一种晶体管的制备工艺.pdf

本发明公开一种晶体管的制备工艺，包括利用激光照射的方式，从基板无膜一侧的进行照射，使非晶硅熔融形成多晶硅的步骤M；还包括于基板上方顺次沉积缓冲层、非晶硅层、绝缘层；对非晶硅层和绝缘层进行光刻以形成硅岛；于硅岛的上方沉积栅金属层；沉积第一层间介电层，并形成接触孔；进行重掺杂；进行后续制程形成源/漏极、第二层间介电层、氧化铟锡阳极和像素限定层等步骤。本发明在非晶硅层上方沉积覆盖层，降低晶化后多晶硅粗糙度。另外，本发明中激光照射的晶化步骤可在非晶硅a-Si沉积完成之后和S/D重掺杂之前的任意步骤中进行，增加了工艺灵活性。

权利要求书1.  一种晶体管的制备工艺，其特征在于，包括步骤A：于一基板上沉积缓冲层，并在所述缓冲层上沉积非晶硅层；步骤B：于所述非晶硅层上沉积覆盖层；所述步骤A之后还包括步骤M：用激光照射基板无膜一侧，使非晶硅熔融形成多晶硅。 2.  根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述覆盖层为绝缘层。 3.  根据权利要求2所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述绝缘层的材料为Si3N4和/或SiO2，所述绝缘层的厚度为50nm~200nm。 4.  根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤A之后还包括如下步骤： 步骤C：对所述非晶硅层和覆盖层进行光刻以形成硅岛； 步骤D：于所述硅岛上沉积栅金属层，并刻出金属栅极； 步骤E：再于所述步骤C的结构上继续沉积第一层间介电层，并于所述金属栅极两侧的硅导上形成接触孔； 步骤F：非晶硅的重掺杂，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂； 步骤G：制作源/漏极、第二层间介电层、氧化铟锡阳极和像素限定层； 所述步骤M置于所述步骤A至B或步骤B至C或步骤C至D或步骤D至E或步骤E至F的两个步骤之间。 5.  根据权利要求4所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤F中非晶硅的重掺杂浓度为1E13cm-2~1E16cm-2。 6.  根据权利要求4所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤D中栅金属层的厚度为10nm~500nm；所述步骤E中第一层间介电层的厚度为10nm~500nm。 7.  根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤M中激光的波长范围为320nm~550nm。 8.  根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤A中所述基板能使波长为20nm~550nm的激光材料透过。 9.  根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤A中基板为石英基板、亚克力基板或聚酰亚胺基板。 10.  根据权利要求1所述的晶体管的制备工艺，其特征在于，所述步骤A中非晶硅层中含有第三主族或第五主族元素，所述第三主族或第五主族元素的掺杂浓度为1E10cm-2~1E12cm-2，所述非晶硅层的厚度为10nm~500nm。

说明书一种晶体管的制备工艺
技术领域
本发明涉及一种晶体管的制备工艺，具体涉及一种低漏电薄膜晶体管用低温多晶硅制备工艺。
背景技术
低温多晶硅制备工艺LTPS-TFT比非晶硅制备工艺a-Si-TFT具有更高的迁移率，适宜应用于有源矩阵有机发光二极体面板AMOLED的驱动电路中。常用的低温多晶硅LTPS晶化方法包括准分子激光晶化ELA和金属诱导晶化两种方法。其中，准分子激光晶化ELA形成的晶粒均匀性较差，且晶粒的粗糙度大，表面凸起高度可达10~20nm，导致漏电流较高，虽采用HF、臭氧水交替清洗，将Si表面氧化再用HF除去氧化层，以降低多晶硅表面粗糙度，但其技术效果十分有限，同时，准分子激光晶化ELA 是从a-Si一侧照射的，因此该工艺必须在栅极金属沉积之前进行，进而工艺灵活性较差。而另一种常用的净化方法即金属诱导晶化所形成的低温多晶硅LTPS存在金属离子污染的问题，且漏电流较高，同时，该方法还存在晶化时间长、不适宜于大规模生产的技术问题。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种晶体管的制备工艺，其激光照射的晶化步骤可在a-Si沉积完成之后和S/D重掺杂之前的任意步骤中进行，增加工艺灵活性。
本发明提供一种晶体管的制备工艺，包括步骤A：于一基板上沉积缓冲层，并在所述缓冲层上沉积非晶硅层，步骤B：于所述非晶硅层的上沉积覆盖层，于所述步骤A之后还包括步骤M：用激光照射基板无膜一侧，使非晶硅熔融形成多晶硅。
进一步地，所述覆盖层为绝缘层。
进一步地，所述绝缘层的材料为Si3N4和/或SiO2，所述绝缘层的厚度为50nm~200nm。
进一步地，所述步骤A之后还包括如下步骤：
步骤C：对所述非晶硅层和覆盖层进行光刻以形成硅岛；
步骤D：于所述硅岛上沉积栅金属层，并刻出金属栅极；
步骤E：再于所述步骤C的结构上继续沉积第一层间介电层，并于所述金属栅极两侧的硅导上形成接触孔；
步骤F：非晶硅的重掺杂，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂；
步骤G：制作源/漏极、第二层间介电层、氧化铟锡阳极和像素限定层；
所述步骤M置于所述步骤A至B或步骤B至C或步骤C至D或步骤D至E或步骤E至F的两个步骤之间。
进一步地，所述步骤F中非晶硅的重掺杂浓度为1E13cm-2~1E16cm-2。
进一步地，所述步骤D中栅金属层的厚度为10nm~500nm；所述步骤E中第一层间介电层的厚度为10nm~500nm。
进一步地，所述步骤M中激光的波长范围为320nm~550nm。
进一步地，所述步骤A中所述基板能使波长为20nm~550nm的激光材料透过。
进一步地，所述步骤A中基板为石英基板、亚克力基板或聚酰亚胺基板。
进一步地，所述步骤A中非晶硅层中含有第三主族或第五主族元素，所述第三主族或第五主族元素的掺杂浓度为1E10cm-2~1E12cm-2，所述非晶硅层的厚度为10nm~500nm。
本发明具有的优点在于：
本发明提供一种晶体管的制备工艺，通过在非晶硅层上沉积覆盖层，并用激光照射基板无膜一侧使非晶硅熔融形成多晶硅，操作简单，工艺灵活，便于实施。
另外，激光照射基板的步骤可在非晶硅沉积完成之后，也可在S/D重掺杂之前，从而增强了工艺的灵活性，此外，在非晶硅层上方沉积的覆盖层降低了晶化后多晶硅的粗糙度。
附图说明
图1：本发明中沉积缓冲层的结构示意图；
图2：本发明中沉积非晶硅层的结构示意图；
图3：本发明中形成绝缘层的结构示意图；
图4：本发明中激光照射形成多晶硅的结构示意图；
图5：本发明中硅岛的结构示意图；
图6：本发明中形成金属栅极的结构示意图；
图7：本发明中沉积层间介电层的结构示意图；
图8：本发明中重掺杂形成的结构示意图；
图9：本发明中形成源/漏极、层间介电层、ITO阳极和像素限定层的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
本发明提供一种晶体管的制备工艺，具体为一种低漏电薄膜晶体管用低温多晶硅制备工艺，在非晶硅沉积完成之后和S/D重掺杂之前的任一制程中，采用波长为320nm~550nm的激光从基板1一侧进行照射，使非晶硅熔融结晶，形成多晶硅，进而取代常规的采用激光源从基板1有膜的一侧进行照射的步骤。并且本发明采用的是波长为320nm~550nm的激光源，而非常规制备工艺中的308nm的激光源。
本发明提供一种晶体管的制备工艺，包括以下几个步骤：
步骤一：如图1所示，选择基板1，并在基板1上沉积单层或双层缓冲层2；然后于缓冲层2上方沉积一层的非晶硅层3，该非晶硅层3为轻掺杂非晶硅，如图2所示，完成a-Si沉积。
所述基板1可以选择透过波长范围在320nm~550nm之间激光的任意材料，如石英基板、亚克力基板或聚酰亚胺基板等。
所述缓冲层2的材料为Si3N4和/或SiO2，厚度为500nm以内。Si3N4和/或SiO2材质能够阻挡水汽及玻璃中金属离子污染，Si3N4和/或SiO2还可以使非晶硅层3与基板1附着的效果更好。
所述非晶硅层3的厚度为10nm~500nm，非晶硅层3中掺杂有第三主族或第五主族元素（如硼、磷或砷元素），其掺杂浓度为1E10cm-2~1E12cm-2，以增加非晶硅层3的迁移率。
步骤二：如图3所示，在非晶硅层3上沉积覆盖层，于本实施例中，覆盖层是厚度为50nm~200nm的绝缘层4，绝缘层4的材料为Si3N4和/或SiO2。
步骤三：如图4所示，用波长为320nm~550nm的激光从基板1一侧进行照射，使非晶硅层3熔融结晶，形成多晶硅；根据激光能量决定照射时间，一般激光能量100~5000mJ，光斑为长条状、点状或面状，横向扫描基板1需要晶化的区域，直至整个基板1被照射。
步骤四：如图5所示，于所述非晶硅层3和绝缘层4上进行光刻，形成硅岛5，此时硅岛5包括多晶硅层3和绝缘层4；硅岛5的大小根据具体的制备工艺的需求而设计。
步骤五：如图6所示，再于硅岛5的上方沉积栅金属层，并光刻出金属栅极6；所述栅金属层的厚度为10nm~500nm，光刻出金属栅极6的过程采用现有的半导体面板工艺流程完成。
步骤六：如图7所示，于金属栅极6、裸露的缓冲层2以及裸露的硅岛5上方沉积第一层间介电层7，并于金属栅极6两侧的硅导5上方采用光刻技术，刻出穿透第一层间介电层（ILD层）7的两个接触孔8。
所述第一层间介电层（ILD层）7的厚度为10nm~500nm，具体厚度可以根据制备工艺需求设定。所述接触孔8的面积要求大于10nm×10nm的尺寸要求，每个硅岛5上所有接触孔8的面积之和小于硅岛5剩余面积。金属栅极6的每一侧至少具有1个接触孔8。
步骤七：然后进行一次重掺杂，如图8所示，重掺杂的掺杂源为非晶硅a-Si（P+），该非晶硅a-Si的掺杂浓度为1E13cm-2~1E16cm-2，需要掺杂到接触孔8底部的非晶硅层3，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂（即S/D重掺杂）。
步骤八：最后进行后续制程，如图9所示，形成源/漏极9、第二层间介电层（ILD层）10、ITO（氧化铟锡）阳极11和像素限定层（pillar层）12。
上述激光照射实现非晶硅熔融的步骤三可以在非晶硅a-Si沉积完成之后与形成源/漏极接触区重掺杂之前的任意一个步骤中进行，即可以于步骤一和步骤二之间进行，也可在步骤二与步骤四之间、步骤四与步骤五之间、步骤五与步骤六、步骤六于步骤七之间进行，其并不影响非晶硅熔融结晶形成多晶硅的形成效果。
实施例1：
本实施例提供一种晶体管的制备工艺，包括以下几个步骤：
步骤一：如图1所示，选择基板1，并在基板1上沉积单层缓冲层2；然后于缓冲层2上方沉积一层的非晶硅层3，该非晶硅层3为轻掺杂非晶硅，如图2所示，完成a-Si沉积。
所述基板1可以选择透过320nm激光波长的石英基板。
所述缓冲层2的材料为Si3N4，厚度为500nm。S
所述非晶硅层3的厚度为10nm，非晶硅层3中掺杂有第三主族，其掺杂浓度为1E10cm-2，以增加非晶硅层3的迁移率。
步骤二：如图3所示，在非晶硅层3上沉积一层厚度为50nm的绝缘层4作为覆盖层，材料为Si3N4。
步骤三：如图4所示，用波长为320nm的激光从基板1一侧进行照射，使非晶硅层3熔融结晶，形成多晶硅；根据激光能量决定照射时间，一般激光能量100mJ，光斑为长条状，横向扫描基板1需要晶化的区域，直至整个基板1被照射。
步骤四：如图5所示，于所述非晶硅层3和绝缘层4上进行光刻，形成硅岛5，此时硅岛5包括多晶硅层3和绝缘层4；硅岛5的大小根据具体的制备工艺的需求而设计。
步骤五：如图6所示，再于硅岛5的上方沉积栅金属层，并光刻出金属栅极6；所述栅金属层的厚度为10nm，光刻出金属栅极6的过程采用现有的半导体面板工艺流程完成。
步骤六：如图7所示，于金属栅极6、裸露的缓冲层2以及裸露的硅岛5上方沉积第一层间介电层7，并于金属栅极6两侧的硅导5上方采用光刻技术，刻出穿透第一层间介电层7的两个接触孔8。
所述第一层间介电层7的厚度为10nm。所述接触孔8的面积要求大于10nm×10nm的尺寸要求，每个硅岛5上所有接触孔8的面积之和小于硅岛5剩余面积。金属栅极6的每一侧至少具有1个接触孔8。
步骤七：然后进行一次重掺杂，重掺杂的掺杂源为非晶硅a-Si（P+），该非晶硅a-Si的掺杂浓度为1E13cm-2，需要掺杂到接触孔8底部的非晶硅层3，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂（即S/D重掺杂）。
步骤八：最后进行后续制程，形成源/漏极9、第二层间介电层10、ITO阳极11和像素限定层12。
实施例2：
本实施例提供一种晶体管的制备工艺，包括以下几个步骤：
步骤一：如图1所示，选择基板1，并在基板1上沉积双层缓冲层2；然后于缓冲层2上方沉积一层的非晶硅层3，该非晶硅层3为轻掺杂非晶硅，如图2所示，完成a-Si沉积。
所述基板1可以选择透过550nm激光的亚克力基板。
所述缓冲层2的材料为SiO2，厚度为300nm。
所述非晶硅层3的厚度为500nm，非晶硅层3中掺杂有第五主族元素（如硼、磷或砷元素），其掺杂浓度为1E12cm-2，以增加非晶硅层3的迁移率。
步骤二：如图4所示，用波长为550nm的激光从基板1一侧进行照射，使非晶硅层3熔融结晶，形成多晶硅；根据激光能量决定照射时间，一般激光能量5000mJ，光斑为点状，横向扫描基板1需要晶化的区域，直至整个基板1被照射。
步骤三：如图3所示，在非晶硅层3上沉积一层厚度为200nm的绝缘层4作为覆盖层，材料为SiO2。
步骤四：如图5所示，于所述非晶硅层3和绝缘层4上进行光刻，形成硅岛5，此时硅岛5包括多晶硅层3和绝缘层4；硅岛5的大小根据具体的制备工艺的需求而设计。
步骤五：如图6所示，再于硅岛5的上方沉积栅金属层，并光刻出金属栅极6；所述栅金属层的厚度为500nm，光刻出金属栅极6的过程采用现有的半导体面板工艺流程完成。
步骤六：如图7所示，于金属栅极6、裸露的缓冲层2以及裸露的硅岛5上方沉积第一层间介电层7，并于金属栅极6两侧的硅导5上方采用光刻技术，刻出穿透第一层间介电层7的两个接触孔8。
所述第一层间介电层7的厚度为500nm，具体厚度可以根据制备工艺需求设定。所述接触孔8的面积要求大于10nm×10nm的尺寸要求，每个硅岛5上所有接触孔8的面积之和小于硅岛5剩余面积。金属栅极6的每一侧至少具有1个接触孔8。
步骤七：然后进行一次重掺杂，重掺杂的掺杂源为非晶硅a-Si（P+），该非晶硅a-Si的掺杂浓度为1E16cm-2，需要掺杂到接触孔8底部的非晶硅层3，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂（即S/D重掺杂）。
步骤八：最后进行后续制程，形成源/漏极9、第二层间介电层10、ITO阳极11和像素限定层12。
实施例3：
本实施例提供一种晶体管的制备工艺，包括以下几个步骤：
步骤一：如图1所示，选择基板1，并在基板1上沉积单层缓冲层2；然后于缓冲层2上方沉积一层的非晶硅层3，该非晶硅层3为轻掺杂非晶硅，如图2所示，完成a-Si沉积。
所述基板1可以选择透过波长为400nm激光的聚酰亚胺基板。
所述缓冲层2的材料为Si3N4和SiO2，厚度为200nm。
所述非晶硅层3的厚度为100nm，非晶硅层3中掺杂有硼元素，其掺杂浓度为1E11cm-2，以增加非晶硅层3的迁移率。
步骤二：如图3所示，在非晶硅层3上沉积一层厚度为100nm的绝缘层4作为覆盖层，材料为Si3N4和SiO2。
步骤三：如图5所示，于所述非晶硅层3和绝缘层4上进行光刻，形成硅岛5，此时硅岛5包括多晶硅层3和绝缘层4；硅岛5的大小根据具体的制备工艺的需求而设计。
步骤四：如图4所示，用波长为400nm的激光从基板1一侧进行照射，使非晶硅层3熔融结晶，形成多晶硅；根据激光能量决定照射时间，一般激光能量1000mJ，光斑为0面状，横向扫描基板1需要晶化的区域，直至整个基板1被照射。
步骤五：如图6所示，再于硅岛5的上方沉积栅金属层，并光刻出金属栅极6；所述栅金属层的厚度为100nm，光刻出金属栅极6的过程采用现有的半导体面板工艺流程完成。
步骤六：如图7所示，于金属栅极6、裸露的缓冲层2以及裸露的硅岛5上方沉积第一层间介电层7，并于金属栅极6两侧的硅导5上方采用光刻技术，刻出穿透第一层间介电层7的两个接触孔8。
所述第一层间介电层7的厚度为100nm，具体厚度可以根据制备工艺需求设定。所述接触孔8的面积要求大于10nm×10nm的尺寸要求，每个硅岛5上所有接触孔8的面积之和小于硅岛5剩余面积。金属栅极6的每一侧至少具有1个接触孔8。
步骤七：然后进行一次重掺杂，重掺杂的掺杂源为非晶硅a-Si（P+），该非晶硅a-Si的掺杂浓度为1E14cm-2，需要掺杂到接触孔8底部的非晶硅层3，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂（即S/D重掺杂）。
步骤八：最后进行后续制程，形成源/漏极9、第二层间介电层10、ITO阳极11和像素限定层12。
实施例4：
本实施例提供一种晶体管的制备工艺，包括以下几个步骤：
步骤一：如图1所示，选择基板1，并在基板1上沉积双层缓冲层2；然后于缓冲层2上方沉积一层的非晶硅层3，该非晶硅层3为轻掺杂非晶硅，如图2所示，完成a-Si沉积。
所述基板1可以选择透过波长为500nm激光的石英基板。
所述缓冲层2的材料为Si3N4，厚度为300nm。
所述非晶硅层3的厚度为200nm，非晶硅层3中掺杂有磷元素，其掺杂浓度为1E11cm-2，以增加非晶硅层3的迁移率。
步骤二：如图3所示，在非晶硅层3上沉积一层厚度为150nm的绝缘层4作为覆盖层，材料为Si3N4。
步骤三：如图5所示，于所述非晶硅层3和绝缘层4上进行光刻，形成硅岛5，此时硅岛5包括多晶硅层3和绝缘层4；硅岛5的大小根据具体的制备工艺的需求而设计。
步骤四：如图6所示，再于硅岛5的上方沉积栅金属层，并光刻出金属栅极6；所述栅金属层的厚度为200nm，光刻出金属栅极6的过程采用现有的半导体面板工艺流程完成。
步骤五：如图4所示，用波长为500nm的激光从基板1一侧进行照射，使非晶硅层3熔融结晶，形成多晶硅；根据激光能量决定照射时间，一般激光能量2000mJ，光斑为长条状，横向扫描基板1需要晶化的区域，直至整个基板1被照射。
步骤六：如图7所示，于金属栅极6、裸露的缓冲层2以及裸露的硅岛5上方沉积第一层间介电层7，并于金属栅极6两侧的硅导5上方采用光刻技术，刻出穿透第一层间介电层7的两个接触孔8。
所述第一层间介电层7的厚度为200nm，具体厚度可以根据制备工艺需求设定。所述接触孔8的面积要求大于10nm×10nm的尺寸要求，每个硅岛5上所有接触孔8的面积之和小于硅岛5剩余面积。金属栅极6的每一侧至少具有1个接触孔8。
步骤七：然后进行一次重掺杂，重掺杂的掺杂源为非晶硅a-Si（P+），该非晶硅a-Si的掺杂浓度为1E14cm-2，需要掺杂到接触孔8底部的非晶硅层3，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂（即S/D重掺杂）。
步骤八：最后进行后续制程，形成源/漏极9、第二层间介电层10、ITO阳极11和像素限定层12。
实施例5：
本实施例提供一种晶体管的制备工艺，包括以下几个步骤：
步骤一：如图1所示，选择基板1，并在基板1上沉积双层缓冲层2；然后于缓冲层2上方沉积一层的非晶硅层3，该非晶硅层3为轻掺杂非晶硅，如图2所示，完成a-Si沉积。
所述基板1可以选择透过波长范围在350nm之间激光的任意材料，如石英基板、亚克力基板或聚酰亚胺基板等。
所述缓冲层2的材料为SiO2，厚度为100nm。
所述非晶硅层3的厚度为400nm，非晶硅层3中掺杂有砷元素，其掺杂浓度为1E10cm-2，以增加非晶硅层3的迁移率。
步骤二：如图3所示，在非晶硅层3上沉积一层厚度为180nm的绝缘层4作为覆盖层，材料为SiO2。
步骤三：如图5所示，于所述非晶硅层3和绝缘层4上进行光刻，形成硅岛5，此时硅岛5包括多晶硅层3和绝缘层4；硅岛5的大小根据具体的制备工艺的需求而设计。
步骤四：如图6所示，再于硅岛5的上方沉积栅金属层，并光刻出金属栅极6；所述栅金属层的厚度为300nm，光刻出金属栅极6的过程采用现有的半导体面板工艺流程完成。
步骤五：如图7所示，于金属栅极6、裸露的缓冲层2以及裸露的硅岛5上方沉积第一层间介电层7，并于金属栅极6两侧的硅导5上方采用光刻技术，刻出穿透第一层间介电层7的两个接触孔8。
所述第一层间介电层7的厚度为300nm，具体厚度可以根据制备工艺需求设定。所述接触孔8的面积要求大于10nm×10nm的尺寸要求，每个硅岛5上所有接触孔8的面积之和小于硅岛5剩余面积。金属栅极6的每一侧至少具有1个接触孔8。
步骤六：如图4所示，用波长为450nm的激光从基板1一侧进行照射，使非晶硅层3熔融结晶，形成多晶硅；根据激光能量决定照射时间，一般激光能量3000mJ，光斑为面状，横向扫描基板1需要晶化的区域，直至整个基板1被照射。
步骤七：然后进行一次重掺杂，重掺杂的掺杂源为非晶硅a-Si（P+），该非晶硅a-Si的掺杂浓度为1E15cm-2，需要掺杂到接触孔8底部的非晶硅层3，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂（即S/D重掺杂）。
步骤八：最后进行后续制程，形成源/漏极9、第二层间介电层10、ITO阳极11和像素限定层12。
实施例6：
本实施例提供一种晶体管的制备工艺，包括以下几个步骤：
步骤一：如图1所示，选择基板1，并在基板1上沉积单层或双层缓冲层2；然后于缓冲层2上方沉积一层的非晶硅层3，该非晶硅层3为轻掺杂非晶硅，如图2所示，完成a-Si沉积。
所述基板1可以选择透过波长为520nm之间激光的石英基板。
所述缓冲层2的材料为Si3N4和SiO2，厚度为450nm以内。
所述非晶硅层3的厚度为50nm，非晶硅层3中掺杂有磷元素，其掺杂浓度为1E12cm-2，以增加非晶硅层3的迁移率。
步骤二：如图3所示，在非晶硅层3上沉积一层厚度为160nm的绝缘层4作为覆盖层，材料为Si3N4和SiO2。
步骤三：如图5所示，于所述非晶硅层3和绝缘层4上进行光刻，形成硅岛5，此时硅岛5包括多晶硅层3和绝缘层4；硅岛5的大小根据具体的制备工艺的需求而设计。
步骤四：如图6所示，再于硅岛5的上方沉积栅金属层，并光刻出金属栅极6；所述栅金属层的厚度为130nm，光刻出金属栅极6的过程采用现有的半导体面板工艺流程完成。
步骤五：如图7所示，于金属栅极6、裸露的缓冲层2以及裸露的硅岛5上方沉积第一层间介电层7，并于金属栅极6两侧的硅导5上方采用光刻技术，刻出穿透第一层间介电层7的两个接触孔8。
所述第一层间介电层7的厚度为350nm，具体厚度可以根据制备工艺需求设定。所述接触孔8的面积要求大于10nm×10nm的尺寸要求，每个硅岛5上所有接触孔8的面积之和小于硅岛5剩余面积。金属栅极6的每一侧至少具有1个接触孔8。
步骤六：然后进行一次重掺杂，重掺杂的掺杂源为非晶硅a-Si（P+），该非晶硅a-Si的掺杂浓度为1E14cm-2，需要掺杂到接触孔8底部的非晶硅层3，利用自对准工艺，形成源/漏极接触区重掺杂（即S/D重掺杂）。
步骤七：如图4所示，用波长为460nm的激光从基板1一侧进行照射，使非晶硅层3熔融结晶，形成多晶硅；根据激光能量决定照射时间，一般激光能量4000mJ，光斑为长条状、点状或面状，横向扫描基板1需要晶化的区域，直至整个基板1被照射。
步骤八：最后进行后续制程，形成源/漏极9、第二层间介电层10、ITO阳极11和像素限定层12。
以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。