热敏头以及具备该热敏头的热敏打印机.pdf

本发明提供能够减少保护层的剥离的发生的热敏头和具备该热敏头的热敏打印机。热敏头(X1)具备：基板(7)、在基板(7)上设置的电极、与电极连接且一部分作为发热部(9)起作用的电阻体(15)、和设置在电极上和发热部(9)上的保护层(25)，其中，保护层(25)具有：包含硅氮化物或硅氧化物的第1层(25A)、和设置在该第1层(25A)上且包含钽氧化物和硅氮氧化物的第2层(25b)。

权利要求书
1.  一种热敏头，其特征在于，
具备：
基板、
在该基板上设置的电极、
与该电极连接且一部分作为发热部起作用的电阻体、和
设置在所述电极上和所述发热部上的保护层，其中，
该保护层具有：
包含硅氮化物或硅氧化物的第1层、和
设置在该第1层上且包含钽氧化物和硅氮氧化物的第2层。

2.  根据权利要求1所述的热敏头，其中，
所述第2层中，以原子比计O相对于Ta为2.02至3.71。

3.  根据权利要求1或2所述的热敏头，其中，
所述第2层含有13～38原子％的Si、17～49原子％的O、14～40原子％的N和5～24原子％的Ta。

4.  根据权利要求1至3中任一项所述的热敏头，其中，
所述第2层中，以原子比计N相对于Ta为0.57至8.61。

5.  根据权利要求1至4中任一项所述的热敏头，其中，
所述保护层中，在所述第1层与所述第2层之间还具有包含硅氮氧化物的密接层。

6.  根据权利要求1至4中任一项所述的热敏头，其中，
所述保护层中，在所述第1层与所述第2层之间还具有包含钽氮化物的密接层。

7.  根据权利要求1至6中任一项所述的热敏头，其中，
所述保护层中，在所述第2层上还具有包含钽硅氧化物的第3层。

8.  根据权利要求7所述的热敏头，其中，
所述第3层中，Ta的含量比位于所述第2层侧的部位多的富Ta区域被设置于位于与所述第2层相反侧的部位。

9.  根据权利要求1至6中任一项所述的热敏头，其中，
所述保护层中，在所述第2层上还具有包含钽氧化物的第3层，
该第3层中，Ta的含量比位于所述第2层侧的部位多的富Ta区域被设置于位于与所述第2层相反侧的部位。

10.  一种热敏打印机，其特征在于，具备：
权利要求1至9中任一项所述的热敏头；
输送机构，其向所述发热部上输送记录介质；和
压印辊，其向所述发热部上按压所述记录介质。

说明书热敏头以及具备该热敏头的热敏打印机
技术领域
本发明涉及一种热敏头以及具备该热敏头的热敏打印机。
背景技术
以往，作为传真机或图像打印机等的印相设备提出了各种热敏头。例如，已知一种热敏头，其具备：基板、在基板上设置的电极、与该电极连接且一部分作为发热部起作用的电阻体、在电极上和发热部上设置的保护层(例如参照专利文献1)。专利文献1中记载了：在电极上和发热部上设置有包含SiO2的第1层，且在第1层上设置有包含Ta2O5的第2层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开昭58-72477号公报
发明内容
发明要解决的课题
专利文献1中记载的热敏头中，在包含SiO2的第1层上设置有包含Ta2O5的第2层。因此，由于第1层与第2层的热膨胀率之差，第2层有可能从第1层剥离。
解决课题的手段
本发明的一个实施方式所涉及的热敏头具备：基板、在基板上设置的电极、与该电极连接且一部分作为发热部起作用的电阻体、和设置在所述电极上和所述发热部上的保护层。另外，保护层具有：包含硅氮化物或硅氧化物的第1层、和设置在第1层上且包含钽氧化物和硅氮氧化物的第2层。
本发明的一个实施方式所涉及的热敏打印机具备：上述中记载的热敏头；输送机构，其向所述发热部上输送记录介质；压印辊，其向所述发热部上按压记录介质。
发明效果
根据本发明，能够降低保护层中发生剥离的可能性。
附图说明
图1是表示本发明的热敏头的一个实施方式的俯视图。
图2是图1的热敏头的I-I线剖视图。
图3是图2所示的区域Q的放大图。
图4是表示本发明的热敏打印机的一个实施方式的示意构成的图。
图5是表示图2所示的区域Q中本发明的热敏头的另一个实施方式的放大图。
图6是表示图2所示的区域Q中本发明的热敏头的再另一个实施方式的放大图。
图7是表示图2所示的区域Q中本发明的热敏头的再另一个实施方式的放大图。
图8是表示图2所示的区域Q中本发明的热敏头的再另一个实施方式的放大图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的热敏头的一个实施方式。如图1、2所示，本实施方式的热敏头X1具备：散热体1、在散热体1上配置的头基体3、与头基体3连接的柔性印刷布线板5(以下，称为FPC5)。需要说明的是，图1中省略FPC5的图示，而由单点划线表示配置有FPC5的区域。
散热体1形成为板状，在俯视观察时呈长方形状。散热体1由例如铜、铁或铝等金属材料形成，如后所述具有使由头基体3的发热部9产生的热中无助于印相的热的一部分散热的功能。另外，在散热体1的上表面通过 双面胶带或胶粘剂等(未图示)粘接有头基体3。
头基体3具备：在俯视观察时呈长方形状的基板7；在基板7上设置且沿着基板7的长边方向排列的多个发热部9；沿着发热部9的排列方向在基板7上并排配置的多个驱动IC11。
基板7由氧化铝陶瓷等电绝缘性材料或单晶硅等半导体材料等形成。
在基板7的上表面形成有蓄热层13。蓄热层13具有基底部13a和隆起部13b。基底部13a在基板7的整个上表面形成。隆起部13b沿着多个发热部9的排列方向以带状延伸，截面呈大致半椭圆形状，且以将用于印相的记录介质良好地压贴于后述的保护层25的方式起作用。
另外，蓄热层13由例如导热性低的玻璃形成，通过临时存储由发热部9产生的热的一部分，从而以缩短使发热部9的温度上升所需的时间，提高热敏头X1的热响应特性的方式起作用。例如通过以往周知的丝网印刷等将在玻璃粉末中混合适当的有机溶剂而得到的规定的玻璃膏涂布在基板7的上表面并将其烧结，由此形成蓄热层13。
如图2所示，在蓄热层13的上表面设置有电阻层15。电阻层15介于蓄热层13与后述的共用电极17、单体电极19和连接电极21之间。如图1所示，在俯视观察时，电阻层15具有与这些共用电极17、单体电极19和连接电极21相同形状的区域(以下，称为介在区域)、以及从共用电极17与单体电极19之间露出的多个区域(以下，称为露出区域)。需要说明的是，在图1中，由共用电极17、单体电极19以及连接电极21掩盖电阻层15的介在区域。
电阻层15的各露出区域形成上述的发热部9。而且，如图1所示，多个露出区域在蓄热层13的隆起部13b上以列状配置而构成发热部9。为了便于说明，图1中将多个发热部9简化记载，例如，以600dpi～2400dpi(dot per inch)的密度配置。
电阻层15由例如钽氮化物系(TaN系)、钽硅氧化物系(TaSiO系)、钽硅氧氮化物系(TaSiNO系)、钛硅氧化物系(TiSiO系)、钛硅碳氧化物系(TiSiCO系)或铌硅氧化物系(NbSiO系)等电阻较高的材料形成。因此，当在后述的共用电极17与单体电极19之间施加电压而对发热部9供给电流时，因焦耳热而发热部9发热。
如图1、2所示，在电阻层15的上表面设置有共用电极17、多个单体电极19和多个连接电极21。这些共用电极17、单体电极19和连接电极21由具有导电性的材料形成，例如，由铝、金、银以及铜中的任意一种金属或它们的合金形成。
共用电极17用于将多个发热部9与FPC5连接。如图1所示，共用电极17具有主布线部17a、副布线部17b和导线部17c。主布线部17a沿着基板7的一个长边延伸。副布线部17b分别沿着基板7的一个短边和另一个短边延伸，其一个端部与主布线部17a连接，另一个端部与FPC5连接。导线部17c从主布线部17a向各发热部9单独延伸，前端部分别与各发热部9连接。而且，共用电极17通过使副布线部17b的另一端部与FPC5连接，从而使FPC5与各发热部9之间电连接。
多个单体电极19用于将各发热部9与驱动IC11连接。如图1、2所示，各单体电极19以一端部与发热部9连接，另一端部配置在驱动IC11的配置区域的方式，从各发热部9向驱动IC11的配置区域单独以带状延伸。而且，通过使各单体电极19的另一端部与驱动IC11连接，使各发热部9与驱动IC11之间电连接。更具体地讲，单体电极19将多个发热部9分为多个组，并使各组的发热部9与对应于各组设置的驱动IC11电连接。
另外，在本实施方式中，如上所述共用电极17的导线部17c和单体电极19与发热部9连接，导线部17c与单体电极19对置配置。于是，在本实施方式中与发热部9连接的电极成对地形成。
多个连接电极21用于将驱动IC11与FPC5连接。如图1、2所示，各连接电极21以一端部配置在驱动IC11的配置区域、另一端部配置在基板7的另一长边的附近的方式呈带状延伸。而且，多个连接电极21的一个端部与驱动IC11连接、同时另一端部与FPC5连接，由此，使驱动IC11与FPC5之间电连接。需要说明的是，与各驱动IC11连接的多个连接电极21由具有不同功能的多条布线构成。
如图1、2所示，驱动IC11与多个发热部9的各组对应配置，并且与单体电极19的另一个端部和连接电极21的一个端部连接。驱动IC11用于控制各发热部9的通电状态，在内部具有多个开关元件。
各驱动IC11中，以与连接于各驱动IC11的各单体电极19对应的方 式，在内部设置有多个开关元件(未图示)。而且，如图2所示，各驱动IC11中，与各开关元件连接的一个连接端子11a连接于单体电极19，与各开关元件连接的另一个连接端子11b连接于连接电极21的上述接地电极布线。
对于上述的电阻层15、共用电极17、单体电极19和连接电极21来说，例如，譬如利用溅射法等以往周知的薄膜成形技术将构成各部分的材料层依次层叠在蓄热层13上以后，利用以往周知的光刻等将层叠体加工成规定的图案，从而形成各部分。另外，也可以通过同一工序同时形成共用电极17、单体电极19和连接电极21。
如图1、2所示，在形成于基板7的上表面的蓄热层13上，形成有将发热部9、共用电极17的一部分和单体电极19的一部分覆盖的保护层25。需要说明的是，在图1中，为了便于说明，由单点划线表示保护层25的形成区域，并省略对它们的图示。图示例中，保护层25以将蓄热层13的上表面的左侧区域覆盖的方式设置。由此，在发热部9、共用电极17的主布线部17a、副布线部17b的一部分、导线部17c和单体电极19上形成有保护层25。
保护层25用于保护发热部9、共用电极17和单体电极19的覆盖区域不受因大气中含有的水分等的附着而造成的腐蚀或因与用于印相的记录介质的接触而造成的磨损的影响。
更详细而言，如图3所示，保护层25具备：在发热部9、共用电极17和单体电极19上设置的第1层25A、和在第1层25A上设置的第2层25B。
第1层25A包含硅氧化物(以下有时称为SiN)，为具有电绝缘性的电绝缘层。如图3所示，第1层25A与共用电极17和单体电极19这两者接触，但具有电绝缘性，由此来防止共用电极17和单体电极19的短路。
第1层25A以SiN为主要成分，例如可以由含有57原子％以上的N的SiN来形成。而且，第1层25A的厚度例如为0.5μm～12μm。需要说明的是，以SiN为主要成分是指第1层25A中含有的Si和N的含有率的合计为80原子％以上。SiN为硅的氮化物，例如可以例示为Si3N4。需要说明的是，SiN为具有非化学计量组成的物质，并不限定为Si3N4。
以SiN为主要成分来形成第1层25A，由此第1层25A成为不含有O的构成。由此，能够降低与第1层25A接触的各种电极和发热部9发生氧化的可能性。
另外，也可以以硅氧化物(以下有时称为SiO)为主要成分来形成第1层25A。SiO为硅的氧化物，例如可以例示出SiO2。需要说明的是，SiO为具有非化学计量组成的物质，并不限定为SiO2。需要说明的是，第1层25A中除SiN或SiO以外还可以含有1～5原子％的Al等添加元素。
第2层25B形成在第1层25A上，发热部9成为隔着保护层25的第2层25B与记录介质接触的构成。因此，第2层25B要求与第1层25A的密接性。另外，为了与记录介质进行接触，第2层25B也要求耐磨损性、硬度、和滑动性。
耐磨损性表示保护层25对于通过与记录介质接触而产生的磨损的强度。若构成保护层25的各层的密接性低，则有可能构成保护层25的各层发生剥离，从而保护层25的耐磨损性降低。硬度表示保护层25的机械硬度，作为其指标可以例示出维氏硬度。滑动性表示记录介质和墨带的输送容易度，若滑动性差，则记录介质和墨带有可能产生皱褶。
第2层25B为包含钽氧化物(以下有时称为TaO)、和硅氮氧化物(以下有时称为SiON)的层。第2层25B优选含有17～75体积％的Ta2O5、83～25体积％的SiON、进一步优选含有25～75体积％的Ta2O5、75～25体积％的SiON。
TaO为钽的氧化物，例如可以例示出Ta2O5。需要说明的是，TaO为具有非化学计量组成的物质，并不限定为Ta2O5。以下，TaO使用Ta2O5并进行说明。SiON为硅的氮氧化物，为具有非化学计量组成的物质。需要说明的是，第2层25B中除TaO和SiON以外还可以含有其他金属元素作为添加元素。作为添加元素，可以例示出Ba、Ca、Cr、Mg、Mn、Mo、Nb、Sr、Ti、W、Y、Zn、Zr。
第2层25B被设置为Ta2O5和SiON的混合层，因此能够提高第1层25A与第2层25B的密接性，能够降低第1层25A与第2层25B剥离的可能性。
进一步，由于含有83～25体积％的SiON，因此能够提高保护膜25 的耐磨损性和硬度，并且由于含有17～75体积％的Ta2O5，因此能够提高滑动性。
需要说明的是，可以配合记录介质地来增加Ta2O5的含量。例如，在使用不易滑动的记录介质的情况下，通过增加Ta2O5的含量，能够使第2层25B中含有的Ta的含量增加，能够提高第2层25B的滑动性。需要说明的是，不易滑动的记录介质可以例示出例如升华型墨带等，其是记录介质的与保护层25接触的面的摩擦系数高的记录介质。
进一步，本实施方式中，利用用于形成第2层25B的Ta2O5所具有的如下特性，在用热敏头X1印相时能够提高耐磨损性，并且能够减少纸等记录介质挂在第2层25B上被输送的现象(所谓的发粘)的产生。
即，作为产生发粘的原因之一，可举出：纸粉等异物焦粘到第2层25B上，由此焦粘的异物与记录介质之间产生大的阻力。与此相对，本实施方式的热敏头X1中，第2层25B由含有Ta2O5的材料层形成，伴随第2层25B的表面适度地进行磨损，焦粘在第2层25B的表面的异物从第2层25B脱离。因此，能够减少焦粘的异物导致的发粘的发生。而且，第2层25B含有具有耐磨损性的SiON，因此能够制成在提高第2层25B的滑动性的同时耐磨损性提高了的保护层25。
此外，本实施方式的热敏头X1中，第2层25B不是由纯Ta形成，而是由作为Ta的氧化物的Ta2O5形成。由此，与第2层25B由纯Ta形成的情况相比，第2层25B成为化学稳定的层，因此能够提高耐磨损性。因此，本实施方式中，能够在提高用热敏头X1印相时的耐磨损性的同时、减少发粘的发生。
另外，第2层25B中，以原子比计O相对于Ta优选为2.02～3.71、以原子比计O相对于Ta更优选为2.02～3.0。为了以原子比计使O相对于Ta为2.02～3.71，例如只要第2层25B中含有17～75体积％的Ta2O5、且含有83～25体积％的SiON即可。
对于第2层25B而言，由于以原子比计O相对于Ta为2.02～3.71，由此能够在保持良好的滑动性的同时、进一步提高耐磨损性。即，能够制成在降低墨带产生皱褶的可能性的同时、耐磨损性提高了的耐用年限长的热敏头X1。
对于第2层25B而言，由于以原子比计O相对于Ta为2.02～3.71，因此以原子比计O相对于Ta的含有率高，第2层25B中存在的膜应力变小。由此，第2层25B的密接性提高，能够降低第1层25A与第2层25B发生剥离的可能性。因此，能够提高保护层25的耐磨损性。
另外，第2层25B中，以原子比计Si相对于Ta优选为0.55～8.18、以原子比计Si相对于Ta更优选为1.6～5.0。由此，能够使第2层25B中的SiO和SiN的键增加，能够提高耐磨损性。
另外，以原子比计N相对于Ta优选为0.57～8.61、以原子比计N相对于Ta更优选为0.57～5.17。由此，能够增加SiN键。SiN键的键合力高，因此能够进一步提高耐磨损性。另外，由于SiN键增加，能够提高硬度。
进一步，第2层25B中，以原子比计N相对于Ta为0.57～8.61，由此能够在维持基于Ta的滑动性的同时、利用SiN键的存在使耐磨损性提高。
第2层25B中，优选含有13～38原子％的Si、17～49原子％的O、14～40原子％的N，更优选含有25～35原子％的Si、21～34原子％的O、26～37原子％的N。通过使构成第2层25B的元素为上述范围，能够使第2层25B与第1层25A的密接性提高。另外，能够提高第2层25B的硬度。另外，能够提高第2层25B的耐磨损性。另外，能够提高第2层25B的滑动性。
需要说明的是，第2层25B中含有的各种元素的含量能够通过例如X射线光电子能谱法(XPS)分析来进行确认。
上述的具有第1层25A和第2层25B的保护层25例如能够如下所述地形成。
首先，在发热部9、共用电极17和单体电极19上形成第1层25A。具体而言，将以SiN为主要成分的烧结体制成溅射靶进行溅射，形成含有SiN的第1层25A。在要形成含有SiO的第1层25A时，只要将以SiO为主要成分的烧结体制成溅射靶即可。
然后，在第1层25A上形成第2层25B。具体而言，例如将Si3N4与SiO2以50∶50的混合比混合而成的SiON的烧结体、和Ta2O5的烧结体制成溅射靶，使用2个溅射靶进行溅射，形成含有SiON和TaO的第2层 25B。需要说明的是，例如可以通过使施加到溅射靶的RF电压的值发生变化来控制第2层25B中的SiON和TaO的含有率。例如，通过使施加到SiON的溅射靶的RF电压的值增大，能够提高第2层25B中SiON的含有率。需要说明的是，可以将SiON和Ta2O5以规定的比率混合而成的烧结体制成溅射靶，也可以使用添加了其他元素作为添加物的溅射靶进行溅射。
通过以上操作，能够形成具有第1层25A和第2层25B的保护层25。需要说明的是，在形成各层时进行的溅射中例如能够适当使用公知的高频溅射法、非偏压溅射法或偏压溅射法。
如图1、2所示，在形成于基板7的上表面的蓄热层13上设置有将共用电极17、单体电极19和连接电极21局部覆盖的覆盖层27。需要说明的是，图1中，为了便于说明以单点划线示出覆盖层27的形成区域，省略了它们的图示。图示例中，覆盖层27以将比蓄热层13的上表面的保护层25更靠右侧的区域局部覆盖的方式设置。覆盖层27用于保护共用电极17、单体电极19和连接电极21的覆盖区域不受因与大气接触所致的氧化、或因大气中含有的水分等的附着而造成的腐蚀的影响。需要说明的是，为了使对共用电极17和单体电极19的保护变得更为可靠，如图2所示，覆盖层27以与保护层25的端部重叠的方式形成。覆盖层27例如能够以环氧树脂、或聚酰亚胺树脂等树脂材料形成。另外，覆盖层27例如能够使用丝网印刷法等厚膜成形技术来形成。
需要说明的是，如图1、2所示，连接后述的FPC5的共用电极17的副布线部17b和连接电极21的端部从覆盖层27露出以连接FPC5。
另外，覆盖层27形成有用于使连接驱动IC11的单体电极19和连接电极21的端部露出的开口部(未图示)，这些电极的布线通过开口部与驱动IC11连接。另外，在驱动IC11与单体电极19和连接电极21连接的状态下，为了保护驱动IC11自身、和驱动IC11与这些电极的布线的连接部，通过被包含环氧树脂或硅酮树脂等树脂的覆盖构件29覆盖，由此被密封。
如图1、2所示，FPC5沿着基板7的长边方向延伸，如上所述与共用电极17的副布线部17b和各连接电极21连接。FPC5为在绝缘性的树脂层5a的内部布置有多个印刷布线5b的周知的布线板，各印刷布线经由 连接器31而与外部的电源装置和控制装置等电连接。如图1、2所示，对于FPC5而言，在头基体3侧的端部，印刷布线5b通过由作为导电性接合材料的焊接材料或在电绝缘性的树脂中混入有导电性粒子的各向异性导电膜(ACF)等构成的接合材32(参照图2)与共用电极17的副布线部17b的端部和各连接电极21的端部连接。
在FPC5与散热体1之间设置有由酚醛树脂、聚酰亚胺树脂或玻璃环氧树脂等树脂构成的加强板33。通过双面胶带或胶粘剂等(未图示)将加强板33粘接于FPC5的下表面，由此发挥加强FPC5的功能。而且，通过双面胶带或胶粘剂等(未图示)使加强板33与散热体1的上表面粘接，由此使FPC5固定在散热体1上。
然后，参照图4说明本发明的热敏打印机的一个实施方式。图4为本实施方式的热敏打印机Z的示意构成图。
如图4所示，本实施方式的热敏打印机Z具备上述的热敏头X1、输送机构40、压印辊50、电源装置60和控制装置70。热敏头X1安装在设置于热敏打印机Z的壳体(未图示)的安装构件80的安装面80a。需要说明的是，热敏头X1以发热部9的排列方向沿着作为与后述的记录介质P的输送方向S正交的方向的主扫描方向的方式安装于安装构件80。
输送机构40将热敏纸、墨被转印的受像纸等记录介质P向图4的箭头S方向输送，并将该记录介质P向位于热敏头X1的多个发热部9上的保护层25上输送，且具有输送辊43、45、47、49。输送辊43、45、47、49例如可以通过由丁二烯橡胶等构成的弹性构件43b、45b、47b、49b覆盖由不锈钢等金属构成的圆柱状的轴体43a、45a、47a、49a的方式构成。需要说明的是，虽未进行图示，但在使用墨被转印的受像纸等作为记录介质P时，在记录介质P与热敏头X1的发热部9之间与记录介质P一起输送墨膜。
压印辊50用于将记录介质P向热敏头X1的发热部9上按压，并以沿着与记录介质P的输送方向S正交的方向延伸的方式配置，且以在将记录介质P按压在发热部9上的状态下能够旋转的方式支承两端部。压印辊50例如可以通过由丁二烯橡胶等构成的弹性构件50b覆盖由不锈钢等金属构成的圆柱状的轴体50a的方式构成。
电源装置60用于供给如上所述用于使热敏头X1的发热部9发热的电流和用于使驱动IC11运作的电流。控制装置70用于为了如上所述使热敏头X1的发热部9选择性地发热，而将控制驱动IC11的运作的控制信号向驱动IC11供给。
如图4所示，本实施方式的热敏打印机Z利用压印辊50将记录介质按压在热敏头X1的发热部9上，并且利用输送机构40向发热部9上输送记录介质P，同时利用电源装置60和控制装置70选择性地使发热部9发热，由此能够对记录介质P进行规定的印相。需要说明的是，当记录介质P为受像纸等时，使与记录介质P一起输送的墨膜(未图示)的墨热转印于记录介质P，由此能够进行对记录介质P的印相。
<第2实施方式>
以下，利用图5说明第二实施方式所涉及的热敏头X2。热敏头X2中，保护层25在第1层25A与第2层25B之间具有含有SiON的密接层25C。其他方面与第1实施方式所涉及的热敏头X1相同，从而省略说明。
密接层25C由SiON形成，具有提高第1层25A与第2层25B的密接性的功能。密接层25C以SiON为主要成分，且Si、O和N共含有85原子％以上。需要说明的是，可以含有0.1～5原子％的Al等添加元素。
密接层25C可以通过将SiON的烧结体制成溅射靶后进行溅射来形成。密接层25C的厚度可以设为0.1～0.5μm。
热敏头X2中，保护层25在第1层25A与第2层25B之间存在含有SiON的密接层25C。因此，与在第1层25A与第2层25B之间不存在密接层25C的情况相比，能够使位于第1层25A上的第2层25B的密接性提高，能够减少第2层25B的剥离的发生。
由此，像本实施方式那样在第1层25A与第2层25B之间存在密接层25C的情况与不存在密接层25C的情况相比，能够提高第1层25A与第2层25B之间的键合能，因此能够提高第2层25B在第1层25A上的密接性。结果，能够减少第2层25B的剥离的发生。
上述的具有第1层25A、第2层25B和密接层25C的保护层25例如能够如下所述地形成。
首先，在发热部9、共用电极17和单体电极19上形成第1层25A。然后，将含有SiON的烧结体制成溅射靶进行溅射，形成密接层25C。然后，通过在密接层25C上形成第2层25B，由此能够制作出热敏头X2。特别是在要形成第2层25B时，在使用SiON和Ta2O5的溅射靶的情况下，只要在形成密接层25C时仅对SiON的溅射靶施加RF电压，在形成第2层25B时仅对SiON和Ta2O5的溅射靶施加RF电压即可。
另外，密接层25C可以以钽氮化物(以下有时称为TaN)为主要成分。TaN为钽的氮化物，例如可例示出Ta3N5。需要说明的是，TaN为具有非化学计量组成的物质，并不限定为Ta3N5。
即使在利用TaN形成密接层25C的情况下，也能够使位于第1层25A上的第2层25B的密接性提高，能够减少第2层25B的剥离的发生。特别是利用SiN形成第1层25A、并利用TaO和SiON形成第2层25B的情况下，密接层25C含有构成第1层25A的元素和构成第2层25B的元素，从而可以进一步提高密接性。
需要说明的是，密接层25C可以为含有SiON和TaN的构成。此时也可以发挥出同样的效果。
<第3实施方式>
使用图6对第3实施方式所涉及的热敏头X3进行说明。在热敏头X3中，保护层25在第2层25B上进一步设置有第3层25D，在该方面与第2实施方式所涉及的热敏头X2不同，而其他方面与第2实施方式所涉及的热敏头X2相同。
第3层25D以覆盖第2层25B的上表面的方式设置，具有将第3层25D中产生的静电除至外部的功能。因此，第3层25D保持为地电位。可见，由于第3层25D具有除电功能，因此能够降低热敏头X3的保护层25发生静电所致的静电破坏的可能性。
第3层25D可以通过使用例如Ta2O5、或钽硅氧化物(以下有时称为TaSiO)来形成。第3层25D的厚度可以设定为0.01～3μm，作为第3层25D，其比电阻优选为10-2～10-4Ω×cm。由于比电阻为10-2～10-4Ω×cm，因此能够有效地使第3层25D中产生的静电流向外部，能够除去静电。
热敏头X3中，保护层25在含有SiON的密接层25C上形成有包含SiON和Ta2O5的第2层25B、和使用Ta2O5或TaSiO得到的第3层25D，因此在密接层25c与第3层25D之间产生的热应力得到缓和，从而能够提高保护层25的耐磨损性。即，由于第2层25B含有构成密接层25C的SiON、和构成第3层25D的Ta2O5，因此能够提高保护层25的密接性。
作为第3层25D的形成方法，首先，在发热部9、共用电极17和单体电极19上形成包含SiN的第1层25A。然后，在第1层25A上形成密接层25c。具体而言，将SiN与SiO2以50∶50的混合比混合而成的烧结体制成溅射靶后进行溅射，来形成包含SiON的密接层25C。
接着，在密接层25C上形成第2层25B。具体而言，在持续进行形成上述的密接层25c的SiON的溅射的同时，将Ta2O5的烧结体制成溅射靶进行溅射。由此，形成作为SiON与Ta2O5的混合层的第2层25B。
接着，在第2层25B上形成第3层25D。具体而言，停止在上述的第2密接层25D的形成工序中持续进行的SiON的靶的溅射，仅继续进行以Ta2O5的烧结体作为溅射靶的溅射，形成包含Ta2O5的第3层25D。
通过以上操作，能够形成具有第1层25A、密接层25C、第2层25B和第3层25D的保护层25。
需要说明的是，在第2层25B上形成第3层25D后，可以进行研磨处理将位于发热部9上的第3层25D除去。通过进行研磨处理，成为第2层25B在发热部9上露出的状态，从而记录介质与第2层25B接触。此时，在保护层25的表面产生的静电也通过第3层25D被除去至外部。
<第4实施方式>
使用图7对第4实施方式所涉及的热敏头X4进行说明。热敏头X4为热敏头X3的变形例，第3层25D由Ta2O5设置，Ta的含有率比位于第2层25B侧的部位多的富Ta区域25D2被设置于位于与第2层25B相反侧的部位。
热敏头X4中，保护层25的第3层25D由下层25D1和富Ta区域25D2构成，其中，所述下层25D1是作为位于第2层25B侧的部位的设置在第2层25B上的层，所述富Ta区域25D2是作为位于与第2层25B相反侧 的部位的Ta含有率多的层。
即，与下层25D1相比，富Ta区域25D2中Ta的含有率更多，与下层25D1相比，富Ta区域25D2的比电阻更小。因此，与下层25D1相比，富Ta区域25D2的静电容易流动，从而能够提高除电功能。
优选下层25D1的厚度为1～3μm、富Ta区域25D2的厚度为0.1～0.5μm。富Ta区域25D2的Ta含有率优选为下层25D1的Ta含有率的1.5～3倍。由此，能够使富Ta区域25D2的比电阻比下层25D1的比电阻降低约10倍。
另外，也可以为Ta的含量向着第3层25D的表面的方向增多的构成。这样，通过成为Ta的含量向着第3层25D的表面的方向增多的构成，能够向着第3层25D的表面的方向使比电阻变小，能够提高第3层25D的除电功能。
以下对热敏头X4的制作方法进行说明。
通过与热敏头X1同样的方法设置第1层25A和第2层25B后，使用作为Ta2O5的烧结体的溅射靶通过溅射将第3层25D制膜。
对溅射靶施加RF电压从而将下层25D1制膜。然后，将下层25D1制膜为期望的厚度后，升高对溅射靶施加的RF电压，形成富Ta区域25D2。需要说明的是，在从第2层25B连续地制膜的情况下，只要在形成第2层25B后，停止对SiON的溅射靶施加RF电压而仅对Ta2O5的溅射靶持续施加RF电压即可。
另外，关于Ta的含量向着第3层25D的表面的方向增多的第3层25D的形成方法，通过随着时间而增大所施加的RF电压，由此能够随着接近第3层25D的表面而增多Ta的含有率，能够形成富Ta区域25D2。
另外，也可以在溅射中供给氮气从而以还原气氛进行溅射，由此来相对地增加富Ta区域25D2的Ta含有率。
需要说明的是，也可以由TaSiO形成第3层25D、且由TaSiO形成的第3层25D中在位于与第2层25B相反侧的部位设置Ta的含有率比下层25D1多的富Ta区域25D2。此时也可以发挥出同样的效果。
以上对本发明的一个实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，可以在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。例如示出了使用 了作为第1实施方式的热敏头X1的热敏打印机Z，但并不限定于此，在热敏打印机Z中也可以使用热敏头X2～X5。另外，也可以将多个实施方式的热敏头X1～X5进行组合。
另外，图1～3所示的热敏头X1中，在蓄热层13形成有隆起部13b，在隆起部13b上形成有电阻层15，但并不限定于此。例如，也可以在蓄热层13不形成隆起部13b，而在蓄热层13的基底部13b上配置电阻层15的发热部9。或者，可以不形成蓄热层13而将电阻层15配置在基板7上。
另外，图1～3所示的热敏头X1中，在电阻层15上形成有共用电极17和单体电极19，但只要共用电极17和单体电极19这两者与发热部9(电阻体)连接，就并不限定于此。例如如图8所示的热敏头X5，也可以在蓄热层13上形成共用电极17和单体电极19、且仅在共用电极17与单体电极19之间的区域形成电阻层15，由此构成发热部9。
另外，作为保护层25，例示出了具有第1层25A和第2层25B的至少2层结构的保护层25，但并不限定于此。例如也可以为将第1层25A和第2层25B交替反复层叠而成的多层的层叠结构。此时，优选使构成保护层25的第1层25A和第2层25B的厚度薄，从而以保护层25整体计为5～15μm。由此，能够将发热部9中产生的热准确地传导到记录介质。
实施例
为了考察本发明的实施方式所涉及的热敏头的滑动性、硬度、耐磨损性和密接性，而进行以下的实验。
准备多个成为形成有共用电极、单体电极和连接电极等各种电极布线的试样的基板。然后，通过溅射在成为试样No.1～20、22～24的基板上将SiN的第1层以5μm制膜。另外，通过溅射在成为试样No.21的基板上将SiO的第1层以5μm制膜。
然后，为了形成保护层，制作表1所示的试样No.2～9用的溅射靶。通过将SiON的粉末和Ta2O5的粉末以表1所示的体积比的比例混合后进行烧成来制作溅射靶。另外，除溅射靶外分别制作JISR1610的维氏硬度试验方法用的烧结体。
关于比较例，将SiON的粉末进行烧成来制作作为试样No.1用的溅 射靶。同样地，将Ta2O5的粉末进行烧成来制作作为试样No.10用的溅射靶。
关于比较例，将SiN的粉末和Ta2O5的粉末以表2所示的体积比的比例混合后进行烧成来制作作为试样No.11～13用的溅射靶。
以成为表3所示的原子比的方式，将SiON的粉末和Ta2O5的粉末混合后进行烧成，由此分别制作试样No.14～20用的溅射靶和JISR1610的维氏硬度试验方法用的烧结体。
需要说明的是，SiON使用以原子比计Si∶O∶N为4∶1∶5的物质。SiN使用以原子比计Si∶N为3∶4的物质。Ta2O5使用以原子比计Ta∶O为2∶5的物质。
然后，将试样No.1～24用的溅射靶设置到腔室内，分别在成为试样的第1层以5μm制膜后的基板上将第2层以10μm制膜。需要说明的是，试样No.21～24中将与试样No.5相同的第2层以10μm制膜。另外，试样No.22～24中将第1层制膜并将表4所示的组成的密接层以0.5μm制膜后将第2层进行制膜。试样No.24中将密接层形成为SiON和TaN以50∶50的体积比混合而成的混合层。
然后，将驱动IC搭载到将第2层制膜后的基板来制作热敏头，并进行以下所示的运行试验。
搭载有试样No.1～20的热敏头的热敏打印机使用升华型墨带(介质尺寸A6)作为记录介质，以印字周期0.7ms/line、施加电压0.18～0.30W/dot、按压8～11kg×F/head的条件运行1万页。然后，从运行后的热敏打印机中取出热敏头，使用触针式表面形状测定器或非接触表面形状测定器、或一般公知的表面粗糙计测定磨损量。
磨损量为3μm以下的判断为具有耐磨损性并在表1～3中记载为○，磨损量为3μm以上的判断为无耐磨损性并在表1～3中记载为×。另外，利用显微镜通过目视对运行试验后的热敏头的保护膜进行观察以确认第1层与第2层是否发生了剥离。并且，第1层与第2层之间未发生剥离的判断为具有密接性并在表1～4中记载为○，第1层与第2层之间产生了剥离的判断为无密接性并在表1～4中记载为×。
另外，以同样的运行试验运行5千页后，墨带中产生皱褶的判断为无 滑动性并在表1～3中记载为×。然后，确认了滑动性后进一步进行运行试验，共计进行1万页的运行试验。在5千页时墨带中未产生皱褶而在一万页时墨带中产生皱褶的在表1～3中记载为△。需要说明的是，进行1万页的运行试验且墨带中未产生皱褶的评价为具有滑动性，且在表1～3中记载为○。
另外，使用各试样的烧结体，按照JISR1610的标准测定维氏硬度。其结果如表1～3所示。
表1

*表示本发明的范围之外
表2

*表示本发明的范围之外
表3

表4
试样No.第1层密接层第2层密接性21SiO TaO+SiON○22SiNSiONTaO+SiON○23SiNTaNTaO+SiON○24SiNSiON+TaNTaO+SiON○
如表1所示，在本发明的范围内的试样No.2～9中，滑动性和耐磨损性好，硬度也显示出862Hv以上的高值。
特别是以原子比计O相对于Ta为2.02～3.71的试样No.3～7中，得到滑动性均为○、且耐磨损性也均为○的结果，磨损量得到1.2μm以下的结果。
进一步，以原子比计N相对于Ta为0.57～8.62的试样No.3～7中，得到硬度、耐磨损性和密接性均高，与之相应地在运行试验中即使在运行一万页后墨带中也没有产生皱褶，得到滑动性高的结果。
另外，以原子比计O相对于Ta为2.02～2.98、且以原子比计N相对于Ta为0.57～5.17的试样No.5～7中，使热敏打印机以印字周期0.3ms/1ine进行高速工作而进行一万页的运行试验后，结果是滑动性均良好、且保护 膜的磨损量小，为0.6～1.8μm。
与此相对，作为比较例的包含SiON的试样No.1中，虽然显示出耐磨损性好、且硬度也高的值，但是得到滑动性差的结果。另外，作为比较例的包含Ta2O5的试样No.10中，虽然显示出滑动性良好的结果，但得到耐磨损性差且硬度低的结果。
另外，如表2所示，作为比较例的包含SiN和Ta2O5的试样No.11、12中，得到滑动性差的结果。另外，作为比较例的试样No.11～13中，在第1层与第2层之间发生剥离，因此得到密接性为×的结果。
另外，如表3所示，含有13～38原子％的Si、17～49原子％的O、14～40原子％的N、5～24原子％的Ta的试样No.14～18中，硬度为880Hv以上，且即使在一万页的运行试验结束时磨损量也为0.3μm以下。另外，得到第1层与第2层的密接性也好、滑动性也高的结果。
特别是含有13～35原子％的Si、21～49原子％的O、14～37原子％的N、7～24原子％的Ta的试样No.16～18中，得到滑动性也良好、且磨损量也少的结果。
如表4所示，在以SiO形成了第1层的试样No.21中，在第1层和第2层中未观察到剥离，得到密接性为○的结果。以SiON形成了密接层的试样No.22、以TaN形成了密接层的试样No.23、和由SiON和TaN形成了密接层的试样No.24中，在第1层和第2层中未观察到剥离，得到密接性为○的结果。
符号说明
X1～X5  热敏头
Z   热敏打印机
1   放热体
3   头基体
5   柔性印刷布线板
7   基板
9   发热部
11  驱动IC
17  共用电极
17a 主布线部
17b 副布线部
17c 导线部
19  单体电极
21  连接电极
25  保护层
25A 第1层
25B 第2层
25C 密接层
25D 第3层
25D1 下层
25D2 富Ta区域
27  覆盖层