高性能Β氮化硅晶晶须的制备方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN90105134.9

申请日:

1990.05.31

公开号:

CN1056908A

公开日:

1991.12.11

当前法律状态:

撤回

有效性:

无权

法律详情:

|||公开|||

IPC分类号:

C30B29/38; C30B29/62; C04B35/80

主分类号:

C30B29/38; C30B29/62; C04B35/80

申请人:

中国科学院金属研究所;

发明人:

周延春; 夏非; 陈声崎

地址:

110000辽宁省沈阳市文化路二段六号

优先权:

专利代理机构:

中国科学院沈阳专利事务所

代理人:

闵宪智

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内容摘要

一种高性能β-Si3N4的制备方法,系属于陶瓷材料领域,它的主要特征是选用1∶(1.5~6)(重量比)的硅非晶氧化物∶碳粉末经机械混合后在气氛炉内烧结,通入N2(加入2-5%Ar)500ml/每分钟,反应温度在1200-1600℃,反应时间为5小时。由本发明制备的β-Si3N4晶须,其晶体结构完整,几乎无任何缺陶,具有直至1900℃的热稳定性能。本发明所提供的制备工艺成本低廉,无环境污染,耗能低,

权利要求书

1: 1、一种陶瓷基复合材料增强组元β-Si3N4晶须的制备方法,其特征在于将1∶(
2: 5-6)(重量比)的硅非晶氧化物∶碳的粉末经机械混合后在气氛炉内烧结,通入N2(再加2-5%的Ar)500ml/每分钟,反应温度在1200-1600℃,反应时间为5小时。 2、按照权利要求1所述的制备方法,其特征在于最佳反应温度为1450℃。 3、按照权利要求1所述的制备方法,其特征在于硅非晶氧化物与碳最佳配比值为1∶4(重量比)。

说明书


本发明系属于陶瓷材料领域,即提供了一种陶瓷基复合材料增强组元β-Si3N4晶须的制备方法。

    目前,陶瓷材料已在冶金机械工业等领域得以广泛应用,例如切削工具,炼钢中应用的水平连铸分离环等。除此之外还应用于耐烧蚀材料,航空材料和汽车上的耐磨件等材料中。近些年来,国内外许多人士在改善陶瓷韧性方面做了大量的研究工作,试图将陶瓷材料应用于汽车发动机,飞机上的汽轮机上。文献[1][5][6][7]中报导了如何制备的α-Si3N4晶须,由于在1400℃以上将发生α-β相变,所以该晶须在高温时极不稳定;尽管文献[3][4]提到的是β-Si3N4晶须的制备,但[3]所选用的原料为非晶Si+Sidimide(硅二亚胺),该材料不仅价格昂贵不适合大规模生产,而且反应温度较高,时间长达16小时,故耗能量大;文献[4]所叙的制取方法是在SiO2+C+冰晶石中通入NH3和N2混合气体,温度为1250-1450℃,该方法虽然亦可获得β-Si3N4晶须,但NH3气体的使用不仅有害于工作人员的身体健康而且也污染整个工作环境。

    为了解决陶瓷的脆性问题,本发明提供了一种可以改善陶瓷韧性,耗能低,制取时间短,适合大规模生产,对环境无污染的高性能β-Si3N4晶须的制备方法。

    本发明的主要特征是利用硅的非晶或微晶氧化物作为硅的来源,以碳(石墨或无定型碳)作为还原剂,在氮气中反应制备超高温稳定的β-Si3N4单晶晶须。制备时,将1∶(1.5~6)(重量比)的硅非晶氧化物:碳的粉末经机械混合后在气氛炉内烧结,通入N2(再加2-5%的Ar气)500ml/每分钟,反应温度在1200-1600℃,时间为5小时,其反应过程为:

    用本发明制备β-Si3N4晶须时,无须加入任何特殊的晶须助生剂,只需混入少量的Ar气来控制反应速率。

    下面给出本发明所提供地实施例1-一种高性能β-Si3N4晶须的制备方法。

    将1∶4(重量比)的硅非晶氧化物∶碳的粉末经机械混合后,放在气氛炉内烧结,通入N2(加入4%Ar气)500ml/每分钟,反应温度为1450℃,时间为5小时,其反应过程为:

    由上述工艺制备的β-Si3N4晶须,长度可达100μ,粗0.1-1μ,其晶体结构完整,几乎无任何缺陷,具有直至1900℃的热稳定性,而且β-Si3N4具有较高的相对韧性,是改善陶瓷韧性的最有效增强组之一。将本发明所提供的β-Si3N4晶须加入在Sia lon陶瓷中,经200℃温度下,压力为20-50MPa下热压1小时,获得的陶瓷在1200℃时的弯曲强度为800MPa,其性能可以满足汽车发动机的热片材料要求。

    综上所述,可以看出本发明所提供的β-Si3N4晶须制备方法确实具有可以改善陶瓷韧性,耗能低,制取时间短,适合大规模生产,对环境无任何污染等优点,本发明是一种理想的β-Si3N4晶须的制备方法。

    参考文献

    [1]  US  4579699。  [2]  JP  5112320

    [3]  JP  63222099  [4]  JP  59147000

    [5]  J.Crystal  Growth  96  (2)(1989)681

    [6]  J.Crystal  Growth  24/25  183(1974)

    [7]  J.Crystal  Growth  21(1974)317

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资源描述

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一种高性能-Si3N4的制备方法,系属于陶瓷材料领域,它的主要特征是选用1(1.56)(重量比)的硅非晶氧化物碳粉末经机械混合后在气氛炉内烧结,通入N2(加入2-5Ar)500ml/每分钟,反应温度在1200-1600,反应时间为5小时。由本发明制备的-Si3N4晶须,其晶体结构完整,几乎无任何缺陶,具有直至1900的热稳定性能。本发明所提供的制备工艺成本低廉,无环境污染,耗能低,。

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