阵列基板及其制造方法、液晶显示面板.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201210357096.8

申请日:

2012.09.21

公开号:

CN102881689A

公开日:

2013.01.16

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情:

授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/02申请日:20120921|||公开

IPC分类号:

H01L27/02; H01L29/786; H01L21/77; G02F1/1362; G02F1/1368

主分类号:

H01L27/02

申请人:

京东方科技集团股份有限公司; 合肥京东方光电科技有限公司

发明人:

孟庆超; 周保全

地址:

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

优先权:

专利代理机构:

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人:

申健

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内容摘要

本发明实施例公开了阵列基板及其制造方法、液晶显示面板,涉及液晶显示技术领域,为解决现有阵列基板的基板利用率低的技术问题而发明。所述阵列基板,包括:基板;位于所述基板上的且分别设置在相邻两行的第一子像素和第二子像素,第一子像素包括第一薄膜晶体管,第二子像素包括第二薄膜晶体管;第一栅线和第二栅线,均设置在第一子像素与第二子像素之间,第一栅线向第一薄膜晶体管施加栅极导通电压;第二栅线向第二薄膜晶体管施加栅极导通电压;与第一栅线和第二栅线相交叉的多条数据线,通过同一条数据线向第一子像素和第二子像素施加数据电压,第一栅线和第二栅线在垂直于基板的方向上上下重叠,中间以绝缘层隔开。本发明用于液晶显示装置。

权利要求书

权利要求书一种阵列基板,包括:
基板;
位于所述基板上的多个子像素组,每个子像素组包括分别设置在相邻两行的第一子像素和第二子像素,每个所述第一子像素包括第一薄膜晶体管,每个所述第二子像素包括第二薄膜晶体管;
第一栅线,设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间,且向所述第一薄膜晶体管施加栅极导通电压;
第二栅线,设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间,且向所述第二薄膜晶体管施加栅极导通电压;
与所述第一栅线和所述第二栅线相交叉的多条数据线,通过同一所述数据线向所述第一子像素和所述第二子像素施加数据电压;其特征在于,
所述第一栅线和所述第二栅线在垂直于所述基板的方向上上下重叠,中间以绝缘层隔开。
根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅线和所述第二栅线均连接有扫描驱动器,所述数据线均连接有数据驱动器。
根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设置在不同子像素中的不同位置。
根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一子像素和所述第二子像素对应控制不同的颜色。
一种阵列基板制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在基板上形成第一栅线和与所述第一栅线连接的第一薄膜晶体管的栅极;
在形成有所述第一栅线的基板上形成绝缘层;
在形成有所述绝缘层的基板上相对所述第一栅线的位置形成第二栅线和与所述第二栅线连接的第二薄膜晶体管的栅极;
在形成有第二栅线的基板上形成数据线;
在形成有数据线的基板上形成像素电极。
根据权利要求5所述的阵列基板制造方法,其特征在于,在所述形成第二栅线的步骤之后还包括:
形成所述第一薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第二薄膜晶体管的源极和漏极。
根据权利要求6所述的阵列基板制造方法,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述数据线同层设置。
根据权利要求5‑7中任一项所述的阵列基板制造方法,其特征在于,所述在基板上形成第一栅线的步骤,具体为:
在基板上沉积金属层;
采用刻画有图形的掩模板进行曝光,并依次显影、刻蚀、剥离、清洗得到第一栅线。
一种液晶显示面板,其特征在于,包括权利要求1‑4中任一项所述的阵列基板和与所述阵列基板对盒的彩膜基板。

说明书

说明书阵列基板及其制造方法、液晶显示面板
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及阵列基板及其制造方法、液晶显示面板。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(TFT‑LCD)是目前使用最广泛的平板显示器之一。TFT‑LCD一般包括液晶显示面板、扫描驱动电路和数据驱动电路。其中,液晶显式面板包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板,以及夹在两基板之间的液晶层,扫描驱动电路和数据驱动电路分别与阵列基板上的TFT开关元件相连。
如图1、图2和图3所示为现有技术提供的一种具有双栅线结构的阵列基板的结构示意图,其包括基板1,在基板1上设有像素电极2的阵列以及设在像素电极2的阵列的行列之间的数据线3和栅线4,像素电极2通过TFT开关5与数据线3和栅线4相连,且数据线3与数据驱动芯片8相连,栅线4与扫描驱动器9相连。其中像素电极2的第一子像素电极21和第二子像素电极22排列为一列,并均连接在一条数据线3上,且第一子像素电极21通过TFT开关51和第一栅线41连接,第二子像素电极22通过TFT开关52与第二栅线42连接。
但上述阵列基板中并排的第一栅线和第二栅线通常形成在同一层,这样两条栅线本身以及两条栅线间的间隙就会占用基板较多的面积,使得整个基板能够布置的像素电极数量被减少,降低了整个基板的空间利用率。因此提供一种能够提高基板利用率的阵列基板成为本领域人员要解决的技术问题。
发明内容
本发明的实施例提供的阵列基板及其制造方法、液晶显示面板,用来解决现有阵列基板中基板的空间利用率低的技术问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种阵列基板,包括:基板;位于所述基板上的多个子像素组,每个子像素组包括分别设置在相邻两行的第一子像素和第二子像素,每个所述第一子像素包括第一薄膜晶体管,每个所述第二子像素包括第二薄膜晶体管。
第一栅线,设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间,且向所述第一薄膜晶体管施加栅极导通电压。
第二栅线,设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间,且向所述第二薄膜晶体管施加栅极导通电压。
与所述第一栅线和所述第二栅线相交叉的多条数据线,通过同一所述数据线向所述第一子像素和所述第二子像素施加数据电压,其中,所述第一栅线和所述第二栅线在垂直于所述基板的方向上上下重叠,中间以绝缘层隔开。
优选地,所述第一栅线和所述第二栅线均连接有扫描驱动器,所述数据线均连接有数据驱动器。
优选地,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设置在不同子像素中的不同位置。
进一步地,所述第一子像素和所述第二子像素对应控制不同的颜色。
一种阵列基板制造方法,包括:
在基板上形成第一栅线和与所述第一栅线连接的第一薄膜晶体管的栅极。
在形成有所述第一栅线的基板上形成绝缘层。
在形成有所述绝缘层的基板上相对所述第一栅线的位置形成第二栅线和与所述第二栅线连接的第二薄膜晶体管的栅极。
在形成有第二栅线的基板上形成数据线。
在形成有数据线的基板上形成像素电极。
其次,在所述形成第二栅线的步骤之后还包括:形成所述第一薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第二薄膜晶体管的源极和漏极。
进一步地,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述数据线同层设置。
再次,所述在基板上形成第一栅线的步骤,具体为:
在基板上沉积金属层。
采用刻画有图形的掩模板进行曝光,并依次显影、刻蚀、剥离、清洗得到第一栅线。
一种液晶显示面板,包括上述阵列基板和与所述阵列基板对盒的彩膜基板。
本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法、液晶显示面板中,所述阵列基板中的所述第一栅线和所述第二栅线上下重叠,中间以绝缘层隔开。因此节省了一条栅线所占的基板的面积,节省下来的空间可以布局更多的像素电极以提高液晶显示装置的分辨率,基板的利用率得到提高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的阵列基板的结构示意图;
图2为图1所示A区域的局部放大图;
图3为图2所示沿A‑A向的剖视图;
图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图;
图5为图4所示B区域的局部放大图;
图6为图5所示沿B‑B向的剖视图;
图7为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图4、图5和图6所示,为本发明提供的阵列基板的一个具体实施例,包括:基板1;位于所述基板1上的多个子像素组,每个子像素组包括分别设置在相邻两行的第一子像素2a和第二子像素2b,每个第一子像素2a包括第一薄膜晶体管5a,每个第二子像素2b包括第二薄膜晶体管5b。
第一栅线4a,设置在所述第一子像素2a与所述第二子像素2b之间,且向所述第一薄膜晶体管5a施加栅极导通电压;第二栅线4b,设置在所述第一子像素2a与所述第二子像素2b之间,且向所述第二薄膜晶体管5b施加栅极导通电压。
与所述第一栅线4a和所述第二栅线4b相交叉的多条数据线3,通过同一所述数据线3向所述第一子像素2a和所述第二子像素2b施加数据电压,其中,所述第一栅线4a和所述第二栅线4b在垂直于所述基板1的方向上上下重叠,中间以绝缘层6隔开。
本发明实施例提供的阵列基板,由于所述第一栅线4a和所述第二栅线4b上下重叠,中间以绝缘层6隔开。这样节省了其中一条栅线所占的基板的面积,节省下来的空间可以布局更多的像素电极以提高液晶显示装置的分辨率,基板的利用率得到提高。
从图4也可以看出,所述第一栅线4a和所述第二栅线4b均连接有扫描驱动器9,所述数据线均连接有数据驱动器8,实现逐行扫描控制。
其中,上述实施例中,所述第一薄膜晶体管5a和所述第二薄膜晶体管5b设置在不同子像素中的不同位置。图4示出的情况为第一薄膜晶体管5a设在所述第一子像素2a的左下角,而第二薄膜晶体管5b设在所述第二子像素2b的右上角,这样所述第一薄膜晶体管5a和所述第二薄膜晶体管5b在对角线位置分别连接相邻的第一栅线4a和第二栅线4b;第一薄膜晶体管5a还可以设在所述第一子像素电极2a的左下角,第二薄膜晶体管5b设在所述第二子像素电极2b的左上角或是其它本领域人员可以想到的位置。
其次,上述实施例中,所述第一子像素和所述第二子像素对应控制不同的颜色。例如所述第一子像素对应控制红色、绿色或黄色的一种,而所述第二子像素对应控制与所述第子一像素不同的红色、绿色或黄色的一种。
本发明实施例还提供了一种阵列基板制造方法,包括:
401、在基板上形成第一栅线和与所述第一栅线连接的第一薄膜晶体管的栅极。
402、在形成有所述第一栅线的基板上形成绝缘层。
403、在形成有所述绝缘层的基板上相对所述第一栅线的位置形成第二栅线和与所述第二栅线连接的第二薄膜晶体管的栅极。
404、在形成有第二栅线的基板上形成数据线。
405、在形成有数据线的基板上形成像素电极。
相对于传统的工艺,所述第一栅线和所述第二栅线在同一层形成,本发明实施例提供的阵列基板的制造方法,首先在基板上形成第一栅线,然后在所述第一栅线上形成绝缘层,再在所述绝缘层上相对所述第一栅线的位置形成第二栅线。这样所述第一栅线和所述第二栅线上下重叠,中间以绝缘层隔开。因此节省了一条栅线所占的基板的面积,节省下来的空间可以布局更多的像素电极以提高液晶显示装置的分辨率,基板的利用率得到提高。
其次,在所述形成第二栅线的步骤之后还包括:
501、形成所述第一薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第二薄膜晶体管的源极和漏极。其中漏极和数据线连接,源极和像素电极连接,实现数据信号的传输。
进一步地,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述数据线同层设置。
其次,所述在基板上形成第一栅线的步骤,具体为:
501、在基板上沉积金属层。
502、采用刻画有图形的掩模板进行曝光,并依次显影、刻蚀、剥离、清洗得到第一栅线。
其中,形成其它图层,例如数据线、像素电极等可以采用和形成所述第一栅线的工艺相同。
本发明实施例还提供了一种液晶显示面板,包括上述阵列基板和与所述阵列基板对盒的彩膜基板。
本发明实施例提供的液晶显示面板,包括阵列基板和与所述阵列基板对盒的彩膜基板。所述阵列基板中的所述第一栅线和所述第二栅线上下重叠,中间以绝缘层隔开。因此节省了一条栅线所占的基板的面积,节省下来的空间可以布局更多的像素电极以提高液晶显示装置的分辨率,基板的利用率得到提高。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

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1、(10)申请公布号 CN 102881689 A (43)申请公布日 2013.01.16 C N 1 0 2 8 8 1 6 8 9 A *CN102881689A* (21)申请号 201210357096.8 (22)申请日 2012.09.21 H01L 27/02(2006.01) H01L 29/786(2006.01) H01L 21/77(2006.01) G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1368(2006.01) (71)申请人京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 申请人合肥京东方光电科技有限公司 (72)发明人孟。

2、庆超 周保全 (74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理 有限公司 11274 代理人申健 (54) 发明名称 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板 (57) 摘要 本发明实施例公开了阵列基板及其制造方 法、液晶显示面板,涉及液晶显示技术领域,为解 决现有阵列基板的基板利用率低的技术问题而发 明。所述阵列基板,包括:基板;位于所述基板上 的且分别设置在相邻两行的第一子像素和第二子 像素,第一子像素包括第一薄膜晶体管,第二子像 素包括第二薄膜晶体管;第一栅线和第二栅线, 均设置在第一子像素与第二子像素之间,第一栅 线向第一薄膜晶体管施加栅极导通电压;第二栅 线向第二薄膜晶体管施加栅极导通电压;与。

3、第一 栅线和第二栅线相交叉的多条数据线,通过同一 条数据线向第一子像素和第二子像素施加数据电 压,第一栅线和第二栅线在垂直于基板的方向上 上下重叠,中间以绝缘层隔开。本发明用于液晶显 示装置。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 4 页 附图 4 页 1/1页 2 1.一种阵列基板,包括: 基板; 位于所述基板上的多个子像素组,每个子像素组包括分别设置在相邻两行的第一子像 素和第二子像素,每个所述第一子像素包括第一薄膜晶体管,每个所述第二子像素包括第 二薄膜晶体管; 第一栅线,设置。

4、在所述第一子像素与所述第二子像素之间,且向所述第一薄膜晶体管 施加栅极导通电压; 第二栅线,设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间,且向所述第二薄膜晶体管 施加栅极导通电压; 与所述第一栅线和所述第二栅线相交叉的多条数据线,通过同一所述数据线向所述第 一子像素和所述第二子像素施加数据电压;其特征在于, 所述第一栅线和所述第二栅线在垂直于所述基板的方向上上下重叠,中间以绝缘层隔 开。 2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅线和所述第二栅线均连 接有扫描驱动器,所述数据线均连接有数据驱动器。 3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄 膜晶体管。

5、设置在不同子像素中的不同位置。 4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一子像素和所述第二子像素 对应控制不同的颜色。 5.一种阵列基板制造方法,其特征在于,所述方法包括: 在基板上形成第一栅线和与所述第一栅线连接的第一薄膜晶体管的栅极; 在形成有所述第一栅线的基板上形成绝缘层; 在形成有所述绝缘层的基板上相对所述第一栅线的位置形成第二栅线和与所述第二 栅线连接的第二薄膜晶体管的栅极; 在形成有第二栅线的基板上形成数据线; 在形成有数据线的基板上形成像素电极。 6.根据权利要求5所述的阵列基板制造方法,其特征在于,在所述形成第二栅线的步 骤之后还包括: 形成所述第一薄膜晶体管的源极。

6、和漏极以及所述第二薄膜晶体管的源极和漏极。 7.根据权利要求6所述的阵列基板制造方法,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的源 极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述数据线同层设置。 8.根据权利要求5-7中任一项所述的阵列基板制造方法,其特征在于,所述在基板上 形成第一栅线的步骤,具体为: 在基板上沉积金属层; 采用刻画有图形的掩模板进行曝光,并依次显影、刻蚀、剥离、清洗得到第一栅线。 9.一种液晶显示面板,其特征在于,包括权利要求1-4中任一项所述的阵列基板和与 所述阵列基板对盒的彩膜基板。 权 利 要 求 书CN 102881689 A 1/4页 3 阵列基板及其制造方法、 液晶显示。

7、面板 技术领域 0001 本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及阵列基板及其制造方法、液晶显示面板。 背景技术 0002 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)是目前使用最广泛的平板显示器之一。 TFT-LCD一般包括液晶显示面板、扫描驱动电路和数据驱动电路。其中,液晶显式面板包括 对盒设置的彩膜基板和阵列基板,以及夹在两基板之间的液晶层,扫描驱动电路和数据驱 动电路分别与阵列基板上的TFT开关元件相连。 0003 如图1、图2和图3所示为现有技术提供的一种具有双栅线结构的阵列基板的结构 示意图,其包括基板1,在基板1上设有像素电极2的阵列以及设在像素电极2的阵列的行 列之间的数据线3和栅线4,。

8、像素电极2通过TFT开关5与数据线3和栅线4相连,且数据 线3与数据驱动芯片8相连,栅线4与扫描驱动器9相连。其中像素电极2的第一子像素 电极21和第二子像素电极22排列为一列,并均连接在一条数据线3上,且第一子像素电极 21通过TFT开关51和第一栅线41连接,第二子像素电极22通过TFT开关52与第二栅线 42连接。 0004 但上述阵列基板中并排的第一栅线和第二栅线通常形成在同一层,这样两条栅线 本身以及两条栅线间的间隙就会占用基板较多的面积,使得整个基板能够布置的像素电极 数量被减少,降低了整个基板的空间利用率。因此提供一种能够提高基板利用率的阵列基 板成为本领域人员要解决的技术问题。。

9、 发明内容 0005 本发明的实施例提供的阵列基板及其制造方法、液晶显示面板,用来解决现有阵 列基板中基板的空间利用率低的技术问题。 0006 为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案: 0007 一种阵列基板,包括:基板;位于所述基板上的多个子像素组,每个子像素组包括 分别设置在相邻两行的第一子像素和第二子像素,每个所述第一子像素包括第一薄膜晶体 管,每个所述第二子像素包括第二薄膜晶体管。 0008 第一栅线,设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间,且向所述第一薄膜晶 体管施加栅极导通电压。 0009 第二栅线,设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间,且向所述第二薄膜晶 体管施加栅。

10、极导通电压。 0010 与所述第一栅线和所述第二栅线相交叉的多条数据线,通过同一所述数据线向所 述第一子像素和所述第二子像素施加数据电压,其中,所述第一栅线和所述第二栅线在垂 直于所述基板的方向上上下重叠,中间以绝缘层隔开。 0011 优选地,所述第一栅线和所述第二栅线均连接有扫描驱动器,所述数据线均连接 有数据驱动器。 说 明 书CN 102881689 A 2/4页 4 0012 优选地,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设置在不同子像素中的不同 位置。 0013 进一步地,所述第一子像素和所述第二子像素对应控制不同的颜色。 0014 一种阵列基板制造方法,包括: 0015 在基板上形。

11、成第一栅线和与所述第一栅线连接的第一薄膜晶体管的栅极。 0016 在形成有所述第一栅线的基板上形成绝缘层。 0017 在形成有所述绝缘层的基板上相对所述第一栅线的位置形成第二栅线和与所述 第二栅线连接的第二薄膜晶体管的栅极。 0018 在形成有第二栅线的基板上形成数据线。 0019 在形成有数据线的基板上形成像素电极。 0020 其次,在所述形成第二栅线的步骤之后还包括:形成所述第一薄膜晶体管的源极 和漏极以及所述第二薄膜晶体管的源极和漏极。 0021 进一步地,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏 极以及所述数据线同层设置。 0022 再次,所述在基板上形成第一栅线的。

12、步骤,具体为: 0023 在基板上沉积金属层。 0024 采用刻画有图形的掩模板进行曝光,并依次显影、刻蚀、剥离、清洗得到第一栅线。 0025 一种液晶显示面板,包括上述阵列基板和与所述阵列基板对盒的彩膜基板。 0026 本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法、液晶显示面板中,所述阵列基板中 的所述第一栅线和所述第二栅线上下重叠,中间以绝缘层隔开。因此节省了一条栅线所占 的基板的面积,节省下来的空间可以布局更多的像素电极以提高液晶显示装置的分辨率, 基板的利用率得到提高。 附图说明 0027 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作。

13、简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以 根据这些附图获得其他的附图。 0028 图1为现有技术提供的阵列基板的结构示意图; 0029 图2为图1所示A区域的局部放大图; 0030 图3为图2所示沿A-A向的剖视图; 0031 图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图; 0032 图5为图4所示B区域的局部放大图; 0033 图6为图5所示沿B-B向的剖视图; 0034 图7为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的流程图。 具体实施方式 0035 下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术。

14、方案进行清楚、完 整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于 说 明 书CN 102881689 A 3/4页 5 本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其 他实施例,都属于本发明保护的范围。 0036 如图4、图5和图6所示,为本发明提供的阵列基板的一个具体实施例,包括:基板 1;位于所述基板1上的多个子像素组,每个子像素组包括分别设置在相邻两行的第一子像 素2a和第二子像素2b,每个第一子像素2a包括第一薄膜晶体管5a,每个第二子像素2b包 括第二薄膜晶体管5b。 0037 第一栅线4a,设置在所述第一子像素2a与。

15、所述第二子像素2b之间,且向所述第一 薄膜晶体管5a施加栅极导通电压;第二栅线4b,设置在所述第一子像素2a与所述第二子 像素2b之间,且向所述第二薄膜晶体管5b施加栅极导通电压。 0038 与所述第一栅线4a和所述第二栅线4b相交叉的多条数据线3,通过同一所述数据 线3向所述第一子像素2a和所述第二子像素2b施加数据电压,其中,所述第一栅线4a和 所述第二栅线4b在垂直于所述基板1的方向上上下重叠,中间以绝缘层6隔开。 0039 本发明实施例提供的阵列基板,由于所述第一栅线4a和所述第二栅线4b上下重 叠,中间以绝缘层6隔开。这样节省了其中一条栅线所占的基板的面积,节省下来的空间可 以布局更。

16、多的像素电极以提高液晶显示装置的分辨率,基板的利用率得到提高。 0040 从图4也可以看出,所述第一栅线4a和所述第二栅线4b均连接有扫描驱动器9, 所述数据线均连接有数据驱动器8,实现逐行扫描控制。 0041 其中,上述实施例中,所述第一薄膜晶体管5a和所述第二薄膜晶体管5b设置在不 同子像素中的不同位置。图4示出的情况为第一薄膜晶体管5a设在所述第一子像素2a的 左下角,而第二薄膜晶体管5b设在所述第二子像素2b的右上角,这样所述第一薄膜晶体管 5a和所述第二薄膜晶体管5b在对角线位置分别连接相邻的第一栅线4a和第二栅线4b;第 一薄膜晶体管5a还可以设在所述第一子像素电极2a的左下角,第。

17、二薄膜晶体管5b设在所 述第二子像素电极2b的左上角或是其它本领域人员可以想到的位置。 0042 其次,上述实施例中,所述第一子像素和所述第二子像素对应控制不同的颜色。例 如所述第一子像素对应控制红色、绿色或黄色的一种,而所述第二子像素对应控制与所述 第子一像素不同的红色、绿色或黄色的一种。 0043 本发明实施例还提供了一种阵列基板制造方法,包括: 0044 401、在基板上形成第一栅线和与所述第一栅线连接的第一薄膜晶体管的栅极。 0045 402、在形成有所述第一栅线的基板上形成绝缘层。 0046 403、在形成有所述绝缘层的基板上相对所述第一栅线的位置形成第二栅线和与 所述第二栅线连接的。

18、第二薄膜晶体管的栅极。 0047 404、在形成有第二栅线的基板上形成数据线。 0048 405、在形成有数据线的基板上形成像素电极。 0049 相对于传统的工艺,所述第一栅线和所述第二栅线在同一层形成,本发明实施例 提供的阵列基板的制造方法,首先在基板上形成第一栅线,然后在所述第一栅线上形成绝 缘层,再在所述绝缘层上相对所述第一栅线的位置形成第二栅线。这样所述第一栅线和所 述第二栅线上下重叠,中间以绝缘层隔开。因此节省了一条栅线所占的基板的面积,节省 下来的空间可以布局更多的像素电极以提高液晶显示装置的分辨率,基板的利用率得到提 高。 说 明 书CN 102881689 A 4/4页 6 0。

19、050 其次,在所述形成第二栅线的步骤之后还包括: 0051 501、形成所述第一薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第二薄膜晶体管的源极和 漏极。其中漏极和数据线连接,源极和像素电极连接,实现数据信号的传输。 0052 进一步地,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏 极以及所述数据线同层设置。 0053 其次,所述在基板上形成第一栅线的步骤,具体为: 0054 501、在基板上沉积金属层。 0055 502、采用刻画有图形的掩模板进行曝光,并依次显影、刻蚀、剥离、清洗得到第一 栅线。 0056 其中,形成其它图层,例如数据线、像素电极等可以采用和形成所述第一栅线的工 艺相同。

20、。 0057 本发明实施例还提供了一种液晶显示面板,包括上述阵列基板和与所述阵列基板 对盒的彩膜基板。 0058 本发明实施例提供的液晶显示面板,包括阵列基板和与所述阵列基板对盒的彩膜 基板。所述阵列基板中的所述第一栅线和所述第二栅线上下重叠,中间以绝缘层隔开。因 此节省了一条栅线所占的基板的面积,节省下来的空间可以布局更多的像素电极以提高液 晶显示装置的分辨率,基板的利用率得到提高。 0059 以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何 熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应 涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为 准。 说 明 书CN 102881689 A 1/4页 7 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102881689 A 2/4页 8 图3 图4 说 明 书 附 图CN 102881689 A 3/4页 9 图5 图6 说 明 书 附 图CN 102881689 A 4/4页 10 图7 说 明 书 附 图CN 102881689 A 10 。

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