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1、(10)申请公布号 CN 102799027 A (43)申请公布日 2012.11.28 C N 1 0 2 7 9 9 0 2 7 A *CN102799027A* (21)申请号 201210163618.0 (22)申请日 2012.05.22 2011-114470 2011.05.23 JP G02F 1/1337(2006.01) C09K 19/56(2006.01) (71)申请人株式会社日立显示器 地址日本千叶县 (72)发明人内野正市 国松登 (74)专利代理机构北京市金杜律师事务所 11256 代理人杨宏军 (54) 发明名称 液晶显示装置及取向膜材料 (57) 摘要 。
2、本发明涉及液晶显示装置及取向膜材料。在 IPS方式的液晶显示装置中，形成锚定强度大的 光取向膜，抑制液晶显示装置的AC余像。在进行 光取向处理的取向膜材料中，将用作硬直的高分 子的聚酰亚胺和用作柔软的高分子的聚酰亚胺混 合使用。本发明的上述材料易于发生偏光紫外线 照射后的低聚物的旋转，可以提高取向膜的UV吸 收二色比。因此，可以使由取向膜产生的对液晶的 锚定强度增强，抑制AC余像。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书7页 附图4页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 4 页 1/2页 2 1.一种。
3、液晶显示装置，所述液晶显示装置包括TFT基板和对置基板，所述TFT基板在具 有像素电极和TFT的像素上形成有取向膜，所述对置基板与所述TFT基板对置，且在滤色器 上形成有取向膜，在所述TFT基板的取向膜与所述对置基板的取向膜之间夹持有液晶，其 特征在于， 所述取向膜经受光取向处理，所述取向膜使用下述用作取向膜材料的物质： 由(化1)所示的1，2-二(4-氨基苯基)乙烷和(化3)所示的1，3-二甲基环丁烷四 甲酸二酐形成的脱水缩合物，或将所述脱水缩合物酯化得到的物质；及 由(化2)所示的对苯二胺和(化3)所示的1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐形成的脱 水缩合物，或将所述脱水缩合物酯化得到的物质， 。
4、化1 化2 化3 2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，相对于取向膜材料的总重量，由 (化1)所示的1，2-二(4-氨基苯基)乙烷和(化3)所示的1，3-二甲基环丁烷四甲酸二 酐形成的脱水缩合物或将所述脱水缩合物酯化得到的物质的含量在大于0wt至80wt 以下的范围内。 3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，相对于取向膜材料的总重量，作为 取向膜材料的由(化1)所示的1，2-二(4-氨基苯基)乙烷和(化3)所示的1，3-二甲基环 丁烷四甲酸二酐形成的脱水缩合物或将所述脱水缩合物酯化得到的物质的含量在20wt 以上至60wt以下的范围内。 4.一种取向膜材料，其特征在于，是下。
5、述物质的混合物： 由(化1)所示的1，2-二(4-氨基苯基)乙烷和(化3)所示的1，3-二甲基环丁烷四 甲酸二酐形成的脱水缩合物或将所述脱水缩合物酯化得到的物质；及 由(化2)所示的对苯二胺和(化3)所示的1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐形成的脱 水缩合物或将所述脱水缩合物酯化得到的物质， 权 利 要 求 书CN 102799027 A 2/2页 3 化1 化2 化3 5.如权利要求4所述的取向膜材料，其特征在于，相对于取向膜材料的总重量，由(化 1)所示的1，2-二(4-氨基苯基)乙烷和(化3)所示的1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐形 成的脱水缩合物或将所述脱水缩合物酯化得到的物质的含量在大于0。
6、wt至80wt以下 的范围内。 6.如权利要求4所述的取向膜材料，其特征在于，相对于取向膜材料的总重量，由(化 1)所示的1，2-二(4-氨基苯基)乙烷和(化3)所示的1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐形 成的脱水缩合物或将所述脱水缩合物酯化得到的物质的含量在20wt以上至60wt以下 的范围内。 7.如权利要求4至6中任一项所述的取向膜材料，其中所述取向膜材料为光取向膜材 料。 权 利 要 求 书CN 102799027 A 1/7页 4 液晶显示装置及取向膜材料 技术领域 0001 本发明涉及液晶显示装置，特别涉及在光照射下赋予取向膜取向控制功能的液晶 显示装置。 背景技术 0002 在液晶显。
7、示装置中设置有TFT基板和对置基板，所述TFT基板的像素电极及薄膜 晶体管(TFT)等以矩阵状形成，所述对置基板与TFT基板对置，且在与TFT基板的像素电极 对应的位置形成有滤色器等，TFT基板与对置基板之间夹持有液晶。通过按每个像素控制 借助于液晶分子的光的透射率，由此形成图像。 0003 由于液晶显示装置是平的、且重量轻，所以在TV等大型显示装置乃至便携电话和 DSC(Digital Still Camera，数字照相机)等各种领域中用途广泛。另一方面，在液晶显示 装置中视场角特性是一个问题。视场角特性是下述现象：从画面正面观察时和从倾斜方向 观察时亮度发生变化或者色度发生变化。对于视场角。
8、特性来说，通过水平方向的电场使液 晶分子动作的IPS(In Plane Switching，平面转换)方式具有优异的特性。 0004 作为对液晶显示装置中使用的取向膜进行取向处理即赋予取向控制功能的方法， 包括作为现有技术的利用摩擦进行处理的方法。上述利用摩擦的取向处理通过用布摩擦取 向膜来进行取向处理，另一方面，还包括下述方法：以非接触的方式对取向膜赋予取向控制 功能的光取向法。由于IPS方式无需预倾角(pretilt angle)，所以可以采用光取向法。“专 利文献1”“专利文献7”为涉及光取向膜的公知例，公开了下述内容：通过照射经过直线 偏光的紫外线，在薄膜内诱发分子的交联反应、开裂反应。
9、或二聚化反应，对薄膜中的分子排 列赋予各向异性。 0005 专利文献1日本特开2004-86047号公报 0006 专利文献2日本特开2004-20658号公报 0007 专利文献3日本特开2004-163646号公报 0008 专利文献4日本特开2004-341030号公报 0009 专利文献5日本特开2004-346311号公报 0010 专利文献6日本特开2005-215029号公报 0011 专利文献7日本特开2006-17880号公报 发明内容 0012 现有的光取向处理与摩擦处理相比易于产生称作AC余像的烧屏。AC余像是使液 晶显示装置长时间工作时初始取向的方向偏离起初制造液晶显示。
10、装置的方向，由上述原因 产生的余像。AC余像是不可逆的，无法恢复。 0013 上述AC余像可以通过下述(1)(3)得到改善，(1)提高取向膜的取向秩序性、 (2)提高以取向膜的弹性模量、硬度等作为参数的机械强度、(3)提高取向膜与液晶的亲和 力。其中提高取向膜的取向秩序性对降低AC余像特别有效。 说 明 书CN 102799027 A 2/7页 5 0014 但是，在光取向法中，尚未发现提高取向秩序性的有效方法。本发明的课题在于在 光取向处理中提高取向膜的取向秩序性，抑制AC余像发生。 0015 本发明克服了上述问题，具体的方法如下所述。即，一种液晶显示装置，所述液晶 显示装置包括TFT基板和。
11、对置基板，所述TFT基板在具有像素电极和TFT的像素上形成有 取向膜，所述对置基板与上述TFT基板对置，且在滤色器上形成有取向膜，在上述TFT基板 的取向膜与上述对置基板的取向膜之间夹持有液晶，其特征在于，上述取向膜经受光取向 处理，上述取向膜使用下述用作取向材料的物质：将由(化1)所示结构的化合物(化1中 的R1和R2为氢原子、n为2时，为1，2-二(4-氨基苯基)乙烷)和(化3)所示结构的化 合物(化3中的R3和R4为甲基时，为1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐)形成的脱水缩合物 酯化得到的物质(柔软结构)；及将由(化2)所示的对苯二胺和(化3)所示结构的化合 物(化3中的R3和R4为甲基时，。
12、为1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐)形成的脱水缩合物酯 化得到的物质(刚性结构)。 0016 上述柔软结构的含量相对于整体的wt在大于0wt至80wt以下的范围内，较 优选在60wt以上至80wt以下的范围内。 0017 根据本发明，在光取向膜中，由于可以增大有序参数(OP)、可以提高锚定强度，所 以可以实现具有抑制了AC余像的光取向膜的液晶显示装置。 附图说明 0018 图1为IPS方式的液晶显示装置的截面图。 0019 图2为图1的像素电极的平面图。 0020 图3为表示取向膜的液性处理的工序图。 0021 图4为表示现有例与本发明的光取向处理中各工序中的膜结构的示意图。 0022 图5为表。
13、示柔软结构的wt与取向膜的有序参数(OP)的关系的曲线图。 0023 符号说明 0024 100.TFT基板、101.栅电极、102.栅绝缘膜、103.半导体层、104.源电 极、105.漏电极、106.无机钝化膜、107.有机钝化膜、108.对置电极、109.上 部绝缘膜、110.像素电极、111.通孔、112.狭缝、113.取向膜、200.对置基 板、201.滤色器、202.黑矩阵、203.保护膜、210.表面导电膜、300.液晶层、 301.液晶分子。 具体实施方式 0025 在说明本发明的实施例前，对本发明采用的IPS方式的液晶显示装置的结构进行 说明。图1为表示IPS方式的液晶显示装。
14、置的显示区域中的结构的截面图。已经公开并付 诸实用了多种IPS方式的液晶显示装置的电极结构。图1的结构是目前广泛使用的结构， 简单而言，在以布满整个平面的方式形成的对置电极108上夹着绝缘膜地形成梳齿状的像 素电极110。利用像素电极110与对置电极108之间的电压，使液晶分子301旋转，按每个 像素控制液晶层300的光的透射率，由此形成图像。以下详细说明图1的结构。另外，本发 明是以图1的构成为例子进行说明的，但也可以适用于图1之外的IPS型的液晶显示装置。 0026 图1中，在由玻璃形成的TFT基板100上形成有栅电极101。栅电极101形成于与 说 明 书CN 102799027 A 3。
15、/7页 6 扫描线相同的层上。栅电极101是在AlNd合金上层叠MoCr合金得到的。 0027 覆盖栅电极101的栅绝缘膜102由SiN形成。在栅绝缘膜102上、在与栅电极101 对置的位置，由a-Si膜形成半导体层103。a-Si膜通过等离子体CVD形成。a-Si膜形成 TFT的沟道部，夹着沟道部地在a-Si膜上形成源电极104和漏电极105。另外，在a-Si膜 与源电极104或a-Si膜与漏电极105之间形成有未作图示的n+Si层。这是为了获得半导 体层与源电极104或半导体层与漏电极105的欧姆接触。 0028 源电极104兼用作图像信号线，漏电极105与像素电极110连接。源电极104。
16、和 漏电极105均在同一层且同时形成。本实施例中，源电极104或漏电极105由MoCr合金形 成。想要降低源电极104或漏电极105的电阻时，例如可以使用利用MoCr合金夹着AlNd 合金得到的电极结构。 0029 覆盖TFT的无机钝化膜106由SiN形成。无机钝化膜106保护TFT特别是保护沟 道部免受杂质401影响。在无机钝化膜106上形成有机钝化膜107。有机钝化膜107在保 护TFT的同时还具有使表面平坦的作用，因此较厚地形成。厚度为1m至4m。 0030 在有机钝化膜107中使用感光性的丙烯酸树脂、有机硅树脂、或聚酰亚胺树脂等。 在有机钝化膜107上、在像素电极110与漏电极105连。
17、接的部分需要形成通孔111，由于有 机钝化膜107是感光性的，所以可以在不使用光致抗蚀剂的情况下使有机钝化膜107本身 曝光、显影，形成通孔111。 0031 在有机钝化膜107上形成有对置电极108。对置电极108通过将作为透明导电膜 的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)溅射于整个显示区域而形成。即，对置电极108形成 为面状。通过溅射整面地形成对置电极108后，仅在用于导通像素电极110和漏电极105 的通孔111部通过蚀刻除去对置电极108。 0032 覆盖对置电极108的上部绝缘膜109由SiN形成。形成上部绝缘膜109后，通过 蚀刻形成通孔111。将该上部绝缘膜10。
18、9作为抗蚀剂对无机钝化膜106进行蚀刻，形成通孔 111。之后，通过溅射形成覆盖上部绝缘膜109及通孔111的作为像素电极110的ITO。将 溅射而成的ITO形成图案，形成像素电极110。作为像素电极110的ITO也被粘附于通孔 111。在通孔111中，将从TFT延伸出的源电极105和像素电极110导通，图像信号被供给 至像素电极110。 0033 图2给出像素电极110的1个例子。像素电极110为梳齿状的电极。在梳齿与梳 齿之间形成有狭缝112。在像素电极110的下方形成有平面状的对置电极108。对像素电 极110施加图像信号时，利用穿过狭缝112与对置电极108之间产生的电力线使液晶分子 。
19、301旋转。由此，控制通过液晶层300的光从而形成图像。 0034 图1以截面图进行说明上述状态。梳齿状的电极与梳齿状的电极之间形成有图1 所示的狭缝112。给对置电极108施加一定电压，对像素电极110施加由图像信号产生的电 压。对像素电极110施加电压时，如图1所示，产生电力线，使液晶分子301在电力线的方 向上旋转而控制来自背光源的光的透过。由于按每一像素控制来自背光源的透过，所以形 成图像。 0035 在图1的例子中，在有机钝化膜107上配置以面状形成的对置电极108，在上部绝 缘膜109上配置梳齿电极110。但是，与此相反地有时也在有机钝化膜107上配置以面状形 成的像素电极110，。
20、在上部绝缘膜109上配置梳齿状的对置电极108。在像素电极110上形 说 明 书CN 102799027 A 4/7页 7 成有用于使液晶分子301取向的取向膜113。对取向膜113进行光取向处理。 0036 在图1中，以夹着液晶层300的方式设置对置基板200。在对置基板200的内侧形 成有滤色器201。滤色器201按每一像素形成红、绿、蓝的滤色器201，形成彩色图像。在滤 色器201与滤色器201之间形成有黑矩阵202，提高图像的对比度。另外，黑矩阵202还具 有作为TFT的遮光膜的作用，防止在TFT中流过光电流。 0037 覆盖滤色器201及黑矩阵202地形成保护膜203。由于滤色器20。
21、1及黑矩阵202 的表面形成凹凸，所以利用保护膜203使表面平整。在保护膜203上形成有用于决定液晶 的初始取向的取向膜113。对该取向膜113也进行光取向处理。 0038 本发明提高图1中的光取向膜的取向秩序性来降低AC余像。发明人从理论上分析 了取向膜材料中的分子吸光系数、光分解的量子收率等物性值以及工艺参数(加热温度、 加热时间、曝光时间等)与取向秩序性的关系，结果阐明了取向膜材料的分子长轴方向与 短轴方向的分子吸光系数比、和偏光曝光下的聚酰亚胺的光分解中生成的低聚物的分子方 向变化在提高取向秩序性方面发挥重要的作用。此处分子吸光系数比为p/v，p为聚 酰亚胺的分子长轴方向的分子吸光比，。
22、v为聚酰亚胺的分子短轴方向的分子吸光比。 0039 由于分子长轴方向与分子短轴方向的分子吸光系数比越大，与偏光曝光下的电场 向量平行的方向、和垂直方向的聚酰亚胺的浓度差变得越大，所以可以形成取向秩序性高 的取向膜。通常对于分子长轴方向与短轴方向的分子吸光系数比大的聚酰亚胺来说，分子 的直线性高、且为硬直的高分子。 0040 另一方面，对于柔软性高的聚酰亚胺(主链中具有烷基链、偏光曝光后由加热引 发分子轴旋转的聚酰亚胺)来说，低聚物的方向变化量变大。因此，为了同时实现提高光分 解下的取向秩序性和提高偏光曝光下的取向秩序性，需要消除聚酰亚胺的相反的特性。 0041 发明人发现将分子吸光系数比高的聚。
23、酰亚胺(硬直)和柔软性高的聚酰亚胺混合 时，可以消除光取向膜所要求的硬直性和柔软性的相反关系，可以实现具有高取向秩序性 的取向膜。以下利用实施例详细地说明本发明的内容。 0042 实施例1 0043 图3为表示利用了光取向处理的取向膜的形成工序的图。图3的工序对于TFT基 板、对置基板来说是共通的。在图1中的形成有像素电极的TFT基板、或形成有保护膜的对 置基板上涂布取向膜。取向膜的涂布可以采用旋涂、喷墨、喷涂或棒涂(rod coating)等。 0044 作为取向膜材料，包括以重量比计按11的比例含有下述用作取向材料的物质 的混合物： 0045 将由(化1)所示结构的化合物(化1中的R1和R。
24、2为氢原子、n为2时，为1， 2-二(4-氨基苯基)乙烷)和(化3)所示结构的化合物(化3中，R3和R4为甲基时，为 1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐)形成的脱水缩合物酯化得到的物质；及 0046 将(化2)所示的对苯二胺和(化3)所示结构的化合物(化3中的R3和R4为甲 基时，为1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐)形成的脱水缩合物酯化得到的物质。 0047 化1 0048 说 明 书CN 102799027 A 5/7页 8 0049 化2 0050 0051 化3 0052 0053 将经过涂布的取向膜在230下烧制，进行取向膜的酰亚胺化。此时，将由(化2) 所示的对苯二胺和(化3)所示结构的化。
25、合物(化3中的R3和R4为甲基时，为1，3-二甲 基环丁烷四甲酸二酐)的形成的脱水缩合物酯化得到的取向材料用作刚性结构(以下称作 刚性结构的取向膜)，将由(化1)所示结构的化合物(化1中的R1和R2为氢原子、n为2 时，为1，2-二(4-氨基苯基)乙烷)和(化3)所示结构的化合物(化3中的R3和R4为 甲基时，为1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐)形成的脱水缩合物酯化得到的取向材料用作柔 软结构(以下称作柔软结构的取向膜)。 0054 之后，将基板温度降低至接近室温。另外，由于基板薄，所以从烧制炉中取出时在 短时间内温度降低。在上述状态下，为了对取向膜赋予光取向，照射经直线偏光的紫外线。 在该偏光。
26、方向上利用经直线偏光的紫外线切断取向膜中的高分子主链，由此赋予单轴性。 此时通过切断聚合物，生成挥发性的低分子物质或低聚物。紫外线使用组合了Ushio制 Deep-UV灯(超高压He-Xe)和偏光镜的偏光曝光装置以3J/cm 2 照射取向膜。 0055 紫外线照射后，将基板加热到230，使挥发性低分子物质挥发。此时刚性结构的 取向膜中的不挥发性的低聚物在取向膜中不移动。另一方面，柔软结构的取向膜中的不挥 发性的低聚物可以在取向膜中旋转，可以提高取向秩序性。 0056 图4为表示对比现有例中的取向膜结构和本发明中的取向膜结构的模式图。上侧 为现有结构，下侧为本发明的结构。现有例中的材料仅由刚性结。
27、构的取向膜形成，本发明中 的材料中刚性结构和柔软结构混合存在。图4中，以重量比11混合上述取向膜材料，并 涂布在石英基板上。 0057 图4中，左侧栏为涂布取向膜后、在230加热10分钟的状态下的取向膜的结构的 模式图。现有例中，聚酰亚胺规则地形成为格子状，形成刚性结构。相对于此，本发明中，聚 酰亚胺形成为格子状的刚性结构、和柔韧的聚酰亚胺柔韧地交差的柔软结构混合存在。 说 明 书CN 102799027 A 6/7页 9 0058 之后，将基板冷却直至接近常温，利用偏光紫外线进行曝光后的状态示于图4的 中栏。图4的中栏中，在紫外线的偏光的电场向量方向上，利用偏光紫外线切断聚酰亚胺的 主链，体。
28、现出取向膜的取向秩序性。这在现有结构、本发明的结构中均相同。 0059 之后，在230下烧制了10分钟左右的状态示于图4的右栏。由于现有例仅由刚 性结构的聚酰亚胺形成，所以低聚物不移动。另一方面，本发明中，为刚性结构和柔软结构 混合存在的状态，刚性结构中的低聚物、柔软结构中的低聚物均旋转，提高取向秩序性。 0060 将以上说明归纳如下。即，在图4的上部所示的现有结构中，通过使用分子长轴方 向和短轴方向上分子吸光系数差大、硬直的聚酰亚胺作为取向膜材料，尽量使取向秩序性 大。认为这是基于下述原因：由于聚酰亚胺的光分解速度与聚酰亚胺的分子吸光系数成比 例，所以分子吸光系数差越大，偏光紫外线照射后的E。
29、/方向与E方向的聚酰亚胺的浓度 差就变得越大，利用上述事实增大取向秩序性。此处，E/为与偏光的电场向量平行的成分， E为与偏光的电场向量垂直的成分。 0061 但是，分子吸光系数差大的聚酰亚胺通常为分子的直线性高、且硬直的高分子。因 此，即使在偏光曝光后进行加热，光分解产物的分子方向也被固定在光分解中生成的方向 不变，从而取向秩序性不会变大。 0062 另一方面，图4的下部所示的本发明中，使用混合有利用偏光紫外线切断了主链 的柔软的聚酰亚胺的取向膜材料。由此，如图5所示，与单独使用了各取向膜材料的取向膜 相比，E/方向和E方向的取向分子的浓度差变大，可以提高取向秩序性。 0063 图5表示将硬。
30、直的聚酰亚胺和柔软的聚酰亚胺混合时的、混合比率与取向秩序性 的关系。由图5可知，使用了混合后的取向膜材料的情况与单独使用各取向膜材料的情况 相比取向秩序性高。 0064 图5为对图4所示的样品进行下述测定的图。进行加热，测定所得的取向膜的偏 光紫外线光谱，根据吸光度求出作为取向秩序性的指标的UV吸收二色比，即(A-A/)/ (A+A/)。此处A/为E/方向的取向膜的吸光度，A为E方向的取向膜的吸光度。 需要说明的是，将A设为吸光度时，存在ACt的关系。为分子吸光系数，C为聚酰亚 胺的特定方向的分子浓度，t为聚酰亚胺的厚度。 0065 图5中，纵轴为波长245nm的紫外线下的OP(有序参数)，横。
31、轴为取向膜中的柔软 结构的取向膜的wt。需要说明的是，OP(有序参数)与UV吸收二色比的含义相同。由图 5可知，柔软结构的比例为50wt时的OP值为0.51。测定此时由取向膜产生的对液晶的锚 定强度，结果可知为4.1mJ/m 2 。 0066 作为比较例，取向膜材料仅使用将(化2)所示的对苯二胺和(化3)所示的结构 (化3中，R3和R4为甲基时，为1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐)的脱水缩合物酯化得到 的、用作刚性结构的取向材料，形成取向膜，测定OP，结果为0.48。另外，取向膜材料仅使用 将(化1)所示的结构(化1中，R1和R2为氢原子、n为2时，为1，2-二(4-氨基苯基)乙 烷)和(化3)。
32、所示的结构(化3中，R3和R4为甲基时，为1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐) 的脱水缩合物酯化得到的柔软结构的取向材料，形成取向膜，测定OP，结果为0.44。即，如 本发明所示，通过将柔软结构和刚性结构的取向膜材料混合并使用，可以提高OP即UV吸收 二色比。 0067 图5中，通过使用20wt60wt的柔软结构的取向膜材料，可以使OP、即UV吸 说 明 书CN 102799027 A 7/7页 10 收二色比为0.5以上。另外，通过使柔软结构的取向膜材料为80以下，可以提高柔软结构 的含量为零时的OP即0.48。上述情况下，柔软结构的材料大于0wt、为80wt以下。 0068 如上所述，根据本发。
33、明，可以提高OP(有序参数)、即UV吸收二色比，可以提高由取 向膜产生的对液晶的锚定强度，可以抑制AC残像。 0069 以上实施例中，作为赋予柔软结构的取向膜材料，使用将由(化1)所示结构的化 合物(化1中的R1和R2为氢原子、n为2时，为1，2-二(4-氨基苯基)乙烷)和(化3) 所示结构的化合物(化3中的R3和R4为甲基时，为1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐)形成 的脱水缩合物酯化得到的取向材料，除此之外，还可以使用将由(化4)所示的4，4-二氨 基二苯基醚及其衍生物、与(化3)所示结构(化3中的R3和R4为甲基时，为1，3-二甲 基环丁烷四甲酸二酐)形成的脱水缩合物酯化得到的取向材料，构成。
34、柔软结构的取向膜材 料。 0070 化4 0071 0072 另外，以上实施例中，作为赋予刚性结构的取向膜材料，使用将由(化2)所示的对 苯二胺和(化3)所示结构的化合物(化3中的R3和R4为甲基时，为1，3-二甲基环丁烷 四甲酸二酐)形成的脱水缩合物酯化得到的取向材料，除此之外，还可以使用将由(化5) 所示的对苯二胺衍生物和(化3)所示结构的化合物(化3中的R3和R4为甲基时，为1， 3-二甲基环丁烷四甲酸二酐)形成的脱水缩合物酯化得到的取向材料，构成刚性结构的取 向膜材料。另外，不仅可以使用酯化物，还可以优选使用1，3-二甲基环丁烷四甲酸二酐和 二胺的缩合物作为本发明的取向材料。 0073 化5 0074 说 明 书CN 102799027 A 10 1/4页 11 图1 说 明 书 附 图CN 102799027 A 11 2/4页 12 图2 图3 说 明 书 附 图CN 102799027 A 12 3/4页 13 图4 说 明 书 附 图CN 102799027 A 13 4/4页 14 图5 说 明 书 附 图CN 102799027 A 14 。