要求1、4、6、7中任一项所述的半导体装置，其特 征在于， 所述半导体元件包含宽带隙半导体。

说明书半导体装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，并涉及一种在例如 对电动汽车、电车等的电动机进行控制的逆变器、再生用的转换器中 使用的半导体装置及其制造方法。
背景技术
现有的半导体装置由：陶瓷衬底、在陶瓷衬底上配置的电路图 案、在电路图案上安装的半导体元件、连接在电路图案之间以及连接 电路图案和半导体元件的接合线等构成。在半导体装置中，为了使电 路图案之间绝缘，设置有裸露出陶瓷衬底而形成的绝缘部。陶瓷衬底 的尺寸依赖于电路图案的面积和绝缘部的宽度。
陶瓷衬底、电路图案、半导体元件以及接合线通过例如环氧树 脂而封装。由于陶瓷衬底以及电路图案与环氧树脂的密接性较差，因 此通过在陶瓷衬底上预先涂覆聚酰亚胺类、或者聚酰胺酰亚胺类的低 杨氏模量的树脂之后进行树脂封装，从而防止环氧树脂的剥离(例如， 参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2006-32617号公报
现有的半导体装置按照以上方式构成，因此为了使陶瓷衬底小型 化，需要减小电路图案的面积或缩小绝缘部的宽度，存在组装性降低 和绝缘性降低的问题。
此外，为了抑制环氧树脂的剥离，需要涂覆上述低杨氏模量的 树脂，由于增加了用于涂覆的制造工序，因此存在制造成本增加的问 题。如果为了削减制造成本，不涂覆低杨氏模量的树脂，则会由于环 氧树脂的密接性恶化而发生剥离。由于环氧树脂的剥离，会存在发生 由环氧树脂保持的构造物(例如铝线、端子)的接合寿命降低、以及 陶瓷衬底上的电路图案之间的绝缘性降低等问题。
发明内容
本发明就是为了解决如以上所述的课题而提出的，其目的在于提 供一种以低成本兼顾半导体装置的小型化和可靠性的提高的半导体装 置及其制造方法。
本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：陶瓷衬底；多个电 路图案，其配置在陶瓷衬底表面；半导体元件，其配置在至少1个电 路图案的表面；以及封装树脂，其封装陶瓷衬底、多个电路图案以及 半导体元件，在相邻的电路图案的相对的侧面形成欠切部，在欠切部 中，电路图案的表面的端部与电路图案的和陶瓷衬底接触的面的端部 相比，向电路图案的外侧突出，在欠切部中也填充封装树脂。
发明的效果
通过在相邻的电路图案的相对的侧面设置欠切部，从而无需缩 小电路图案的表面的面积，就能够缩小电路图案的底面的面积。因此， 能够确保电路图案表面的功能性所需的面积，并且能够确保绝缘所需 的电路图案之间的间隔。即，无需使绝缘性降低，就能够使电路图案 之间的间隔变得更窄，因此能够缩小形成有电路图案的陶瓷衬底的面 积，能够实现半导体装置的小型化。
此外，通过在电路图案的侧面设置欠切部，从而在欠切部也填充 封装树脂，并提高陶瓷衬底和封装树脂的密接性，因此，抑制封装树 脂的剥离，提高半导体装置的可靠性。即，能够通过设置欠切部，从 而同时得到：由于提高绝缘性而实现的半导体装置的小型化，以及由 于抑制剥离而实现的可靠性的提高这两个效果。
附图说明
图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖面图。
图2是实施方式1涉及的半导体装置的剖面的局部放大图。
图3是实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。
图4是实施方式1涉及的半导体装置的第1变形例的剖面图。
图5是实施方式1涉及的半导体装置的第2变形例的剖面图。
图6是实施方式1涉及的半导体装置的第3的变形例的剖面图。
图7是实施方式1涉及的半导体装置的第4的变形例的剖面图。
图8是实施方式2涉及的半导体装置的剖面的局部放大图。
图9是实施方式3涉及的半导体装置的剖面的局部放大图。
图10是前提技术涉及的半导体装置的剖面图。
标号的说明
1 陶瓷衬底，1a 电路图案，1aa、1ab、1af 欠切部，1ac 槽，1ad  凹凸，1ae 孔，1b 背面图案，1c 金属基座，1d、6 散热片，2 半导 体元件，3 焊料，4 封装树脂，5 铝线，7 壳体，11、12 端部。
具体实施方式
＜前提技术＞
在说明本发明的实施方式之前，对成为本发明的前提的技术进行 说明。图10是前提技术中的半导体装置的剖面图。如图10所示，在 前提技术的半导体装置的陶瓷衬底1的表面配置有多个电路图案1a。 半导体元件2通过焊料3进行接合而安装在至少1个电路图案1a的表 面。半导体元件2的电极和其它电路图案1a由铝线5电连接。此外， 电路图案1a通过钎焊、焊接与未图示的端子接合，从而与外部的端子 电连接。在陶瓷衬底1的背面(即，与配置电路图案1a的面为相反侧 的面)形成有背面图案1b。另外，电路图案1a的材质通常为铝、铜。
陶瓷衬底1、电路图案1a、半导体元件2以及铝线5通过封装树 脂4封装。封装树脂4为例如环氧树脂。另外，背面图案1b没有被封 装树脂封装，向半导体装置下表面露出。
以上说明的半导体装置作为例如对电动汽车、电车等的电动机进 行控制的逆变器、再生用的转换器而使用。
前提技术的半导体装置按照以上方式构成，因此为了使陶瓷衬底 1小型化，需要减小电路图案1a的面积，或缩小电路图案1a之间的绝 缘部的宽度，存在组装性较差和绝缘性降低的问题。
此外，存在由于封装树脂4与陶瓷衬底1以及电路图案1a的密接 性较差，因此发生剥离的问题。如果封装树脂4发生剥离，则会存在 发生由封装树脂4保持的构造物(例如铝线、端子)的接合寿命降低、 以及陶瓷衬底1上的电路图案1a之间的绝缘性降低等问题。
＜实施方式1＞
＜结构＞
图1是本实施方式的半导体装置的剖面图。图2是本实施方式的 半导体装置的剖面的局部放大图。图2更详细地说，是对图1的剖面 图中的电路图案1a侧面的剖面进行放大的图。此外，图3是本实施方 式的半导体装置的俯视图。
在本实施方式的半导体装置中，在陶瓷衬底1的表面配置有多个 电路图案1a。半导体元件2通过焊料3进行接合而安装在至少1个电 路图案1a的表面。
如图1所示，在彼此相邻的电路图案1a的相对的侧面形成有欠切 部1aa。图2表示欠切部1aa的放大图。在欠切部1aa中，电路图案1a 的表面的端部11与电路图案1a的和陶瓷衬底1接触的面的端部12相 比，向电路图案1a的外侧突出。在欠切部1aa中也填充有封装树脂4。 另外，在电路图案1a中，也可以在不与其它电路图案1a相对的侧面 形成欠切部1aa。
使用图3，对本实施方式的半导体装置的电路图案1a的俯视形状 进行说明。在电路图案1a上沿着电路图案1a的外周在俯视观察时形 成有凹凸1ad。凹凸1ad由封装树脂4封装。此外，在电路图案1a表 面形成有孔1ae，在孔1ae中也填充有封装树脂4。如图2所示，在凹 凸1ad的侧面形成有欠切部1aa。此外，也可以在孔1ae的侧面也形成 欠切部1aa。
另外，在本实施方式中，半导体元件2是例如包含碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)等宽带隙半导体在内的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。
＜制造方法＞
对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。首先，在陶瓷 衬底1的表面形成金属膜。金属膜通过将厚度为例如0.1～2mm的金属 箔粘贴在陶瓷衬底1的表面而形成。此外，在陶瓷衬底1的背面形成 背面图案1b。
接下来，通过蚀刻金属膜而形成电路图案1a。通过在进行蚀刻时， 对电路图案1a的侧面过蚀刻而形成欠切部1aa。能够通过调整蚀刻的 时间、喷射等条件，从而将电路图案1a的侧面挖成R形状，形成电路 图案1a的表面的端部11与电路图案1a的和陶瓷衬底1接触的面的端 部12相比，向外侧突出的欠切部1aa。
接下来，通过焊料3将半导体元件2安装在电路图案1a的规定的 位置。此外，其它电路图案1a和半导体元件2的电极通过例如导线接 合法而由铝线5连接。
此外，陶瓷衬底1、电路图案1a、半导体元件2以及铝线5通过 封装树脂4(例如环氧树脂)而封装。树脂封装通过例如传递模塑法进 行。另外，背面图案1b的表面没有被封装，而从半导体装置下表面露 出。通过以上的工序制造本实施方式的半导体装置。
＜作用＞
如以上所述地，在本实施方式的半导体装置中，通过焊料3等钎 料将半导体元件2接合在配置于陶瓷衬底1表面的电路图案1a上，此 外，半导体元件2和其它电路图案1a通过铝线连接。电路图案1a在陶 瓷衬底上进行电路配线，从而通过焊料、导线接合而与外部端子电连 接。
因此，在为了半导体装置的小型化而缩小陶瓷衬底1的面积时， 需要确保各个电路图案1a的功能方面所需的面积和宽度。并且，有时 在各个电路图案1a之间，在半导体装置动作时，产生从几百伏至大于 或等于千伏的电位差。为了防止在封装树脂4和陶瓷衬底1的界面处 产生放电，需要在电路图案1a之间设置绝缘所需的间隔。
因此，在本实施方式中，在相邻的电路图案1a的相对的侧面设置 欠切部1aa。通过设置欠切部1aa，从而无需缩小电路图案1a的表面面 积，就能够缩小电路图案1a的底面面积。即，通过缩小电路图案1a 的底面面积，从而在陶瓷衬底1的表面上，相邻的电路图案1a的间隔 变大，因此提高绝缘性。由此，在设想得到与未设有欠切部1aa的前 提技术相同程度的绝缘性而设计半导体装置的情况下，与前提技术相 比，能够将多个电路图案1a更接近地配置，因此能够缩小配置电路图 案1a的陶瓷衬底1的面积。
此外，通常对于半导体装置，由于环境温度的变化、半导体元件 的发热，从而导致构成半导体装置的部件各自与温度变化量乘以线膨 胀系数而得到的量相对应地发生膨胀、收缩。因此，在各个部件界面 发生形变，尤其在形变较大的部分、粘接强度较低的部分处发生剥离、 龟裂。对于环氧树脂，能够在其制造工序中对线膨胀系数进行控制， 但如果将环氧树脂的线膨胀系数与例如铜(线膨胀系数16.7ppm/℃) 合成在一起，则环氧树脂和陶瓷(4～7ppm/℃)的线膨胀系数的差值变 大，反之亦然。此外，环氧树脂和陶瓷、铜、铝原本粘接性就不佳， 因此如果不在向粘接界面预先涂覆聚酰亚胺等低杨氏模量树脂之后再 进行树脂封装，则会由于冷热循环而导致容易发生界面剥离。
因此，在本实施方式的半导体装置中，在电路图案1a的侧面设置 欠切部1aa，利用封装树脂4(环氧树脂)填充欠切部1aa。能够通过 封装树脂咬入欠切部1aa，从而防止陶瓷衬底1和封装树脂4的剥离。 相对于陶瓷衬底1的面积，用于使封装树脂4咬入的欠切部1aa越多， 防止剥离的效果越好。如果陶瓷衬底1和封装树脂4的密接性提高， 则来自外部的水分、离子的浸入被抑制，因此也提高了半导体元件2 以及铝线5的接合部的可靠性，因此提高了半导体装置的可靠性。
＜第1变形例＞
图4是本实施方式的半导体装置的第1变形例的剖面图。本变形 例在陶瓷衬底1的背面一体接合有金属基座1c。其它的结构与实施方 式1(图1)相同，因此省略说明。即使在陶瓷衬底1的背面取代背面 图案1b而接合有金属基座1c，也能够得到前述的缩小陶瓷衬底1的面 积以及提高半导体装置的可靠性的效果。
＜第2变形例＞
图5是本实施方式的半导体装置的第2变形例的剖面图。在本变 形例中，将散热片1d一体接合在陶瓷衬底1的背面。其它结构与实施 方式1(图1)相同，因此省略说明。即使在陶瓷衬底1的背面取代背 面图案1b而接合散热片1d，也能够得到前述的缩小陶瓷衬底1的面积 和提高半导体装置的可靠性的效果。
＜第3变形例＞
图6是本实施方式的半导体装置的第3变形例的剖面图。本变形 例在实施方式1(图1)的半导体装置中，将背面图案1b通过焊料3 接合在散热片6上。其它的结构与实施方式1(图1)相同，因此省略 说明。即使在陶瓷衬底1的背面，进一步将散热片1d接合在背面图案 1b上，也能够得到前述的缩小陶瓷衬底1的面积和提高半导体装置的 可靠性的效果。
＜第4变形例＞
图7是本实施方式的半导体装置的第4变形例的剖面图。本变形 例在陶瓷衬底1的背面一体接合有散热片1d。此外，在散热片1d的上 表面侧，以包围陶瓷衬底1、电路图案1a、半导体元件2以及铝线5 的方式固定有树脂制的壳体7。
通过将封装树脂4(例如环氧树脂)注入壳体7内部，并硬化， 从而使得陶瓷衬底1、电路图案1a、半导体元件2以及铝线5通过封 装树脂4而封装。封装树脂4也被填充至电路图案1a的欠切部1aa中。
其它的结构与实施方式1(图1)相同，因此省略说明。即使是半 导体装置具有壳体7，通过注入至壳体7的封装树脂4对壳体7内部进 行封装的结构，也能够得到前述的缩小陶瓷衬底1的面积和提高半导 体装置的可靠性的效果。
＜效果＞
本实施方式的半导体装置的特征在于，具有：陶瓷衬底1；多个 电路图案1a，其配置在陶瓷衬底1表面；半导体元件2，其配置在至 少1个电路图案1a的表面；以及封装树脂4，其封装陶瓷衬底1、多 个电路图案1a以及半导体元件2，在相邻的电路图案1a的相对的侧面 形成欠切部1aa，在欠切部1aa中，电路图案1a的表面的端部11与电 路图案1a的和陶瓷衬底1接触的面的端部12相比，向电路图案1a的 外侧突出，在欠切部1aa中也填充封装树脂4。
因此，通过在相邻的电路图案1a的相对的侧面设置欠切部1aa， 从而无需缩小电路图案1a的表面面积，就能够缩小电路图案1a的底 面面积。因此，能够确保电路图案1a表面的功能性所需的面积，并且 能够确保绝缘所需的电路图案1a之间的间隔。即，无需使绝缘性降低， 就能够使相邻的电路图案1a的间隔变得更窄，因此能够缩小形成有电 路图案1a的陶瓷衬底1的面积。通过缩小陶瓷衬底1的面积，从而能 够实现半导体装置的小型化。
此外，通过在电路图案1a的侧面设置欠切部1aa，从而在欠切部 1aa填充封装树脂4，并提高陶瓷衬底1和封装树脂4的密接性，因此， 抑制封装树脂4的剥离，提高半导体装置的可靠性。即，能够通过设 置欠切部1aa，从而同时得到：由于提高绝缘性而实现的半导体装置的 小型化，以及由于抑制剥离而实现的可靠性的提高这两个效果。
此外，本实施方式的半导体装置的制造方法的特征在于，包括： (a)在陶瓷衬底1的表面形成金属膜的工序，以及(b)对金属膜进 行蚀刻而形成电路图案1a的工序，在工序(b)中，通过对电路图案 1a的侧面进行过蚀刻而形成欠切部1aa。
因此，在本实施方式中，在通过蚀刻而形成电路图案1a的工序中， 同时形成欠切部1aa。因此，能够无需增加制造工序数而形成欠切部 1aa。由于能够无需增加制造工序而设置欠切部1aa，因此能够无需使 制造成本增加，就得到由于提高绝缘性而实现的半导体装置的小型化， 以及由于抑制剥离而实现的半导体装置的可靠性的提高这两个效果。
此外，在本实施方式的半导体装置中，其特征在于，在电路图案 1a上沿着电路图案1a的外周在俯视观察时形成凹凸1ad，该凹凸1ad 也由封装树脂4封装。
因此，通过沿电路图案1a的外周形成凹凸1ad，从而增大电路图 案1a与封装树脂4接触的面积。通过增大接触面积，从而提高电路图 案1a和封装树脂4的密接性，因此提高半导体装置的可靠性。
此外，在本实施方式的半导体装置中，其特征在于，在电路图案 1a表面形成孔1ae，在该孔1ae中也填充封装树脂4。
因此，通过在电路图案1a表面形成孔1ae，从而增大电路图案1a 与封装树脂4接触的面积。通过增大接触面积，从而提高电路图案1a 和封装树脂4的密接性，因此提高半导体装置的可靠性。
此外，在本实施方式的半导体装置中，其特征在于，半导体元件 2包含宽带隙半导体。
因此，在本实施方式中，利用例如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN) 等宽带隙半导体而构成半导体元件2。例如SiC半导体元件由于适用于 能够在高温下进行高速通断操作的大电力用途的半导体装置，因此本 发明在无需使半导体装置大型化而确保绝缘性方面特别有效。此外， 大电力用途的半导体装置在高温下动作，因此对封装树脂4的剥离进 行抑制从而使半导体装置的可靠性提高的本发明特别有效。
＜实施方式2＞
＜结构＞
图8是本实施方式的半导体装置的剖面的局部放大图。在本实施 方式的半导体装置中，在彼此相邻的电路图案1a的相对的侧面形成有 与实施方式1中说明的欠切部1aa(图2)类似的形状的欠切部1ab。 图8表示欠切部1ab的放大图。
如图8所示，在欠切部1ab中，电路图案1a的表面的端部11与 电路图案1a的和陶瓷衬底1接触的面的端部12相比，向外侧突出。 在欠切部1ab中也填充有封装树脂4。实施方式1的欠切部1aa是通过 蚀刻形成的R形状，而本实施方式的欠切部1ab由于通过冲压加工而 形成，因此为直线形状。其它的结构与实施方式1相同，因此对相同 的部分省略说明。
＜制造方法＞
对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。首先，通过冲 压加工冲裁金属板，从而形成电路图案1a。接下来，通过对电路图案 1a下表面(即，与陶瓷衬底1接触的面)的端部的任意部位进行冲压， 从而形成欠切部1ab。并且，将形成有欠切部1ab的电路图案1a粘贴 至陶瓷衬底1的表面。
形成背面图案1b的工序、半导体元件2的安装工序、利用铝线5 进行的配线工序、利用封装树脂4进行的封装工序与实施方式1相同， 因此省略说明。
＜效果＞
本实施方式的半导体装置的制造方法具有：(c)冲裁金属板从而 形成电路图案1a的工序；(d)在工序(c)之后通过对电路图案1a 的端部进行冲压从而形成欠切部1ab的工序；以及(e)在工序(d)之 后，将电路图案1a粘贴在陶瓷衬底1的表面的工序。
因此，能够通过选择进行冲压的部位，从而无需在电路图案1a 的整个周围形成欠切部1ab，而在电路图案1a的周围的任意部位形成 欠切部1ab。因此，在实施方式1中所述的效果的基础上，还提高了形 成欠切部1ab的位置的自由度。
＜实施方式3＞
＜结构＞
图9是本实施方式的半导体装置的剖面的局部放大图。在本实施 方式的半导体装置中，在彼此相邻的电路图案1a的相对的侧面形成有 与实施方式1中说明的欠切部1aa(图2)类似的形状的欠切部1af。 图9表示欠切部1af的放大图。
如图9所示，在欠切部1af中，电路图案1a的表面的端部11与 电路图案1a的和陶瓷衬底1接触的面的端部12相比，向外侧突出。 在欠切部1af中也填充有封装树脂4。
此外，在电路图案1a的表面，沿着电路图案1a的表面的端部11 形成有槽1ac。从电路图案1a的表面的端部11至槽1ac为止的距离小 于或等于电路图案1a的厚度。另外，在槽1ac中也填充有封装树脂4。 其它的结构与实施方式1相同，因此对相同的部分省略说明。
＜制造方法＞
对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。首先，在陶瓷 衬底1的表面形成电路图案1a。电路图案1a可以通过蚀刻而形成，也 可以通过冲压加工对金属板进行冲裁而形成电路图案1a，并粘贴在陶 瓷衬底1的表面。
接下来，通过沿着电路图案1a的表面的端部11，向电路图案1a 的表面施加压力而形成槽1ac。此处，施加压力的位置相距电路图案 1a的表面的端部11的距离小于或等于电路图案1a的厚度。
通过在相距端部11小于或等于电路图案1a的厚度的距离的位置 处施加压力，从而在形成槽1ac时，电路图案1a的表面的端部11被向 外侧挤出，形成欠切部1af。
形成背面图案1b的工序、半导体元件2的安装工序、利用铝线5 进行的配线工序、利用封装树脂4进行的封装工序与实施方式1相同， 因此省略说明。另外，在封装工序中，也在槽1ac中填充封装树脂4。
＜效果＞
在本实施方式的半导体装置中，其特征在于，在电路图案1a的表 面，沿着电路图案1a的表面的端部11形成槽1ac，从电路图案1a的 表面的端部11至槽1ac为止的距离小于或等于电路图案1a的厚度，在 槽1ac中也填充封装树脂4。
因此，通过在电路图案1a的侧面设置欠切部1af，与实施方式1 中所述相同地，无需使绝缘性降低，就能够使电路图案1a之间的间隔 变得更窄。因此，能够缩小形成电路图案1a的陶瓷衬底1的面积，能 够实现半导体装置的小型化。
此外，通过在电路图案1a的侧面设置欠切部1af，从而在欠切部 1af中填充封装树脂4，提高陶瓷衬底1和封装树脂4的密接性，因此， 抑制封装树脂4的剥离，提高半导体装置的可靠性。此外，在本实施 方式中，在电路图案1a的表面形成槽1ac，因此电路图案1a与封装树 脂4接触的面积增大。通过增大接触面积，从而提高电路图案1a和封 装树脂4的密接性，因此更加提高了半导体装置的可靠性。
此外，本实施方式的半导体装置的制造方法的特征在于，包括： (f)将电路图案1a形成在陶瓷衬底1表面的工序；以及(g)在工序 (f)之后，沿着电路图案1a的表面的端部11向电路图案1a的表面施 加压力从而形成槽1ac的工序，在工序(g)中，施加压力的位置相距 电路图案1a的表面的端部11的距离小于或等于电路图案1a的厚度， 在形成槽1ac时，电路图案1a的表面的端部11被向外侧挤出，形成欠 切部1af。
因此，能够通过选择形成槽1ac的部位，从而无需在电路图案1a 的整个周围形成欠切部1af，而在电路图案1a的周围的任意部位形成 欠切部1af。此外，为了形成欠切部1af，在电路图案1a的表面形成槽 1ac，因此电路图案1a与封装树脂4接触的面积增大。通过增大接触面 积，而提高电路图案1a和封装树脂4的密接性，因此能够进一步提高 半导体装置的可靠性。
另外，本发明能够在其发明的范围内使各实施方式自由组合，或 者适当地对各实施方式进行变形、省略。