粉粒产生少的强磁性材料溅射靶.pdf

本发明涉及一种强磁性材料溅射靶，其为在Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的非磁性材料分散型强磁性溅射靶，其特征在于，该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的相（A）、以及所述（A）中成分组成与金属基质不同的金属相（B），所述金属相（B）的最外周起2μm以内氧化物所占的面积率为80%以下，并且所述相（B）的平均粒径为10μm以上且150μm以下。本发明得到可以抑制溅射时产生粉粒，并且提高漏磁通，通过磁控溅射装置可以稳定地放电的强磁性材料溅射靶。

权利要求书一种非磁性粒子分散型强磁性材料溅射靶，其为在Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的非磁性材料分散型强磁性溅射靶，其特征在于，该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的相（A）、以及所述（A）中成分组成与金属基质不同的金属相（B），所述金属相（B）的最外周起2μm以内氧化物所占的面积率为80%以下，并且所述相（B）的平均粒径为10μm以上且150μm以下。
一种强磁性材料溅射靶，其为在Cr为20摩尔%以下、Pt为5摩尔%以上且30摩尔%以下、其余为Co的组成的金属中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的非磁性材料分散型强磁性溅射靶，其特征在于，该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的相（A）、以及所述（A）中成分组成与金属基质不同的金属相（B），所述金属相（B）的最外周起2μm以内氧化物所占的面积率为80%以下，并且所述相（B）的平均粒径为10μm以上且150μm以下。
如权利要求1或2所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，所述金属相（B）的最外周起2μm以内存在的氧化物的平均长径为10μm以下。
如权利要求1至3中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，所述金属相（B）的平均长径比为1:2~1:10。
如权利要求1至4中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，所述金属相（B）为Cr含有率为10重量%以下的Co合金相的扁平状相。
如权利要求1至5中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，含有0.5摩尔%以上且10摩尔%以下的选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta和W中的一种以上元素作为添加元素。
如权利要求1至6中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，在溅射靶的剖面中，扁平状的所述金属相（B）所占的面积率为15~50%。

说明书粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
技术领域
本发明涉及磁记录介质的磁性体薄膜、特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的磁记录层的成膜中使用的强磁性材料溅射靶，涉及漏磁通大、通过磁控溅射装置溅射时可以得到稳定的放电、粉粒产生少的溅射靶。
背景技术
在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域，作为承担记录的磁性薄膜的材料，使用以作为强磁性金属的Co、Fe或Ni为基质的材料。例如，采用面内磁记录方式的硬盘的记录层中使用以Co为主要成分的Co‑Cr系或Co‑Cr‑Pt系的强磁性合金。
另外，在采用近年来实用化的垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，通常使用包含以Co为主要成分的Co‑Cr‑Pt系的强磁性合金与非磁性无机物的复合材料。
而且，从生产率高的观点考虑，硬盘等磁记录介质的磁性薄膜，通常使用以上述材料为成分的强磁性材料溅射靶进行溅射来制作。
作为这样的强磁性材料溅射靶的制作方法，一般认为有溶炼法、粉末冶金法。采用哪种方法来制作取决于所要求的特性，不能一概而论，垂直磁记录方式的硬盘的记录层所使用的包含强磁性合金和非磁性无机物粒子的溅射靶，一般通过粉末冶金法来制作。这是因为：需要将无机物粒子均匀地分散到合金基质中，因此难以通过溶炼法制作。
例如，对于磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶，提出了如下方法：基质中绝对最大长度超过5μm的铬氧化物凝聚物为500个/mm2以下、不存在绝对最大长度超过10μm的铬氧化物凝聚物，由此抑制粉粒产生（专利文献1~3）。
但是，在上述文献的情况下，虽然通过使用Co‑Cr合金粉末、Cr‑Pt合金粉末作为原料使得绝对最大长度超过5μm的铬氧化物凝聚物为500个/mm2以下、不存在绝对最大长度超过10μm的铬氧化物凝聚物，但是还不能说可以充分地抑制粉粒的产生。
溅射装置有各种方式，在上述的磁记录膜的成膜中，从生产率高的观点考虑，广泛使用具备DC电源的磁控溅射装置。溅射法使用的原理如下：将作为正极的衬底与作为负极的靶对置，在惰性气体气氛中，在该衬底与靶之间施加高电压以产生电场。此时，惰性气体电离，形成包含电子和阳离子的等离子体，该等离子体中的阳离子撞击靶（负极）的表面时将构成靶的原子击出，该飞出的原子附着到对置的衬底表面形成膜。通过这样的一系列动作，构成靶的材料在衬底上成膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008‑24001号公报
专利文献2：日本特开2008‑88546号公报
专利文献3：日本特开2007‑291512号公报
发明内容
一般而言，当欲通过磁控溅射装置对强磁性材料溅射靶进行溅射时，由于来自磁铁的大部分磁束穿过作为强磁性体的靶的内部，因此漏磁通减少，从而产生溅射时不能进行放电，或者即使放电也不能稳定地放电的显著问题。
为了解决该问题，已知如下技术：在溅射靶的制造工序中，为了使成分组成与约30~约150μm的母相不同而投入金属粗粒，从而有意地使靶组织不均匀化。
由此，在烧结后所述金属粗粒形成成分组成与母相不同的金属相，从而减小溅射靶的相对磁导率，增加漏磁通，由此可以得到稳定的放电。但是，在形成该金属相时，具有粉粒增加的倾向。
本发明鉴于上述问题，其课题在于提供通过磁控装置能够得到稳定的放电，并且溅射时的粉粒产生少，提高漏磁通的强磁性材料溅射靶。
为了解决上述课题，本发明人进行了广泛深入的研究，结果发现，通过调节靶的组织结构，可以得到漏磁通大、并且粉粒产生少的靶。
基于这样的发现，本发明提供：
1）一种非磁性粒子分散型强磁性材料溅射靶，其为在Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的非磁性材料分散型强磁性溅射靶，其特征在于，该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的相（A）、以及所述（A）中成分组成与金属基质不同的金属相（B），所述金属相（B）的最外周起2μm以内氧化物所占的面积率为80%以下，并且所述金属相（B）的平均粒径为10μm以上且150μm以下。
另外，本发明提供：
2）一种非磁性粒子分散型强磁性材料溅射靶，其为在Cr为20摩尔%以下、Pt为5摩尔%以上且30摩尔%以下、其余为Co的组成的金属中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的非磁性材料分散型强磁性溅射靶，其特征在于，该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的相（A）、以及所述（A）中成分组成与金属基质不同的金属相（B），所述金属相（B）的最外周起2μm以内氧化物所占的面积率为80%以下，并且所述金属相（B）的平均粒径为10μm以上且150μm以下。
另外，本发明提供：
3）如上述1）或2）所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，所述金属相（B）的最外周起2μm以内存在的氧化物的平均长径为10μm以下。
另外，本发明提供：
4）如上述1）至3）中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，所述金属相（B）为平均长径比为1:2~1:10的扁平状相。
另外，本发明提供：
5）如上述1）至4）中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，所述金属相（B）为Cr含有率为10重量%以下的Co合金相。
另外，本发明提供：
6）如上述1）至5）中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，含有0.5摩尔%以上且10摩尔%以下的选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta和W中的一种以上元素作为添加元素。
另外，本发明提供：
7）如上述1）至6）中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，在溅射靶的剖面中，所述金属相（B）所占的面积率为15~50%。
发明效果
这样调节的靶，漏磁通大，在磁控溅射装置中使用时，惰性气体的电离促进有效地进行，可以得到稳定的放电，因此能够将靶的厚度增大，因此具有靶的更换频率低，可以低成本制造磁性体薄膜的优点。另外，具有粉粒的产生少，因此溅射形成的磁记录膜的不合格品少，从而可以减少成本的优点。
附图说明
图1是用光学显微镜观察实施例1的靶的抛光面时的组织图像。
图2是用光学显微镜观察比较例1的靶的抛光面时的组织图像。
图3是用光学显微镜观察实施例2的靶的抛光面时的组织图像。
图4是用光学显微镜观察比较例2的靶的抛光面时的组织图像。
具体实施方式
构成本发明的强磁性材料溅射靶的主要成分，是Cr为20摩尔%以下、其余为Co的金属或者Cr为20摩尔%以下、Pt为5摩尔%以上且30摩尔%以下、其余为Co的金属。
另外，所述Cr作为必要成分添加，因此不包括0摩尔%。即，含有能够进行分析的下限值以上的Cr量。Cr量如果为20摩尔%以下，则即使在微量添加的情况下也有效果。本申请发明包括这些成分。
这些成分为作为磁记录介质所必需的成分，其配合比例在上述范围内多种多样，但是任一比例均可以保持作为有效的磁记录介质的特性。
本发明中重要的一点在于：靶组织具有成分组成与周围组织不同的金属相（B），所述金属相（B）的最外周起2μm以内氧化物所占的面积率为80%以下，并且所述金属相（B）的平均粒径为10μm以上且150μm以下。
另外，期望所述相（B）的最外周起2μm以内存在的氧化物的平均长径为10μm以下。这是因为，最外周起1μm以内的氧化物的长径超过10μm时，相（A）与相（B）的烧结不充分，在溅射时助长所述相（B）的脱离，从而造成粉粒的产生。
本发明中使用的扁平状，是指例如楔、新月、上弦月这样的形状、或者两个以上这样的形状连接而形成的形状。另外，在对这些形状进行定量规定的情况下，其相当于短径与长径的比（以下称为长径比）平均为1:2~1:10的形状。
另外，扁平状是从上方观察时的形状，并非没有凹凸完全平坦的状态。即，也包括稍有起伏或凹凸的形状。
在具有这样的组织的靶中，通过将Co雾化粉形成为楔形这样的形状，正是通过楔的效果，可以防止由于金属相的脱离而产生粉粒。另外，通过破坏球形，可以减轻雾化粉为球形时产生的侵蚀速度的偏差，从而可以抑制由于侵蚀速度不同的边界而引起的粉粒产生。
期望金属相（B）的平均粒径为10μm以上且150μm以下。直径低于10μm时，在将靶材料烧结时，金属元素进行扩散，相（A）与相（B）的合金组成变得均匀，从而相（B）的存在变得不明确。另一方面，超过150μm时，随着溅射的进行，靶的表面失去平滑性，有时容易产生粉粒的问题。
另外，金属相（B）周围的氧化物在周围的组织中相对多地存在，容易进行金属相（B）的脱离，因此溅射时造成粉粒产生的可能性高。因此，金属相（B）的大小优选期望为10μm以上且150μm以下。
另外，本发明中，金属相（B）优选为Cr含有率为10重量%以下的Co合金相。这是因为，此时，Cr的氧化物由于标准生成自由能低，因此将相（A）中的氧化物还原，从而容易以Cr氧化物形式存在于金属相（B）的外周。
另外，本发明中，也可以以0.5摩尔%以上且10摩尔%以下的比例含有选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta和W中的一种以上元素作为添加元素。
这些元素是为了提高作为磁记录介质的特性而根据需要添加的元素。
另外，本发明的强磁性材料溅射靶中，可以以分散在金属基质中的状态含有包含氧化物的无机物材料。此时，具有适合于具备颗粒结构的磁记录膜、特别是采用垂直磁记录方式的硬盘驱动器的记录膜的材料的特性。
另外，也可以使用氧化物以外的氮化物、碳化物、碳氮化物代替所述包含氧化物的无机物材料。另外，也可以复合地使用这些无机物材料。这些材料可以保持与氧化物同等的功能。
这样调节的靶，成为漏磁通大的靶，在磁控溅射装置中使用时，惰性气体的电离促进有效地进行，可以得到稳定的放电。另外，可以将靶的厚度增大，因此具有靶的更换频率低，可以以低成本制造磁性体薄膜的优点。
而且，还具有如下优点：可以减轻侵蚀速度的偏差，可以防止金属相的脱落，因此可以减少造成成品率下降的粉粒的产生量。
本发明的强磁性材料溅射靶，通过熔炼法或粉末冶金法制作。粉末冶金法的情况下，首先准备各金属元素的粉末、以及根据需要的添加金属元素的粉末。这些粉末期望使用最大粒径为20μm以下的粉末。另外，也可以准备这些金属的合金粉末代替各金属元素的粉末，此时也期望最大粒径为20μm以下。
另一方面，粒径过小时，会促进氧化，从而产生成分组成不在范围内等问题，因此期望设定为0.1μm以上。
而且，以达到所需组成的方式称量这些金属粉末，并使用球磨机等公知的方法同时进行粉碎和混合。添加无机物粉末的情况下，在该阶段与金属粉末混合即可。
作为无机物粉末，准备碳粉末、氧化物粉末、氮化物粉末、碳化物粉末或碳氮化物粉末，无机物粉末期望使用最大粒径为5μm以下的粉末。另一方面，粒径过小时容易产生凝聚，因此进一步期望使用0.1μm以上的粉末。
另外，准备直径在50~300μm范围内的Co雾化粉，使用高能球磨机将Co雾化粉与上述混合粉末粉碎、混合。在此，使用的高能球磨机与球磨机或振动磨机相比，可以在短时间内进行原料粉末的粉碎、混合。
另外，可以单独地将准备的直径在50~300μm范围内的Co雾化粉粉碎来制作粗粒，并与上述混合粉末混合。作为混合装置，优选不具有粉碎力的混合机、乳钵等。另外，考虑到混合中的氧化问题，优选在惰性气体气氛中或者真空中进行混合。
使用真空热压装置将这样得到的粉末成形、烧结，并切削加工为所需的形状，由此可以制作本发明的强磁性材料溅射靶。另外，成形、烧结不限于热压，也可以使用放电等离子烧结法、热等静压烧结法。烧结时的保持温度优选设定为靶充分致密化的温度范围中的最低温度。
虽然也取决于靶的组成，但是，多数情况下在800~1200℃的温度范围内。这是因为，通过压低烧结温度，可以抑制烧结体的结晶生长。另外，烧结时的压力优选为300~500kg/cm2。
实施例
以下，基于实施例和比较例进行说明。另外，本实施例终究为一例，本发明不限于该例。即，本发明仅由权利要求书的范围限制，也包括本发明中包含的实施例以外的各种变形。
（实施例1、比较例1）
在实施例1中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉。以靶的组成为80.7Co‑12Cr‑7.3SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末和Co雾化粉。
然后，将Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末和Co雾化粉与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
将所得混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。
（关于粉粒数的评价）
关于粉粒数的评价，通常以制品中使用的膜厚（记录层的厚度为5~10nm）难以观察到粉粒数的差异，因此将膜厚调节为通常的约200倍（厚度1000nm），通过增加粉粒的绝对数进行评价。结果如表1所示。
（关于漏磁通的测定方法）
另外，漏磁通的测定根据ASTM F2086‑01（Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets,Method2）（圆形磁控溅射靶磁通量的标准测试方法，方法2）实施。将靶的中心固定，用旋转0度、30度、60度、90度和120度测定的漏磁通密度除以ASTM定义的reference field（参考场）的值，并乘上100以百分数表示。而且，对于五个点的平均结果以平均漏磁通密度（PTF（%））表示在表1中。
（关于氧化物的面积率的测定方法）
另外，在金属相（B）的最外周起1μm以内氧化物所占的面积率的测定中，使用烧结体（包括溅射靶）的切割面，测定在220倍的视野中存在的所述氧化物的面积（的合计），并用其除以金属相（B）的最外周起1μm以内的面积（的合计）。将该测定在任意的5个视野中实施，并取平均。另外，仅有一部分包含在视野中的金属相（B）除外。另外，对短径4μm以上的金属相（B）进行测定。结果如表1所示。
（关于氧化物的平均长径的测定方法）
另外，在金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物的长径，使用烧结体（包括溅射靶）的切割面，测定在220倍的视野中存在的所述氧化物的长径，并取平均。将该测定在任意的5个视野中实施，并取平均。另外，仅有一部分包含在视野中的金属相（B）除外。另外，对短径4μm以上的金属相（B）进行测定。结果如表1所示。
（关于金属相（B）的大小的测定方法）
另外，金属相（B）的大小的测定如下进行：使用烧结体（包括溅射靶）的切割面，在放大到220倍的照片上，对由30cm的线段切割的金属相（B）的数目进行计数，由该切割长度的平均值（μm）求出大小。结果以平均粒径表示在表1中。
（关于金属相（B）的长径比的测定方法）
另外，关于金属相（B）的长径比，用显微镜观察烧结体（包括溅射靶）的切割面，测定在220倍的视野中存在的金属相（B）的短径和长径，并取其平均。而且，在任意5个视野中实施该测定并进行平均。另外，仅包含在视野的一部分中的金属相（B）除外。另外，对于短径4μm以上的金属相（B）进行测定。结果如表1所示。
另外，表中虽然没有记载，但是，金属相（B）所占的面积率，通过用显微镜观察烧结体（包括溅射靶）的切割面，测定在220倍的视野中存在的金属相（B）的面积，并用其除以视野的总面积而求出。另外，为了提高精度，在任意5个视野中实施该测定并进行平均。另外，与长径比的测定同样地将仅包含在视野的一部分中的金属相（B）除外。另外，对于短径4μm以上的金属相（B）进行测定。结果，面积率为15%以上且50%以下。
另外，表中虽然没有记载，但是，金属相（B）中呈现目标形状的粒子的存在比率，通过用显微镜观察烧结体的切割面，并对220倍的视野中存在的金属相（B）中呈现目标形状（包括楔形等的扁平状）的个数进行计数，并用其除以整个视野中存在的金属相（B）的个数。在任意的5个视野中实施该测定，并取其平均。另外，将仅包含在视野的一部分中的金属相（B）除外。另外，对于短径4μm以上的金属相（B）进行测定。结果，存在比率为90%以上。
在比较例1中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、直径在30~150μm范围内的Co雾化粉。以靶的组成为80.7Co‑12Cr‑7.3SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末和Co雾化粉。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将所得混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
表1

如表1所示，实施例1的稳态粉粒数为29.3个，确认显著低于比较例1的166.7个。另外，实施例1的平均漏磁通密度为60.6%，得到漏磁通密度高于比较例1的52.6%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例1的氧化物的面积率为65%，得到小于比较例1的85%的靶。
另外，实施例1的金属相（B）的平均粒径为70μm，另外，金属相（B）的长径比为1:1，确认为正球形。用光学显微镜观察实施例1的靶抛光面得到的组织图像如图1所示。与此相对，比较例1中金属相（B）的平均粒径为70μm，另外，金属相（B）的长径比为1:1，为正球形。用光学显微镜观察比较例1的靶抛光面得到的组织图像如图2所示。
可见，在实施例1中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例2、比较例2）
在实施例2中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、直径在30~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为80.7Co‑12Cr‑7.3SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Cr粉末和SiO2粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例2中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、直径在30~150μm围内的Cr‑Co粉碎粉。以靶的组成为80.7Co‑12Cr‑7.3SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、SiO2粉末和Cr‑Co粉碎粉。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例2的稳态粉粒数为12.3个，确认低于比较例2的22.3个。另外，实施例2的平均漏磁通密度为54.0%，得到漏磁通密度高于比较例2的49.7%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例2的氧化物的面积率为65%，得到小于比较例2的85%的靶。
另外，实施例2的金属相（B）的平均粒径为30μm，另外，金属相（B）的长径比为1:5，确认为扁平状。用光学显微镜观察实施例2的靶抛光面得到的组织图像如图3所示。与此相对，比较例2中金属相（B）的平均粒径为50μm，另外，金属相（B）的长径比为1:3，为扁平状。用光学显微镜观察比较例2的靶抛光面得到的组织图像如图4所示。
可见，在实施例2中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例3、比较例3）
在实施例3中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、平均粒径1μm的Cr2O3粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为66Co‑10Cr‑15Pt‑3TiO2‑2SiO2‑4Cr2O3（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、Cr2O3粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末和Cr2O3粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例3中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、平均粒径1μm的Cr2O3粉末、直径在30~150μm范围内的Cr‑Co雾化粉。以靶的组成为66Co‑10Cr‑15Pt‑3TiO2‑2SiO2‑4Cr2O3（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、Cr2O3粉末和Cr‑Co雾化粉。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例3的稳态粉粒数为2.5个，确认低于比较例3的49.7个。另外，实施例3的平均漏磁通密度为52%，得到漏磁通密度高于比较例3的50.9%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例3的氧化物的面积率为55%，得到小于比较例3的90%的靶。
另外，实施例3的金属相（B）的平均粒径为100μm，另外，金属相（B）的长径比为1:5，确认为扁平状。与此相对，比较例3中金属相（B）的平均粒径为70μm，另外，金属相（B）的长径比为1:1，为扁平状。
可见，在实施例3中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例4、比较例4）
在实施例4中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径5μm的Co‑B粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为62Co‑14Cr‑15Pt‑2.5B‑6.5SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、B粉末、SiO2粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、B粉末、SiO2粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例4中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径5μm的Co‑B粉末、平均粒径1m的SiO2粉末、直径在30~150μm范围内的Cr‑Co雾化粉。以靶的组成为62Co‑14Cr‑15Pt‑2.5B‑6.5SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、B粉末、SiO2粉末和Cr‑Co雾化粉。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例4的稳态粉粒数为5.5个，确认低于比较例4的185.5个。另外，实施例4的平均漏磁通密度为55.2%，得到漏磁通密度高于比较例4的51.2%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例4的氧化物的面积率为70%，得到小于比较例3的85%的靶。
另外，实施例4的金属相（B）的平均粒径为120μm，另外，金属相（B）的长径比为1:6，确认为扁平状。与此相对，比较例2中金属相（B）的平均粒径为70μm，另外，金属相（B）的长径比为1:1，为扁平状。
可见，在实施例4中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例5、比较例5）
在实施例5中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的Cr2O3粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为73Co‑17Pt‑5TiO2‑5Cr2O3（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Pt粉末、TiO2粉末、Cr2O3粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Pt粉末、TiO2粉末和Cr2O3粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例5中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末。以靶的组成为73Co‑17Pt‑5TiO2‑5Cr2O3（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Pt粉末、TiO2粉末和Cr2O3粉末。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例5的稳态粉粒数为3.7个，确认低于比较例5的4.5个。另外，实施例5的平均漏磁通密度为33.6%，得到漏磁通密度高于比较例5的28%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例5的氧化物的面积率为65%。
另外，实施例5的金属相（B）的平均粒径为100μm，另外，金属相（B）的长径比为1:10，确认为扁平状。
可见，在实施例5中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例6、比较例6）
在实施例6中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径8μm的Ru粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的Cr2O3粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为68Co‑17Pt‑5Ru‑5TiO2‑5Cr2O3（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Pt粉末、Ru粉末、TiO2粉末、Cr2O3粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Pt粉末、Ru粉末、TiO2粉末和Cr2O3粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例6中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径8μm的Ru粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的Cr2O3粉末。以靶的组成为68Co‑17Pt‑5Ru‑5TiO2‑5Cr2O3（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Pt粉末、Ru粉末、TiO2粉末和Cr2O3粉末。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例6的稳态粉粒数为2.6个，确认低于比较例5的3.5个。另外，实施例6的平均漏磁通密度为38.8%，得到漏磁通密度高于比较例6的32.9%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例6的氧化物的面积率为60%。
另外，实施例6的金属相（B）的平均粒径为100μm，另外，金属相（B）的长径比为1:6，确认为扁平状。
可见，在实施例6中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例7、比较例7）
在实施例7中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、平均粒径1μm的Cr2O3粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为70Co‑5Cr‑15Pt‑2TiO2‑3SiO2‑5Cr2O3（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、Cr2O3粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末和Cr2O3粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例7中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、平均粒径1μm的Cr2O3粉末、直径在30~150μm范围内的Co‑Cr雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为70Co‑5Cr‑15Pt‑2TiO2‑3SiO2‑5Cr2O3（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、Cr2O3粉末和Co‑Cr雾化粉的粉碎粉。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例7的稳态粉粒数为9.1个，确认低于比较例7的120.5个。另外，实施例7的平均漏磁通密度为38.2%，得到漏磁通密度高于比较例7的36.5%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例7的氧化物的面积率为70%，得到小于比较例7的85%的靶。
另外，实施例7的金属相（B）的平均粒径为30μm，另外，金属相（B）的长径比为1:8，确认为扁平状。与此相对，在比较例7中，金属相（B）的平均粒径为70μm，另外，金属相（B）的长径比为1:1，为扁平状。
可见，在实施例7中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例8、比较例8）
在实施例8中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径5μm的Co‑Mn粉末、平均粒径1μm的Ta2O5粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为61Co‑14Cr‑17Pt‑2Mn‑1Ta2O5‑5SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Mn粉末、Ta2O5粉末、SiO2粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Mn粉末、Ta2O5粉末、SiO2粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例8中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径5μm的Co‑Mn粉末、平均粒径1μm的Ta2O5粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、直径在30~150μm范围内的Co‑Cr粉的粉碎粉。以靶的组成为61Co‑14Cr‑17Pt‑2Mn‑1Ta2O5‑5SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Mn粉末、Ta2O5粉末、SiO2粉末和Co‑Cr粉的粉碎粉。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例8的稳态粉粒数为10.1个，确认低于比较例8的60.2个。另外，实施例8的平均漏磁通密度为67.4%，得到漏磁通密度高于比较例8的65.5%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例8的氧化物的面积率为65%，得到小于比较例8的90%的靶。
另外，实施例8的金属相（B）的平均粒径为80μm，另外，金属相（B）的长径比为1:8，确认为扁平状。与此相对，在比较例8中，金属相（B）的平均粒径为50μm，另外，金属相（B）的长径比为1:3，为扁平状。
可见，在实施例8中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例9、比较例9）
在实施例9中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径5μm的Mo粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、平均粒径1μm的CoO粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为61.5Co‑7Cr‑16.5Pt‑2Mo‑4TiO2‑5SiO2‑4CoO（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Mo粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、CoO粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Mo粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、CoO粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例9中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径5μm的Mo粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、平均粒径1μm的CoO粉末、直径在50~150μm范围内的Co‑Cr粉碎粉。以靶的组成为61.5Co‑7Cr‑16.5Pt‑2Mo‑4TiO2‑5SiO2‑4CoO（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Mo粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、CoO粉末和Co‑Cr粉碎粉。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例9的稳态粉粒数为9.5个，确认低于比较例9的51.5个。另外，实施例9的平均漏磁通密度为39.5%，得到漏磁通密度高于比较例9的38.2%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例9的氧化物的面积率为60%，得到小于比较例9的90%的靶。
另外，实施例9的金属相（B）的平均粒径为80μm，另外，金属相（B）的长径比为1:8，确认为扁平状。与此相对，在比较例8中，金属相（B）的平均粒径为50μm，另外，金属相（B）的长径比为1:3，为扁平状。
可见，在实施例9中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例10、比较例10）
在实施例10中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为68Co‑10Cr‑14Pt‑8TiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例10中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、直径在50~150μm范围内的Co‑Cr粉碎粉。以靶的组成为68Co‑10Cr‑14Pt‑8TiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、TiO2粉末和Co‑Cr粉碎粉。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例10的稳态粉粒数为4.2个，确认低于比较例10的71.2个。另外，实施例10的平均漏磁通密度为43.5%，得到漏磁通密度高于比较例10的41.6%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例10的氧化物的面积率为65%，得到小于比较例10的85%的靶。
另外，实施例10的金属相（B）的平均粒径为30μm，另外，金属相（B）的长径比为1:6，确认为扁平状。与此相对，在比较例8中，金属相（B）的平均粒径为50μm，另外，金属相（B）的长径比为1:3，为扁平状。
可见，在实施例10中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例11、比较例11）
在实施例11中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径1μm的Ta2O5粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为62Co‑15Cr‑17Pt‑2Ta2O5‑4SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ta2O5粉末、SiO2粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ta2O5粉末、SiO2粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例11中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径1μm的Ta2O5粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、直径在50~150μm范围内的Co‑Cr粉碎粉。以靶的组成为62Co‑15Cr‑17Pt‑2Ta2O5‑4SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ta2O5粉末、SiO2粉末和Co‑Cr粉碎粉。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例11的稳态粉粒数为8个，确认低于比较例11的50.5个。另外，实施例11的平均漏磁通密度为60.1%，得到漏磁通密度高于比较例11的58.2%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例11的氧化物的面积率为60%，得到小于比较例11的90%的靶。
另外，实施例11的金属相（B）的平均粒径为70μm，另外，金属相（B）的长径比为1:8，确认为扁平状。与此相对，在比较例11中，金属相（B）的平均粒径为50μm，另外，金属相（B）的长径比为1:3，为扁平状。
可见，在实施例11中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例12、比较例12）
在实施例12中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径30μm的Ti粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、平均粒径1μm的CoO粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为57Co‑17Cr‑17Pt‑2Ti‑5SiO2‑2CoO（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ti粉末、SiO2粉末、CoO粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ti粉末、SiO2粉末、CoO粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例12中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径30μm的Ti粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、平均粒径1μm的CoO粉末、直径在30~150μm范围内的Co‑Cr粉碎粉。以靶的组成为57Co‑17Cr‑17Pt‑2Ti‑5SiO2‑2CoO（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ti粉末、SiO2粉末、CoO粉末和Co‑Cr粉碎粉。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例12的稳态粉粒数为10.1个，确认低于比较例12的90.5个。另外，实施例12的平均漏磁通密度为72.1%，得到漏磁通密度高于比较例11的70.8%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例12的氧化物的面积率为65%，得到小于比较例11的90%的靶。
另外，实施例12的金属相（B）的平均粒径为80μm，另外，金属相（B）的长径比为1:5，确认为扁平状。与此相对，在比较例12中，金属相（B）的平均粒径为50μm，另外，金属相（B）的长径比为1:3，为扁平状。
可见，在实施例12中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
（实施例13、比较例13）
在实施例13中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径100μm的Ta粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、直径在50~150μm范围内的Co雾化粉的粉碎粉。以靶的组成为64Co‑10Cr‑15Pt‑1Ta‑5TiO2‑5SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ta粉末、TiO2粉末、SiO2粉末和Co雾化粉的粉碎粉。
然后，将Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ta粉末、TiO2粉末、SiO2粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。再将所得到的混合粉末与Co雾化粉的粉碎粉利用球容量约7升的行星运动型混合机混合10分钟。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1050℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
在比较例12中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径2μm的Pt粉末、平均粒径100μm的Ta粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、直径在30~150μm范围内的Co‑Cr粉碎粉。以靶的组成为64Co‑10Cr‑15Pt‑1Ta‑5TiO2‑5SiO2（摩尔%）的方式称量这些Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ta粉末、TiO2粉末、SiO2粉末和Co‑Cr粉碎粉。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。另外，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶，对粉粒数进行计数，并测定平均漏磁通密度。结果如表1所示。
如表1所示，实施例13的稳态粉粒数为8.8个，确认低于比较例13的90.5个。另外，实施例13的平均漏磁通密度为59.8%，得到漏磁通密度高于比较例13的57.1%的靶。另外，光学显微镜观察的结果是，实施例13的氧化物的面积率为60%，得到小于比较例13的85%的靶。
另外，实施例13的金属相（B）的平均粒径为70μm，另外，金属相（B）的长径比为1:6，确认为扁平状。与此相对，在比较例13中，金属相（B）的平均粒径为50μm，另外，金属相（B）的长径比为1:3，为扁平状。
可见，在实施例13中，成分组成与周围的组织不同的金属相（B）的最外周起1μm以内存在的氧化物所占的面积率为80%以下。而且，可知，这样的结构的靶，对于抑制溅射时粉粒的产生，并且使侵蚀均匀，同时提高漏磁通密度具有非常重要的作用。
产业实用性
本发明通过调节强磁性材料溅射靶的组织结构，可以显著抑制粉粒的产生，并且可以提高漏磁通。因此，如果使用本发明的靶，则在通过磁控溅射装置溅射时可以得到稳定的放电。另外，可以将靶的厚度增大，因此可以延长靶寿命，可以以低成本制造磁性体薄膜。另外，可以显著提高通过溅射形成的膜的品质。作为磁记录介质的磁性体薄膜、特别是硬盘驱动器记录层的成膜中使用的强磁性材料溅射靶有用。