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1、(10)申请公布号 CN 102830534 A (43)申请公布日 2012.12.19 C N 1 0 2 8 3 0 5 3 4 A *CN102830534A* (21)申请号 201210303264.5 (22)申请日 2012.08.23 G02F 1/1335(2006.01) G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1333(2006.01) H01L 21/77(2006.01) (71)申请人京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 申请人北京京东方显示技术有限公司 (72)发明人杜玙璠 宋勇志 马国靖 (74)专利代理机。
2、构北京同达信恒知识产权代理 有限公司 11291 代理人黄志华 (54) 发明名称 彩膜基板、阵列基板、液晶显示装置及其制作 方法 (57) 摘要 本发明公开了一种彩膜基板、阵列基板、液晶 显示装置及其制作方法，所述彩膜基板包括位于 所述第一基片和平坦层之间的第一偏光膜；所述 阵列基板包括位于所述第二基片和绝缘层之间的 第二偏光膜；所述液晶显示装置包括所述彩膜基 板和/或所述阵列基板。本发明通过将偏光作用 的偏光膜制作在彩膜基板或阵列基板内部，克服 了现有的液晶显示装置中采用粘贴于彩膜基板或 阵列基板外表面的偏光片时，偏光片容易磨损，以 及偏光片与彩膜基板或阵列基板外表面之间容易 夹杂气泡和灰。
3、尘等问题。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书7页 附图4页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 7 页 附图 4 页 1/1页 2 1.一种彩膜基板，包括第一基片、色阻层、平坦层和第一取向层，其特征在于，还包括： 位于所述第一基片和平坦层之间的第一偏光膜。 2.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一偏光膜位于第一基片和色阻 层之间。 3.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一偏光膜位于色阻层和平坦层 之间。 4.如权利要求13任一所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一偏光膜采用偶氮聚合 物材料或溶致液晶材料制作。
4、。 5.如权利要求13任一所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一偏光膜的厚度小于 10m。 6.一种阵列基板，包括第二基片、绝缘层和第二取向层，其特征在于，还包括：位于所 述第二基片和绝缘层之间的第二偏光膜。 7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二偏光膜采用偶氮聚合物材料 或溶致液晶材料制作。 8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层采用有机材料制作。 9.如权利要求68任一所述的阵列基板，其特征在于，所述第二偏光膜的厚度小于 10m。 10.一种液晶显示装置，其特征在于，包括： 如权利要求15任一所述的彩膜基板；和/或， 如权利要求69任一所述的阵列基板。 11.一。
5、种制作如权利要求15任一所述彩膜基板的方法，其特征在于，包括： 涂覆偶氮聚合物液晶材料膜层，利用偏振紫外光对所述偶氮聚合物液晶材料膜层进行 照射，形成位于第一基片和平坦层之间且具有偏光作用的第一偏光膜；或， 涂覆溶致液晶材料膜层，等待所述溶致液晶材料膜层中的溶致液晶分子自组装排列完 成，形成位于第一基片和平坦层之间且具有偏光作用的第一偏光膜。 12.一种制作如权利要求69任一所述阵列基板的方法，其特征在于，包括： 涂覆偶氮聚合物液晶材料膜层，利用偏振紫外光对所述偶氮聚合物液晶材料膜层进行 照射，形成位于第二基片和绝缘层之间且具有偏光作用的第二偏光膜；或， 涂覆溶致液晶材料膜层，等待所述溶致液晶。
6、材料膜层中的溶致液晶分子自组装排列完 成，形成位于第二基片和绝缘层之间具有偏光作用的第二偏光膜。 权 利 要 求 书CN 102830534 A 1/7页 3 彩膜基板、 阵列基板、 液晶显示装置及其制作方法 技术领域 0001 本发明涉及液晶显示设备技术领域，尤其涉及一种彩膜基板、阵列基板、液晶显示 装置及其制作方法。 背景技术 0002 目前常见的TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶 体管液晶显示器）的结构如图1所示，包括：第一偏光片101、第一玻璃基片102、色阻层103、 平坦层104、第一取向层105、液晶层1。
7、06、第二取向层107、绝缘层108、第二玻璃基片109、 第二偏光片110；其中，第一偏光片101、第一玻璃基片102、色阻层103、平坦层104和第一 取向层105构成了彩膜基板，第二偏光片110、第二玻璃基片109、绝缘层108和第二取向层 107构成了阵列基板；绝缘层108将像素电极111和公共电极112隔开；第一偏光片101和 第二偏光片110都为偏光片结构，二者都具有将透过的光线变为偏振光的功能，并且第一 偏光片101的透过轴和第二偏光片110的透过轴相互垂直。 0003 由图1所示的结构可以看出，偏光片是目前TFT-LCD中不可缺少的一部分，并且偏 光片被设置于彩膜基板和阵列基板。
8、的外表面，然而目前这种使用偏光片的技术存在以下几 种问题：1、在制作偏光片的工艺过程中，需要采用拉伸设备沿设定方向对原始的膜片进行 拉伸形成偏光片，以使得通过偏光片的光线能够沿所述设定的方向偏转，该工艺过程中，由 于拉伸设备能够实现的拉伸长度有限，因此制作形成的偏光片尺寸也会受到限制；2、将偏 光片粘贴在彩膜基板和阵列基板的外表面时，容易产生在偏光片与基板外表面之间夹杂气 泡和灰尘等不良现象，从而导致粘贴不够牢固；3、采用胶类物质将偏光片粘贴至彩膜基板 和阵列基板最外层的方式，不容易控制偏光片与基板的对齐精度；4、由于偏光片位于彩膜 基板和阵列基板的最外层，很容易导致偏光片表面磨损，使得偏光效。
9、果降低；5、偏光片的制 作成本较高。 0004 因此，目前液晶显示设备厂商急需研发一种新型的偏光装置，以避免使用偏光片 带来的以上各种问题。 发明内容 0005 本发明提供一种彩膜基板、阵列基板、液晶显示装置及其制作方法，用以解决现有 的液晶显示装置采用粘贴于彩膜基板或阵列基板外表面的偏光片时，偏光片容易磨损，偏 光片与彩膜基板或阵列基板外表面之间容易夹杂气泡和灰尘等问题。 0006 本发明包括： 0007 一种彩膜基板，包括第一基片、色阻层、平坦层和第一取向层，还包括：位于所述第 一基片和平坦层之间的的第一偏光膜。 0008 一种阵列基板，包括第二基片、绝缘层和第二取向层，还包括：位于所述第。
10、二基片 和绝缘层之间的第二偏光膜。 0009 一种液晶显示装置，包括： 说 明 书CN 102830534 A 2/7页 4 0010 如上所述的彩膜基板；和/或， 0011 如上所述的阵列基板。 0012 一种制作如上所述彩膜基板的方法，包括： 0013 涂覆偶氮聚合物液晶材料膜层，利用偏振紫外光对所述偶氮聚合物液晶材料膜层 进行照射，形成位于第一基片和平坦层之间且具有偏光作用的第一偏光膜；或， 0014 涂覆溶致液晶材料膜层，等待所述溶致液晶材料膜层中的溶致液晶分子自组装排 列完成，形成位于第一基片和平坦层之间且具有偏光作用的第一偏光膜。 0015 一种制作如上所述阵列基板的方法，包括： 。
11、0016 涂覆偶氮聚合物液晶材料膜层，利用偏振紫外光对所述偶氮聚合物液晶材料膜层 进行照射，形成位于第二基片和绝缘层之间且具有偏光作用的第二偏光膜；或， 0017 涂覆溶致液晶材料膜层，等待所述溶致液晶材料膜层中的溶致液晶分子自组装排 列完成，形成位于第二基片和绝缘层之间具有偏光作用的第二偏光膜。 0018 本发明提供一种彩膜基板、阵列基板、液晶显示装置及其制作方法，通过将偏光作 用的偏光膜制作在彩膜基板或阵列基板内部，克服了现有的液晶显示装置中采用粘贴于彩 膜基板或阵列基板外表面的偏光片时，偏光片容易磨损，以及偏光片与彩膜基板或阵列基 板外表面之间容易夹杂气泡和灰尘等问题。 附图说明 001。
12、9 图1为现有技术中的液晶显示装置结构示意图； 0020 图2（1）为本发明实施例一提供的彩膜基板结构示意图； 0021 图2（2）为本发明实施例二提供的阵列基板结构示意图； 0022 图3为本发明实施例三提供的液晶显示装置结构示意图； 0023 图4为本发明实施例三中采用偶氮聚合物液晶材料制作第一偏光膜313的工艺流 程图； 0024 图5为本发明实施例三中采用偶氮聚合物液晶材料制作第二偏光膜332的工艺流 程图； 0025 图6为本发明实施例三中采用溶致液晶材料制作第一偏光膜313的工艺流程图； 0026 图7为本发明实施例三中采用溶致液晶材料制作第二偏光膜332的工艺流程图； 0027 。
13、图8为本发明实施例四提供的液晶显示装置结构示意图。 具体实施方式 0028 为了克服了现有的液晶显示装置中采用粘贴于彩膜基板或阵列基板外表面的偏 光片时，偏光片容易磨损，以及偏光片与彩膜基板或阵列基板外表面之间容易夹杂气泡和 灰尘等问题，本发明实施例提供了一种液晶显示装置及其制作方法，以下结合说明书附图 对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释 本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特 征可以相互组合。 0029 以下实施例一实施例三以ADS（Advanced Super Dimension Switch，高级超维 。
14、场转换）模式为例对本发明进行介绍，实施例四以TN（Twisted Nematic，扭曲向列）模式为 说 明 书CN 102830534 A 3/7页 5 例对本发明进行介绍。 0030 实施例一 0031 本实施例提供一种彩膜基板，如图2（1）所示，彩膜基板21内部包括第一偏光膜 211。 0032 为了实现本实施例提供的彩膜基板21，可以采用具有分子定向的材料制作第一偏 光膜211，以使其既可以制作在彩膜基板21内部，又可以具有将透过的光线转变为偏振光 的偏光特性。 0033 较佳的，本实施例采用偶氮聚合物液晶材料或溶致液晶材料制作第一偏光膜211； 当采用偶氮聚合物液晶材料制作第一偏光膜2。
15、11时，首先需要涂覆一层偶氮聚合物液晶材 料薄膜，然后利用偏振紫外光对其进行照射，以使其具有偏光特性；当采用溶致液晶材料 制作第一偏光膜211时，首先需要涂覆一层溶致液晶材料薄膜，然后等待溶致液晶分子完 成自组装排列过程（整个自组装排列过程约需要几十秒），即可具有偏光特性。本实施例中 涂覆偶氮聚合物液晶材料或溶致液晶材料制作所述第一偏光膜211时，可以采用ink-jet （喷涂）、coater（包括旋涂和狭缝涂布）、APR plate（Asahikasei Photosensitive Resin Plate,印刷板转印）等设备完成。 0034 较佳的，本实施例中，所述第一偏光膜211的厚度小。
16、于10m。 0035 本实施例中，所述彩膜基板21具有显示由R、G、B三基色光混合形成的各种颜色 的功能，除了第一偏光膜211之外，彩膜基板21由外向内大致可以分为以下几种结构：第 一基片，用于承载组成彩膜基板21的各功能元件，常采用玻璃材料或石英材料制作；色阻 层，用于将透过该层的光线转变成R、G、B三基色光；平坦层，用于平坦化与其相接触的第一 取向层的凹凸不平表面；第一取向层，表面具有一定方向的沟槽，用于使得液晶层中的液晶 分子能够沿着所述沟槽的方向排列。其中，第一偏光膜211可以设置于第一基片和平坦层 之间，即设置于第一基片和色阻层之间，或色阻层和平坦层之间，这种结构设计的原因是： 当采。
17、用偶氮聚合物液晶材料或溶致液晶材料制作第一偏光膜211时，由于其本身为液晶材 料，不能将第一偏光膜211设置于彩膜基板21的最内侧，即不能使得第一偏光膜211与液 晶显示装置中的液晶层接触，否则将会因为两种液晶材料（构成第一偏光膜211的液晶材 料和构成液晶层的液晶材料）接触而造成液晶互相渗透的问题；并且，也不能将第一偏光膜 211设置于平坦层和第一取向层之间，这是由于第一取向层一般比较薄（一般为几百埃），若 将第一偏光膜211设置于平坦层和第一取向层之间，也很容易造成两种液晶分子通过第一 取向层向对方渗透的问题。 0036 与现有技术中的彩膜基板相比，本实施例提供的彩膜基板21的外表面不再贴。
18、附 偏光片，而是在其内部形成第一偏光膜211，通过这种设计，一方面可以避免偏光片容易受 到磨损划伤，以及偏光片与彩膜基板外表面之间容易夹杂气泡和灰尘等问题的出现；另一 方面，第一偏光膜211可以通过涂布工艺制备，制作成本低，精度可控性高，适用于各种尺 寸偏光膜的制作，并且形成的第一偏光膜211相比目前常用偏光片的厚度要薄很多（第一 偏光膜211的厚度小于10m，而目前常用偏光片的厚度为170180m），能够降低液晶 显示装置的厚度。 0037 实施例二 0038 本实施例提供一种阵列基板，如图2（2）所示，阵列基板22内部包括第二偏光膜 说 明 书CN 102830534 A 4/7页 6 2。
19、21。 0039 为了实现本实施例提供的阵列基板22，可以采用具有分子定向的材料制作第二偏 光膜221，以使其既可以制作在阵列基板22内部，又可以具有将透过的光线转变为偏振光 的偏光特性。 0040 较佳的，本实施例采用偶氮聚合物液晶材料或溶致液晶材料制作第二偏光膜221； 当采用偶氮聚合物液晶材料制作第二偏光膜221时，首先需要涂覆一层偶氮聚合物液晶 材料薄膜，然后利用偏振紫外光对其进行照射，以使其具有偏光特性；当采用溶致液晶材 料制作第二偏光膜221时，首先需要涂覆一层溶致液晶材料薄膜，然后等待溶致液晶分子 完成自组装排列过程（整个自组装排列过程约需要几十秒时间），即可具有偏光特性。本实 。
20、施例中涂覆偶氮聚合物液晶材料或溶致液晶材料制作所述第二偏光膜221时，可以采用 ink-jet(喷涂）、coater（包括旋涂和狭缝涂布）、APR plate（Asahikasei Photosens itive Resin Plate,印刷板转印）等设备完成。 0041 较佳的，本实施例中，所述第二偏光膜221的厚度小于10m。 0042 本实施例中，所述阵列基板22中除了第二偏光膜221之外，其由外向内大致可以 分为以下几种结构：第二基片，由玻璃材料制作，用于承载组成阵列基板22的各功能元件； 公共电极，由透明金属材料制作，用于与像素电极共同作用形成驱动液晶分子旋转的电场； 绝缘层，用于将。
21、公共电极和像素电极隔开；像素电极，由透明金属材料制作，用于与公共电 极共同作用形成驱动液晶分子旋转的电场；第二取向层，表面具有一定方向的沟槽，用于使 得液晶层中的液晶分子能够沿着所述沟槽的方向排列。其中，第二偏光膜221被设置于第 二基片和绝缘层之间，这种结构设计的原因是：当采用偶氮聚合物液晶材料或溶致液晶材 料制作第二偏光膜221时，由于其本身为液晶材料，不能将第二偏光膜221设置于阵列基板 22的最内侧，即不能使得第二偏光膜221与液晶显示装置中的液晶层接触，否则将会因为 两种液晶材料（构成第二偏光膜221的液晶材料和构成液晶层的液晶材料）接触而造成液晶 互相渗透的问题；并且，也不能将第二。
22、偏光膜221设置于绝缘层和第二取向层之间，这是由 于第二取向层一般比较薄（一般为几百埃），若将第二偏光膜221设置于绝缘层和第二取向 层之间，也很容易造成两种液晶分子通过第二取向层向对方渗透的问题。 0043 现有技术制作阵列基板中的绝缘层时，常采用沉积氮化硅或二氧化硅等无机材料 的工艺形成绝缘层，该工艺所需的温度一般较高，而本实施例中，当第二偏光膜221采用偶 氮聚合物液晶材料或溶致液晶材料制作时，为了避免在之后形成绝缘层的过程中因为高温 而导致构成第二偏光膜221的液晶分子性能受到破坏的问题，以及使得后续形成的绝缘层 能够与已经形成的第二偏光膜221贴附效果较好，较佳的，本实施例中，采用有。
23、机材料（如 有机树脂材料）制作绝缘层，以保证制作绝缘层的工艺温度不会太高，而且由有机材料制作 的绝缘层也可以和液晶材料制作的第二偏光膜221贴附效果较好。 0044 与现有技术中的阵列基板相比，本实施例提供的阵列基板22的外表面不再贴附 偏光片，而是在其内部形成第二偏光膜221，通过这种设计，一方面可以避免偏光片容易受 到磨损划伤，以及偏光片与阵列基板外表面之间容易夹杂气泡和灰尘等问题的出现；另一 方面，第二偏光膜221可以通过涂布工艺制备，制作成本低，精度可控性高，适用于各种尺 寸偏光膜的制作，并且形成的第二偏光膜221相比目前常用偏光片的厚度要薄很多（第二 偏光膜221的厚度小于10m，而。
24、目前常用偏光片的厚度为170180m），能够降低液晶 说 明 书CN 102830534 A 5/7页 7 显示装置的厚度。 0045 实施例三 0046 本实施例提供一种ADS模式的液晶显示装置，如图3所示，该液晶显示装置包括彩 膜基板31、液晶层32、阵列基板33；所述彩膜基板31又包括：第一基片311、色阻层312、第 一偏光膜313、平坦层314、第一取向层315；所述阵列基板33又包括：第二基片331、第二偏 光膜332、绝缘层333、公共电极334、像素电极335、第二取向层336； 0047 其中，第一基片311设置于彩膜基板31的最外侧，由玻璃材料制作；色阻层312 设置于第一。
25、基片311的内侧，并紧邻第一基片311；第一偏光膜313设置于色阻层312和平 坦层314之间，其透过轴为水平方向，用于将透过的光线转变为水平方向的偏振光；平坦层 314设置于第一偏光膜313和第一取向层315之间；第一取向层315设置于彩膜基板31的 最内侧，即设置于平坦层314和液晶层32之间； 0048 第二基片331设置于阵列基板33的最外侧，由玻璃材料制作，用于承载组成阵列 基板33的各功能元件；第二偏光膜332设置于第二基片331的内侧，并紧邻第二基片331， 其透过轴为垂直方向，用于将透过的光线转变为垂直方向的偏振光；公共电极334分布于 第二基片331和第二偏光膜332之间；绝。
26、缘层333设置于第二偏光膜332和第二取向层336 之间，用于将公共电极334和像素电极335隔开；像素电极335分布于绝缘层333和第二取 向层336之间；第二取向层336设置于阵列基板33的最内侧，即设置于绝缘层333和液晶 层32之间，其表面具有一定方向的沟槽，用于使得液晶层22中的液晶分子能够沿着所述沟 槽的方向排列。 0049 本实施例中，所述第一偏光膜313和第二偏光膜332的厚度均小于10m。 0050 为了实现本实施例提供的液晶显示装置，可以采用具有分子定向的材料制作第一 偏光膜313和第二偏光膜332，较佳的，本实施例采用偶氮聚合物液晶材料或溶致液晶材料 制作第一偏光膜313。
27、和第二偏光膜332。 0051 以下介绍采用偶氮聚合物液晶材料制作本实施例中第一偏光膜313、第二偏光膜 332的过程： 0052 如图4所示，在形成的第一基片311和色阻层312上，采用ink-jet（喷涂）、coater （包括旋涂和狭缝涂布）、APR plate（Asahikasei Photosensitive Resin Plate,印刷板转 印）等设备涂覆一层偶氮聚合物液晶材料膜层，然后利用偏振紫外光对该膜层进行照射，使 偶氮聚合物液晶分子定向排列，以起到将透过的光线转变为水平方向偏振光的作用，即形 成具有偏光作用的第一偏光膜313；最后在形成有第一偏光膜313的表面继续形成平坦层。
28、 314； 0053 如图5所示，在形成的第二基片331和公共电极334上，涂覆一层偶氮聚合物液 晶材料膜层，然后利用偏振紫外光对该膜层进行照射，使偶氮聚合物液晶分子定向排列，以 起到将透过的光线转变为垂直方向偏振光的作用，即形成具有偏光作用的第二偏光膜332； 最后在形成有第二偏光膜332的表面继续形成绝缘层333。 0054 以下介绍采用溶致液晶材料制作本实施例中第一偏光膜313、第二偏光膜332的 过程： 0055 如图6所示，在形成的第一基片311和色阻层312上，采用ink-jet（喷涂）、coater （包括旋涂和狭缝涂布）、APR plate（Asahikasei Photose。
29、nsitive Resin Plate,印刷板转 说 明 书CN 102830534 A 6/7页 8 印）等设备涂覆一层溶致液晶材料膜层，然后等待溶致液晶分子自组装排列过程（整个自组 装排列过程约需要几十秒时间）完成后，该膜层上的溶致液晶分子就会定向排列，起到将透 过的光线转变为水平方向偏振光的作用，即形成具有偏光作用的第一偏光膜313；最后在 形成有第一偏光膜313的表面继续形成平坦层314； 0056 如图7所示，在形成的第二基片331和公共电极334上，涂覆一层溶致液晶材料膜 层，然后等待溶致液晶分子自组装排列过程（整个自组装排列过程约需要几十秒时间）完成 后，该膜层上的溶致液晶分子就。
30、会定向排列，起到将透过的光线转变为垂直方向偏振光的 作用，即形成具有偏光作用的第二偏光膜332；最后在形成有第二偏光膜332的表面继续形 成绝缘层333。 0057 现有技术制作阵列基板中的绝缘层时，常采用沉积氮化硅或二氧化硅等无机材料 的工艺形成绝缘层，该工艺所需的温度一般较高，而本实施例中，当第二偏光膜332采用偶 氮聚合物液晶材料或溶致液晶材料制作时，为了避免在之后形成绝缘层333的过程中因为 高温而导致构成第二偏光膜332的液晶分子性能受到破坏的问题，以及使得后续形成的绝 缘层333能够与已经形成的第二偏光膜332贴附效果较好，较佳的，本实施例中，采用有机 材料（如有机树脂材料）制作绝。
31、缘层333，以保证制作绝缘层333的工艺温度不会太高，而且 由有机材料制作的绝缘层333也可以和液晶材料制作的第二偏光膜332贴附效果较好。 0058 与现有技术中的液晶显示装置相比，本实施例提供的液晶显示装置中，彩膜基板 31和阵列基板33的外表面不再贴附偏光片，而是采用在彩膜基板31内部形成第一偏光膜 313和在阵列基板33内部形成第二偏光膜332的方式来达到偏光的目的，采用这种方式， 一方面可以避免偏光片容易受到磨损划伤，以及偏光片与彩膜基板/阵列基板外表面之间 容易夹杂气泡和灰尘等问题的出现；另一方面，第一偏光膜313和第二偏光膜332可以通 过涂布工艺制备，制作成本低，精度可控性高，。
32、适用于各种尺寸，并且形成的第一偏光膜313 和第二偏光膜332与目前常用的偏光片相比薄很多，使得液晶显示装置更加轻薄。 0059 实施例四 0060 本实施例提供一种TN模式的液晶显示装置，如图8所示，该液晶显示装置包括彩 膜基板81、液晶层82、阵列基板83；所述彩膜基板81又包括：第一基片811、色阻层812、第 一偏光膜813、平坦层814、公共电极层815、第一取向层816；所述阵列基板83又包括：第二 基片831、第二偏光膜832、绝缘层833、像素电极834、第二取向层835； 0061 本实施例提供的TN模式液晶显示装置与实施例三提供的ADS模式液晶显示装置 相比，不同之处在于本。
33、实施例中公共电极层815位于彩膜基板81之中，而不是位于阵列基 板83中，基于这种结构设置，本实施例中公共电极层815和像素电极834共同作用形成的 液晶驱动电场与实施例三中形成的液晶驱动电场不同。 0062 本实施例提供的液晶显示装置中，彩膜基板81和阵列基板83的外表面不再贴附 偏光片，而是采用在彩膜基板81内部形成第一偏光膜813和在阵列基板83内部形成第二 偏光膜832的方式来达到偏光的目的，采用这种方式，一方面可以避免偏光片容易受到磨 损划伤，以及偏光片与彩膜基板/阵列基板外表面之间容易夹杂气泡和灰尘等问题的出 现；另一方面，第一偏光膜813和第二偏光膜832可以通过涂布工艺制备，制。
34、作成本低，精度 可控性高，适用于各种尺寸，并且形成的第一偏光膜813和第二偏光膜832与目前常用的偏 光片相比薄很多，使得液晶显示装置更加轻薄。 说 明 书CN 102830534 A 7/7页 9 0063 本发明实施例提供的液晶显示装置可以是任意需要偏光功能的液晶显示装 置，除了以上实施例一实施例三提供的ADS模式和实施例4提供的TN模式的液晶显 示装置以外，还可以是IPS（In-Plane Switching，共平面切换）模式或OLED（Organic Electroluminescence Display，有机电致发光显示）等的液晶显示装置。 0064 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。 说 明 书CN 102830534 A 1/4页 10 图1 图2(1) 图2(2) 说 明 书 附 图CN 102830534 A 10 2/4页 11 图3 图4 图5 说 明 书 附 图CN 102830534 A 11 3/4页 12 图6 图7 说 明 书 附 图CN 102830534 A 12 4/4页 13 图8 说 明 书 附 图CN 102830534 A 13 。