表面处理铜箔、附载体铜箔、积层板、印刷布线板、电子机器、以及印刷布线板的制造方法.pdf

本发明公开了表面处理铜箔、附载体铜箔、积层板、印刷布线板、电子机器、以及印刷布线板的制造方法。该表面处理铜箔是通过粗化处理而在一个铜箔表面及/或两个铜箔表面形成粗化粒子，粗化处理表面的利用接触式粗糙度计所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.20～0.80μm，粗化处理表面的MD的60度光泽度为76～350％，粗化粒子的表面积A与从铜箔表面侧俯视粗化粒子时所获得的面积B的比A/B为1.90～2.40，粗化处理表面含有选自由Ni、Co所组成的群中的任一种以上的元素，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1400μg/dm2以下，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2400μg/dm2以下。其对于使该铜箔与树脂粘接并通过蚀刻去除该铜箔后的树脂而言，可实现优异的透明性。

权利要求书1.  一种表面处理铜箔，其通过粗化处理而在一个铜箔表面及/或两个铜箔表面形成粗化粒子，粗化处理表面的利用接触式粗糙度计所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.20～0.80μm，粗化处理表面的MD的60度光泽度为76～350％，所述粗化粒子的表面积A与从所述铜箔表面侧俯视所述粗化粒子时所获得的面积B的比A/B为1.90～2.40，粗化处理表面含有选自由Ni、Co所组成的群中的任一种以上的元素，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1400μg/dm2以下，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2400μg/dm2以下。2.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，通过粗化处理而在一个铜箔表面形成粗化粒子，粗化处理表面的利用接触式粗糙度计所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.20～0.80μm，粗化处理表面的MD的60度光泽度为76～350％，所述粗化粒子的表面积A与从所述铜箔表面侧俯视所述粗化粒子时所获得的面积B的比A/B为1.90～2.40，粗化处理表面含有选自由Ni、Co所组成的群中的任一种以上的元素，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1400μg/dm2以下，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2400μg/dm2以下，且对另一个铜箔表面进行有表面处理。3.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，在所述粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1000μg/dm2以下。4.  根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，在所述粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1000μg/dm2以下。5.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，在所述粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为100μg/dm2以上1000μg/dm2以下。6.  根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，在所述粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为100μg/dm2以上1000μg/dm2以下。7.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，在所述粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2000μg/dm2以下。8.  根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，在所述粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2000μg/dm2以下。9.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，在所述粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为300μg/dm2以上2000μg/dm2以下。10.  根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，在所述粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为300μg/dm2以上2000μg/dm2以下。11.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，所述MD的60度光泽度为90～250％。12.  根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，所述MD的60度光泽度为90～250％。13.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，所述利用接触式粗糙度计所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.30～0.60μm。14.  根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，所述利用接触式粗糙度计所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.30～0.60μm。15.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，所述A/B为2.00～2.20。16.  根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，所述A/B的2.00～2.20。17.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，经过所述粗化处理的铜箔表面及/或未经过所述粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.35μm以上。18.  根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，经过所述粗化处理的铜箔表面及/或未经过所述粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.35μm以上。19.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，经过所述粗化处理的铜箔表面及/或未经过所述粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra为0.05μm以上。20.  根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，经过所述粗化处理的铜箔表面及/或未经过所述粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra为0.05μm以上。21.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，经过所述粗化处理的铜箔表面及/或未经过所述粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq为0.08μm以上。22.  根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，经过所述粗化处理的铜箔表面及/或未经过所述粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq为0.08μm以上。23.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，粗化处理表面的MD的60度光泽度与TD的60度光泽度的比C(C＝(MD的60度光泽度)/(TD的60度光泽度))为0.80～1.40。24.  根据权利要求23所述的表面处理铜箔，其中，粗化处理表面的MD的60度光泽度与TD的60度光泽度的比C(C＝(MD的60度光泽度)/(TD的60度光泽度))为0.90～1.35。25.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，将所述铜箔从粗化处理表面侧贴合在厚度50μm的树脂基板的两面后，通过蚀刻将所述两面的铜箔去除时，所述树脂基板的雾度值成为20～70％。26.  根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，将所述铜箔从粗化处理表面侧贴合在厚度50μm的树脂基板的两面后，通过蚀刻将所述两面的铜箔去除时，所述树脂基板的雾度值成为20～70％。27.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，所述粗化处理表面含有选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一种以上。28.  根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其在所述粗化处理表面具备树脂层。29.  根据权利要求28所述的表面处理铜箔，其中，所述树脂层含有介电质。30.  一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层为根据权利要求1至29中任一项所述的表面处理铜箔。31.  根据权利要求30所述的附载体铜箔，其中，将所述附载体铜箔从所述附载体铜箔的极薄铜层的粗化处理表面侧贴合在厚度50μm的树脂基板的两面后，将所述附载体铜箔的载体去除，其后通过蚀刻将贴合在所述树脂基板的两面的极薄铜层去除时，所述树脂基板的雾度值成为20～70％。32.  根据权利要求30所述的附载体铜箔，其在所述载体的两面具备所述极薄铜层。33.  根据权利要求30所述的附载体铜箔，其在所述载体的与所述极薄铜层相反侧具备粗化处理层。34.  一种积层板，其是将根据权利要求1至29中任一项所述的表面处理铜箔或根据权利要求30至33中任一项所述的附载体铜箔与树脂基板进行积层而制造。35.  一种印刷布线板，其使用根据权利要求1至29中任一项所述的表面处理铜箔或根据权利要求30至33中任一项所述的附载体铜箔。36.  一种电子机器，其使用根据权利要求35所述的印刷布线板。37.  一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其将2个以上根据权利要求35所述的印刷布线板进行连接。38.  一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其包括如下步骤：将至少1个根据权利要求35所述的印刷布线板、与另一个根据权利要求35所述的印刷布线板或不属于根据权利要求35所述的印刷布线板的印刷布线板进行连接。39.  一种电子机器，其使用1个以上印刷布线板，该印刷布线板连接有至少1个通过根据权利要求37或38所述的方法而制造的印刷布线板。40.  一种印刷布线板的制造方法，其至少包括如下步骤：将通过根据权利要求37或38所述的方法而制造的印刷布线板与零件进行连接。41.  一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其至少包括如下步骤：将至少1个根据权利要求35所述的印刷布线板、与另一个根据权利要求35所述的印刷布线板或不属于根据权利要求35所述的印刷布线板的印刷布线板进行连接的步骤；及将根据权利要求35所述的印刷布线板或通过根据权利要求37所述的方法而制造的连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板与零件进行连接的步骤。42.  一种印刷布线板的制造方法，其包括如下步骤：准备根据权利要求30至33中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；及将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法而形成电路的步骤。43.  一种印刷布线板的制造方法，其包括如下步骤：在根据权利要求30至33中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；在所述树脂层上形成电路的步骤；在所述树脂层上形成电路后，将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；及将所述载体或所述极薄铜层剥离后，将所述极薄铜层去除，由此使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的掩埋在所述树脂层的电路露出的步骤。44.  根据权利要求43所述的印刷布线板的制造方法，其中，在所述树脂层上形成电路的步骤为如下步骤：将另一附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在所述树脂层上，使用贴合在所述树脂层的附载体铜箔而形成所述电路。45.  根据权利要求44所述的印刷布线板的制造方法，其中，贴合在所述树脂层上的另一附载体铜箔为根据权利要求30至33中任一项所述的附载体铜箔。46.  根据权利要求43至45中任一项所述的印刷布线板的制造方法，其中，在所述树脂层上形成电路的步骤是通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法而进行。47.  根据权利要求43至45中任一项所述的印刷布线板的制造方法，其中，在所述表面形成电路的附载体铜箔在该附载体铜箔的载体侧表面或极薄铜层侧表面具有基板或树脂层。

说明书表面处理铜箔、附载体铜箔、积层板、印刷布线板、电子机器、以及印刷布线板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种表面处理铜箔及使用其的积层板、铜箔、印刷布线板、电子机器、以及印刷布线板的制造方法，特别是涉及一种适合于要求蚀刻铜箔后的残余部分的树脂的透明性的领域的表面处理铜箔及使用其的积层板、铜箔、印刷布线板、电子机器、以及印刷布线板的制造方法。
背景技术
在智能手机或平板PC等小型电子机器中，就布线的容易性或轻量性而言，现采用柔性印刷布线板(以下，FPC(flexible print circuit))。近年来，随着这些电子机器的高功能化，信号传输速度向高速化方向发展，对于FPC而言阻抗匹配也成为重要的要素。作为针对信号容量增加的阻抗匹配的对策，成为FPC的基底的树脂绝缘层(例如，聚酰亚胺)向厚层化方向发展。另一方面，对于FPC，会实施向液晶基材的接合或IC芯片的搭载等加工，但此时的位置对准是经由定位图案而进行，该定位图案是透过在对铜箔与树脂绝缘层的积层板中的铜箔进行蚀刻后残留的树脂绝缘层进行视认，因此树脂绝缘层的视认性变得重要。
另外，作为铜箔与树脂绝缘层的积层板的覆铜积层板也可使用表面实施过粗化镀敷的压延铜箔而制造。该压延铜箔通常是使用韧铜(tough-pitch copper)(含氧量100～500重量ppm)或无氧铜(含氧量10重量ppm以下)作为原材料，对这些的铸块进行热轧后，反复进行冷轧与退火至特定厚度而制造。
作为此种技术，例如专利文献1中揭示有关于覆铜积层板的发明，其是将聚酰亚胺膜与低粗糙度铜箔积层而成，且蚀刻铜箔后的膜在波长600nm的透光率为40％以上，雾度(HAZE)为30％以下，粘接强度为500N/m以上。
另外，专利文献2中揭示有关于COF用柔性印刷布线板的发明，其是具有积层有由电解铜箔形成的导体层的绝缘层，在对该导体层进行蚀刻而形成电路时的蚀刻区域中绝缘层的透光性为50％以上的软膜覆晶(COF)用柔性印刷布线板，其特征在于：所述电解铜箔在粘接于绝缘层上的粘接面具备由镍-锌合金形成的防锈处理层，且该粘接面的表面粗糙度(Rz)为0.05～1.5μm，并且入射角60°的镜面光泽度为250以上。
另外，专利文献3中揭示有关于印刷电路用铜箔的处理方法的发明，其是印刷电路用铜箔的处理方法，其特征在于：在铜箔的表面进行利用铜-钴-镍合金镀敷的粗化处理后，形成钴-镍合金镀层，进一步形成锌-镍合金镀层。
另外，在随着电子机器的高功能化，信号传输速度向高速化方向发展的情况下，对 于高频用基板而言，为了确保输出信号的品质，而要求减少高频用基板的传输损耗。传输损耗主要包括原因在于树脂(基板侧)的介电质损耗、与原因在于导体(铜箔侧)的导体损耗。关于介电质损耗，树脂的介电常数及介质损耗因数变得越小，该介电质损耗越减少。在高频信号时，导体损耗的主要原因在于：频率变得越高，由于电流仅在导体的表面流动的趋肤效应，电流所流过的剖面积越减少，而电阻越变高。
专利文献4中揭示有如下电解铜箔，其特征在于：铜箔的表面的一部分为包含圆块状突起的表面粗糙度为2～4μm的凹凸面。而且记载了据此可提供高频传输特性优异的电解铜箔。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2004-98659号公报
[专利文献2]WO2003/096776
[专利文献3]日本专利第2849059号公报
[专利文献4]日本特开2004-244656号公报。
发明内容
[发明要解决的问题]
专利文献1中，通过黑化处理或镀敷处理后的有机处理剂对粘接性进行改良处理而获得的低粗糙度铜箔在对覆铜积层板要求弯曲性的用途中，有因疲劳而断线的情况，且有树脂透视性差的情况。
另外，在专利文献2中没有进行粗化处理，在COF用柔性印刷布线板以外的用途中，铜箔与树脂的密接强度较低而不充分。
此外，在专利文献3所记载的处理方法中，虽然可对铜箔进行利用Cu-Co-Ni的微细处理，但对于使该铜箔与树脂粘接并通过蚀刻去除该铜箔后的树脂而言，无法实现优异的透明性。
另外，专利文献1～3中，无法实现传输损耗的减少。
专利文献4中，对于使该铜箔与树脂粘接并通过蚀刻去除该铜箔后的树脂而言，无法实现优异的透明性。
本发明提供一种与树脂良好地粘接，且通过蚀刻去除铜箔后的树脂的透明性优异且信号的传输损耗较小的表面处理铜箔及使用其的积层板。
[解决问题的技术手段]
本发明者等人反复进行努力研究，结果发现，在通过粗化处理而在表面形成有粗化粒子的铜箔中，与树脂基板粘接的侧的表面平均粗糙度Rz、光泽度、及粗化粒子的表面积与从铜箔表面侧俯视粗化粒子时所获得的面积的比对将铜箔蚀刻去除后的树脂透明性及信号的传输损耗产生影响。
另外，本发明者等人发现，铜箔的表面处理金属种类及其附着量是对信号的传输损耗产生影响的因素，通过将这些因素与铜箔表面的粗化粒子的个数密度及光泽度一起加 以控制，可获得即便用于高频电路基板，信号的传输损耗仍较小的表面处理铜箔。
基于所述见解而完成的本发明在一个侧面是一种表面处理铜箔，其通过粗化处理而在一个铜箔表面及/或两个铜箔表面形成粗化粒子，粗化处理表面的利用接触式粗糙度计所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.20～0.80μm，粗化处理表面的MD的60度光泽度为76～350％，所述粗化粒子的表面积A与从所述铜箔表面侧俯视所述粗化粒子时所获得的面积B的比A/B为1.90～2.40，粗化处理表面含有选自由Ni、Co所组成的群中的任一种以上的元素，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1400μg/dm2以下，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2400μg/dm2以下。
在本发明的表面处理铜箔的一个实施方式中，通过粗化处理而在一个铜箔表面形成粗化粒子，粗化处理表面的利用接触式粗糙度计所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.20～0.80μm，粗化处理表面的MD的60度光泽度为76～350％，所述粗化粒子的表面积A与从所述铜箔表面侧俯视所述粗化粒子时所获得的面积B的比A/B为1.90～2.40，粗化处理表面含有选自由Ni、Co所组成的群中的任一种以上的元素，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1400μg/dm2以下，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2400μg/dm2以下，且对另一个铜箔表面进行有表面处理。
在本发明的表面处理铜箔的另一个实施方式中，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1000μg/dm2以下。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为100μg/dm2以上1000μg/dm2以下。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2000μg/dm2以下。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为300μg/dm2以上2000μg/dm2以下。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述MD的60度光泽度为90～250％。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，经过所述粗化处理的铜箔表面及/或未经过所述粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.35μm以上。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，经过所述粗化处理的铜箔表面及/或未经过所述粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra为0.05μm以上。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，经过所述粗化处理的铜箔表面及/或未经过所述粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq为0.08μm以上。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，利用所述接触式粗糙度计所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.30～0.60μm。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述A/B为2.00～2.20。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，粗化处理表面的MD的60度光泽度与TD的60度光泽度的比C(C＝(MD的60度光泽度)/(TD的60度光泽度))为0.80～1.40。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，粗化处理表面的MD的60度光泽度与TD的60度光泽度的比C(C＝(MD的60度光泽度)/(TD的60度光泽度))为0.90～1.35。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，将所述铜箔从粗化处理表面侧贴合在厚度50μm的树脂基板的两面后，通过蚀刻将所述两面的铜箔去除时，所述树脂基板的雾度值成为20～70％。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，表面处理铜箔的粗化处理表面含有选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一种以上。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，表面处理铜箔在所述粗化处理表面具备树脂层。
在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述树脂层含有介电质。
本发明在又一个侧面是一种附载体铜箔，其是依序具有载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔，且所述极薄铜层为本发明的表面处理铜箔。
在本发明的附载体铜箔的一个实施方式中，将所述附载体铜箔从所述附载体铜箔的极薄铜层的粗化处理表面侧贴合在厚度50μm的树脂基板的两面后，将所述附载体铜箔的载体去除，其后通过蚀刻将贴合在所述树脂基板的两面的极薄铜层去除时，所述树脂基板的雾度值成为20～70％。
在本发明的附载体铜箔的另一个实施方式中，所述附载体铜箔在所述载体的两面具备所述极薄铜层。
在本发明的附载体铜箔的又一个实施方式中，所述附载体铜箔在所述载体的与所述极薄铜层相反侧具备粗化处理层。
本发明在另一个侧面是一种表面处理铜箔，其通过粗化处理而在铜箔表面形成粗化粒子，将所述铜箔从粗化处理表面侧贴合在厚度50μm的树脂基板的两面后，通过蚀刻将所述两面的铜箔去除时，所述树脂基板的雾度值成为20～70％。
本发明在又一个侧面是一种积层板，其是将本发明的表面处理铜箔或本发明的附载体铜箔与树脂基板进行积层而构成。
本发明在又一个侧面是一种粗化处理前的铜箔，其用于本发明的表面处理铜箔。
在本发明的粗化处理前的铜箔的一个实施方式中，其MD的60度光泽度为500～800％。
本发明在又一个侧面是一种铜箔，其MD的60度光泽度为501～800％。
本发明在又一个侧面是一种印刷布线板，其使用本发明的表面处理铜箔或本发明的附载体铜箔。
本发明在又一个侧面是一种电子机器，其使用本发明的印刷布线板。
本发明在又一个侧面是一种将2个以上本发明的印刷布线板进行连接而制造连接有 2个以上印刷布线板的印刷布线板的方法。
本发明在又一个侧面是一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其包括如下步骤：将至少1个本发明的印刷布线板、与另一个本发明的印刷布线板或不属于本发明的印刷布线板的印刷布线板进行连接。
本发明在又一个侧面是一种电子机器，其使用1个以上印刷布线板，该印刷布线板连接有至少1个通过本发明的方法而制造的印刷布线板。
本发明在又一个侧面是一种印刷布线板的制造方法，其至少包括如下步骤：将通过本发明的方法而制造的印刷布线板与零件进行连接。
本发明在又一个侧面是一种连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板的制造方法，其至少包括如下步骤：将至少1个本发明的印刷布线板、与另一个本发明的印刷布线板或不属于本发明的印刷布线板的印刷布线板进行连接的步骤；及将本发明的印刷布线板或本发明的连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板与零件进行连接的步骤。
本发明在另一个侧面是一种印刷布线板的制造方法，其包括如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；及
将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，
其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法而形成电路的步骤。
本发明在另一个侧面是一种印刷布线板的制造方法，其包括如下步骤：
在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；
以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；
在所述树脂层上形成电路的步骤；
在所述树脂层上形成电路后，将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；及
将所述载体或所述极薄铜层剥离后，将所述极薄铜层去除，
由此使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的掩埋在所述树脂层的电路露出的步骤。
本发明在另一个侧面是一种印刷布线板的制造方法，其中在所述树脂层上形成电路的步骤为如下步骤：将另一附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在所述树脂层上，使用贴合在所述树脂层的附载体铜箔而形成所述电路。
本发明在另一个侧面是一种印刷布线板的制造方法，其中贴合在所述树脂层上的另一附载体铜箔为本发明的附载体铜箔。
本发明在另一个侧面是一种印刷布线板的制造方法，其中在所述树脂层上形成电路的步骤是通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法而进行。
本发明在另一个侧面是一种印刷布线板的制造方法，其中在所述表面形成电路的附载体铜箔在该附载体铜箔的载体侧表面或极薄铜层侧表面具有基板或树脂层。
[发明的效果]
根据本发明，可提供一种与树脂良好地粘接，且通过蚀刻而去除铜箔后的树脂的透明性优异，且信号的传输损耗较小的表面处理铜箔及使用其的积层板。
附图说明
图1a是Rz评价时的(a)比较例1的铜箔表面的SEM观察照片。
图1b是Rz评价时的(b)比较例2的铜箔表面的SEM观察照片。
图1c是Rz评价时的(c)比较例3的铜箔表面的SEM观察照片。
图1d是Rz评价时的(d)比较例4的铜箔表面的SEM观察照片。
图1e是Rz评价时的(e)实施例1的铜箔表面的SEM观察照片。
图1f是Rz评价时的(f)实施例2的铜箔表面的SEM观察照片。
图2A～C是使用本发明的附载体铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例中至电路镀敷-去除抗蚀剂为止的步骤中的布线板剖面的示意图。
图3D～F是使用本发明的附载体铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例中从积层树脂及第2层附载体铜箔至激光开孔为止的步骤中的布线板剖面的示意图。
图4G～I是使用本发明的附载体铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例中从形成导孔填充物至剥离第1层载体为止的步骤中的布线板剖面的示意图。
图5J～K是使用本发明的附载体铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例中从快速蚀刻至形成凸块-铜支柱为止的步骤中的布线板剖面的示意图。
具体实施方式
[表面处理铜箔的形态及制造方法]
作为本发明的一个实施方式的表面处理铜箔对于通过与树脂基板粘接而制作积层体并通过蚀刻而去除的铜箔有用。
在本发明中使用的铜箔也可为电解铜箔或压延铜箔中的任一种。通常对于铜箔的与树脂基板粘接的面、即粗化面，为了提高积层后的铜箔的剥离强度，也可实施对脱脂后的铜箔表面进行瘤状电沉积的粗化处理。电解铜箔在制造时具有凹凸，但通过粗化处理，使电解铜箔的凸部增大而使凹凸进一步变大。在本发明中，该粗化处理可通过铜-钴-镍合金镀敷或铜-镍-磷合金镀敷等合金镀敷而进行。另外，优选可通过镀铜合金而进行。作为铜合金镀浴，例如优选使用含有铜与1种以上的铜以外的元素的镀浴，更优选含有铜与选自由钴、镍、砷、钨、铬、锌、磷、锰及钼所组成的群中的任一种以上的镀浴。而且，在本发明中，使该粗化处理的电流密度高于以往粗化处理的电流密度，而缩短粗化处理时间。
有时进行通常的镀铜等作为粗化前的预处理，有时也为了防止电沉积物的脱落而进行通常的镀铜等作为粗化后的最终加工处理。在本发明中，亦可进行这样的预处理及最终加工处理。
另外，本申请案发明的铜箔也包括含有1种以上的Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、 Ni、Si、Te、Cr、Nb、V等元素的铜合金箔。如果所述元素的浓度变高(例如合计为10质量％以上)，则有导电率降低的情况。压延铜箔的导电率优选50％IACS以上，更优选60％IACS以上，进而优选80％IACS以上。所述铜合金箔也可含有铜以外的元素合计0mass％以上50mass％以下，也可含有0.0001mass％以上40mass％以下，也可含有0.0005mass％以上30mass％以下，也可含有0.001mass％以上20mass％以下。
另外，在本发明中使用的铜箔也可为依序具有载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔。在本发明中使用附载体铜箔的情况下，在极薄铜层表面进行所述粗化处理。另外，对于附载体铜箔的另一个实施方式，下文进行详细说明。
另外，关于在本发明中使用的铜箔，对于表面处理前的供表面处理的侧的表面而言，必须如下述般具有特定的表面粗糙度Rz(十点平均粗糙度(依据JIS B06011994))以及60度光泽度。
另外，关于在本发明中使用的附载体铜箔的载体，对于供中间层设置的侧的表面而言，必须如下述般具有特定的Rz(十点平均粗糙度(依据JIS B06011994))以及60度光泽度。
另外，本申请案发明的表面处理铜箔的厚度没有特别限定，典型而言为0.5～3000μm，优选1.0～1000μm，优选1.0～300μm，优选1.0～100μm，优选1.0～75μm，优选1.0～40μm，优选1.5～20μm，优选1.5～15μm，优选1.5～12μm，优选1.5～10μm。
作为粗化处理的铜-钴-镍合金镀敷可以通过电解镀敷而形成如附着量为15～40mg/dm2的铜-250～2000μg/dm2的钴-50～1000μg/dm2的镍的三元系合金层的方式实施。如果Co附着量小于250μg/dm2，则有耐热性变差，蚀刻性变差的情况。如果Co附着量超过2000μg/dm2，则信号的传输损耗变大。另外，有产生蚀刻斑，或耐酸性及耐化学品性变差的情况。如果Ni附着量小于50μg/dm2，则有耐热性变差的情况。另一方面，如果Ni附着量超过1000μg/dm2，则信号的传输损耗变大。另外，有蚀刻残留物变多的情况。Co附着量优选300～1800μg/dm2，镍附着量优选100～800μg/dm2。此处，所谓蚀刻斑是指在利用氯化铜进行蚀刻的情况下，Co未溶解而残留的情况，而且，所谓蚀刻残留物是指在利用氯化铵进行碱性蚀刻的情况下，Ni未溶解而残留的情况。
用以形成此种三元系铜-钴-镍合金镀敷的镀浴及镀敷条件的一例如下：
镀浴组成：Cu10～20g/L、Co1～10g/L、Ni1～10g/L
pH值：1～4
温度：30～50℃
电流密度Dk：25～50A/dm2
镀敷时间：0.2～3.0秒
在本发明的一个实施方式中，在粗化处理中，使粗化处理的电流密度高于以往粗化处理条件的电流密度，而缩短粗化处理时间。
粗化处理后，也可在粗化处理面上设置选自耐热层、防锈层及耐候性层的群的层中的1种以上。另外，各层也可为2层、3层等多层，积层各层的顺序可为任意顺序，也可交替积层各层。
另外，在本发明的表面处理铜箔中所谓“粗化处理表面”是指在粗化处理后，进行用以设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情况下，进行该表面处理后的表面处理铜箔的表面。另外，在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，所谓“粗化处理表面”是指在粗化处理后，进行用以设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情况下，进行该表面处理后的极薄铜层的表面。
此处，作为耐热层，可使用公知的耐热层。另外，例如可使用以下的表面处理。
作为耐热层、防锈层，可使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层也可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上的元素的层，也可为包含选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上的元素的金属层或合金层。另外，耐热层及/或防锈层也可含有包含选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上的元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐热层及/或防锈层也可为含有镍-锌合金的层。另外，耐热层及/或防锈层也可为镍-锌合金层。所述镍-锌合金层也可为除不可避免的杂质以外，还含有镍50wt％～99wt％、锌50wt％～1wt％的镍-锌合金层。所述镍-锌合金层的锌及镍的合计附着量也可为5～1000mg/m2，优选10～500mg/m2，更优选20～100mg/m2。另外，所述含有镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量与锌的附着量的比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选1.5～10。另外，所述含有镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量优选0.5mg/m2～500mg/m2，更优选1mg/m2～50mg/m2。在耐热层及/或防锈层为含有镍-锌合金的层的情况下，通孔或导孔等的内壁部与除胶渣液接触时，铜箔与树脂基板的界面难以被除胶渣液腐蚀，而铜箔与树脂基板的密接性提高。防锈层也可为铬酸盐处理层。铬酸盐处理层可使用公知的铬酸盐处理层。例如，所谓铬酸盐处理层是指利用含有铬酸酐、铬酸、重铬酸、铬酸盐或重铬酸盐的液体进行处理的层。铬酸盐处理层也可含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(也可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可列举：纯铬酸盐处理层或铬酸锌处理层等。在本发明中，将利用铬酸酐或重铬酸钾水溶液进行处理的铬酸盐处理层称为纯铬酸盐处理层。另外，在本发明中，将利用含有铬酸酐或重铬酸钾及锌的处理液进行处理的铬酸盐处理层称为铬酸锌处理层。
例如，耐热层及/或防锈层也可为依序积层附着量为1mg/m2～100mg/m2、优选5mg/m2～50mg/m2的镍或镍合金层，与附着量为1mg/m2～80mg/m2、优选5mg/m2～40mg/m2的锡层而成的耐热层及/或防锈层，所述镍合金层也可由镍-钼、镍-锌、镍-钼-钴中的任一种构成。另外，耐热层及/或防锈层的镍或镍合金与锡的合计附着量优选2mg/m2～150mg/m2，更优选10mg/m2～70mg/m2。另外，耐热层及/或防锈层优选[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选0.33～3。如果使用该耐热层及/或防锈层，则将附载体铜箔加工为印刷布线板以后的电路的剥离强度、及该剥离强度的耐化学品性劣化率等变得良好。
另外，可形成附着量为200～2000μg/dm2的钴-50～700μg/dm2的镍的钴-镍合金镀层 作为耐热层及/或防锈层。该处理在广义上可视为一种防锈处理。该钴-镍合金镀层必须进行至不使铜箔与基板的粘接强度实质性降低的程度。如果钴附着量小于200μg/dm2，则有耐热剥离强度降低，耐氧化性及耐化学品性变差的情况。另外，作为另一原因，如果钴量较少，则处理表面泛红，所以不佳。如果钴附着量超过2000μg/dm2，则信号的传输损耗变大，所以不佳。另外，有产生蚀刻斑的情况，另外，有耐酸性及耐化学品性变差的情况。作为耐热层及/或防锈层，钴附着量优选500～1000μg/dm2。另一方面，如果镍附着量小于100μg/dm2，则有耐热剥离强度降低，而耐氧化性及耐化学品性变差的情况。如果镍超过1000μg/dm2，则信号的传输损耗变大。作为耐热层及/或防锈层，镍附着量优选100～600μg/dm2。
另外，钴-镍合金的镀敷条件的一例如下：
镀浴组成：Co1～20g/L、Ni1～20g/L
pH值：1.5～3.5
温度：30～80℃
电流密度Dk：1.0～20.0A/dm2
镀敷时间：0.5～4秒
另外，也可在所述钴-镍合金镀层上进一步形成附着量为30～250μg/dm2的锌镀层。如果锌附着量小于30μg/dm2，则有耐热劣化率改善效果消失的情况。另一方面，如果锌附着量超过250μg/dm2，则有耐盐酸劣化率极度变差的情况。锌附着量优选30～240μg/dm2，更优选80～220μg/dm2。
所述镀锌的条件的一例如下：
镀浴组成：Zn100～300g/L
pH值：3～4
温度：50～60℃
电流密度Dk：0.1～0.5A/dm2
镀敷时间：1～3秒
另外，也可形成锌-镍合金镀层等镀锌合金层来代替锌镀层，还可在最表面通过铬酸盐处理或硅烷偶联剂的涂布等而形成防锈层或耐候性层。
可使用公知的耐候性层作为耐候性层。另外，作为耐候性层，例如可使用公知的硅烷偶联处理层，另外，可使用利用以下的硅烷所形成的硅烷偶联处理层。
硅烷偶联处理所使用的硅烷偶联剂可使用公知的硅烷偶联剂，例如可使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂、巯基系硅烷偶联剂。另外，硅烷偶联剂也可使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。
所述硅烷偶联处理层也可使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶联剂等而形成。另外，此种硅烷偶联剂也可混合2种以上而使用。 其中，优选为使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂所形成的硅烷偶联处理层。
此处所谓氨基系硅烷偶联剂，也可为选自由N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、氨基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(3-丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三(2-乙基己氧基)硅烷、6-(氨基己基氨基丙基)三甲氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、3-(1-氨基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、ω-氨基十一烷基三甲氧基硅烷、3-(2-N-苄基氨基乙基氨基丙基)三甲氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N-二甲基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷所组成的群中的氨基系硅烷偶联剂。
硅烷偶联处理层较理想为以硅原子换算计，在0.05mg/m2～200mg/m2、优选0.15mg/m2～20mg/m2、优选0.3mg/m2～2.0mg/m2的范围内进行设置。在为所述范围的情况下，可使基材树脂与表面处理铜箔的密接性更为提高。
[表面粗糙度Rz]
本发明的表面处理铜箔是通过粗化处理而在一个铜箔表面及/或两个铜箔表面形成粗化粒子，且粗化处理表面的利用接触式粗糙度计所测得的TD(与压延方向垂直的方向(铜箔的宽度方向)，在表面处理铜箔为电解铜箔时，为与电解铜箔制造装置中的铜箔的前进方向垂直的方向)的平均粗糙度Rz为0.20～0.80μm。通过此种构成，剥离强度变高，与树脂良好地粘接，且通过蚀刻去除铜箔后的树脂的雾度(雾度值)变小，透明性变高。其结果为，经由透过该树脂视认的定位图案所进行的IC芯片搭载时的位置对准等变得更容易。另外，表面的凹凸非常小，因此相当于电子流过的长度的表面处理铜箔表面的长度变短，而传输损耗变小。如果TD的十点平均粗糙度Rz小于0.20μm，产生用以制造超平滑铜箔的制造成本的顾虑。另一方面，如果TD的十点平均粗糙度Rz超过0.80μm，则通过蚀刻去除铜箔后的树脂表面的凹凸变大，结果树脂的雾度值变大。粗化处理表面的TD的十点平均粗糙度Rz优选0.30～0.70μm，更优选0.35～0.60μm，进而更优选0.35～0.55μm，进而更优选0.35～0.50μm。另外，在本发明的表面处理铜箔中，所谓“粗化处理表面”是指粗化处理后，进行用以设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情况下，进行该表面处理后的表面处理铜箔的表面。另外，在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，所谓“粗化处理表面”是指粗化处理后，进行用以设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情况下，进行该表面处理后的极薄铜层的表面。
另外，在将本发明的表面处理铜箔用于必须使Rz变小的用途的情况下，粗化处理表面的TD的十点平均粗糙度Rz优选0.20～0.70μm，更优选0.25～0.60μm，进而更优选0.30～0.55μm，进而更优选0.30～0.50μm。
另外，为了如所述般控制粗化粒子的尺寸与个数密度，必须如下述般将表面处理前的铜箔(在表面处理铜箔为附载体铜箔的情况下，为载体)的表面粗糙度Rz与光泽度设为特定范围，进而进行利用合金镀敷的粗化处理，使该粗化处理镀敷的电流密度高于以往粗化处理的电流密度，而使粗化处理镀敷时间短于以往粗化处理镀敷时间。
[表面处理铜箔表面的Ni、Co的附着量]
关于本发明的表面处理铜箔，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1400μg/dm2以下，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2400μg/dm2以下。此处，所谓粗化处理表面的Ni及Co的附着量是指形成在铜箔表面的全部表面处理层所含有的Ni及Co的合计附着量。例如在铜箔的表面设置有粗化处理层、耐热层1、耐热层2、防锈层、耐候性层的情况下，是指作为形成在铜箔表面的表面处理层的粗化处理层、耐热层1、耐热层2、防锈层、耐候性层所含有的Ni及Co的附着量的合计附着量。
通过发明者等人的研究，明确表面处理层中的特定金属的附着量对传输损耗产生明显影响。通过本发明者的研究，明确所述表面处理金属种类中，特别是透磁率相对较高而导电率相对较低的Co、Ni对传输损耗产生影响。因此，为了减少传输损耗，有效的是如所述般限制Ni及/或Co的附着量。
如果Ni的附着量变得大于1400μg/dm2，则传输损耗变大，所以不佳。另外，如果Co的附着量变得大于2400μg/dm2，则传输损耗变大，所以不佳。
为了更为减少传输损耗，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量优选1000μg/dm2以下，优选为900μg/dm2以下，优选800μg/dm2以下，更优选为700μg/dm2以下。
另外，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量优选100μg/dm2以上，优选120μg/dm2以上，更优选150μg/dm2以上。其原因在于：在Ni的附着量小于100μg/dm2的情况下，有耐热性较差的情况。
为了更为减少传输损耗，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量优选2000μg/dm2以下，优选1800μg/dm2以下，优选1600μg/dm2以下，更优选1400μg/dm2以下。
另外，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量优选300μg/dm2以上，优选350μg/dm2以上，更优选为400μg/dm2以上。其原因在于：在Co的附着量小于300μg/dm2的情况下，有耐热性较差的情况。
另外，为了将Ni、Co的附着量控制在上述范围内，有效的是控制粗化处理镀敷或耐热层等的表面处理(镀敷)液中的Ni、Co浓度、以及表面处理时的电流密度、表面处理时间。如果使表面处理(镀敷)液中的Ni、Co的浓度变高，则可使Ni、Co附着量增大。另外，如果使Ni、Co的浓度变低，则可使Ni、Co附着量减小。另外，如果使表面处理时的电流密度变高，及/或使表面处理时间变长，则可使Ni、Co附着量增大。另外，如果使表面处理时的电流密度变低，及/或使表面处理时间变短，则可使Ni、Co附着量减小。
另外，关于本发明的表面处理铜箔，可通过粗化处理而在一个铜箔表面形成粗化粒子，粗化处理表面的利用接触式粗糙度计所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.20～0.80μm，粗化处理表面的MD的60度光泽度为76～350％，所述粗化粒子的表面积A与从所述铜箔表面侧俯视所述粗化粒子时所获得的面积B的比A/B为1.90～2.40，粗化处理表面含有选自由Ni、Co所组成的群中的任一种以上的元素，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1400μg/dm2以下，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2400μg/dm2以下，且也对另一个铜箔表面进行有表面处理。
关于本发明的表面处理铜箔，其经粗化处理的铜箔表面及/或未经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz优选0.35μm以上。通过此种构成，可更良好地抑制如下问题：由于使铜箔与保护膜之间的接触面积更为增大，故而在与树脂基板的积层步骤时保护膜贴附在铜箔。本发明的表面处理铜箔的经粗化处理的铜箔表面及/或未经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz更优选0.40μm以上，进而更优选0.50μm以上，进而更优选0.60μm以上，进而更优选0.80μm以上。另外，本发明的表面处理铜箔的经粗化处理的铜箔表面及/或未经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz的上限无需特别限定，典型而言为4.0μm以下，更典型而言为3.0μm以下，典型而言为2.5μm以下，典型而言为2.0μm以下。
关于本发明的表面处理铜箔，其经粗化处理的铜箔表面及/或未经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra优选0.05μm以上。通过此种构成，可更良好地抑制如下问题：由于使铜箔与保护膜之间的接触面积更为增大，故而在与树脂基板的积层步骤时保护膜贴附在铜箔。本发明的表面处理铜箔的经粗化处理的铜箔表面及/或未经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra更优选0.08μm以上，进而更优选0.10μm以上，进而更优选0.20μm以上，进而更优选0.30μm以上。另外，本发明的表面处理铜箔的经粗化处理的铜箔表面及/或未经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra的上限无需特别限定，典型而言为0.80μm以下，更典型而言为0.65μm以下，更典型而言为0.50μm以下，更典型而言为0.40μm以下。
关于本发明的表面处理铜箔，其经粗化处理的铜箔表面及/或未经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq优选0.08μm以上。通过此种构成，可更良好地抑制如下问题：由于使铜箔与保护膜之间的接触面积更为增大，故而在与树脂基板的积层步骤时保护膜贴附在铜箔。本发明的表面处理铜箔的经粗化处理的铜箔表面及/或未经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq更优选0.10μm以上，进而更优选0.15μm以上，进而更优选0.20μm以上，进而更优选0.30μm以上。另外，本发明的表面处理铜箔的经粗化处理的铜箔表面及/或未经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显 微镜所测得的TD的均方根高度Rq的上限无需特别限定，典型而言为0.80μm以下，更典型而言为0.60μm以下，更典型而言为0.50μm以下，更典型而言为0.40μm以下。
未经粗化处理的铜箔表面也可实施通过镀敷(正常镀敷，并非粗化镀敷的镀敷)而设置耐热层或防锈层的处理。
关于粗化处理，例如可使用含有硫酸铜与硫酸水溶液的镀敷液而进行粗化处理，另外，也可使用由硫酸铜与硫酸水溶液所组成的镀敷液而进行粗化处理。也可为铜-钴-镍合金镀敷或铜-镍-磷合金镀敷、镀镍-锌合金等合金镀敷。另外，优选可通过镀铜合金而进行。作为铜合金镀浴，例如优选使用含有铜与1种以上的铜以外的元素的镀浴、更优选含有铜与选自由钴、镍、砷、钨、铬、锌、磷、锰及钼所组成的群中的任一种以上的镀浴。
另外，也可使用所述粗化处理以外的粗化处理，在并非粗化处理的情况下，也可使用所述镀敷处理以外的表面处理。
作为用以在表面形成凹凸的表面处理，也可进行利用电解研磨的表面处理。例如在由硫酸铜与硫酸水溶液所组成的溶液中，对铜箔的另一表面进行电解研磨，由此可在铜箔的另一表面形成凹凸。通常电解研磨以平滑化为目的，但对于本发明的铜箔的另一表面的表面处理而言，通过电解研磨而形成凹凸，因此是与通常想法相反的想法。通过电解研磨而形成凹凸的方法也可利用公知的技术进行。作为用以形成所述凹凸的电解研磨的公知技术的例，可列举：日本特开2005-240132、日本特开2010-059547、日本特开2010-047842所记载的方法。作为利用电解研磨形成凹凸的处理的具体条件，例如可列举：
·处理溶液：Cu：20g/L、H2SO4：100g/L、温度：50℃
·电解研磨电流：15A/dm2
·电解研磨时间：15秒
等。
作为用以在另一表面形成凹凸的表面处理，例如也可通过对另一表面进行机械研磨而形成凹凸。机械研磨也可利用公知的技术进行。
另外，也可在本发明的表面处理铜箔的另一表面处理后，设置耐热层或防锈层或耐候性层。耐热层或防锈层及耐候性层可利用所述记载或实验例记载的方法形成，也可利用公知的技术方法形成。
[光泽度]
表面处理铜箔的粗化处理面的压延方向(MD，Machine direction)的在入射角60度的光泽度对所述树脂的雾度值与信号的传输损耗产生较大影响。即，粗化处理面的光泽度越是大的铜箔，所述树脂的雾度值变得越小，信号的传输损耗变得越小。因此，本发明的表面处理铜箔的粗化面的光泽度为76～350％，优选80～350％，优选为90～300％，更优选为90～250％，更优选100～250％。
此处，为了获得本发明的视认性的效果以及减少传输损耗的效果，必须事先控制表面处理前的铜箔的处理侧表面(在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，为中间层形成前的载体的设置中间层侧的表面)的TD(与压延方向垂直的方向(铜箔的 宽度方向)，在电解铜箔时，为与电解铜箔制造装置中的铜箔的前进方向垂直的方向)的粗糙度(Rz(是指十点平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)；在本案说明书中相同))及光泽度(是指60度光泽度(依据JIS Z8741进行测定)；在本案说明书中相同)。具体而言，如果表面处理前的铜箔(在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，为中间层形成前的载体)的TD的表面粗糙度(Rz)为0.30～0.80μm，优选0.30～0.50μm，且压延方向(MD，于电解铜箔时为电解铜箔制造装置中的铜箔的前进方向)的在入射角60度的光泽度为350～800％，优选500～800％，进而使用铜合金镀浴(含有铜与1种以上的铜以外的元素的镀浴、更优选含有铜与选自由钴、镍、砷、钨、铬、锌、磷、锰及钼所组成的群中的任一种以上的镀浴)作为用以粗化处理的镀敷，且使该粗化处理的电流密度高于以往粗化处理的电流密度，使粗化处理时间短于以往粗化处理的处理时间，则进行表面处理后的表面处理铜箔的压延方向(MD)的在入射角60度的光泽度成为76～350％，另外，可将粗化处理表面的表面粗糙度Rz、及粗化粒子的表面积A与从所述铜箔表面侧俯视所述粗化粒子时所获得的面积B的比A/B控制在本发明的特定范围内。作为此种铜箔(在表面处理铜箔为附载体铜箔的情况下，是指载体；以下相同)，可通过调整辊轧油的油膜当量进行压延(高光泽压延)、或者如化学蚀刻的化学研磨或磷酸溶液中的电解研磨而制作。另外，此种铜箔可通过在特定的电解液、特定的电解条件下制造电解铜箔而制作。
另外，在欲使表面处理后的压延方向(MD)的在入射角60度的光泽度变得更高(例如压延方向(MD)的在入射角60度的光泽度＝350％)的情况下，将表面处理前的铜箔的处理侧表面的TD的粗糙度(Rz)设为0.18～0.80μm、优选0.25～0.50μm，将压延方向(MD)的在入射角60度的光泽度设为350～800％、优选500～800％，进而使用铜合金镀浴(含有铜与1种以上的铜以外的元素的镀浴、更优选含有铜与选自由钴、镍、砷、钨、铬、锌、磷、锰及钼所组成的群中的任一种以上的镀浴)作为用以粗化处理的镀敷，且使该粗化处理的电流密度高于以往粗化处理的电流密度，而缩短粗化处理时间。
另外，高光泽压延可通过将下式所规定的油膜当量设为13000以上～24000以下而进行。另外，在欲使表面处理后的压延方向(MD)的在入射角60度的光泽度变得更高(例如压延方向(MD)的在入射角60度的光泽度＝350％)的情况下，通过将下式所规定的油膜当量设为12000以上～24000以下而进行高光泽压延。
油膜当量＝{(辊轧油粘度[cSt])×(穿过速度[mpm]+辊周边速度[mpm])}/{(辊的咬角[rad])×(材料的降伏应力[kg/mm2])}
辊轧油粘度[cSt]是在40℃的动粘度。
为了将油膜当量设为12000～24000，只要使用如下公知的方法即可，即使用低粘度的辊轧油，或者使穿过速度变慢等。
化学研磨是利用硫酸-过氧化氢-水系或氨-过氧化氢-水系等蚀刻液，使浓度低于通常的浓度，耗费长时间进行。
另外，可用于本发明的电解铜箔的制造条件等如下。
·电解液组成
铜：80～120g/L
硫酸：80～120g/L
氯：30～100ppm
均化剂1(双(三磺丙基)二硫化物)：10～30ppm
均化剂2(胺化合物)：10～30ppm
所述胺化合物可使用以下的化学式的胺化合物。

(所述化学式中，R1及R2为选自由羟烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的群中的基团)。
另外，关于本发明所使用的除胶渣处理、电解、表面处理或镀敷等所使用的处理液的剩余部分，只要没有特别明记则为水。
·制造条件
电流密度：70～100A/dm2
电解液温度：50～65℃
电解液线速：1.5～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟(根据析出的铜厚、电流密度进行调整)
另外，可使用JX日矿日石金属股份有限公司制造的电解铜箔HLP箔作为可用于本发明的电解铜箔。
粗化处理表面的MD的60度光泽度与TD的60度光泽度的比C(C＝(MD的60度光泽度)/(TD的60度光泽度))优选0.80～1.40。如果粗化处理表面的MD的60度光泽度与TD的60度光泽度的比C小于0.80，则有雾度值变得高于该比C为0.80以上的情况之虞。另外，如果该比C超过1.40，则有雾度值变得高于该比C为1.40以下的情况之虞。该比C更优选0.90～1.35，进而更优选1.00～1.30。
[雾度值]
关于本发明的表面处理铜箔，因如所述般控制该表面处理铜箔的粗化处理表面的平均粗糙度Rz及光泽度，故将铜箔贴合在树脂基板后，将铜箔去除的部分的树脂基板的雾度值变小。此处，雾度值(％)是由(扩散透过率)/(总透光率)×100算出的值。具体而言，在本发明的表面处理铜箔从粗化处理表面侧贴合在厚度50μm的树脂基板的两 面后，通过蚀刻将该铜箔去除时，树脂基板的雾度值优选20～70％，更优选30～55％。
[粒子的表面积]
粗化粒子的表面积A与从铜箔表面侧俯视粗化粒子时所获得的面积B的比A/B对所述树脂的雾度值产生较大影响。即，如果表面粗糙度Rz相同，则比A/B越是小的铜箔，所述树脂的雾度值变得越小。因此，本发明的表面处理铜箔的该比A/B为1.90～2.40，优选2.00～2.20。
通过控制粒子形成时的电流密度与镀敷时间，从而粒子的形态或形成密度固定，而可控制所述表面粗糙度Rz、光泽度及粒子的面积比A/B。
关于本发明的表面处理铜箔，如所述般将粗化粒子的表面积A与从铜箔表面侧俯视粗化粒子时所获得的面积B的比A/B控制在1.90～2.40，从而表面的凹凸一定程度存在。另外，因将粗化处理表面的TD的十点平均粗糙度Rz控制在0.20～0.80μm，故在表面没有极端粗糙的部分。另一方面，粗化处理表面的光泽度高至76～350％。可知如果考虑这些情况，则本发明的表面处理铜箔将粗化处理表面中的粗化粒子的粒径控制为较小。该粗化粒子的粒径对将铜箔蚀刻去除后的树脂透明性产生影响，但就本发明的表面处理铜箔而言，如所述般将与树脂基板粘接的侧的表面平均粗糙度Rz、光泽度、及粗化粒子的表面积与从铜箔表面侧俯视粗化粒子时所获得的面积的比控制在本发明的范围内是指使粗化粒子的粒径在适当范围内变小，因此，将铜箔蚀刻去除后的树脂透明性变得更为良好，并且剥离强度也变得更为良好。因粗化粒子的粒径在适当范围内较小，故虽表面的凹凸一定程度存在，但没有较大的凹凸，因此相当于电子流过的长度的表面处理铜箔表面的长度变短，而传输损耗变小。
[蚀刻因子]
在使用铜箔形成电路时的蚀刻因子的值较大的情况下，在蚀刻时产生的电路的底部的裙状底部变小，因此可使电路间的空间变窄。因此，蚀刻因子的值较大者适合利用精细图案的电路形成，故而优选。关于本发明的表面处理铜箔，例如蚀刻因子的值优选1.8以上，优选2.0以上，优选2.2以上，优选2.3以上，更优选2.4以上。
另外，在印刷布线板或覆铜积层板中，使树脂溶解并将该树脂去除，由此可针对铜电路或铜箔表面测定所述的表面粗糙度(Rz)、粒子的面积比(A/B)、及光泽度。
[传输损耗]
在传输损耗小的情况下，以高频进行信号传输时的信号的衰减得到抑制，因此在以高频进行信号传输的电路中可进行稳定的信号传输。因此，传输损耗的值较小的铜箔适合用于以高频进行信号传输的电路用途，故而优选。在将表面处理铜箔与市售的液晶聚合物树脂(Kuraray(股)制造的Vecstar CTZ-50μm)贴合后，通过蚀刻以特性阻抗成为50Ω的方式形成微波传输带线路，并使用HP公司制造的网络分析仪HP8720C测定透过系数，而求出在频率20GHz及频率40GHz的传输损耗的情况下，在频率20GHz的传输损耗优选为小于5.0dB/10cm，更优选为小于4.1dB/10cm，进而更优选为小于3.7dB/10cm。
[耐热性]
在耐热性较高的情况下，即便置于高温环境下，表面处理铜箔与树脂的密接性仍难以变差，在高温环境下仍可使用，故而优选。
在本申请案中以剥离强度保持率对耐热性进行评价。在将表面处理铜箔的经表面处理的侧的表面积层于附层压用热硬化性粘接剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的Upilex)后时、与在150℃加热168小时后时，依据IPC-TM-650，利用拉伸试验机Autograph100，对常态剥离强度与在150℃加热168小时后的剥离强度进行测定。
然后，算出由下式表示的剥离强度保持率。
剥离强度保持率(％)＝在150℃加热168小时后的剥离强度(kg/cm)/常态剥离强度(kg/cm)×100
而且，剥离强度保持率优选50％以上，更优选60％以上，进而更优选为70％以上。
[附载体铜箔]
作为本发明的另一个实施方式的附载体铜箔具备：载体、积层在载体上的中间层、及积层在中间层上的极薄铜层。而且，所述极薄铜层是作为所述的本发明的一个实施方式的表面处理铜箔。另外，附载体铜箔也可依序具备载体、中间层及极薄铜层。附载体铜箔也可在载体侧表面及极薄铜层侧表面中的任一面或两面具有粗化处理层等表面处理层。
在附载体铜箔的载体侧表面设置有粗化处理层的情况下，具有如下优点，即将附载体铜箔自该载体侧的表面侧积层于树脂基板等支持体时，载体与树脂基板等支持体变得难以剥离。
＜载体＞
可用于本发明的载体典型而言，为金属箔或树脂膜，例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜(例如聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP，liquid crystal polymer)膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET，polyethylene terephthalate)膜、聚酰胺膜、聚酯膜、氟树脂膜等)的形态提供。
作为可用于本发明的载体，优选使用铜箔。其原因在于：铜箔的导电率高，因此变得容易形成其后的中间层、极薄铜层。载体典型而言，以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。通常而言，电解铜箔是使铜自硫酸铜镀浴在钛或不锈钢的转筒上电解析出而制造，压延铜箔是反复进行利用压延辊的塑性加工与热处理而制造。作为铜箔的材料，除韧铜或无氧铜等高纯度的铜以外，例如也可使用加入了Sn的铜、加入了Ag的铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金之类的铜合金。
关于可用于本发明的载体的厚度，没有特别限制，只要适当调整为在发挥作为载体的作用的方面上合适的厚度即可，例如可设为12μm以上。但是，如果过厚，则生产成本变高，因此通常优选为设为35μm以下。因此，载体的厚度典型而言，为12～70μm，更为典型而言，为18～35μm。
另外，用于本发明的载体必须如所述般控制形成中间层侧的表面粗糙度Rz以及光泽度。其目的在于控制表面处理后的极薄铜层的粗化处理表面的光泽度、表面粗糙度Rz以及表面积比A/B。
＜中间层＞
在载体上设置中间层。也可于载体与中间层之间设置其他层。在本发明中使用的中间层只要为如下述的构成，则没有特别限定，即在附载体铜箔向绝缘基板积层的步骤前极薄铜层难以自载体剥离，另一方面，在向绝缘基板积层的步骤后极薄铜层变得可自载体剥离。例如，本发明的附载体铜箔的中间层也可含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物所组成的群中的1种或2种以上。另外，中间层也可为多层。
另外，例如，中间层可通过如下方式构成：自载体侧形成包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群的1种元素的单一金属层、或包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群的1种或2种以上的元素的合金层，在其上形成包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群的1种或2种以上的元素的水合物或氧化物的层。
另外，中间层可使用公知的有机物作为所述有机物，另外，优选使用含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的任一种以上。例如，作为具体的含氮有机化合物，优选使用作为具有取代基的三唑化合物的1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-双(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。
含硫有机化合物优选使用巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噻唑钠、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作为羧酸，特别优选使用单羧酸，其中，优选使用油酸、亚麻油酸及次亚麻油酸等。
另外，例如中间层可在载体上依序积层镍、镍-磷合金或镍-钴合金、与铬而构成。镍与铜的粘接力高于铬与铜的粘接力，因此在剥离极薄铜层时，变得在极薄铜层与铬的界面进行剥离。另外，对于中间层的镍而言，期待其有防止铜成分自载体向极薄铜层扩散的阻隔效果。中间层中的镍的附着量优选100μg/dm2以上40000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上4000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上2500μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且小于1000μg/dm2，中间层中的铬的附着量优选5μg/dm2以上100μg/dm2以下。仅在单面设置中间层的情况下，优选为在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。
如果中间层的厚度变得过大，则有中间层的厚度对表面处理后的极薄铜层的粗化处理表面的光泽度以及粗化粒子的尺寸与个数产生影响的情况，因此极薄铜层的粗化处理表面的中间层的厚度优选1～1000nm，优选1～500nm，优选2～200nm，优选2～100nm，更优选3～60nm。另外，也可在载体的两侧设置中间层。
＜极薄铜层＞
在中间层上设置极薄铜层。也可在中间层与极薄铜层之间设置其他层。另外，也可在载体的两侧设置极薄铜层。具有该载体的极薄铜层是作为本发明的一个实施方式的表面处理铜箔。极薄铜层的厚度没有特别限制，通常而言，比载体薄，例如为12μm以下。典型而言，为0.5～12μm，更典型而言，为1.5～5μm。另外，也可在中间层上设置极薄铜层前，为减少极薄铜层的针孔，而进行利用铜-磷合金的预镀敷。在预镀敷中，可列举 焦磷酸铜镀敷液等。
另外，本申请案的极薄铜层是在下述条件下形成。其目的在于：通过形成平滑的极薄铜层，而控制粗化处理的粒子的尺寸及个数，以及粗化处理后的光泽度。
·电解液组成
铜：80～120g/L
硫酸：80～120g/L
氯：30～100ppm
均化剂1(双(三磺丙基)二硫化物)：10～30ppm
均化剂2(胺化合物)：10～30ppm
所述胺化合物可使用以下的化学式的胺化合物。

(所述化学式中，R1及R2为选自由羟烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的群中的基团)。
·制造条件
电流密度：70～100A/dm2
电解液温度：50～65℃
电解液线速：1.5～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟(根据析出的铜厚、电流密度而进行调整)
[粗化处理表面上的树脂层]
也可在本发明的表面处理铜箔的粗化处理表面上具备树脂层。所述树脂层也可为绝缘树脂层。另外，在本发明的表面处理铜箔中所谓“粗化处理表面”是指在粗化处理后，进行用以设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情况下，进行该表面处理后的表面处理铜箔的表面。另外，在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，所谓“粗化处理表面”是指在粗化处理后，进行用以设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情况下，进行该表面处理后的极薄铜层的表面。
所述树脂层可为粘接剂，也可为粘接用的半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)包含如下状态：即便用手指接触其表面也无粘着感，而可重叠该绝缘树脂层进行保管，进而如果受到加热处理，则产生硬化反应。
所述树脂层可为粘接用树脂，即粘接剂，也可为粘接用的半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)包含如下状态：即便用手指接触其表面也无粘着感，而可重叠该绝缘树脂层进行保管，进而如果受到加热处理，则产生硬化反应。
另外，所述树脂层可含有热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。另外，所述树脂层也可含有热塑性树脂。所述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材等。另外，所述树脂层例如也可使用国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成。
另外，所述树脂层的种类没有特别限定，例如可列举含有选自环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚马来酰亚胺化合物、马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、氨基甲酸乙酯树脂、丙烯酸系树脂、聚醚砜(也称为polyethersulphone)、聚醚砜(也称为polyethersulphone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改性环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有可交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改性聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、膦腈系树脂、橡胶改性聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子环氧基、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚合聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂的群中的1种以上的树脂作为优选的所述树脂层的种类。
另外，所述环氧树脂是分子内具有2个以上环氧基的环氧树脂，只要为可用于电气 电子材料用途的环氧树脂，则可使用，没有特别问题。另外，所述环氧树脂优选使用分子内具有2个以上缩水甘油基的化合物而环氧化而成的环氧树脂。另外，可使用选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(brominated)环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改性双酚A型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、三缩水甘油基异氰尿酸酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂的群的1种或混合2种以上而使用，或者可使用所述环氧树脂的氢化物或卤化物。
可使用公知的含有磷的环氧树脂作为所述含磷环氧树脂。另外，所述含磷环氧树脂例如优选为如下环氧树脂，该环氧树脂是以源自分子内具备2个以上环氧基的9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物的形态获得。
使所述树脂层所含有的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK，methyl ethyl ketone)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基赛路苏、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等溶剂中而制成树脂液(树脂清漆)，例如通过辊式涂布法等，将该树脂液涂布在所述表面处理铜箔的粗化处理表面上，继而视需要进行加热干燥，去除溶剂而制成B阶段状态。在干燥中，例如只要使用热风干燥炉即可，干燥温度只要为100～250℃，优选130～200℃即可。也可使用溶剂，使所述树脂层的组成物溶解，而制成树脂固形物成分为3wt％～70wt％、优选3wt％～60wt％、更优选10wt％～40wt％、更优选25wt％～40wt％的树脂液。另外，就环境的观点而言，在现阶段最优选使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂而进行溶解。另外，溶剂优选使用沸点为50℃～200℃的范围的溶剂。
另外，所述树脂层优选为依据MIL标准中的MIL-P-13949G进行测定时的树脂溢流量处于5％～35％的范围内的半硬化树脂膜。
在本案说明书中，所谓树脂溢流量是基于数1，根据依据MIL标准中的MIL-P-13949G，自附带将树脂厚度设为55μm的树脂的表面处理铜箔取4片10cm见方试样，在将该4片试样重叠的状态(积层体)下，在压制温度171℃、压制压14kgf/cm2、压制时间10分钟的条件进行贴合，测定此时的树脂流出重量而获得的结果算出的值。
[数1]

具备所述树脂层的表面处理铜箔(附树脂的表面处理铜箔)是以如下态样使用：将该树脂层重叠于基材后，对整体进行热压接，而使该树脂层热硬化，继而在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，将载体剥离而使极薄铜层露出(当然露出的是该 极薄铜层的中间层侧的表面)，而自表面处理铜箔的与经粗化处理的侧相反侧的表面形成特定的布线图案。
如果使用该附树脂的表面处理铜箔，则可减少制造多层印刷布线基板时预浸体材的使用片数。而且，可使树脂层的厚度为如可确保层间绝缘的厚度，或者即便完全不使用预浸体材也可制造覆铜积层板。另外，此时，也可在基材的表面底涂绝缘树脂而进一步改善表面的平滑性。
另外，在不使用预浸体材的情况下，具有如下优点：节省预浸体材的材料成本，另外，积层步骤也变得简单，因此在经济上变得有利，而且，以仅预浸体材的厚度制造的多层印刷布线基板的厚度变薄，而可制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷布线基板。
该树脂层的厚度优选0.1～120μm。
如果树脂层的厚度变得薄于0.1μm，则有如下情形：粘接力下降，在不经由预浸体材而将该附树脂的表面处理铜箔积层于具备内层材的基材时，变得难以确保内层材的与电路之间的层间绝缘。另一方面，如果使树脂层的厚度厚于120μm，则有如下情形：变得难以以1次涂布步骤形成目标厚度的树脂层，而耗费多余的材料费与步骤数，因此在经济上变得不利。
另外，将具有树脂层的表面处理铜箔用于制造极薄的多层印刷布线板的情况下，为了使多层印刷布线板的厚度变小，优选为将所述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm、更优选0.5μm～5μm、更优选1μm～5μm。
另外，在树脂层含有介电质的情况下，树脂层的厚度优选0.1～50μm，优选0.5μm～25μm，更优选1.0μm～15μm。
另外，所述树脂层与所述硬化树脂层、半硬化树脂层的总树脂层厚度优选0.1μm～120μm，优选5μm～120μm，优选10μm～120μm，更优选10μm～60μm。而且，硬化树脂层的厚度优选2μm～30μm，优选3μm～30μm，更优选5～20μm。另外，半硬化树脂层的厚度优选3μm～55μm，优选为7μm～55μm，更理想为15～115μm。其原因在于：如果总树脂层厚度超过120μm，则有变得难以制造较薄的多层印刷布线板的情况，如果总树脂层厚度小于5μm，则有产生如下倾向的情况：虽变得容易形成较薄的多层印刷布线板，但内层的电路间的作为绝缘层的树脂层变得过薄，而使内层的电路间的绝缘性变得不稳定。另外，如果硬化树脂层厚度小于2μm，则有必须考虑表面处理铜箔的粗化处理表面的表面粗糙度的情况。反之如果硬化树脂层厚度超过20μm，则有利用经硬化的树脂层的效果没有特别提高的情况，且总绝缘层厚变厚。
另外，在将所述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm的情况下，为了使树脂层与表面处理铜箔的密接性提高，优选为在表面处理铜箔的经粗化处理的表面设置耐热层及/或防锈层及/或耐候性层后，在该耐热层或防锈层或耐候性层上形成树脂层。
另外，所述树脂层的厚度是指在任意10点通过剖面观察而测得的厚度的平均值。
此外，作为该附树脂的表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况的另一制品形态，也可在所述极薄铜层(表面处理铜箔)的粗化处理表面上设置树脂层，使树脂层为 半硬化状态后，继而剥离载体，以不存在载体的附树脂的极薄铜层(表面处理铜箔)的形态进行制造。
在以下表示几个使用本发明的附载体铜箔的印刷布线板的制造步骤的例。
在本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包含：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤、将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤、及将所述附载体铜箔与绝缘基板以极薄铜层侧与绝缘基板对向的方式进行积层后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤形成覆铜积层板，其后，通过半加成法、改进半加成法、部分加成法及减成法中的任一方法而形成电路的步骤。绝缘基板也可设为加入了内层电路的绝缘基板。
在本发明中，所谓半加成法是指在绝缘基板或铜箔籽晶层上进行较薄的无电镀敷，形成图案后，使用镀敷及蚀刻形成导体图案的方法。
因此，在使用半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包含：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
积层所述附载体铜箔与绝缘基板后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；
在由于通过蚀刻将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔的步骤；
针对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
针对含有所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；
在所述无电镀层上设置镀敷阻剂的步骤；
对所述镀敷阻剂进行曝光，其后将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；
在去除了所述镀敷阻剂的形成所述电路的区域设置电解镀层的步骤；
将所述镀敷阻剂去除的步骤；及
通过快速蚀刻等，将存在于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀层去除的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一个实施方式中，包含：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
积层所述附载体铜箔与绝缘基板后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；
针对由于通过蚀刻将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂的表面，设置无电镀层的步骤；
在所述无电镀层上设置镀敷阻剂的步骤；
对所述镀敷阻剂进行曝光，其后将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；
在去除了所述镀敷阻剂的形成所述电路的区域设置电解镀层的步骤；
将所述镀敷阻剂去除的步骤；及
通过快速蚀刻等，将存在于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀层及极薄铜层去除的步骤。
在本发明中，所谓改进半加成法是指在绝缘层上积层金属箔，通过镀敷阻剂保护非电路形成部，通过电解镀敷进行电路形成部的镀铜增厚后，去除抗蚀剂，利用(快速)蚀刻去除所述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路的方法。
因此，在使用改进半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包含：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
积层所述附载体铜箔与绝缘基板后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；
针对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
针对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；
在将所述载体剥离而露出的极薄铜层表面设置镀敷阻剂的步骤；
设置所述镀敷阻剂后，通过电解镀敷形成电路的步骤；
将所述镀敷阻剂去除的步骤；及
通过快速蚀刻，将由于去除所述镀敷阻剂而露出的极薄铜层去除的步骤。
在使用改进半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一个实施方式中，包含：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
积层所述附载体铜箔与绝缘基板后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离而露出的极薄铜层上设置镀敷阻剂的步骤；
对所述镀敷阻剂进行曝光，其后将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；
在去除了所述镀敷阻剂的形成所述电路的区域设置电解镀层的步骤；
将所述镀敷阻剂去除的步骤；
通过快速蚀刻等，将存在于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀层及极薄铜层去除的步骤。
在本发明中，所谓部分加成法是指向设有导体层的基板、视需要穿凿有通孔或导通孔用的孔的基板上赋予触媒核，进行蚀刻而形成导体电路，视需要设置阻焊剂或镀敷阻剂后，通过无电镀敷处理，而在所述导体电路上，对通孔或导通孔等进行增厚，由此制造印刷布线板的方法。
因此，在使用部分加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包含：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
积层所述附载体铜箔与绝缘基板后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；
针对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
向含有所述通孔或/及盲孔的区域赋予触媒核的步骤；
在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对所述蚀刻阻剂进行曝光，而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将所述极薄铜层及所述触媒核去除而形成电路的步骤；
将所述蚀刻阻剂去除的步骤；
在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将所述极薄铜层及所述触媒核去除而露出的所述绝缘基板表面设置阻焊剂或镀敷阻剂的步骤；及
在未设置所述阻焊剂或镀敷阻剂的区域设置无电镀层的步骤。
在本发明中，所谓减成法是指通过蚀刻等，将覆铜积层板上的铜箔的不要部分有选择地去除，而形成导体图案的方法。
因此，在使用减成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包含：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
积层所述附载体铜箔与绝缘基板后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；
针对含有所述通孔及/或盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
针对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；
在所述无电镀层的表面设置电解镀层的步骤；
在所述电解镀层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对所述蚀刻阻剂进行曝光，而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将所述极薄铜层及所述无电镀层及所述电解镀层去除，而形成电路的步骤；及
将所述蚀刻阻剂去除的步骤。
在使用减成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一个实施方式中，包含：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
积层所述附载体铜箔与绝缘基板后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；
针对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
针对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；
在所述无电镀层的表面形成掩模的步骤；
在未形成掩模的所述无电镀层的表面设置电解镀层的步骤；
在所述电解镀层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对所述蚀刻阻剂进行曝光，而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将所述极薄铜层及所述无电镀层去除，而形成电路的步骤；及
将所述蚀刻阻剂去除的步骤。
设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤也可不进行。
另外，本发明的印刷布线板的制造方法也可为如下印刷布线板的制造方法，该制造方法包含：在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；
以将所述电路掩埋的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；
在所述树脂层上形成电路的步骤；
在所述树脂层上形成电路后，将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤、及
在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，将所述极薄铜层或所述载体去除，由此使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的掩埋在所述树脂层的电路露出的步骤。
此处，使用图式，对使用本发明的附载体铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例详细地进行说明。另外，在此处，以具有形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔为例进行说明，但并不限于其，使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔，也可同样地进行下述的印刷布线板的制造方法。
首先，如图2-A所示，准备具有在表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。
其次，如图2-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光、显影，而将抗蚀剂蚀刻为特定形状。
其次，如图2-C所示，形成电路用的镀敷后，将抗蚀剂去除，由此形成特定形状的电路镀层。
其次，如图3-D所示，以覆盖电路镀层的方式(掩埋电路镀层的方式)在极薄铜层上设置掩埋树脂而积层树脂层，其次，使另一片附载体铜箔(第2层)自极薄铜层侧粘接。
其次，如图3-E所示，自第2层的附载体铜箔剥离载体。
其次，如图3-F所示，在树脂层的特定位置进行激光开孔，使电路镀层露出而形成盲孔。
其次，如图4-G所示，向盲孔埋入铜而形成导孔填充物。
其次，如图4-H所示，在导孔填充物上，如所述图1-B及图1-C般形成电路镀层。
其次，如图4-I所示，自第1层的附载体铜箔剥离载体。
其次，如图5-J所示，通过快速蚀刻将两表面的极薄铜层去除，而使树脂层内的电路镀层的表面露出。
其次，如图5-K所示，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，在该焊料上形成铜支柱。以所述方式制作使用本发明的附载体铜箔的印刷布线板。
所述另一片附载体铜箔(第2层)可使用本发明的附载体铜箔，也可使用以往的附载体铜箔，进而也可使用通常的铜箔。另外，也可在图4-H所示的第2层的电路上进一步形成1层或多层的电路，也可通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中 的任一方法进行这些的电路形成。
本发明的附载体铜箔优选为以满足以下(1)的方式控制极薄铜层表面的色差。在本发明中所谓“极薄铜层表面的色差”是表示极薄铜层的表面的色差、或在实施有粗化处理等各种表面处理的情况下，该表面处理层表面的色差。即，本发明的附载体铜箔优选为以满足以下(1)的方式控制极薄铜层的粗化处理表面的色差。另外，在本发明的表面处理铜箔中所谓“粗化处理表面”是指在粗化处理后，进行用以设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情况下，进行该表面处理后的表面处理铜箔的表面。另外，在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，所谓“粗化处理表面”是指在粗化处理后，进行用以设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情况下，进行该表面处理后的极薄铜层的表面。
(1)关于极薄铜层表面的色差，基于JIS Z8730的色差ΔE*ab为45以上。
此处，色差ΔL、Δa、Δb是分别利用色差计进行测定，且是加上黑/白/红/绿/黄/蓝，并使用基于JIS Z8730的L*a*b表色系统进行表示的综合指标，以ΔL：白黑、Δa：红绿、Δb：黄蓝的方式进行表示。另外，ΔE*ab使用这些色差，并以下述式进行表示。
ΔE*ab=ΔL2+Δb2+Δb2]]>
所述的色差可通过使形成极薄铜层时的电流密度变高，使镀敷液中的铜浓度变低，使镀敷液的线流速变高而进行调整。
另外，所述的色差也可通过对极薄铜层的表面实施粗化处理而设置粗化处理层而进行调整。在设置粗化处理层的情况下，可通过使用含有铜及选自由镍、钴、钨、钼所组成的群中的1种以上的元素的电解液，并使电流密度高于以往的电流密度(例如40～60A/dm2)，使处理时间短于以往的处理时间(例如0.1～1.3秒)而进行调整。在极薄铜层的表面未设置粗化处理层的情况下，可通过下述方式实现所述的色差的调整，即使用将Ni浓度设为其他元素的2倍以上的镀浴，以低于以往的电流密度(0.1～1.3A/dm2)，并较长设定处理时间(20秒～40秒)，而在极薄铜层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶联处理层的表面进行镀Ni合金(例如镀Ni-W合金、镀Ni-Co-P合金、镀Ni-Zn合金)处理。
关于极薄铜层表面的色差，如果基于JIS Z8730的色差ΔE*ab为45以上，则例如在附载体铜箔的极薄铜层表面形成电路时，极薄铜层与电路的对比度变鲜明，其结果为，视认性变良好，而可精度良好地进行电路的位置对准。极薄铜层表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab优选50以上，更优选55以上，进而更优选60以上。
在如所述般控制极薄铜层表面的色差的情况下，与电路镀层的对比度变鲜明，视认性变良好。因此，在如所述的印刷布线板的例如如图2-C所示的制造步骤中，可精度良好地在特定位置形成电路镀层。另外，根据如所述的印刷布线板的制造方法，成为电路镀层被埋入树脂层的构成，因此，例如在如图5-J所示的利用快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层受到树脂层保护，且其形状得到保持，由此变得容易形成细微电路。另外，电路镀层受到树脂层保护，因此耐迁移性提高，而良好地抑制电路的布线的导通。因此， 变得容易形成细微电路。另外，在如图5-J及图5-K所示般通过快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层的露出面成为自树脂层凹陷的形状，因此在该电路镀层上容易形成凸块，进而在其上容易形成铜支柱，而制造效率提高。
另外，就埋入树脂(RESIN)而言，可使用公知的树脂、预浸体。例如可使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或作为含浸有BT树脂的玻璃布的预浸体、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述埋入树脂(RESIN)可使用本说明书所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸体。
另外，所述第一层所使用的附载体铜箔也可在该附载体铜箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层，而支持第一层所使用的附载体铜箔，从而褶皱变得难以产生，因此有生产性提高的优点。另外，就所述基板或树脂层而言，只要为发挥支持所述第一层所使用的附载体铜箔的效果的基板或树脂层，则可使用全部的基板或树脂层。例如可使用本申请案说明书所记载的载体、预浸体、树脂层或公知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔作为所述基板或树脂层。
可将本发明的表面处理铜箔自粗化处理面侧贴合在树脂基板而制造积层体。树脂基板只要为具有可应用于印刷布线板等的特性的树脂基板，则不受特别限制，例如就刚性PWB用而言，可使用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等，就FPC用而言，可使用聚酯膜或聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、氟树脂膜等。另外，在使用液晶聚合物(LCP)膜或氟树脂膜的情况下，有与使用聚酰亚胺膜的情况相比，该膜与表面处理铜箔的剥离强度变小的倾向。因此，在使用液晶聚合物(LCP)膜或氟树脂膜的情况下，通过形成铜电路后利用覆盖层覆盖该铜电路，而使该膜与该铜电路变得难以剥离，而可防止由于剥离强度的降低而引起的该膜与该铜电路的剥离。
另外，液晶聚合物(LCP)膜或氟树脂膜的介质损耗因数较小，因此使用液晶聚合物(LCP)膜或氟树脂膜与本申请案发明的表面处理铜箔的覆铜积层板、印刷布线板、印刷电路板适合高频电路(以高频进行信号传输的电路)。另外，本申请案发明的表面处理铜箔的表面粗糙度Rz小，光泽度高，因此表面平滑，也适合高频电路用途。
关于贴合的方法，在刚性PWB用的情况下，准备使树脂含浸于玻璃布等基材，使树脂硬化至半硬化状态而成的预浸体。通过将铜箔自经粗化处理的侧的面重叠于预浸体并进行加热加压而进行。在FPC的情况下，经由粘接剂、或不使用粘接剂在高温高压下将聚酰亚胺膜等基材积层粘接于铜箔、或者将聚酰亚胺前驱物进行涂布、干燥、硬化等，由此可制造积层板。
本发明的积层体可用于各种印刷布线板(PWB)，没有特别限制，例如就导体图案的层数的观点而言，可应用于单面PWB、两面PWB、多层PWB(3层以上)，就绝缘基板材料的种类的观点而言，可应用于刚性PWB、柔性PWB(FPC)、刚性-弹性PWB。
[积层板及使用其的印刷布线板的定位方法]
对本发明的表面处理铜箔与树脂基板的积层板的定位方法进行说明。首先，准备表 面处理铜箔与树脂基板的积层板。作为本发明的表面处理铜箔与树脂基板的积层板的具体例，可列举：在由本体基板与附属的电路基板、与用以将这些电连接的在聚酰亚胺等树脂的至少一表面形成有铜布线的柔性印刷基板构成的电子机器中，准确地将柔性印刷基板进行定位，并压接于该本体基板及附属的电路基板的布线端部而制作的积层体。即，如果为该情形，则积层板成为通过压接而将柔性印刷基板及本体基板的布线端部贴合的积层体、或通过压接而将柔性印刷基板及电路基板的布线端部贴合的积层板。积层板具有由该铜布线的一部分或其他材料形成的标记。关于标记的位置，只要为利用CCD摄影机等拍摄手段隔着构成该积层板的树脂可进行拍摄的位置，则没有特别限定。此处，所谓标记是指为了检测积层板或印刷布线板等的位置，或进行定位，或进行位置对准而使用的记号(标记)。另外，在本发明的表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层(具有载体的极薄铜层)的情况下，视需要自表面处理铜箔与树脂基板的积层板去除载体。
在以所述方式准备的积层板中，如果利用拍摄手段，隔着树脂对所述标记进行拍摄，则可良好地检测出所述标记的位置。然后，以所述方式检测出所述标记的位置，而可基于所述被检测出的标记的位置，良好地进行表面处理铜箔与树脂基板的积层板的定位。另外，在使用印刷布线板作为积层板的情况下，也同样地，通过此种定位方法，拍摄手段可良好地检测出标记的位置，而可更为准确地进行印刷布线板的定位。
因此，可认为在将一个印刷布线板与另一个印刷布线板进行连接时，连接不良减少，良率提高。另外，作为将一个印刷布线板与另一个印刷布线板进行连接的方法，可使用经由焊接或异向性导电膜(Anisotropic Conductive Film、ACF)的连接、经由异向性导电浆料(Anisotropic Conductive Paste，ACP)的连接、或经由具有导电性的粘接剂的连接等公知的连接方法。另外，在本发明中，“印刷布线板”也包括安装有零件的印刷布线板及印刷电路板及印刷基板。另外，可将2个以上本发明的印刷布线板连接，而制造连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板，另外，可将本发明的印刷布线板至少1个、与另一个本发明的印刷布线板或不属于本发明的印刷布线板的印刷布线板进行连接，也可使用此种印刷布线板制造电子机器。另外，在本发明中，“铜电路”也包括铜布线。此外，也可将本发明的印刷布线板与零件连接而制造印刷布线板。另外，将本发明的印刷布线板至少1个、与另一个本发明的印刷布线板或不属于本发明的印刷布线板的印刷布线板进行连接，此外，将连接有2个以上本发明的印刷布线板的印刷布线板与零件进行连接，由此也可制造连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板。此处，作为“零件”，可列举：连接器或LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、用于LCD的玻璃基板等电子零件、含有IC(Integrated Circuit，集成电路)、LSI(Large scale integrated circuit，大规模集成电路)、VLSI(Very Large scale integrated circuit，超大型集成电路)、ULSI(Ultra-Large Scale Integration，特大规模集成电路)等半导体集成电路的电子零件(例如IC芯片、LSI芯片、VLSI芯片、ULSI芯片)、用以遮避电子电路的零件及为了将外罩等固定于印刷布线板所必需的零件等。
另外，本发明的实施方式的定位方法也可包含使积层板(包括铜箔与树脂基板的积层板或印刷布线板)移动的步骤。在移动步骤中，例如可通过带式输送机或链式输送机 等输送机使积层板移动，也可通过具备臂机构的移动装置使积层板移动，也可利用通过使用气体使积层板悬浮而使之移动的移动装置或移动手段使积层板移动、也可通过使大致圆筒形等者旋转而使积层板移动的移动装置或移动手段(包括辊或轴承等)、以油压为动力源的移动装置或移动手段、以空气压为动力源的移动装置或移动手段、以马达为动力源的移动装置或移动手段、支架移动型线性导轨台、支架移动型空气导轨台、堆叠型线性导轨台、线性马达駆动台等具有载置台的移动装置或移动手段等使积层板移动。另外，也可进行利用公知的移动手段的移动步骤。在所述使积层板移动的步骤中，可使积层板移动而进行位置对准。而且，可认为在通过进行位置对准，而将一个印刷布线板与另一个印刷布线板或零件进行连接时，连接不良减少，良率提高。
另外，本发明的实施方式的定位方法也可用于表面安装机或芯片贴片机。
另外，在本发明中，所定位的表面处理铜箔与树脂基板的积层板也可为具有树脂板及设置在所述树脂板上的电路的印刷布线板。另外，在该情形时，所述标记也可为所述电路。
在本发明中，所谓“定位”包括“检测标记或物的位置”。另外，在本发明中，所谓“位置对准”包括“在检测到标记或物的位置后，基于所述检测到的位置，使该标记或物向特定位置移动”。
[实施例]
作为实施例1～24、29～36及比较例1～13，准备表9所记载的各种铜箔，并利用表1～8所记载的条件，对一表面进行作为粗化处理的镀敷处理。
另外，关于实施例25～28，准备表9所记载的各种载体，在下述条件下，在载体的表面形成中间层，并在中间层的表面形成极薄铜层。然后，在表1、表2所记载的条件下，对极薄铜层的表面进行作为粗化处理的镀敷。
·实施例25
＜中间层＞
(1)Ni层(镀Ni)
针对载体，在以下条件下在辊对辊型的连续镀敷线上进行镀敷，由此形成1000μg/dm2的附着量的Ni层。将具体的镀敷条件记载于以下。
硫酸镍：270～280g/L
氯化鎳：35～45g/L
乙酸鎳：10～20g/L
硼酸：30～40g/L
光泽剂：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸钠：55～75ppm
pH值：4～6
浴温：55～65℃
电流密度：10A/dm2
(2)Cr层(电解铬酸盐处理)
其次，对(1)中所形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，继而通过在以下条件下在辊对辊型的连续镀敷线上进行电解铬酸盐处理，而使11μg/dm2的附着量的Cr层附着在Ni层上。
重铬酸钾1～10g/L、锌0g/L
pH值：7～10
液温：40～60℃
电流密度：2A/dm2
＜极薄铜层＞
其次，对(2)中所形成的Cr层表面进行水洗及酸洗后，继而通过在以下条件下在辊对辊型的连续镀敷线上进行镀敷，而在Cr层上形成厚度1.5μm的极薄铜层，而制作附载体极薄铜箔。
铜浓度：90～110g/L
硫酸浓度：90～110g/L
氯化物离子浓度：50～90ppm
均化剂1(双(三磺丙基)二硫化物)：10～30ppm
均化剂2(胺化合物)：10～30ppm
另外，使用下述胺化合物作为均化剂2。

(所述化学式中，R1及R2为选自由羟烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的群中的基团)。
电解液温度：50～80℃
电流密度：100A/dm2
电解液线速：1.5～5m/sec
·实施例26
＜中间层＞
(1)Ni-Mo层(镀镍钼合金)
针对载体，在以下条件下在辊对辊型的连续镀敷线上进行镀敷，由此形成3000μg/dm2的附着量的Ni-Mo层。将具体的镀敷条件记载于以下。
(液组成)硫酸Ni六水合物：50g/dm3、钼酸钠二水合物：60g/dm3、柠檬酸钠：90g/dm3
(液温)30℃
(电流密度)1～4A/dm2
(通电时间)3～25秒
＜极薄铜层＞
在(1)中所形成的Ni-Mo层上形成极薄铜层。将极薄铜层的厚度设为3μm，除此以外，在与实施例25相同的条件下形成极薄铜层。
·实施例27
＜中间层＞
(1)Ni层(镀Ni)
在与实施例25相同的条件下形成Ni层。
(2)有机物层(有机物层形成处理)
其次，对(1)中所形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，继而在下述条件下，将含有浓度1～30g/L的羧基苯并三唑(CBTA)的液温40℃且pH值5的水溶液向Ni层表面进行20～120秒喷雾洗涤，由此形成有机物层。
＜极薄铜层＞
在(2)中所形成的有机物层上形成极薄铜层。将极薄铜层的厚度设为2μm，除此以外，在与实施例25相同的条件下形成极薄铜层。
·实施例28
＜中间层＞
(1)Co-Mo层(镀钴钼合金)
针对载体，在以下条件下在辊对辊型的连续镀敷线上进行镀敷，由此形成4000μg/dm2的附着量的Co-Mo层。将具体的镀敷条件记载于以下。
(液组成)硫酸Co：50g/dm3、钼酸钠二水合物：60g/dm3、柠檬酸钠：90g/dm3
(液温)30℃
(电流密度)1～4A/dm2
(通电時间)3～25秒
＜极薄铜层＞
在(1)中所形成的Co-Mo层上形成极薄铜层。将极薄铜层的厚度设为5μm，除此以外，在与实施例25相同的条件形成极薄铜层。
进行作为所述粗化处理的镀敷处理(记载在表1～8)后，针对实施例1～13、15～20、22～24、26～28、31～36、比较例2、4、7～10，进行用以接下来的耐热层及防锈层形成的镀敷处理。另外，表10中所记载的“Ni-Co”、“Ni-Co(2)”、“Ni-Co(3)”、“Ni-P”、“Ni-Zn”、“Ni-Zn(2)”、“Ni-Zn(3)”、“Ni-W”、“铬酸盐”、“硅烷偶联处理”是指下述的表面处理。
将耐热层1的形成条件示于以下。
·耐热层1
[Ni-Co]：镀镍-钴合金
液组成：镍5～20g/L、钴1～8g/L
pH值：2～3
液温：40～60℃
电流密度：5～20A/dm2
库伦量：10～20As/dm2
[Ni-Co(2)]：镀镍-钴合金
液组成：镍5～20g/L、钴1～8g/L
pH值：2～3
液温：40～60℃
电流密度：5～20A/dm2
库伦量：35～50As/dm2
[Ni-Co(3)]：镀镍-钴合金
液组成：镍5～20g/L、钴1～8g/L
pH值：2～3
液温：40～60℃
电流密度：5～20A/dm2
库伦量：25～35As/dm2
[Ni-P]：镀镍-磷合金
液组成：镍5～20g/L、磷2～8g/L
pH值：2～3
液温：40～60℃
电流密度：5～20A/dm2
库伦量：10～20As/dm2
·耐热层2
[Ni-Zn]：镀镍-锌合金
在设置有所述耐热层1的铜箔上形成耐热层2。关于比较例3、5、6，不进行粗化镀敷处理，而在所准备的铜箔上直接形成该耐热层2。将耐热层2的形成条件示于以下。
液组成：镍2～30g/L、锌2～30g/L
pH值：3～4
液温：30～50℃
电流密度：1～2A/dm2
库伦量：1～2As/dm2
[Ni-Zn(2)]：镀镍-锌合金
液组成：镍2～30g/L、锌2～30g/L
pH值：3～4
液温：30～50℃
电流密度：1～2A/dm2
库伦量：3～4As/dm2
[Ni-Zn(3)]：镀镍-锌合金
液组成：镍2～30g/L、锌2～30g/L
pH值：3～4
液温：30～50℃
电流密度：1～2A/dm2
库伦量：2～3As/dm2
[Ni-W]：镀镍-钨合金
液组成：镍2～30g/L、钨0.5～20g/L
pH值：3～4
液温：30～50℃
电流密度：1～2A/dm2
库伦量：1～2As/dm2
·防锈层
[铬酸盐]：铬酸盐处理
在设置有所述耐热层1及2的铜箔上进一步形成防锈层。将防锈层的形成条件示于以下。
液组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L
pH值：3～4
液温：50～60℃
电流密度：0～2A/dm2(用以浸渍铬酸盐处理)
库伦量：0～2As/dm2(用以浸渍铬酸盐处理)
在设置有所述耐热层1、2及防锈层的铜箔上或未设置有所述耐热层1、2及防锈层的铜箔上进行形成耐候性层。将形成条件示于以下。
以作为具有氨基的硅烷偶联剂的N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(实施例17)、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷(实施例1～13、15、16、24、26～33；比较例2～10)、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷(实施例18)、3-氨基丙基三甲氧基硅烷(实施例19)、3-氨基丙基三乙氧基硅烷(实施例20、34～36)、3-三乙氧基硅烷基-N-(1,3-二甲基-亚丁基)丙基胺(实施例22)、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(实施例23)进行涂布并干燥，而形成耐候性层。也可将这些硅烷偶联剂以2种以上的组合的方式使用。
另外，关于实施例1～23、比较例4中所获得的表面处理铜箔，也制造这些表面处理铜箔的另一表面经表12所记载的表面处理的表面处理铜箔。此处，表12的“实施例No.-数字”是指在实施例中所获得的表面处理铜箔的另一表面进行表12所記載的表面处理。例如，在表12中，“实施例2-1”、“实施例2-2”、“实施例2-3”分别为在实施例2 中所获得的表面处理铜箔的另一表面进行了表12所记载的表面处理的表面处理铜箔，“实施例3-1”、“实施例3-2”分别为在实施例3中所获得的表面处理铜箔的另一表面进行了表12所记载的表面处理的表面处理铜箔。
另外，压延铜箔以下述方式进行制造。制造表9所示的组成的铜锭，进行热轧后，反复进行300～800℃的连续退火线的退火与冷轧，而获得1～2mm厚的压延板。将该压延板在300～800℃的连续退火线上进行退火，使其再结晶，进行最终冷轧直至表9的厚度，而获得铜箔。表9的“种类”栏的“韧铜”是表示以JIS H3100C1100为标准的韧铜，“无氧铜”是表示以JIS H3100C1020为标准的无氧铜。另外，“韧铜+Ag：100ppm”是指在韧铜中添加有100质量ppm的Ag。
电解铜箔使用JX日矿日石金属公司制造的电解铜箔HLP箔。另外，关于实施例21、实施例25、比较例10，在析出面(制造电解铜箔时与接触于电解转筒侧的面相反侧的面)进行特定的表面处理或形成中间层、极薄铜层。在进行电解研磨的情况下，记载有电解研磨后的板厚。
另外，在表9中记载有表面处理前的铜箔制作步骤的要点。“高光泽压延”是指以记载的油膜当量的值进行最终的冷轧(最终的再结晶退火后的冷轧)。“通常压延”是指以记载的油膜当量的值进行最终的冷轧(最终的再结晶退火后的冷轧)。“化学研磨”、“电解研磨”是指在以下条件下进行。
“化学研磨”是使用H2SO4为1～3质量％、H2O2为0.05～0.15质量％、剩余部分为水的蚀刻液，且将研磨时间设为1小时。
“电解研磨”是在磷酸67％+硫酸10％+水23％的条件下，以电压10V/cm2、表9所记载的时间(如果进行10秒钟的电解研磨，则研磨量成为1～2μm)进行。
针对以所述方式制作的实施例及比较例的各样品，如下述般进行各种评价。
(1-1)表面粗糙度(Rz)的测定(利用接触式粗糙度计所测得的表面粗糙度(Rz)的测定)；
使用小阪研究所股份有限公司制造的接触粗糙度计Surfcorder SE-3C，依据JIS B0601-1994，针对粗化面测定十点平均粗糙度Rz。在测定基准长度0.8mm、评价长度4mm、截止值0.25mm、输送速度0.1mm/sec的条件下，与压延方向垂直(TD，在电解铜箔的情况下，与铜箔的前进方向垂直(即宽度方向))，并变更测定位置而进行10次测定，求出10次测定所获得的值。另外，在对铜箔表面进行粗化处理后，或在不进行粗化处理的情况下为设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理的情况下，针对该经设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理后的表面处理铜箔的表面，进行所述的测定。在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，针对极薄铜层的粗化处理表面进行所述的测定。
另外，针对表面处理前的铜箔，也以相同的方式求出表面粗糙度(Rz)。
(1-2)另一表面的表面处理后的表面粗糙度的测定；
针对各实施例、比较例的表面处理后的另一表面，优选使用非接触式的方法测定表面的粗糙度。具体而言，以利用激光显微镜而测得的粗糙度的值评价各实施例、比较例 的表面处理后的另一表面的状态。其原因在于：可更详细地评价表面的状态。
·表面粗糙度(Rz)的测定；
针对表面处理铜箔的另一表面，利用Olympus公司制造的激光显微镜OLS4000，依据JIS B06011994而测定表面粗糙度(十点平均粗糙度)Rz。使用物镜50倍，观察铜箔表面，在评价长度258μm、截止值为零的条件下，针对压延铜箔，进行与压延方向垂直的方向(TD)的测定，或者针对电解铜箔，进行与电解铜箔的制造装置中的电解铜箔的前进方向垂直的方向(TD)的测定，并求出各自的值。另外，利用激光显微镜的表面粗糙度Rz的测定环境温度设为23～25℃。在任意10处测定Rz，将10处Rz的平均值设为表面粗糙度(十点平均粗糙度)Rz的值。另外，测定所使用的激光显微镜的激光的波长设为405nm。
·表面的均方根高度Rq的测定；
针对各实施例的表面处理后的表面处理铜箔的另一表面，利用Olympus公司制造的激光显微镜OLS4000，依据JIS B06012001而测定铜箔表面的均方根高度Rq。使用物镜50倍，观察铜箔表面，在评价长度258μm、截止值为零的条件下，针对压延铜箔，进行与压延方向垂直的方向(TD)的测定，或者针对电解铜箔，进行与电解铜箔的制造装置中的电解铜箔的前进方向垂直的方向(TD)的测定，并求出各自的值。另外，利用激光显微镜的表面的均方根高度Rq的测定环境温度设为23～25℃。在任意10处测定Rq，将10处Rq的平均值设为均方根高度Rq的值。另外，测定所使用的激光显微镜的激光的波长设为405nm。
·表面的算术平均粗糙度Ra的测定；
针对各实验例的表面处理后的铜箔的另一表面，依据JIS B0601-1994，利用Olympus公司制造的激光显微镜OLS4000，对表面粗糙度Ra进行测定。使用物镜50倍，观察铜箔表面，在评价长度258μm、截止值为零的条件下，针对压延铜箔，进行与压延方向垂直的方向(TD)的测定，或者针对电解铜箔，进行与电解铜箔的制造装置中的电解铜箔的前进方向垂直的方向(TD)的测定，并求出各自的值。另外，利用激光显微镜的表面的算术平均粗糙度Ra的测定环境温度设为23～25℃。在任意10处测定Ra，将10处Ra的平均值设为算术平均粗糙度Ra的值。另外，测定所使用的激光显微镜的激光的波长设为405nm。
(2)粒子的面积比(A/B)；
粗化粒子的表面积是使用利用激光显微镜的测定法而获得。使用KEYENCE股份有限公司制造的激光显微镜VK8500，测定粗化处理面的倍率2000倍的相当于100×100μm的面积B(在实际资料中为9982.52μm2)中的三维表面积A，并通过设为三维表面积A÷二维表面积B＝面积比(A/B)的方法进行设定。另外，在对铜箔表面进行粗化处理后，或在不进行粗化处理的情况下为设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理的情况下，针对该经设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理后的表面处理铜箔的表面，进行所述的测定。在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，针对极薄铜层的粗化处理表面进行所述的测定。
(3)光泽度；
使用依据JIS Z8741的日本电色工业股份有限公司制造的光泽度计Handy gloss meter-PG-1，以压延方向(即MD，在电解铜箔的情况下为铜箔的前进方向)及与压延方向垂直的方向(即TD，在电解铜箔的情况下为与铜箔的前进方向垂直的方向)的各自的入射角60度对粗化处理表面进行测定。另外，在对铜箔表面进行粗化处理后，或在不进行粗化处理的情况下为设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理的情况下，针对该经设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理后的表面处理铜箔的表面，进行所述的测定。在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，针对极薄铜层的粗化处理表面进行所述的测定。
另外，针对表面处理前的铜箔的供表面处理侧的表面及载体的供中间层设置侧的表面，也预先以相同的方式求出光泽度。
(4)雾度值；
将表面处理铜箔的粗化处理表面贴合在附层压用热硬化性粘接剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的Upilex(Upilex(注册商标)-VT、BPDA(联苯四羧酸二酐)系(BPDA-PDA(对苯二胺)系)的聚酰亚胺树脂基板))的两面，通过蚀刻(氯化铁水溶液)将铜箔去除而制作样品膜。使用依据JIS K7136(2000)的村上色彩技术研究所制造的HAZE METER HM-150，对样品膜的雾度值进行测定。
(5)视认性(树脂透明性)；
将表面处理铜箔的经表面处理侧的表面贴合在附层压用热硬化性粘接剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的Upilex)的两面，通过蚀刻(氯化铁水溶液)去除表面处理铜箔而制作样品膜。在所获得的树脂层的一面贴附印刷物(直径6cm的黑色的圆)，自相反面隔着树脂层判定印刷物的视认性。将印刷物的黑色的圆的轮廓在圆周的90％以上的长度中清楚者评价为“◎”，将黑色的圆的轮廓在圆周的80％以上且小于90％的长度中清楚者评价为“○”(以上合格)，将黑色的圆的轮廓在圆周的0～小于80％的长度中清楚者及轮廓崩溃者评价为“×”(不合格)。另外，在对铜箔表面进行粗化处理后，或在不进行粗化处理的情况下为设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理的情况下，针对该经设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理后的表面处理铜箔的表面，进行所述的测定。在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，针对极薄铜层的粗化处理表面进行所述的测定。
(6))剥离强度(粘接强度)；
将表面处理铜箔的经表面处理侧的表面积层于附层压用热硬化性粘接剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的Upilex)后，依据IPC-TM-650，利用拉伸试验机Autograph100对常态剥离强度进行测定。而且，将所述常态剥离强度为0.7N/mm以上的表面处理铜箔设为可用于积层基板用途的表面处理铜箔。
另外，表面处理铜箔与聚酰亚胺膜的积层条件设为所述聚酰亚胺膜制造厂商所推荐的条件。另外，关于实施例25～28，将表面处理铜箔的经表面处理侧的表面积层于附层压用热硬化性粘接剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的Upilex)后，将载体 剥离，以与所述聚酰亚胺膜积层的极薄铜层的厚度成为12μm厚的方式进行镀铜，其后测定剥离强度。另外，在对铜箔表面进行粗化处理后，或在不进行粗化处理的情况下为设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理的情况下，针对该经设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理后的表面处理铜箔的表面，进行所述的测定。在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，针对极薄铜层的粗化处理表面进行所述的测定。
(7)耐热性；
在将表面处理铜箔的经表面处理侧的表面积层于附层压用热硬化性粘接剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的Upilex)后时，及在150℃加热168小时后时，依据IPC-TM-650，利用拉伸试验机Autograph100，对常态剥离强度与150℃加热168小时后的剥离强度进行测定。
然后，算出由下式表示的剥离强度保持率。
剥离强度保持率(％)＝在150℃加热168小时后的剥离强度(kg/cm)/常态剥离强度(kg/cm)×100
而且，在剥离强度保持率为70％以上的情况下，将耐热性设为“◎”，在剥离强度保持率为60％以上且小于70％的情况下，将耐热性设为“〇”，在剥离强度保持率为50％以上且小于60％的情况下，将耐热性设为“△”，在剥离强度保持率小于50％的情况下，将耐热性设为“×”。另外，关于实施例25～28，将表面处理铜箔的经表面处理侧的表面积层于附层压用热硬化性粘接剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的Upilex)后，将载体剥离，以与所述聚酰亚胺膜积层的极薄铜层的厚度成为12μm厚的方式进行镀铜，其后测定剥离强度。另外，在对铜箔表面进行粗化处理后，或在不进行粗化处理的情况下为设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理的情况下，针对该经设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理后的表面处理铜箔的表面，进行所述的测定。在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，针对极薄铜层的粗化处理表面进行所述的测定。
(8)焊料耐热评价；
将表面处理铜箔的经表面处理侧的表面贴合在附层压用热硬化性粘接剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的Upilex)的两面。针对所获得的两面积层板，制作依据JIS C6471的附体试片(test coupon)。将所制作的附体试片暴露在85℃、85％RH的高温高湿下48小时后，使其在300℃的焊料槽中漂浮，而评价焊料耐热特性。焊料耐热试验后，在铜箔粗化处理面与聚酰亚胺树脂粘接面的界面中，将在附体试片中的铜箔面积的5％以上的面积中，由于膨胀而界面变色者评价为×(不合格)，将面积小于5％的膨胀变色的情况评价为○，将完全未产生膨胀变色者评价为◎。
另外，在对铜箔表面进行粗化处理后，或在不进行粗化处理的情况下为设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理的情况下，针对该经设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理后的表面处理铜箔的表面，进行所述的测定。在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，针对极薄铜层的粗化处理表面进行所述的测定。
(9)通过蚀刻的电路形状(精细图案特性)
将表面处理铜箔的经表面处理侧的表面贴合在附层压用热硬化性粘接剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的Upilex)的两面。为了形成精细图案电路，而必须使铜箔厚度相同，此处，将12μm铜箔厚度设为基准。即，在厚度厚于12μm的情况下，通过电解研磨进行减厚直至12μm厚。另一方面，在厚度薄于12μm的情况下，通过镀铜处理进行增厚直至12μm厚。针对所获得的两面积层板的单面侧，通过感旋光性抗蚀剂涂布及曝光步骤，而在积层板的铜箔光泽面侧印刷精细图案电路，在下述条件下对铜箔的不要部分进行蚀刻处理，而形成如成为L/S＝20/20μm的精细图案电路。此处，电路宽度以电路剖面的最低宽度成为20μm的方式设置。
(蚀刻条件)
装置：喷射式小型蚀刻装置
喷射压：0.2MPa
蚀刻液：氯化铁水溶液(比重40波美)
液温度：50℃
在形成精细图案电路后，浸渍在45℃的NaOH水溶液中1分钟，而剥离感旋光性抗蚀剂膜。
(10)蚀刻因子(Ef)的算出
针对在所述中获得的精细图案电路样品，使用日立高新技术公司制造的扫描式电子显微镜照片S4700，以2000倍的倍率自电路上部进行观察，测定电路上部的最高宽度(Wa)与电路底部的最低宽度(Wb)。铜箔厚度(T)设为12μm。蚀刻因子(Ef)是通过下述式算出。
蚀刻因子(Ef)＝(2×T)/(Wb－Wa)
另外，在对铜箔表面进行粗化处理后，或在不进行粗化处理的情况下为设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理的情况下，针对该经设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理后的表面处理铜箔的表面，进行所述的测定。在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，针对极薄铜层的粗化处理表面进行所述的测定。
(11)传输损耗的测定
针对各样品，将表面处理铜箔的经表面处理侧的面与市售的液晶聚合物树脂(Kuraray(股)制造的Vecstar CTZ-50μm)贴合后，通过蚀刻，以特性阻抗成为50Ω的方式形成微波传输带线路，使用HP公司制造的网络分析仪HP8720C，测定透过系数，而求出在频率20GHz及频率40GHz的传输损耗。作为在频率20GHz的传输损耗的评价，将小于3.7dB/10cm设为◎，将为3.7dB/10cm以上且小于4.0dB/10cm设为○○，将为4.0dB/10cm以上且小于4.1dB/10cm设为○，将为4.1dB/10cm以上且小于5.0dB/10cm设为△，将为5.0dB/10cm以上设为×。
另外，在对铜箔表面进行粗化处理后，或在不进行粗化处理的情况下为设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理的情况下，针对该经设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理后的表面处理铜箔的表面，进行所述的测定。在表面处理铜箔为附载体 铜箔的极薄铜层的情况下，针对极薄铜层的粗化处理表面进行所述的测定。
(12)粗化处理表面的镍及钴的附着量
镍附着量及钴附着量是通过如下方式进行测定：利用浓度20质量％的硝酸使样品溶解，使用VARIAN公司制造的原子吸光分光光度计(型号：AA240FS)并利用原子吸光法进行定量分析。实施例、比较例的镍、钴附着量的测定样品的尺寸设为50mm×50mm。另外，所述镍、钴的附着量的测定是以下述方式进行。将预浸体(FR4)加热压接于表面处理铜箔的未经表面处理侧的表面而进行积层后，使表面处理铜箔的经表面处理侧的表面的厚度2μm溶解，而对表面处理铜箔的经表面处理侧的表面所附着的镍及钴的附着量进行测定。然后，将所获得的镍及钴的附着量分别设为粗化处理表面的镍及钴的附着量。另外，表面处理铜箔的该经表面处理侧的溶解厚度无需准确地为2μm，也可溶解经表面处理的表面部分明显全部溶解的厚度分(例如，1.5～2.5μm)而进行测定。另外，在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，首先将预浸体(FR4)加热压接于载体侧的表面而进行积层后，仅使极薄铜层的经表面处理侧的表面的附近溶解(在极薄铜层的厚度为1.4μm以上的情况下，自极薄铜层的经表面处理侧的表面仅仅0.5μm厚溶解；在极薄铜层的厚度小于1.4μm的情况下，自极薄铜层的经表面处理侧的表面仅仅极薄铜层厚度的20％溶解)，而对极薄铜层的经表面处理侧的表面的镍与钴的附着量进行测定。然后，将所获得的镍及钴的附着量分别设为粗化处理表面的镍及钴的附着量。
另外，所述镍及钴的附着量是指样品每单位面积(1dm2)的镍及钴的附着量(质量)。
(13)利用层压加工的铜箔皱褶等的评价；
在分别将实施例、比较例的表面处理铜箔自一表面侧积层于厚度25μm的聚酰亚胺树脂的两表面，进而向各表面处理铜箔的另一表面侧积层125μm的保护膜(聚酰亚胺制)的状态下，即设为保护膜/表面处理铜箔/聚酰亚胺树脂/表面处理铜箔/保护膜的5层的状态下，使用层压辊，自两保护膜的外侧施加热与压力并且进行贴合加工(层压加工)，而在聚酰亚胺树脂的两面贴合表面处理铜箔。其次，将两表面的保护膜剥离后，用眼睛观察表面处理铜箔的另一表面，确认有无皱褶或条纹，将皱褶或条纹完全未产生时评价为◎，将铜箔长度每5m仅观察到1处皱褶或条纹时评价为○，将铜箔每5m观察到2处以上的褶皱或条纹时评价为×。
另外，在对铜箔表面进行粗化处理后，或在不进行粗化处理的情况下为设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理的情况下，针对该经设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理后的表面处理铜箔的表面，进行所述的测定。在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，针对极薄铜层的粗化处理表面进行所述的测定。
将所述各试验的条件及评价结果示于表1～12。
[表1]

[表2]

[表3]

[表4]

[表5]

[表6]

[表7]

[表8]

[表9]

从实施例25至实施例28表示用作附载体铜箔的载体的金属箔。
[表10]

另外，表10中的耐热层1、耐热层2、防锈层、耐候性层的栏中的“-”表示未进行形成该耐热层1、耐热层2、防锈层、耐候性层的处理。
[表11]

[表12]

[评价结果]
实施例1～36均雾度值、视认性、剥离强度良好。另外，焊料耐热评价也良好。另外，传输损耗也较小而良好。
比较例1～2、4、7～11、13的雾度值明显较高，表面粗糙度也较大，因此视认性不良。
比较例3、5、6、12的视认性优异，但剥离强度不充分，基板密接性不良。另外，比较例1～13的焊料耐热评价不良。
另外，关于实施例5，其Rz、MD的60度光泽度、表面积比A/B为与实施例15大致相同的值，但实施例5的粗化处理表面的MD的60度光泽度与TD的60度光泽度的比C的值为0.84，为0.80～1.40的范围内，因此实施例5的雾度值小于C的值为0.75，为0.80～1.40的范围外的实施例15。
因相同的理由，实施例16的雾度值小于实施例17的雾度值。
另外，使用与所述各实施例、比较例相同的铜箔，在相同条件下对铜箔的两面进行表面处理，及使用与所述各实施例相同的载体，在相同条件下在载体的两面形成中间层、极薄铜层后进行相同的表面处理，制造表面处理铜箔并进行评价，结果两面均获得与所述各实施例、比较例相同的评价结果。另外，在对铜箔或载体进行电解研磨或化学研磨的情况下，对两面进行电解研磨或化学研磨后进行表面处理。另外，关于实施例21、实施例25、比较例10，针对铜箔的光泽面(制造电解铜箔时与转筒接触侧的面)进行电解研磨及/或化学研磨，由此使其TD的粗糙度Rz及光泽度与析出面相同后进行特定的表面处理或形成中间层等。
在对铜箔的两面进行粗化处理等表面处理的情况下，可同时对两面进行表面处理，也可分开对两面进行表面处理。另外，在同时对两面进行表面处理的情况下，可使用在铜箔的两面侧设置有阳极的表面处理装置(镀敷装置)而进行表面处理。另外，在本实施例中，同时对两面进行表面处理。
另外，各实施例的经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz均为0.35μm以上。另外，各实施例的经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的算术平均粗糙度Ra均为0.05μm以上。另外，各实施例的经粗化处理的铜箔表面的利用激光波长为405nm的激光显微镜所测得的TD的均方根高度Rq均为0.08μm以上。
在图1中分别表示上述Rz评价时的(a)比较例1、(b)比较例2、(c)比较例3、(d)比较例4、(e)实施例1、(f)实施例2的铜箔表面的SEM观察照片。