磁阻式磁头 本发明涉及一种应用在磁盘驱动器之类的磁头。确切地说，本发明涉及一种利用磁阻效应的用于重现记录在磁记录媒体中的信号的只读型磁阻式磁头。
一种利用在铁磁材料中的磁阻效应用于重现在磁记录媒体中记录的信号的只读型磁阻式磁头包含：至少一对磁屏蔽层；一予磁阻元件组件，该组件包含：用于施加横问偏置磁场的软磁偏置薄层和用于控制在一基片上的磁畴结构的磁畴控制装置以及一些电极，这些电极用于使读出电流流过磁阻元件组件和检测出现在磁阻元件组件上的信号电压，如在Sho62-40610号的日本专利公开文件所公开的。
另一方面，在Sho61-77114号的日本专利公开文件中公开了一种磁阻式磁头，在它地结构中，各磁屏蔽层彼此连接，以这样一种方式使它们具有相同的电位，以便防止静电放电。
此外，在Hei2-94103号日本专利公开文件中公开了一种磁阻元件的保护电路，它具有一反馈装置，用于检测磁阻元件组件的中间电位并且将该中间电位总是保持在一参考电位。
另外，在Hei6-103508号日本专利公开文件中公开一种磁盘驱动器，其中一个二极管或电阻与磁阻式磁头并联，或者与用于形成磁阻式磁头的磁阻元件并联形成一个阻值小于该磁阻元件的电阻。
在Hei6-60338号日本专利公开文件中公开一种磁盘驱动器，它具有保护电路，当超过一预定值的静电电压加在磁阻式磁头的连接端上时，这些连接端被短接。
在制造磁阻式磁头的各种不同的操作中，即在制造磁阻元件和磁头以及它们的组件的操作中，在某些情况下，由于各种不同原因，使静电电压突然施加在磁阻元件组件地两连接端电极之间。取决于施加的静电电压的幅度，有可能损坏磁阻元件组件。磁阻元件组件的损坏可以看在磁阻式磁头的内部结构中引起的一种现象。在这样一种结构中，磁阻元件组件由各薄膜的叠层主体构成，使得甚至在施加通常被认为较低的静电电压下能够流过极高电流密度的电流。
上面介绍的每一种常规技术存在的一个问题是，没有采取足够的措施来抵销可能突然施加到这种磁阻元件上的静电电压。
在公开在Sho62-40610号日本专利公开文件中的常规技术中，完全没有提到用于抵销上述静电的措施。该文件只不过公开了一种磁阻式磁头。
正如对于在Sho61-77114号日本专利公开文件中公开的常规技术一样，介绍了一种用于抵销各磁屏蔽层之间形成的静电的措施，但存在的一个问题是完全没有介绍用于抵销突然施加到磁屏蔽层和磁阻元件组件上的静电电荷的措施。
在Hei2-94103号日本专利公开文件中所公开的常规技术存在的一个问题是假如在各磁屏蔽层中形成电位差，并没有提出用于低销在各磁屏蔽层和磁阻元件组件之间发生的静电的措施。
正如对于在Hei6-103508号日本专利公开文件中公开的常规技术，该电阻的阻值小于磁阻元件，引起的一个问题是在重现操作过程中流到磁阻元件的电流是那样小，以致不能得到足够的输出。这种常规技术存在的另一个问题是，由于二极管没有置入该元件内，即使有一在制造过程中连接的单向二极管，在出现反向特征的静电的情况下，将不会有效果。
此外，在Hei6-60338号日本专利公开文件中公开的常规技术中，在磁阻元件组件中采用一包含二极管和电容的保护电路。然而，在电压低于300毫伏的开始导通的电压下，该二极管果断开的。关于电容器的电容量则没有提到。参照二极管的断开电压，该电容器的电容估计约为1微微法。即使电容器的电容量假设具有的数值大于该估计值，估计该电容量最大处于2到3微微法的范围内。利用具有这样低的电容量的电容器和具有这样低的断开电压的二极管，这种常规技术存在的一个问题是，该保护电路不会充分地抵销如上所述突然施加到电极上的静电电压。
本发明的一个目的是提供一种磁阻式磁头，使高密度记录和重放操作实现最佳状态，并且具有高可靠性和高制造生产效率。
为了实现上述目的，根据由本发明提供的磁阻式磁头的一个方面，该磁阻式磁头包含在一个基片上的：上部成对的和下部成对的磁屏蔽层、磁阻元件组件以及一对电极，这对电极用于将续出电流流过磁阻元件组件和检测在磁阻元件组件处的信号引起的电压变化，一个电容处于5-100微微法范围内的电容器形成在电极之间。
更希望在电极之间形成电容值处于10微微法到10微法的一个电容器。此外，特别希望，电容器本身的电容量等于或大于5微微法以及电容器的电容量和读/写IC的电容量之和等于或小于50微微法，以便快速传输。
为了实现上述目的，根据本发明提供的磁阻式磁头的另一个方面，该磁阻式磁头包括在一个基片上的：上部成对的和下部成对的磁屏蔽层、磁阻式元件组件以及一对电极，这对电极用于将续出电流流过磁阻元件组件和检测由在磁阻元件组件处的信号所引起的电压变化，在电极之间形成一个其阻值大于磁阻元件组件的阻值但小于该磁阻元件组件阻值1000倍的电阻。
更希望在电极之间形成一个其阻值范围5-100倍于磁阻元件组件的阻值的电阻。
为了实现上述目的，根据本发明提供的磁阻式磁头的另一个方面，该磁阻式磁头包含在一个基片上的：上部成对的和下部成对的磁屏蔽层、磁阻元件组件以及一对电极，这对电极用于将续出电流流过磁阻元件和检测由在磁阻元件组件处的信号引起的电压变化，在电极之间形成一个其阈值电压等于或大于0.5伏而且等于或小于60伏的双向二极管。
为了实现上述目的，根据本发明提供的磁阻式磁头的再一个方面，该磁阻式磁头包含在一个基片上的：上部成对的和下部成对的磁屏蔽层以及一对电极，这对电极用于将读出电流流过磁阻元件组件和检测由在磁阻元件组件处的信号引起的电压变化；一个电子器件安装在两个电极中的一个电极与两个磁屏蔽层中的一个磁屏蔽层之间，用于当流过电极的电流大于流过磁阻元件组件的电流时，流过一个到该磁屏蔽层的电流。
此外，为了实现上述目的，根据本发明提供的磁阻式磁头的再一个方面，该磁阻式磁头包含在一个基片上的：上部成对的下部成对的磁屏蔽层、磁阻元件组件和一对电极，这对电极用于将读出电流流过磁阻元件组件的和检测在磁阻元件组件处的信号引起的电压变化，在两个电极中的一个电极和两个磁屏蔽层中的一个磁屏蔽层之间形成一个电容量范围为5微微法到100微法的电容器。
更希望，在电极之间形成一个其电容量范围为10微微法到10微法的电容器。另外，特别希望，电容器本身的电容量等于或大于5微微法以及电容器的电容量和读/写IC电容量之和等于或小于50微微法，以便快速传输。
为了实现上述目的，根据本发明提供的磁阻式磁头的再一个方面，该磁阻式磁头包含在一个基片上的：上部成对的和下部成对的磁屏蔽层、磁阻元件组件和一对电极，这对电极用于将续出电流流过该磁阻元件组件和检测由在该磁阻元件组件处的信号引起的电压变化；在其中一个电极和两个磁屏蔽层中的一个磁屏蔽层之间形成一个其阻值大于磁阻元件组件的阻值并小于该磁阻元件组件阻值的1000倍的电阻。
更希望，在电极之间形成一个其阻值范围为5-100倍于磁阻元件组件的阻值的电阻。
应注意，在磁阻式磁头中形成在其中一个电极和其中一个磁屏蔽层之间的电容器和形成在另一个电极和另一个磁屏蔽层之间的电容器可以是相同类型的或是彼此不同类型的。
同样，在磁阻式磁头中形成在其中一个电极和其中一个磁屏蔽层之间的电阻与形成在另一个电极和另一个磁屏蔽层之间的电阻可以是相同类型的或是彼此不同类型的。
希望在两个电极中的一个电极和两个磁屏蔽层中的一个磁屏蔽层之间形成的电容器与在另一个电极和另一个磁屏蔽层之间形成的电容器为相同的类型。同样，希望在两个电极中的一个电极和两个磁屏蔽层中的一个磁屏蔽层之间形成的电阻与在另一个电极和另一个磁屏蔽层之间形成的电阻为相同的类型。
应注意，上述的磁阻式磁头只是一个用于只读目的磁头。即，在一个基片上形成这种磁阻式磁头以及一个用于只写目的电磁感应式磁头按一般方式形成在这一磁阻式磁头上。
通过在电极之间形成一个电容、一个电阻或一个双向二极管，或者通过在其中一个电极和其中一个磁屏蔽层之间形成第一电容或第一电阻以及在另一电极和另一磁屏蔽层之间形成一与第一电容器相同或不同的第二电容器或者形成一与第一电阻相同或不同的第二电阻，如果有突然施加在电极之间的静电电量将部分或全部被分流，流经电阻或双向二极管或者充电储藏在电容器中，从而明显降低流经磁阻元件的电流密度。因此，防止磁阻磁头由于静电而损坏。因此，能够制造一种使高密度记录和重现操作实现最佳化以及具有高可靠性和高制造生产效率的磁阻式磁头。
图1是表示按照本发明第一实施例实现的磁阻式磁头的平面图；
图2是表示沿图1所示的磁阻式磁头的线A-A’所取的断面图；
图3是表示按照本发明的第二实施例实现的磁阻式磁头的平面图；
图4是表示沿图3所示的磁阻式磁头的线B-B’所取的断面图；
图5是表示按照本发明的第三实施例实现的磁阻式磁头的平面图；
图6是表示沿图5所示的磁阻式磁头的线C-C’所取的断面图；
图7是表示按照本发明的第四实施例实现的磁阻式磁头的透视图；
图8是表示按照本发明的第五实施例实现的磁阻式磁头的透视图；
图9是表示按照本发明的第六实施例实现的磁阻式磁头的透视图；
图10是表示按照本发明的第七实施例实现的磁阻式磁头的透视图；
图11是表示根据本发明的第八实施例实现的磁盘驱动器的标准的方块图；
图12是表示谐振频率和磁头的与IC的电容量之和之间相互关系的曲线图，用于解释本发明；
图13是一用于解释本发明提供的磁头怎样安装在磁盘驱动器中的示意图。下面详细介绍各优选实施例。
参照附图，通过对各优选实施例的详细介绍，会使本发明变得更加明了。
(实施例1)
图1是表示按照本发明的第一实施例实现的磁阻式磁头14的平面图，图2是表示沿图1所示的磁阻式磁头的线A-A’所取的断面图。下面解释磁阻式磁头14的结构。如图所示，在例如为氧化铝·碳化钛(alumina titanium-carbide)绝缘基片构成的绝缘基片1上形成有一对厚度范围1到4微米的磁屏蔽层3和10，它们在通常用于平整目的具有一定厚度的氧化铝绝缘底层1上；通常厚度范围为0.05到0.2微米的氧化铝或二氧化硅制的绝缘层4和5，用于形成缝隙长度；一磁阻元件组件6，在其它元件之间，包括：软磁偏置薄膜层，用于向面向记录媒体的一个表面施加横向偏置磁场；非磁性高电阻引线和磁阻薄膜层；磁畴控制偏置薄膜层7，用于控制磁阻元件组件6的磁畴结构；由例如为Ta/Au/Ta材料的导电层构成的电极9；用于保护上述元件的绝缘层11；以及电极焊片12。
另一方面在与面向记录媒体的表面相反的一侧上，具有预定阻值并按预定形状制备的电阻1 3形成在二电极9之间。电阻13由与构成磁阻元件组件6的所用材料相同。
当磁阻式磁头14由磁记录媒体重现信号时，经过电极9的读出电流流经磁阻元件组件6。由于信号磁通使磁阻元件组件6的电阻变化，引起出现在电极9之间的电压变化。出现在二电极9之间的电压的变化还按照流到磁阻元件组件6的读出电流使幅值降低或增加，该读出电流被分流，还流经在二电极9之间连接的电阻13。由于电阻13与磁阻元件组件6并联并且电阻13的阻值设定为磁阻式元件组件6的阻值的100倍，因此由于流经电阻13的读出电流分流部分在电阻13中产生的损耗几乎可以忽略。在试图取得如后介绍的防止静电损坏的效果以及考虑由于读出电流的分流部分引起损耗之间进行权衡，希望将电阻13的阻值设定得大于磁阻元件组件6的阻值但小于该磁阻元件组件6的阻值的1000倍，如前面所介绍的。更希望在二电极9之间形成的电阻13的阻值范围为磁阻元件组件6的5-100倍。
另一方面当由于静电在磁阻式磁头14的电极9之间突然产生很大的电位差时，假如在二电极9之间没有形成电阻13时，该静电电量自然将流过磁头元件组件6。担心这时流过的电流的幅值，可能由于焦耳热量使磁阻元件组件6熔化，或者由于电徒动现象而损坏。然而，由于在这一实施例中二电极9与电阻13彼此并联，由于静电电量被分流还流经电阻13，瞬时明显降低流经磁阻式元件组件6的静电电荷的数量。因此，防止损坏磁阻元件组件6。
利用这一实施例实现的磁阻式磁14工作原理上面已经介绍。该磁阻式磁头14显示有具大的效果，即该磁阻式磁头14可以防止由于在二电极9之间突然施加静电电量而损坏。因此，磁阻式磁头14的可靠性大为提高，此外制造的生产效率也可以提高。在磁盘驱动器中使用该磁阻式磁头14，也可以预期取得同样更好的效果。
(实施例2)
图3是表示按照本发明的第二实施例实现的磁阻式磁头的平面图，图4是表示沿图3中的磁阻式磁头14的线B-B’所取的断面图。按照第二实施例实现的磁阻式磁头14的结构几乎完全与先前介绍的按第一实施例实现的磁阻式磁头14的结构相同。然而如图4所示，在第二实施例的情况下，在二电极9之间取代第一实施例中的电阻13形成一个电容器15，连同磁阻元件组件6形成一个并联电路。电容器15包含由氧化钛构成的绝缘材料层，该绝缘材料层夹在其上方和下方的金属层之间。应注意，也可以将氧化铝取代氧化钛用作该绝缘层。此外，也可以取代金属层使用碳薄膜层。
按照第二实施例实现的磁阻式磁头14的工作原理与按照先前介绍的第一实施例实现的磁阻式磁头14的工作原理几乎完全相同。然而，如上所述，在第二实施例的情况下，在二电极9之间取代第一实施例中的电阻13形成一个电容器15。在二电极9之间突然形成静电电量的过程中，虽然电容器15不会分流检测电流的直流分量，但使电荷短时充电积蓄到电容器15中，瞬时明显地分流经磁阻元件组件6的静电电荷的数量。电容器15的电容越大，积蓄在电容器15中的静电电荷的数量就越多。因此，从保护磁阻元件组件6防止静电损坏的观点出发，电容量等于或大于5微微法的电容器15是优选的。然而，电容量过大必然使电容器15的尺寸过分大。由于这种原因，电容器的电容量范围由5微微法到100微法是所希望的。电容器的电容量范围由10微微法到10微法是更希望的。此外，将电容器的电容量设定高于5微微法，使电容器的电容量和读/写IC的电容量之和等于或小于50微微法(如下面将介绍的)，对于快速传输是特别有利的。按照这种方式，可以防止磁阻元件组件6损坏。
如上所述，按照第二实施例实现的磁阻式磁头14显示的效果几乎与按照先前介绍的第一实施例实现的磁阻式磁头的效果几乎完全相同。在第二实施例的情况下，极大地提高了磁阻式磁头14的可靠性，此外，还提高了制造的生产效率。将该磁阻式磁头14应用在磁盘驱动器也能预期得到同样良好的效果。
下面解释先前所述的快速传输。在该快速传输过程中，传输高频信号的能力是有可缺少的。特别是由于在电极间形成一个电容器，更必须考虑这一点。下面补充对这一间题的讨论。从磁头的连接端到读/写IC的长距离不可避免地会增加静电电容和电感，必然形成一低频谐振点。通常希望谐振频率至少两倍于磁盘驱动器的最大使用频率。例如对于3.5英寸磁盘的磁盘驱动器的情况下，通过限制由磁头的连接端到写/读IC的距离达到等于或小于42毫米的数值，可以将电感和静电电容分别限制到等于或小于30毫微亨和20微微法的数值。在这种情况下，对于12兆位/秒的传输速度，使用的最大频率4.5倍于该传输速度(＝4.5×12兆位/秒＝54兆赫)。这样则希望谐振频率等于或大于使用最大频率的2倍(＝2×54兆赫＝108兆赫)。图12是表示谐振频率和磁头的静电电容量与读/写IC的输入电容量之和之间的相互关系，这一关系是利用上面指定的数值按照计算结果得到的。由图明显表示，为了使谐振频率等于或高于108兆赫，需要将静电电容量的数值限制到等于或小于50微微法，并且也将磁头的静电电容量和读/写IC的输入电容量之和的数值限制到等到或小于50微微法。假如磁头的静电电容量是30微微法，则读/写IC的输入电容量必须等于或小于30微微法。
(实施例3)
图5是按照本发明的第三实施例实现的磁阻式磁头的平面图，图6是表示沿图5所示的磁阻式磁头的线C-C’所取的断面图。按照本发明的第三实施例实现的磁阻式磁头14的结构与按照先前介绍的第一实施例实现的磁阻式磁头14的结构几乎完全相同。除了在第三实施例的情况下，基片1是由半导体材料例如Si制成的，在二电极9之间取代第一实施例中的电阻13在Si基片1上形成一二极管17，以便连同如图6所示的磁阻元件组件6形成一个并联电路。
通过在Si基片1上，经过离子轰击和热扩散形成一N+P+区以及形成一绝缘薄膜层即由热氧化作用形成薄膜层来制备一个二极管17。
按照第三实施例实现的磁阻式磁头14的工作原理与按照先前介绍的第一实施例实现的磁阻式磁头14的工作原理几乎完全相同。然而，如上所述，在第三实施例的情况下，在二电极9之间取代第一实施例中的电阻13形成该二极管17。虽然，电容器15并不能分流检测电流的直流分量，但在二极9之间瞬时形成静电电量的过程中，二极管17由于超过二极管17阈值电压的的静电电压的作用而短路导通。因此，不会有大于二极管17阈值电压的静电电压的电荷流过磁阻元件组件6。因此，可以防止磁阻元件组件6由于瞬时施加到其上的静电电量而损坏。由于这种理由，将二极管17的阈值电压设定高于0.5伏。高于该阈值电压的电压可能引起磁阻元件组件6损坏。
如上所述，按照第三实施例实现的磁阻式磁头14显示的效果几乎与按照先前介绍的第一实施例实现的磁阻式磁头完全相同。在第三实施例的情况下，磁阻式磁头1 4的可靠性极大地提高了，另外，制造的生产效率也能提高。将该磁阻式磁头14用在磁盘驱动器中，也能预期得到同样良好的效果。
(实施例4)
图7是表示按照本发明的第四实施例实现的磁阻式磁头的透视图。下面解释按照第四实施例实现的磁阻式磁头的结构。如图所示，在例如氧化铝·碳化钛的绝缘材料制的基片1上方形成有：一对厚度范围在1-4微米的磁屏蔽层3和10，该磁屏蔽层3和10在具有一定厚度通常为氧化铝制的用于平整目的的绝缘底层2上；通常由氧化铝或二氧化硅制的厚度范围为0.05到0.2微米用于形成缝隙长度的绝缘层4和5；在其它元件中间的一磁阻元件组件6，包括：用于向面向记录媒体的一个表面施加横向偏置磁场的软磁偏置薄层、非磁性高电阻引线和磁阻薄层；以及电极9和9’，由例如为Ta/Au/Ta材料制的导电层。
电极9和9’各作为叠层在与面向记录媒体的表面相反的一侧的某一位置上分别形成。绝缘材料15’位于在电极9和9’之间，使得在电极9和9’之间的缝隙和其表面能够形成一个电容器。在第四实施例的情况下，该电容器的电容量为50微微法。
该电容器连同磁阻元件组件6形成一并联电路。因此，在电极9和9’之间突然形成静电电量的过程中，电荷短时充电积蓄到电容器15中，瞬时明显降低流经磁阻元件组件6的静电电荷的数量。
在与第四实施例相似的结构中，通过沿元件层叠的方向使电极9和9’彼此部分重叠，可以增加电容器的电容。
如上所述，按照第四实施例实现的磁阻式磁头14显示的效果几乎与按照先前介绍的第一实施例实现的磁阻式磁头完全相同。在第四实施例的情况下，磁阻式磁头14的可靠性极大地提高了，另外，还能提高制造的生产效率。将该磁阻式磁头14应用在磁盘驱动器中也可以预期取得同样良好的效果。
(实施例5)
图8是表示按照本发明的第五实施例实现的磁阻式磁头的透视图。按照第五实施例实现的磁阻式磁头的结构几乎与按照先前介绍的第四实施例完全相同，除去如在图中所示，在第五实施例的情况下，一高电阻材料夹入在电极9和9’之间形成一个电阻13’，连同磁阻元件组件6形成一个并联电路。
当磁阻式磁头14由磁记录媒体14重现信号时，读出电流流经在电极9和9’之间的磁阻式件组件6。磁阻元件组件6的电阻随信号磁通变化，引起在电极9和9’之间出现的电压变化。在电极9和9’之间出现的电压还按照流经磁阻元件组件6的检测电流变化增减幅度，该读出电流被分流，还流经连接在电极9和9’之间的电阻13’。由于电阻13与磁阻元件组件6并联，以及将电阻13的阻值设定为磁阻元件组件的阻值的5倍，由于流经电阻13的读出电流的分流部分在电阻13内产生的损耗几乎可以忽略。
当由于静电突然在磁阻式磁头14的电极9和9’之间产生显著的电位置时，如果在电极9和9’之间没有形成电阻13’，该静电电荷将自然流到磁阻元件组件6。取决于在这时流过的电流的幅值，担心可能由于焦耳热量熔化该磁阻元件组件6和由于电徒动现象而破坏。然而，由于在这一实施例中，电极9和9’与电阻13’并联，该静电电荷被分流，还流经电阻13’，瞬时明显降低流经磁阻元件组件6的静电电荷的数量。因此，防止磁阻元件组件6损坏。
如上所述，按照第五实施例实现的磁阻式磁头14显示的效果几乎与按照先前介绍的第一实施例实现的磁阻式磁头完全相同。更具体地说，在第五实施例的情况下，也能极大地提高磁阻式磁头14的可靠性，此外也能提高制造的生产效率。将该磁阻式磁头14应用在磁盘驱动器中，也能预期得到同样良好的效果。
(实施例6)
图9是表示按照第六实施例实现的磁阻式磁头的透视图。在第4实施例中，如上所述在电极9和9’之间形居一个电容器。另一方面，在第六实施例中，二绝缘材料15’置于磁屏蔽层3和电极9’之间和磁屏蔽层10和电极9之间，以便形成二电容器。在第六实施例的情况下，二个电容器的电容都是50微微法。出现的电位差小于第四实施例，第六实施例适用于缝隙狭窄的设计。由于二电容器没有形成电极9和9’本身之间，在其它参数之中，二电容器的电容可以按照磁屏蔽层3和10的形状以更高的灵活性确定。在磁屏蔽层3和电极9’之间的电容器的电容量可以确定为与磁屏蔽层10和电极9之间的电容器的电容量不同的数值。第六实施例的工作原理与第四实施例相同。
(实施例7)
图10是表示按照本发明的第七实施例实现的磁阻式磁头的透视图。在第一实施例的情况下，电阻形成在电极9和9之间，而在第五实施例的情况下，电阻形成在电极9和9’之间，正像先前介绍的一样。另一方面，在第七实施例的情况下，一个电阻形成在磁屏蔽层3和电极9’之间，另一个电阻形成在磁屏蔽层10和电极9之间。每个电阻的阻值10倍于磁阻元件组件6的阻值。形成的电位差小于第五实施例，第七实施例适合于缝隙需狭窄的设计。由于二电阻即不形成在电极9和9本身之间，也不形成在电极9和9’本身之间。在其它参数之中，可以按照磁屏蔽层3和10的形状以较高灵活必确定电阻的阻值。就是说，在磁屏蔽层3和电极9’之间的电容器的电容量可以确定为与在磁屏蔽层10和电极9之间的电容器的电容器不同的数值。第七实施例的工作原理与第五实施例相同。
按照上面介绍的第一到第五实施例实现的，在磁阻式磁头中的二电极间形成的电容器、电阻或双向二极管都具有预定的类型。然而，按照上面介绍的实施例6和7实施的，在磁阻式磁头中的其中一个电极和其中一个磁屏蔽层之间形成的电容器或电阻与在另一个电极和另一个磁屏蔽层之间形成的电容器或电阻彼此之间可以具有相同的类型或不同的类型。
(第八实施例)
图11是表示根据本发明的第八实施例实现的标准方块图。如图所示，在磁盘组件33中，在主转轴上安装多个磁盘31，各磁盘由媒体驱动系统(即电动机)34驱动高速旋转。按照迄今介绍的其中任一实施例制造的磁阻式磁头14置于磁盘31的磁记录表面上。每个磁阻式磁头作用为一个伺服控制磁头。利用磁头驱动系统35经过驱动机构32近于沿磁阻式磁头14的径向驱动磁阻式磁头14。磁盘驱动装置还包括：一利用磁阻式磁头14进行记录和重现数据的读/写系统36，用于处理代表该数据的信号的信号处理系统37，用于控制上面列举的读/写系统36，信号处理系统37和媒体驱动系统的控制系统38以及一予接口装置39，用于按照较高的电平由一装置接收数据和向该装置发送数据。
图13是用于解释由本发明提供的磁阻式磁头怎样安装在磁盘驱动器中。磁阻式磁头14连同一用于写入数据的感应式磁头形成一个组件安装在一浮动块22上。浮动块22由一支承体23支承并保持在磁盘21上方的一个位置。在支承体23中装有用于向浮动块22发送或由其接收电信号的信号传输线25。在浮动块22上的信号传输线的端部是浮动块22的电极。信号传输线25的另一端连接到用于向感应式磁头发送“写”信号和用于接收由磁阻式磁头14产生的重现信号的一读/写IC26上。在3.5英寸磁盘的情况下，信号传输线25的长度等于或小于42毫米。另一方面，在2.5英寸磁盘的情况下，传输线25的长度等于或小于30毫米。在第八实施例的情况下，读/写IC26的输入电容确定数值等于或小于20微微法，使得能够实现按照高于10兆位/秒的速度传输数据。
如上所述，根据本发明，在磁阻式磁头的连接端处的电极之间突然形成静电电量的过程中，流经磁阻元件组件6的静电电荷的数量瞬间明显降低。因此，可以防止由于在磁阻式磁头的连接端的电极间突然施加的静电电量而损坏磁阻元件组件。因此，极大地提高了磁阻式磁头的可靠性，也可以提高制造的生产效率。将该磁阻式磁头安装到如上所述的磁盘驱动器中也可以预期产生相同良好的效果。