一种含有苯并咪唑的化合物及其在有机电致发光器件上的应用技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种含有苯并咪唑的化合物，以及其作
为发光层材料在有机发光二极管上的应用。
背景技术
有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制
造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，
应用前景十分广泛。
OLED发光器件犹如三明治的结构，包括电极材料膜层，以及夹在不同电极膜层之
间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。
作为电流器件，当对OLED发光器件的两端电极施加电压，并通过电场作用有机层功能材料
膜层中的正负电荷，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生OLED电致发光。
为了得到综合性能优异的有机电致发光器件，需要设计合适的主客体材料和优化
器件结构，发光层主体材料通常包含空穴和/或电子传输单元，具有合适的载流子传输性
能，并且要求其三重态能级高于发光体，这样才能保证三重态激子局限在发光层。此外，为
了实现载流子高效注入以降低启动电压，主体材料还应该具有相对于邻近有机层的合适的
能级。
近年来，双极性主体材料因具有平衡的空穴和电子载流子流，在电致发光器件领
域引起了人们的注意，而且正在逐步走向工业化生产。
就当前OLED显示照明产业的实际需求而言，目前OLED材料的发展还远远不够，落
后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本申请人提供了一种含有苯并咪唑的化合物及其
在有机电致发光器件上的应用。本发明化合物以苯并咪唑并环为核心，作为发光层主体材
料应用于有机发光二极管，本发明制作的器件具有良好的光电性能，能够满足面板制造企
业的要求。
本发明的技术方案如下：
本申请人提供了一种以苯并咪唑并环为核心的化合物，该化合物结构如通式(1)
所示：
通式(1)中，X表示氧原子、硫原子、或
Ar1、Ar2、Ar3分别独立的表示或者-R；
其中，Ar表示苯基、C1-10直链或支链烷基取代的苯基、二联苯基、三联苯基、萘基；
n取1或2；
R选取氢原子、通式(2)或通式(3)所示结构，且Ar1、Ar2、Ar3中的R至少有一个选取
通式(2)或通式(3)所示结构：
其中，Ar4表示苯基、C1-10直链或支链烷基取代的苯基、二联苯基、三联苯基、或萘
基；
R1、R2、R3分别独立的选取碳原子为1-10的烷基、苯基、C1-10直链或支链烷基取代的
苯基、二联苯基、三联苯基、萘基、通式(4)、通式(5)、通式(6)或通式(7)所示结构；且R2、R3不
同时为氢：
其中，Ar5、Ar6、Ar7分别独立的表示苯基、C1-10直链或支链烷基取代的苯基、二联苯
基、三联苯基、萘基、C1-10直链或支链烷基取代的苯并呋喃基、C1-10直链或支链烷基取代的苯
并噻吩基、C1-10直链或支链烷基取代的芴基、或C1-10直链或支链烷基取代的咔唑基；
X1表示为氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直链或支链烷基取代的亚烷基、芳基取代的
亚烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一种。
优选的，所述R3表示为通式(4)、通式(6)或通式(7)所示结构时，R2还可以表示为氢
原子。
优选的，所述R为：
中的任一种。
优选的，所述化合物的具体结构式为：
中的任一种。
本申请人还提供了一种包含所述化合物的发光器件，所述化合物作为发光层的主
体材料，用于制作OLED器件。
本申请人还提供了一种制备所述化合物的方法，制备过程中的反应方程式为：
反应式1～3中n，m分别独立的表示为0或1；
其中反应式1的制备方法为：
称取苯并咪唑并环的溴代物、Ar1-H、Ar2-H，用甲苯溶解；再加入Pd2(dba)3、三叔丁
基膦、叔丁醇钠；在惰性气氛下，将上述反应物的混合溶液于反应温度95～110℃，反应10～
24小时，冷却并过滤反应溶液，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物；所述苯并咪唑并环的溴
代物与Ar1-H、Ar2-H的摩尔比为1:0.8～2.0:0.8～2.0，Pd2(dba)3与溴代物的摩尔比为
0.006～0.02:1，三叔丁基膦与溴代物的摩尔比为0.006～0.02:1，叔丁醇钠与溴代物的摩
尔比为1.0～3.0:1；
反应式2的制备方法为：
称取苯并咪唑苯并咪唑和Ar3-Br，用甲苯溶解；再加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔
丁醇钠；在惰性气氛下，将上述反应物的混合溶液于反应温度95～110℃，反应10～24小时，
冷却并过滤反应溶液，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物；所述苯并咪唑苯并咪唑与Ar3-
Br的摩尔比为0.8～2.0:1，Pd2(dba)3与Ar3-Br的摩尔比为0.006～0.02:1，三叔丁基膦与
Ar3-Br的摩尔比为0.006～0.02:1，叔丁醇钠与Ar3-Br的摩尔比为1.0～3.0:1；
反应式3的制备方法为：
称取苯并咪唑并环的溴代物、Ar1-B(OH)2、Ar2-B(OH)2，用体积比为2:1的甲苯乙醇
混合溶剂溶解；在惰性气氛下，再加入Na2CO3水溶液、Pd(PPh3)4；将上述反应物的混合溶液
于反应温度95～110℃，反应10～24小时，冷却并过滤反应溶液，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到
目标产物；所述溴代化合物与Ar1-B(OH)2、Ar2-B(OH)2的摩尔比为1:1.0～2.0:1.0～2.0；
Na2CO3与溴代物的摩尔比为1.0～3.0:1；Pd(PPh3)4与溴代物的摩尔比为0.006～0.02:1。
本发明有益的技术效果在于：
本发明化合物以苯并咪唑并环为母核，再连接芳香杂环基团，破坏了分子对称性，
从而破坏分子的结晶性，避免了分子间的聚集作用，所述化合物结构分子内包含电子给体
(donor,D)与电子受体(acceptor,A)的组合可以提高电子和空穴的迁移率、降低启动电压，
母核苯并咪唑并环具有较高的三重态能级，使化合物三重态激子局限在发光层中，提高发
光效率，本发明化合物适合作为发光层主体材料使用。
本发明所述化合物可作为发光层材料应用于OLED发光器件制作，作为发光层主体
材料可以获得良好的器件表现，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；
同时，对于器件寿命提升非常明显。
本发明所述化合物材料在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业
化前景。
附图说明
图1为使用本发明化合物的器件结构示意图；
其中，1为透明基板层，2为ITO阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为发光
层，6为电子传输层，7为电子注入层，8为阴极反射电极层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明进行具体描述。
实施例1化合物1的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol 9-溴-苯并[d]苯并[4,5]咪
唑[2,1-b]噻唑，0.015molN,N,N',N'-四苯基-9H-咔唑-3,6-二胺，0.03mol叔丁醇钠，1×
10-4mol Pd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完
全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度99.26％，收率46.32％。
HPLC-MS：材料分子量为723.25，实测分子量723.43。
实施例2化合物7的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol3-溴5-苯基-5H-苯并咪唑[1,
2-a]苯并咪唑，0.015mol(6-叔丁基-9H-咔唑-3-基)-二苯基-胺，0.03mol叔丁醇钠，1×10-
4mol Pd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，
自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度97.81％，收率63.20％。
HPLC-MS：材料分子量为671.30，实测分子量671.62。
实施例3化合物10的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol 3-溴-苯并[d]苯并[4,5]咪
唑[2,1-b]恶唑，0.015mol 3-咔唑-6-苯基-9H-咔唑，0.03mol叔丁醇钠，1×10-4mol Pd2
(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，自然冷
却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度99.25，收率73.00％。
HPLC-MS：材料分子量为614.21，实测分子量614.59。
实施例4化合物15的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
化合物15的制备方法同实施例3，不同之处在于原料2-溴-苯并[d]苯并[4,5]咪唑
[2,1-b]恶唑替换3-溴-苯并[d]苯并[4,5]咪唑[2,1-b]恶唑，9-苯基-9H,9'H-[3,3']联咔
唑替换3-咔唑-6-苯基-9H-咔唑。
HPLC-MS：材料分子量为614.21，实测分子量614.29。
实施例5化合物21的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
化合物21的制备方法同实施例1，不同之处在于原料3,6-二吩恶嗪-咔唑替换N,N,
N',N'-四苯基-9H-咔唑-3,6-二胺。
HPLC-MS：材料分子量为751.20，实测分子量751.36。
实施例6化合物26的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
500ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol9-溴-苯并[d]苯并[4,5]咪唑
[2,1-b]噻唑，0.015mol 4-[3,6-二(二苯基胺基)-9H-咔唑-9-基]硼酸，用混合溶剂溶解
(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001mol Pd
(PPh3)4，加热回流10-24小时，取样点板，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得
到目标产物，HPLC纯度99.8％，收率72.00％。
HPLC-MS：材料分子量为799.28，实测分子量799.35。
实施例7化合物27的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol 5-溴-1,3-二(3,6-二甲基)
咔唑基-苯，0.015mol 3-苯基-5H-苯并咪唑[1,2-a]苯并咪唑，0.03mol叔丁醇钠，1×10-
4mol Pd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完
全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度98.20，收率61.00％。
HPLC-MS：材料分子量为745.32，实测分子量745.39。
实施例8化合物36的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
500ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mo 8-溴-苯并[d]苯并[4,5]咪唑
[2,1-b]噻唑，0.015mol 9-联苯-3-基-6-叔丁基-9H-咔唑-3-硼酸，用混合溶剂溶解(180ml
甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001mol Pd(PPh3)4，加
热回流10-24小时，取样点板，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产
物，HPLC纯度99.12％，收率59.00％。
HPLC-MS：材料分子量为597.22，实测分子量597.33。
实施例9化合物41的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
化合物41的制备方法同实施例7，不同之处在于原料10-(6-溴-9-苯基-9H-咔唑-
3-基)-9,9-二甲基-9,10-二氢-吖啶替换5-溴-1,3-二(3,6-二甲基)咔唑基-苯，原料5H-苯
并咪唑[1,2-a]苯并咪唑替换3-苯基-5H-苯并咪唑[1,2-a]苯并咪唑。
HPLC-MS：材料分子量为655.27，实测分子量655.65。
实施例10化合物44的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
500ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol 2,8-二溴-苯并[d]苯并[4,
5]咪唑[2,1-b]恶唑，0.015mol 3,6-二甲基-9H-咔唑，0.015mol 10-(9H-咔唑-3-基)-9,9-
二甲基-9,10-二氢吖啶，0.03mol叔丁醇钠，1×10-4mol Pd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基
膦，250ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶
柱，得到目标产物，纯度95.90，收率28.00％。
HPLC-MS：材料分子量为773.32，实测分子量773.49。
实施例11化合物45的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
500ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mo 2,8-二溴-苯并[d]苯并[4,5]
咪唑[2,1-b]噻唑，0.015mol 3-苯基苯硼酸，0.015mol 10-[9-(4-苯硼酸)-9H-咔唑-3-
基]-10H-吩嗪，用混合溶剂溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03mol Na2CO3水溶液
(2M)，然后加入0.0001mol Pd(PPh3)4，加热回流10-24小时，取样点板，反应完全。自然冷却，
过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，HPLC纯度98.90％，收率31.00％。
HPLC-MS：材料分子量为798.25，实测分子量798.36。
实施例12化合物52的合成
现提供该化合物的具体合成路线：
500ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.01mol 5H-苯并咪唑[1,2-a]苯并咪
唑，0.015mol(6-溴-9-苯基-9H-咔唑-3-基)-二-二苯并呋喃-4-基-胺，0.03mol叔丁醇钠，1
×10-4mol Pd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，250ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反
应完全，自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度99.10，收率36.00％。
HPLC-MS：材料分子量为795.88，实测分子量795.96。
本发明化合物可以作为发光层材料使用，对本发明化合物10、化合物45和现有材
料CBP分别进行热性能、发光光谱、T1能级以及循环伏安稳定性的测定，检测结果如表1所
示。
表1
化合物
Td(℃)
λPL(nm)
循环伏安稳定性
T1能级(eV)
化合物10
396
386
优
3.1
化合物45
423
379
优
3.0
材料CBP
353
369
差
2.7
注：热失重温度Td是在氮气气氛中失重1％的温度，在日本岛津公司的TGA-50H热
重分析仪上进行测定，氮气流量为20mL/min；λPL是样品溶液荧光发射波长，利用日本拓普康
SR-3分光辐射度计测定；循环伏安稳定性是通过循环伏安法观测材料的氧化还原特性来进
行鉴定；测试条件：测试样品溶于体积比为2:1的二氯甲烷和乙腈混合溶剂，浓度1mg/mL，电
解液是0.1M的四氟硼酸四丁基铵或六氟磷酸四丁基铵的有机溶液。参比电极是Ag/Ag+电
极，对电极为钛板，工作电极为ITO电极，循环次数为20次。T1是先测试化合物的磷光发射光
谱，并由磷光发射峰计算得到(测试设备：利用Edinburgh Instruments的FLS980荧光光谱
仪，Oxford Instruments的Optistat DN-V2低温组件)。
由上表数据可知，本发明化合物具有较好的氧化还原稳定性，较高的热稳定性，较
高的T1能级，适合作为发光层的主体材料；同时，本发明化合物含有电子给体(donor,D)与
电子受体(acceptor,A)，使得应用本发明化合物的OLED器件电子和空穴达到平衡状态，使
得器件效率和寿命得到提升。
以下通过实施例13-22和比较例1～3详细说明本发明合成的化合物在器件中作为
发光层主体材料的应用效果。实施例14-22与实施例13相比，所述器件的制作工艺完全相
同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是器
件中发光层材料发生了改变。实施例13-22与比较例1～3相比，比较例1所述器件的发光层
材料采用的是现有常用原料，而实施例13-22的器件发光层材料采用的是本发明化合物。各
实施例所得器件的结构组成如表2所示。各器件的性能测试结果如表3所示。
实施例13
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物1和GD-19按照100：5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，
厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/Al
具体制备过程如下：
透明基板层1采用透明材料。对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行
碱洗涤、纯水洗涤、干燥后再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。
在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的
三氧化钼MoO3作为空穴注入层3使用。紧接着蒸镀80nm厚度的TAPC作为空穴传输层4。
上述空穴传输材料蒸镀结束后，制作OLED发光器件的发光层5，其结构包括OLED发
光层5所使用材料化合物1作为主体材料，GD-19作为掺杂材料，掺杂材料掺杂比例为5％重
量比，发光层膜厚为30nm。
在上述发光层5之后，继续真空蒸镀电子传输层材料为TPBI。该材料的真空蒸镀膜
厚为40nm，此层为电子传输层6。
在电子传输层6上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的氟化锂(LiF)层，此层为
电子注入层7。
在电子注入层7上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的铝(Al)层，此层为阴极
反射电极层8使用。
如上所述地完成OLED发光器件后，用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测
量器件的发光效率，发光光谱以及器件的电流-电压特性。
实施例14
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物7和GD-19按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，
厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
实施例15
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物10和GD-19按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6
(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
实施例16
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物15和GD-19按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6
(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
实施例17
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物21和GD-19按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6
(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
实施例18
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物26和GD-19按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6
(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
实施例19
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物27和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6
(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
实施例20
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物36和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6
(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
实施例21
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物41和GD-PACTZ按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6
(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
实施例22
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物44和GD-PACTZ按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6
(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
实施例23
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物45、GH-204和Ir(PPy)3按照70:30:10的重量比混掺，厚度30nm)/电
子传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
实施例24
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(化合物52、GH-204和GD-PACTZ按照70:30:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子
传输层6(TPBI，厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
比较例1
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(CBP和GD-19按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，厚度
40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
比较例2
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(CBP和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，
厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极反射电极层8(Al)。
比较例3
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3，厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC，厚度
80nm)/发光层5(CBP和GD-PACTZ按照100:5的重量比混掺，厚度30nm)/电子传输层6(TPBI，
厚度40nm)/电子注入层7(LiF，厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。
所制作的OLED发光器件的测试结果见表3。
表2
表3
说明:器件测试性能以比较例1作为参照，比较例1器件各项性能指标设为1.0。比
较例1的电流效率为6.5cd/A(@10mA/cm2)；CIE色坐标为(0.32,0.61)；5000亮度下LT95寿命
衰减为3.8Hr。寿命测试系统为本发明所有权人与上海大学共同研究的OLED器件寿命测试
仪。
表3的结果可以看出本发明所述化合物作为发光层主体材料可应用与OLED发光器
件制作，并且与比较例1相比，无论是效率还是寿命均比已知OLED材料获得较大改观，特别
是器件的驱动寿命获得较大的提升。
从以上数据应用来看，本发明化合物作为发光层材料在OLED发光器件中具有良好
的应用效果，具有良好的产业化前景。
虽然已通过实施例和优选实施方式公开了本发明，但应理解，本发明不限于所公
开的实施方式。相反，本领域技术人员应明白，其意在涵盖各种变型和类似的安排。因此，所
附权利要求的范围应与最宽的解释相一致以涵盖所有这样的变型和类似的安排。