LED驱动电路.pdf

摘要
申请专利号：	CN201410413459.4	申请日：	2014.08.21
公开号：	CN104427723A	公开日：	2015.03.18
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H05B 37/02申请公布日:20150318\|\|\|实质审查的生效IPC(主分类):H05B37/02申请日:20140821\|\|\|公开
IPC分类号：	H05B37/02	主分类号：	H05B37/02
申请人：	三垦电气株式会社
发明人：	吉永充达; 岩渕昭夫; 田坂泰; 町田修; 吉江徹; 江原俊浩; 木村研吾
地址：	日本埼玉县
优先权：	2013-179504 2013.08.30 JP
专利代理机构：	北京三友知识产权代理有限公司11127	代理人：	李辉; 金玲
PDF下载：	PDF下载

内容摘要

本发明提供LED驱动电路，其是使用了常通型的宽禁带半导体元件作为开关元件的他激方式的LED驱动电路。LED驱动电路(10a)通过直流输出以恒流点亮LED阵列(LD)，所述直流输出是利用常通型的开关元件(Q1)的接通断开动作而生成的，LED驱动电路(10a)具有：脉冲产生电路(T2)，其输出以开关元件(Q1)的源极端子(输出端子)的电位作为公共电位的正的脉冲信号；以及脉冲信号转换电路(耦合电容器C3)，其将从脉冲产生电路(T2)输出的脉冲信号相对于所述公共电位转换为负的波形，并将转换后的脉冲信号输出到开关元件(Q1)的栅极端子(控制端子)。

权利要求书

权利要求书1. 一种MAZ型沸石的制造方法，其特征在于：(1)以成为以下所示的摩尔比所表示的组成的反应混合物的方式，将二氧化硅源、氧化铝源、碱源及水混合，SiO2/Al2O3＝24～60(Na2O+K2O)/SiO2＝0.25～0.5K2O/(Na2O+K2O)＝0.1～0.5H2O/SiO2＝5～50：(2)使用SiO2/Al2O3比为5～10、且平均粒径为0.1μm以上的不含有机化合物的MAZ型沸石作为晶种，将所述MAZ型沸石以相对于所述反应混合物中的二氧化硅成分而为0.1重量％～30重量％的比例添加到所述反应混合物中；(3)将添加了所述晶种的所述反应混合物在80℃～200℃下在密闭环境下加热。2. 根据权利要求1所述的制造方法，其中将不含所述晶种的所述反应混合物在密闭环境下在80℃～200℃的温度下进行预加热后，将所述晶种添加到所述反应混合物中，进一步将所述反应混合物在80℃～200℃的温度下在密闭环境下加热。3. 根据权利要求1或2所述的制造方法，其中在密闭环境下进行加热的工序中搅拌所述反应混合物。

说明书

说明书MAZ型沸石的制造方法
技术领域
本发明涉及一种通过添加不含有机化合物的MAZ型沸石作为晶种，而由不使用有机化合物的反应混合物来制造MAZ型沸石的方法。
背景技术
合成沸石为结晶性铝硅酸盐，具有由其结晶结构所引起的埃尺寸的均匀的细孔。合成沸石发挥该特征而可以在工业上用作仅吸附具有特定大小的分子的分子筛吸附剂或吸附亲和力强的分子的吸附分离剂、或催化剂基剂。
此外所谓MAZ，是表示沸石ω(zeolite omega)所属的骨架结构种类的名称。MAZ型沸石为具备具有12元环及8元环的大细孔的沸石，氨的吸附能力高，另外也有望作为正己烷的异构化活性催化剂。以前，MAZ型沸石仅是通过用作四甲基铵离子等有机结构导向剂(Organic Structure Directing Agent，以下简称为“OSDA”)的方法来制造(参照专利文献1及专利文献2以及非专利文献1及非专利文献2)。因此一般认为，为了获得MAZ型沸石，必须使用OSDA。另外一般认为，因所合成的MAZ型沸石含有OSDA，因此也不可避免在其使用前进行煅烧来将OSDA除去而加以使用。
MAZ型沸石的合成法例如像上文所述的专利文献1及专利文献2以及非专利文献1及非专利文献2所记载那样，通常的方法为在钠离子或钾离子的共存下，使用四甲基铵离子作为OSDA的方法。但是，所述OSDA价格昂贵，因此在工业上使用时不可谓有利。另外，所生成的沸石的结晶中混入有OSDA，因此在使用该沸石作为吸附剂或催化剂的情况下，必须对该沸石进行煅烧而将OSDA除去。此时所产生的废气导致环境污染，另外为了对含有OSDA的分解产物的合成母液进行无害化处理，也必需大量的化学剂。如此，使用OSDA的MAZ型沸石的合成方法为不仅价格昂贵、而且环境负荷大的制造方法。因此，期望实现不使用OSDA的制造方法及通过该方法所得的本质上不含有机物的MAZ型沸石。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第4021447号说明书
专利文献2：美国专利第4503023号说明书
非专利文献
非专利文献1：《微孔与介孔材料(Microporous and Mesoporous Materials)》，35，555～572，2000
非专利文献2：《微孔与介孔材料(Microporous and Mesoporous Materials)》，63，33～42，2003
发明内容
发明所欲解决的课题
本发明的课题在于提供一种本质上不含有机物的MAZ型沸石的制造方法，即，消除上文所述的现有技术所具有的缺点且可以尽可能地减小环境负荷、不使用OSDA、且可以廉价地制造MAZ型沸石的方法。
解决课题的手段
本发明提供一种MAZ型沸石的制造方法，其中：
(1)以成为以下所示的摩尔比所表示的组成的反应混合物的方式，将二氧化硅源、氧化铝源、碱源及水混合，
SiO2/Al2O3＝24～60
(Na2O+K2O)/SiO2＝0.25～0.5
K2O/(Na2O+K2O)＝0.1～0.5
H2O/SiO2＝5～50；
(2)使用SiO2/Al2O3比为5～10、且平均粒径为0.1μm以上的不含有机化合物的MAZ型沸石作为晶种，将所述MAZ型沸石以相对于所述反应混合物中的二氧化硅成分而为0.1重量％～30重量％的比例添加到所述反应混合物中；
(3)将添加了所述晶种的所述反应混合物在80℃～200℃下在密闭环境下加热。
发明的效果
根据本发明，通过添加不含有机物的MAZ型沸石作为晶种，可以由不使用OSDA的反应混合物来制造MAZ型沸石，因此所得的MAZ型沸石本质上不含有机物。因此，该MAZ型沸石不仅在其使用前无需煅烧处理，而且即便进行脱水处理也不产生有机物，因此无需废气处理，环境负荷小，且可以廉价地制造MAZ型沸石。
附图说明
图1为关于实施例1中所用的MAZ型沸石的晶种的X射线衍射图。
图2为实施例1中所得的MAZ型沸石的X射线衍射图。
图3为实施例3中所得的MAZ型沸石的X射线衍射图。
图4为关于将实施例1中用作晶种的沸石ω(MAZ型沸石)转变为H+型而成的沸石及将实施例3中所得的MAZ型沸石转变为H+型而成的沸石的液态氮温度下的氮吸脱附曲线。
图5(a)为将实施例1中用作晶种的沸石ω(MAZ型沸石)转变为H+型而成的沸石的氨程序升温脱附(Temperature Programmed Desorption，TPD)的脱离曲线，图5(b)为将实施例3中所得的MAZ型沸石转变为H+型而成的沸石的氨TPD的脱离曲线。
具体实施方式
以下，根据本发明的优选实施方式对本发明进行说明。按照本发明所合成的MAZ型沸石在不进行热处理的状态下，本质上不含有机物。这里所谓的有机物，是指主要包含用于合成沸石的四级铵化合物等作为OSDA。与铝硅酸盐骨架的四配位铝的负电荷进行电荷补偿而存在于骨架外的离子为钠离子或钾离子等碱金属离子，存在于细孔内的除此以外的物质仅为水或少量的吸附气体。即，按照本发明所合成的MAZ型沸石是通过以下记载的不使用OSDA的制造方法而获得，因此本质上不含以OSDA为代表的有机物。按照本发明所合成的MAZ型沸石中的铝硅酸盐骨架的SiO2/Al2O3比优选5～10 的范围。另外，按照本发明所合成的MAZ型沸石的X射线衍射图与迄今为止所报告的合成MAZ型沸石的X射线衍射图本质上相同。根据这一情况判断，按照本发明所合成的MAZ型沸石的结构特征与使用OSDA所合成的现有的MAZ型沸石相同。
本发明的制造方法的特征之一为：在完全不添加包含有机化合物的OSDA的情况下，制备反应混合物。即，使用含有钠离子及钾离子的水性铝硅酸盐凝胶作为反应混合物。使水性铝硅酸盐凝胶的反应混合物中存在钠离子及钾离子为必要条件。在本发明的制造方法中，钠离子及钾离子以外的碱金属离子、例如锂离子并非必须存在。但是本发明的制造方法中，不排除使用锂离子。
本发明的制造方法的另一特征为使用晶种。关于晶种，可以使用将通过现有法、也就是使用OSDA的方法所制造的MAZ型沸石进行煅烧而将有机物除去的晶种。按照现有法的MAZ型沸石的合成方法例如像上文所述的专利文献1及专利文献2以及非专利文献1及非专利文献2所记载那样，为本领域技术人员所熟知。在按照现有法的MAZ型沸石的合成方法中，所使用的OSDA的种类并无限定。通常若使用四甲基铵离子作为OSDA，则可以由始至终良好地制造MAZ型沸石。
晶种的合成时，优选的是在氧化铝源及二氧化硅源中添加OSDA的同时添加碱金属离子。碱金属离子优选使用钠离子。如此般合成MAZ型沸石后，在将其用作晶种之前，例如在空气中在500℃以上的温度下进行煅烧，将结晶中混入的OSDA除去。若使用未除去OSDA的晶种来实施本发明的方法，则反应结束后的废液中会混入有机物。另外，所生成的MAZ型沸石中也可能含有OSDA，违背本发明的主旨。
本发明的制造方法中，也可以使用依照本发明所得的MAZ型沸石作为晶种。本发明中所得的MAZ型沸石本质上不含有机化合物，因此在将其用作晶种的情况下，有之前无需煅烧处理的优点。
在使用按照现有法所得的MAZ型沸石的情况及使用按照本发明所得的MAZ型沸石的情况的任一种下，晶种的SiO2/Al2O3比均为5～10的范围，优选6～8的范围。通过将晶种的SiO2/Al2O3比设定为5以上，可以使MAZ型沸石的结晶化速度足够快。另一方面，通过将SiO2/Al2O3比设定为10以下，可以容易地合成MAZ型沸石。
相对于所述反应混合物中的二氧化硅成分，晶种的添加量为0.1重量％～30重量％的范围，优选1重量％～20重量％的范围。以添加量在该范围内为条件，晶种的添加量以少为宜，考虑反应速度或杂质的抑制效果等来决定添加量。
晶种的平均粒径是设定为0.1μm以上，优选的是设定为0.1μm～2μm、更优选0.2μm～1.0μm。通过合成所得的沸石的结晶的大小通常不均匀，具有某种程度的粒径分布，求出其中具有最大频度的结晶粒径并不困难。所谓平均粒径，是指在利用扫描式电子显微镜的观察中最大频度的结晶的粒子直径。为了合成小于0.1μm的粒子，大多情况下需要特别的努力，导致价格昂贵。因此，本发明中使用平均粒径为0.1μm以上的MAZ型沸石作为晶种。有时因晶种的平均粒径的大小而对结晶化速度或生成结晶的大小造成影响，但晶种的平均粒径的差异不会对MAZ型沸石的合成造成本质上的障碍。
添加晶种的反应混合物是以成为以下所示的摩尔比所表示的组成的方式，将二氧化硅源、氧化铝源、碱源及水混合而获得。若反应混合物的组成为该范围外，则如由后述比较例的结果所表明那样，无法获得目标MAZ型沸石，取而代之而生成其他沸石、例如丝光沸石(Mordenite)等。
·SiO2/Al2O3＝24～60
·(Na2O+K2O)/SiO2＝0.25～0.5
·K2O/(Na2O+K2O)＝0.1～0.5
·H2O/SiO2＝5～50
更优选的反应混合物的组成的范围如以下所述。
·SiO2/Al2O3＝26～55
·(Na2O+K2O)/SiO2＝0.28～0.45
·K2O/(Na2O+K2O)＝0.15～0.4
·H2O/SiO2＝10～30
用于获得具有所述摩尔比的反应混合物的二氧化硅源可以举出：二氧化硅本身及可以在水中生成硅酸根离子的含硅化合物。具体可以举出：湿式法二氧化硅、干式法二氧化硅、胶体二氧化硅、硅酸钠、铝硅酸盐凝胶等。这些二氧化硅源可以单独使用或将两种以上组合使用。这些二氧化硅源中，就不会伴有多余的副产物而可以获得目标沸石的方面来看，优选使用二氧化硅(silica)。
氧化铝源例如可以使用水溶性含铝化合物或粉末状铝。水溶性含铝化合物可以举出铝酸钠、硝酸铝、硫酸铝等。另外，氢氧化铝也为优选的氧化铝源之一。这些氧化铝源可以单独使用或将两种以上组合使用。这些氧化铝源中，从不会伴有多余的副产物(例如硫酸盐或硝酸盐等)而可以获得目标沸石的方面来看，优选使用粉末状铝、铝酸钠、氢氧化铝。
碱源例如可以使用氢氧化钠或氢氧化钾。此外，在使用硅酸钾作为二氧化硅源的情况或使用铝酸钠作为氧化铝源的情况下，其中所含的作为碱金属成分的钠或钾也同时被视为NaOH及KOH，也为碱成分。因此，所述Na2O及K2O是以反应混合物中的所有碱成分之和来计算。此外，如上文所述那样，用作碱源的碱金属必须使用钠及钾，除此以外的碱金属离子、例如锂离子在本发明的制造方法中并非必需。
关于制备反应混合物时的各原料的添加顺序，只要采用容易获得均匀的反应混合物的方法即可。例如通过在室温下将氧化铝源及碱源添加到水中并使其溶解，接着添加二氧化硅源进行搅拌混合，可以获得均匀的反应混合物。晶种是在添加二氧化硅源之前添加，或者与二氧化硅源混合之后添加。然后，以晶种均匀地分散的方式进行搅拌混合。制备反应混合物时的温度也无特别限制。
特别是若将不含晶种的所述反应混合物加入到密闭容器中并在自生压力下进行预加热后添加晶种，则可以由始至终良好地获得目标MAZ型沸石，因此优选。尤其若将反应混合物预加热后急剧冷却，将该反应混合物冷却到室温后添加晶种，则可以由始至终进一步良好地获得目标MAZ型沸石，因此优选。在这些任一情况下，反应混合物的制备均优选的是以在含有氧化铝源及碱源的溶液中添加二氧化硅源的顺序进行。另外，反应混合物的预加热的温度及时间并无特别限定。具体来说，预加热的温度优选的是设定为80℃～200℃，更优选的是设定为100℃～200℃。预加热的时间是以预加热的温度在该范围内为条件，优选的是设定为0.5小时～24小时，特别优选的是设定为1小时～20小时。预加热的温度与添加晶种后的结晶化温度可相同，另外也可为不同的温度，并无特别限定。只要设定以与加热时间的组合而高效地进行结晶化的条件即可。
在进行了预加热或未进行预加热的反应混合物中添加晶种，将含有晶种的该反应混合物加入到密闭容器中并进行加热而使其反应，在自生压力下使MAZ型沸石结晶化。该反应混合物中不含OSDA。关于晶种，可以对通过上文所述的专利文献1或专利文献2或者非专利文献1或非专利文献2中记载的方法所得的晶种进行煅烧等操作，而以不含OSDA等有机物的状态使用。
在使用含有晶种的反应混合物使MAZ型沸石结晶化时，若在进行老化后进行加热，则结晶化容易进行，因此优选。所谓老化，是指在低于反应温度的温度下保持该温度一定时间的操作。老化时，通常不加搅拌而进行静置。已知通过老化而发挥以下效果：防止杂质的副产生；可以在搅拌下进行加热而不副产生杂质；提高反应速度等，但作用机制未必明确。老化的温度及时间是以最大限度地发挥所述效果的方式设定。本制造方法中，在优选20℃～80℃、更优选20℃～60℃下，在优选2小时～24小时的范围内进行老化。
在对含有晶种的反应混合物进行加热而使其结晶化的期间中，为了实现该反应混合物的温度的均匀化，也可以搅拌该反应混合物。搅拌可以通过利用搅拌翼的混合、或容器的旋转来进行。搅拌强度或转速只要根据温度的均匀性或杂质的副产生状况来调整即可。并非不停地搅拌，也可为间歇搅拌。
在静置状态下进行结晶化的情况及在搅拌状态下进行结晶化的情况的任一种下，加热均是在密闭环境下进行。加热温度为80℃～200℃的范围，优选120℃～200℃、更优选140℃～200℃的范围。该加热为自生压力下的加热。在小于80℃的温度下，结晶化速度变得极慢，因此MAZ型沸石的生成效率变差。另一方面，在超过200℃的温度下，不仅因必需高耐压强度的高压釜而缺乏经济性，而且杂质的产生速度变快。加热时间在本制造方法中并无阈值，只要加热到生成结晶性足够高的MAZ型沸石即可。通常，通过2小时～150小时左右的加热，可以获得令人满意的结晶性的MAZ型沸石。
通过所述加热可以获得MAZ型沸石的结晶。加热结束后，通过过滤将所生成的结晶粉末与母液分离后，利用水或温水进行清洗并加以干燥。由于在保持干燥的状态下实质上不含有机物，因此无需煅烧，只要进行脱水便可用作吸附剂等。另外，在用作固体酸催化剂时，例如可以将结晶内的Na+离子或K+离子交换成NH4+离子后进行煅烧，由此以H+型的形式而使用。
由本制造方法所得的MAZ型沸石例如可以优选地用作石油化学工业中的烯烃合成用催化剂等各种催化剂、或各种工业领域中的吸附分离剂。
实施例
以下，通过实施例对本发明加以更详细说明。但是，本发明的范围不限制于该实施例。只要无特别说明，则“％”是指“重量％”。此外，以下的实施例及比较例中所用的分析设备如以下所述。
粉末X射线衍射装置：马克科学(MAC Science)公司制造，粉末X射线衍射装置MO3XHF22、使用Cukα线、电压40kV、电流30mA、扫描步进0.02°、扫描速度2°/min
扫描式电子显微镜：日立高新技术(Hitachi High-technologies)(股)公司制造，场发射式扫描电子显微镜S-4800
组成分析装置：瓦里安(Varian)(股)制造，感应耦合等离子体原子发射光谱仪(Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectroscopy，ICP-AES)，利伯蒂系列II(LIBERTY Series II)
氮吸附特性测定装置：康塔仪器(Quantachrome Instruments)(股)公司制造，奥拓索伯(AUTOSORB)-1
氨升温脱离(Temperature-Programmed Deosprtion，TPD)装置：日本拜尔(Bel Japan)制造，拜耳卡特(BEL-CAT)
[实施例1]
(1)晶种的合成
使用氢氧化四甲基铵作为OSDA，通过以铝酸钠作为氧化铝源、以胶体二氧化硅(露道斯(LUDOX)，HS-40)作为二氧化硅源、以氢氧化钠作为碱源的现有公知的方法(非专利文献1)来制备反应混合物。将该反应混合物在室温下老化3天后，加入到23cc的不锈钢制密闭容器中，在100℃下进行7天静置加热而合成沸石ω(MAZ型沸石)的结晶。一面在电炉中流通空气一面在550℃下将该沸石ω煅烧20小时，制造不含有机物的沸石ω的结晶。通过扫描式电子显微镜来观察该结晶，结果平均粒径为0.85μm。组成分析的结果为，SiO2/Al2O3比为6.8。将煅烧后的沸石ω的X射线衍射图示于图1中。在以下将述的实施例及比较例中，将该不含有机物的沸石ω的结晶用作晶种。将该晶种交换成NH4+离子并进行煅烧，由此制成H+型后，在液态氮温度下测定氮吸脱附等温线(图4)。根据该等温线来评价细孔特性，结果微孔表面积：236m2/g、微孔容积：0.093cc/g。另外，根据该H+型试样的氨TPD的脱离曲线(图5(a))所求出的固体酸量为0.93mmol/g。
(2)MAZ型沸石的合成
在纯水6.751g中溶解铝酸钠0.157g、50％氢氧化钾0.490g及36％氢氧化钠溶液1.309g而获得水溶液。在该水溶液中添加粉末状二氧化硅(Cab-O-Sil，M5)1.316g并均匀混合，获得表1所记载的组成的凝胶。将该反应混合物加入到23cc的不锈钢制密闭容器中，不进行搅拌而在140℃下预加热5小时。然后，将密闭容器急剧冷却后，将不含有机物的沸石ω的晶种0.263g添加到反应混合物中并均匀混合。然后，将密闭容器再次在140℃下在自生压力下静置加热24小时。将密闭容器冷却后，过滤产物，进行温水清洗而获得白色粉末。该产物的X射线衍射测定的结果为，确认到该产物如图2所示那样为不含杂质的MAZ型沸石。
[实施例2～实施例10]
除了采用表1所示的条件以外，与实施例1同样地获得MAZ型沸石。其中，如表1所示，有时观察到除了MAZ型沸石以外生成沸石T作为副产物。将对仅生成MAZ型沸石的实施例3进行测定所得的X射线衍射图示于图3中。将实施例3中所得的结晶交换成NH4+离子并进行煅烧，由此制成H+型后，在液态氮温度下测定氮吸脱附等温线(图4)。根据该等温线来评价细孔特性，结果微孔表面积：392m2/g、微孔容积：0.15cc/g。另外，根据该H+型试样的氨TPD的脱离曲线(图5(b))所求出的固体酸量为1.14mmol/g。
由该结果得知，在细孔特性及固体酸特性的评价中，实施例3中所得的MAZ型沸石较实施例1中用作晶种的沸石ω(MAZ型沸石)更优异。
[比较例1]
在纯水7.407g中溶解铝酸钠0.220g、50％氢氧化钾0.312g及36％氢氧化钠溶液0.710g而获得水溶液。在该水溶液中添加粉末状二氧化硅(Cab-O-Sil，M5)1.352g及不含有机物的沸石ω的晶种0.268g并均匀混合，获得表2所示的组成的凝胶。将该反应混合物加入到23cc的不锈钢制密闭容器中，不进行搅拌而在140℃下在自生压力下静置加热48小时。将密闭容器冷却后，过滤产物，进行温水清洗而获得白色粉末。该产物的X射线衍射测定的结果为，该产物为丝光沸石。
[比较例2～比较例4]
除了采用表2所示的条件以外，进行与比较例1相同的操作。比较例2及比较例3中确认到产物，但无法进行其鉴定。比较例4中确认到生成非晶物质。

如由表1与表2的对比所表明那样，得知通过使用特定的MAZ型沸石作为晶种，并将其添加到具有特定组成的反应混合物中进行结晶化，可以获得MAZ型沸石。在反应混合物中的(Na2O+K2O)/SiO2的值低的情况下(比较例1)，生成丝光沸石，另外在SiO2/Al2O3的值低的情况下(比较例2及比较例3)，生成无法鉴定的物质。进而，在仅使用钠作为碱源而不使用钾的情况下(比较例4)，生成非晶物质。

资源描述

《LED驱动电路.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《LED驱动电路.pdf（13页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。

1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410413459.4(22)申请日 2014.08.212013-179504 2013.08.30 JPH05B 37/02(2006.01)(71)申请人三垦电气株式会社地址日本埼玉县(72)发明人吉永充达岩渕昭夫田坂泰町田修吉江徹江原俊浩木村研吾(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司 11127代理人李辉金玲(54) 发明名称LED驱动电路(57) 摘要本发明提供LED驱动电路，其是使用了常通型的宽禁带半导体元件作为开关元件的他激方式的LED驱动电路。LED驱动电路(10a)通过直流输出以恒流点亮LED阵。

2、列(LD)，所述直流输出是利用常通型的开关元件(Q1)的接通断开动作而生成的，LED驱动电路(10a)具有：脉冲产生电路(T2)，其输出以开关元件(Q1)的源极端子(输出端子)的电位作为公共电位的正的脉冲信号；以及脉冲信号转换电路(耦合电容器C3)，其将从脉冲产生电路(T2)输出的脉冲信号相对于所述公共电位转换为负的波形，并将转换后的脉冲信号输出到开关元件(Q1)的栅极端子(控制端子)。(30)优先权数据(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页说明书7页附图4页(10)申请公布号 CN 104427723 A(43)申请公布日 2015.。

3、03.18CN 104427723 A1/1页21.一种LED驱动电路，其通过直流输出以恒流点亮LED，其中，该直流输出是利用常通型的开关元件的接通断开动作而生成的，所述LED驱动电路的特征在于，具有：脉冲产生电路，其输出以所述开关元件的输出端子的电位作为公共电位的正的脉冲信号；以及脉冲信号转换电路，其将从该脉冲产生电路输出的所述脉冲信号相对于所述公共电位转换为负的波形，并将转换后的所述脉冲信号输出到所述开关元件的控制端子。2.根据权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于，所述LED驱动电路具有自偏压电路，该自偏压电路与所述开关元件的输出端子的电位对应地使所述开关元件进行断开动作。3.根据权。

4、利要求1或2所述的LED驱动电路，其特征在于，所述脉冲信号转换电路是耦合电容器。4.根据权利要求1或2所述的LED驱动电路，其特征在于，所述脉冲信号转换电路是负电源。5.根据权利要求2所述的LED驱动电路，其特征在于，所述开关元件由串联连接的第1开关元件和第2开关元件构成，高侧的所述第1开关元件通过由所述脉冲信号转换电路转换为负的波形后的所述脉冲信号进行接通断开动作，低侧的所述第2开关元件利用从所述脉冲产生电路输出的所述脉冲信号解除所述第2开关元件的基于所述自偏压电路的断开动作，从而进行接通断开动作。6.根据权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于，所述开关元件由串联连接的第1开关元件和第2。

5、开关元件构成，通过由所述脉冲信号转换电路转换为负的波形后的所述脉冲信号，使所述第1开关元件和所述第2开关元件进行接通断开动作。7.根据权利要求2所述的LED驱动电路，其特征在于，所述开关元件由与电抗器串联连接的第1开关元件和第2开关元件构成，高侧的所述第1开关元件使用在与所述电抗器磁耦合的绕组中感应出的电压进行断开动作，低侧的所述第2开关元件利用从所述脉冲产生电路输出的所述脉冲信号解除所述第2开关元件的基于所述自偏压电路的断开动作，从而进行接通断开动作。8.根据权利要求17中的任意一项所述的LED驱动电路，其特征在于，所述LED驱动电路具有电力供给电路，该电力供给电路从所述LED的阳极侧利用自。

6、举结构供给所述脉冲产生电路和所述脉冲信号转换电路的电源。权利要求书CN 104427723 A1/7页3LED 驱动电路技术领域0001 本发明涉及使用常通型的开关元件以恒流点亮LED的LED驱动电路。背景技术0002 近年来，提出了如下技术：将半导体基板中使用了GaAs(砷化镓)、GaN(氮化镓)、SiC(碳化硅)等的低损耗的宽禁带半导体元件用作开关电源电路的开关元件(例如参照专利文献1)。通过使用宽禁带半导体元件作为开关元件，能够在不降低电源效率的情况下提高工作频率，能够实现装置的小型化。0003 宽禁带半导体元件通常为常通型，具有作为栅极/源极间电压的Vgs为0V时接通、Vgs为。

7、低于栅极电压的阈值Vth(负电压)的负电位时断开这一特性，在专利文献1中公开了在电抗器流过的增加电流达到了预定值时断开开关元件(宽禁带半导体元件)的自激式的斩波电路。0004 【专利文献1】日本特开2011-199024号公报0005 但是，在现有技术中，以自激方式使开关元件(宽禁带半导体元件)接通断开，因此存在不能进行最佳的开关动作的问题。即，认为难以强制性加速或对准开启、关断的速度和时机，从而开关损失不会减少。此外，保护功能的内置较难，处于外装部件增加的方向。发明内容0006 本发明的目的在于鉴于上述问题，解决现有技术的问题，提供一种使用了常通型的宽禁带半导体元件作为开关元件的他激方式的L。

8、ED驱动电路。0007 本发明的LED驱动电路，其通过直流输出以恒流点亮LED，其中，该直流输出是利用常通型的开关元件的接通断开动作而生成的，所述LED驱动电路的特征在于，具有：脉冲产生电路，其输出将所述开关元件的输出端子的电位作为公共电位的正的脉冲信号；以及脉冲信号转换电路，其将从该脉冲产生电路输出的所述脉冲信号相对于所述公共电位转换为负的波形，并将转换后的所述脉冲信号输出到所述开关元件的控制端子。0008 根据本发明，能够使用开关元件作为常通型的宽禁带半导体，进行他激控制，起到能够在不使开关特性恶化的情况下将振荡频率高频化的效果。附图说明0009 图1是示出本发明的LED驱动电路的第1实施。

9、方式结构的电路结构图。0010 图2是示出本发明的LED驱动电路的第2实施方式结构的电路结构图。0011 图3是示出本发明的LED驱动电路的第3实施方式结构的电路结构图。0012 图4是示出本发明的LED驱动电路的第4实施方式结构的电路结构图。0013 图5是示出本发明的LED驱动电路的第5实施方式结构的电路结构图。0014 图6是示出本发明的LED驱动电路的第6实施方式结构的电路结构图。0015 图7是示出本发明的LED驱动电路的第7实施方式结构的电路结构图。说明书CN 104427723 A2/7页40016 标号说明0017 10a：LED驱动电路(第1实施方式)；10b：LED驱动。

10、电路(第2实施方式)；10c：LED驱动电路(第3实施方式)；10d：LED驱动电路(第4实施方式)；10e：LED驱动电路(第5实施方式)；10f：LED驱动电路(第6实施方式)；10g：LED驱动电路(第7实施方式)；BF1、BF3：缓冲电路；BF2：负缓冲电路；C1：旁路电容器；C2：输出电容器；C3、C4、C5、C6：耦合电容器；D1：再生二极管；D2：二极管；L：电抗器；LD：LED阵列；Q1：开关元件(第1开关元件)；Q2：开关元件(第2开关元件)；R1、R2、R3：电阻；Rs：电流检测电阻；Ta：控制电路(第1实施方式)；Tb：控制电路(第2实施方式)；Tc：控制电路(第3实施方。

11、式)；Td：控制电路(第4实施方式)；Te：控制电路(第5实施方式)；Tg：控制电路(第7实施方式)；T1：差分电路；T2：脉冲产生电路；T3：负电源电路；T4：恒压电路；ZD1、ZD2：齐纳二极管。具体实施方式0018 接着，参照附图具体地说明本发明的实施方式。另外，在各图中，对相同结构标注相同标号并省略部分说明。0019 (第1实施方式)0020 参照图1，第1实施方式的LED驱动电路10a是使用了常通型的宽禁带半导体元件的升降压斩波电路，具有整流电路DB、作为常通型的宽禁带半导体元件的开关元件Q1、对开关元件Q1进行接通断开控制的控制电路Ta、旁路电容器C1、电抗器L、再生二极管D1、输。

12、出电容器C2、齐纳二极管ZD1、电阻R1、R2和电流检测电阻Rs，以恒流对作为负载电路的LED阵列LD进行驱动。0021 在LED驱动电路10a的输入端子V+、和输入端子V0上分别连接有由二极管桥式构成的整流电路DB的整流输出正极端子、接地的整流输出负极端子。在整流电路DB的交流输入端子ACin1、ACin2上连接有商用交流电源AC1，来自商用交流电源AC1的AC输入电压经过全波整流后从整流电路DB输出。0022 在输入端子V+、即整流电路DB的整流输出正极端子与输入端子V0、即整流电路DB的整流输出负极端子之间，并联连接有如下的串联电路和旁路电容器C1，其中，该串联电路由第1开关元件Q1以及。

13、电抗器L构成。在输入端子V+上连接有开关元件Q1的漏极端子，在开关元件Q1的源极端子上连接有电抗器L的一个端子，电抗器L的另一个端子与输入端子V0连接。由此，在开关元件Q1接通时，对电抗器L进行充电。0023 此外，在开关元件Q1的栅极端子与源极端子之间，连接有齐纳二极管ZD1。齐纳二极管ZD1的阳极与开关元件Q1的栅极端子连接，阴极与开关元件Q1的源极端子连接。在开关元件Q1的栅极端子与输入端子V0之间，连接有足够高电阻的电阻R1。齐纳二极管ZD1和电阻R1在控制电路Ta进行动作之前的期间内，作为根据开关元件Q1的源极端子的电位，使开关元件Q1进行断开动作的自偏压电路发挥作用。即，开关元件Q。

14、1是具有在Vgs0V时接通、Vgs负电位时断开这一特性的常通型，因此在到电源接通时等控制电路Ta进行动作之前的期间内，开关元件Q1的栅极电压成为与源极电位相同的电位时，成为接通状态，流过大电流。因此，将高电阻的电阻R1连接到栅极端子与输入端子V0(接地端子)之间，使得开关元件Q1的栅极电压通过负电压被充分自偏压至连接在栅极端子和源极端子说明书CN 104427723 A3/7页5之间的齐纳二极管ZD1的齐纳电压Vz为止，从而开关元件Q1被断开。由此，能够在电源接通时使开关元件Q1进行断开动作，因此在控制电路Ta进行动作之前，可将开关元件Q1稳定地作为常断型的半导体元件进行处理。0024 在。

15、电抗器L上，并联连接有由输出电容器C2和再生二极管D1构成的串联电路。在开关元件Q1的源极端子与电抗器L的一个端子的连接点上连接有再生二极管D1的阴极，再生二极管D1的阳极与输出电容器C2的负电极连接，输出电容器C2的正电极与电抗器L的另一个端子连接。输出电容器C2的两端为LED驱动电路10a的输出，输出电容器C2的正电极为输出端子Vout+，输出电容器C2的负电极为输出端子Vout。在该输出端子Vout+、Vout上，以阳极处于输出端子Vout+侧的方式连接有作为负载的LED阵列LD。由此，在开关元件Q1断开时，将电抗器L所蓄积的电力供给到LED阵列LD和输出电容器C2，在开关元件Q1断开时。

16、，将输出电容器C2所蓄积的电力供给到LED阵列LD。0025 在输出端子Vout与输出电容器C2之间，连接有用于检测流过LED阵列LD的LED电流的电流检测电阻Rs，电流检测电阻Rs的两端电位被输入到控制电路Ta。0026 控制电路Ta是将开关元件Q1的源极端子的电位作为公共电位、并以他激方式使开关元件Q1进行接通断开动作的IC电路，具有差分电路T1、运算放大器OP1、基准电压Vref1、脉冲产生器T2、缓冲电路BF1、耦合电容器C3、驱动信号输出端子OUT1、控制部电源端子Vcc、公共端子COM、起动电流输入端子ST和电流反馈端子FB+、FB。0027 电流检测电阻Rs的两端经由电流反馈端子。

17、FB+、FB与差分电路T1连接，向差分电路T1输入电流检测电阻Rs的两端电位。差分电路T1将与电流检测电阻Rs的两端电位差对应的电压值作为所检测的输出电流值输出到运算放大器OP1的反转输入端子。在运算放大器OP1的非反转输入端子上连接有作为目标电流值的基准电压Vref1。由此，进而从运算放大器OP1的输出端子输出了输出电流值与目标电流值之间的差分信号。0028 脉冲产生器T2输出脉冲信号，该脉冲信号的占空比基于从运算放大器OP1的输出端子输出的差分信号。此外，脉冲产生器T2输出的脉冲信号是将开关元件Q1的输出端子的电位作为公共电位、并用于常断型的开关元件的接通断开控制的正的脉冲信号。脉冲产生器。

18、T2为了使得输出电流值与目标电流值一致，在输出电流值小于目标电流值的情况下，输出提高了占空比的脉冲信号，在输出电流值大于目标电流值的情况下，输出降低了占空比的脉冲信号。0029 脉冲产生器T2的输出端子经由缓冲电路BF1和耦合电容器C3与驱动信号输出端子OUT1连接，驱动信号输出端子OUT1与开关元件Q1的栅极端子连接。此外，连接有缓冲器BF1的负电源的公共端子COM与开关元件Q1的源极端子连接。0030 来自缓冲电路BF1的输出是方形波，在通过耦合电容器C3对来自缓冲电路BF1的输出进行电容器耦合时，将其转换为对原始波形的面积进行上下分割后的正电压和负电压。因此，在关断时向开关元件Q1的栅极。

19、端子施加急剧的负电压，因此能够使开关元件Q1迅速断开，并将其维持到断开状态。即，耦合电容器C3作为脉冲信号转换电路发挥作用，其将从脉冲产生电路T2(缓冲电路BF1)输出的脉冲信号相对于公共电位转换为负的波形，并将转换后的脉冲信号输出到开关元件Q1的栅极端子。另外，正电压超过开关元件Q1的栅极耐压，但通过齐纳二极管ZD1的正向电压VF进行电压钳位，因此能够在不导致开关元件Q1的损坏的情况下使开关元件Q1接通。说明书CN 104427723 A4/7页60031 此外，控制电路Ta的起动电流输入端子ST经由电阻R2与输入端子V+连接，并且在控制部电源端子Vcc与公共端子COM之间连接有电容器C。

20、4。电容器C4是向控制电路Ta供给工作电力的控制电路用电容器，在起动时，通过从起动电流输入端子ST输入的起动电流进行充电，在控制电路Ta的动作后，通过在与电抗器L磁耦合的未图示的辅助绕组中感应出的电流进行充电。0032 如上所述，根据第1实施方式，是一种LED驱动电路10a，其通过直流输出以恒流点亮LED阵列LD，所述直流输出是利用常通型的开关元件Q1的接通断开动作而生成的，所述LED驱动电路10a具有：脉冲产生电路T2，其输出以开关元件Q1的源极端子(输出端子)的电位作为公共电位的正的脉冲信号；以及脉冲信号转换电路(耦合电容器C3)，其将从脉冲产生电路T2输出的脉冲信号相对于公共电位转换为负。

21、的波形，并将转换后的脉冲信号输出到开关元件Q1的栅极端子(控制端子)。0033 利用该结构，能够使用开关元件Q1作为常通型的宽禁带半导体，进行他激控制，能够在不使开关特性恶化的情况下将振荡频率高频化。另外，耦合电容器C3可以不内置在控制电路Ta中。0034 并且，根据第1实施方式，具有对应于开关元件Q1的源极端子(输出端子)的电位，使开关元件Q1进行断开动作的自偏压电路(齐纳二极管ZD1、电阻R1)。利用该结构，能够通过自偏压电路防止电源起动时的无控制动作，在控制电路Ta进行动作之前，能够将开关元件Q1作为常断型的半导体元件进行处理。0035 (第2实施方式)0036 参照图2，第2实施方式的。

22、LED驱动电路10b替代第1实施方式的具有耦合电容器C3的控制电路Ta，而设置有控制电路Tb，在控制电路Tb中，缓冲电路BF1的输出端子经由负电源电路T3与驱动信号输出端子OUT1连接。负电源电路T3例如能够由生成负电压的电荷泵电路构成。即，负电源电路T3作为脉冲信号转换电路发挥作用，其将从脉冲产生电路T2(缓冲电路BF1)输出的脉冲信号相对于公共电位转换为负的波形，并将转换后的脉冲信号输出到开关元件Q1的栅极端子。利用该结构，能够与第1实施方式同样地，使开关元件Q1进行接通断开动作。0037 如上所述，根据第2实施方式，具有脉冲信号转换电路(负电源电路T3)，其将从脉冲产生电路T2输出的脉冲。

23、信号相对于所述公共电位转换为负的波形，并将转换后的脉冲信号输出到开关元件Q1的栅极端子(控制端子)。0038 (第3实施方式)0039 参照图3，第3实施方式的LED驱动电路10c在开关元件Q1与电抗器L之间，连接有作为常通型的宽禁带半导体元件的开关元件Q2，并且设置有控制电路Tc，控制电路Tc除了第1实施方式的控制电路Ta的结构以外，还具有输出开关元件Q2的驱动信号的驱动信号输出端子OUT2。以下，为了区分开关元件Q1和开关元件Q2，将开关元件Q1称作第1开关元件Q1、开关元件Q2称作第2开关元件Q2。0040 在输入端子V+与输入端子V0之间，并联连接有由第1开关元件Q1、第2开关元件Q2。

24、及电抗器L构成的串联电路，和旁路电容器C1。在输入端子V+上连接有第1开关元件Q1的漏极端子，在第1开关元件Q1的源极端子上连接有第2开关元件Q2的漏极端子，在第2开关元件Q2的源极端子上连接有电抗器L的一个端子，电抗器L的另一个端子与输说明书CN 104427723 A5/7页7入端子V0连接。由此，在第1开关元件Q1接通、且第2开关元件Q2接通时，对电抗器L进行充电。0041 此外，在第1实施方式中连接在第1开关元件Q1的栅极端子和源极端子之间的齐纳二极管ZD1在第3实施方式中，与第1开关元件Q1的栅极端子和第2开关元件Q2的源极端子之间连接。利用该结构，在控制电路Tc进行动作之前的期。

25、间内，利用与第1实施方式相同的动作，第1开关元件Q1的栅极电压通过负电压被充分自偏压至连接在栅极端子和第2开关元件Q2的源极端子之间的齐纳二极管ZD1的齐纳电压Vz为止，从而第1开关元件Q1被断开。此外，第2开关元件Q2也通过齐纳二极管ZD2和电阻R4同样地被断开。另外，齐纳二极管ZD1和齐纳二极管ZD2可以通过分别与第1开关元件Q1和第2开关元件Q2的栅极端子连接的ESD保护元件的特性进行代用。0042 在控制电路Tc中，缓冲电路BF1的输出与驱动信号输出端子OUT2直接连接，驱动信号输出端子OUT2和第2开关元件Q2的栅极端子经由电阻R3被连接。此外，在第2开关元件Q2的栅极端子与源极端子。

26、之间，连接有齐纳二极管ZD2。齐纳二极管ZD2的阳极与第2开关元件Q2的栅极端子连接，阴极与第2开关元件Q2的源极端子连接。在第2开关元件Q2的栅极端子与输入端子V0之间，连接有与电阻R3相比足够高电阻的电阻R4。与电阻R3相比，将电阻R4设定为了足够高的电阻，因此在缓冲电路BF1的输出为低电平的情况下，通过齐纳二极管ZD2的正向电压VF，第2开关元件Q2的Vgs变为负电位，从而能够断开第2开关元件Q2。即，齐纳二极管ZD2和电阻R4作为根据第2开关元件Q2的源极端子的电位，使第2开关元件Q2进行断开动作的自偏压电路发挥作用。另一方面，在缓冲电路BF1的输出为高电平的情况下，通过齐纳二极管ZD。

27、1的正向电位Vf并通过齐纳电压Vz，第2开关元件Q2的Vgs变为正电位，从而能够接通第2开关元件Q2。即，利用从脉冲产生电路T2(缓冲电路BF1)输出的脉冲信号解除第2开关元件Q2的基于作为自偏压电路的齐纳二极管ZD2和电阻R4的断开动作，能够使其进行接通动作。另外，齐纳二极管ZD1和齐纳二极管ZD2可以通过分别与第1开关元件Q1和第2开关元件Q2的栅极端子连接的ESD保护元件的特性进行代用。0043 如上所述，根据第3实施方式，构成为第1开关元件Q1与第2开关元件Q2串联连接，高侧的第1开关元件Q1利用由脉冲信号转换电路(耦合电容器C3)转换为负的波形后的脉冲信号进行接通断开动作，低侧的第2。

28、开关元件Q2利用从脉冲产生电路T2输出的脉冲信号解除第2开关元件Q2的基于自偏压电路(齐纳二极管ZD2、电阻R3)的断开动作，由此进行接通断开动作。0044 利用该结构，能够分别使用串联连接的第1开关元件Q1和第2开关元件Q2作为常通型的宽禁带半导体，并通过他激控制使第1开关元件Q1和第2开关元件Q2分别进行接通断开动作。0045 (第4实施方式)0046 参照图4，第4实施方式的LED驱动电路10d与第3实施方式的LED驱动电路10c同样地串联连接有第1开关元件Q1和第2开关元件Q2，利用从具有负缓冲器BF2的控制电路Td输出的负输出波形对第1开关元件Q1和第2开关元件Q2进行了驱动。004。

29、7 脉冲产生器T2的输出端子经由负缓冲电路BF2与驱动信号输出端子OUT3连接。并且，驱动信号输出端子OUT3经由耦合电容器C5与第1开关元件Q1的栅极端子连接，并说明书CN 104427723 A6/7页8且与第2开关元件Q2的栅极端子直接连接。0048 通过使用具有负缓冲器BF2的控制电路Td，能够利用负输出波形驱动第1开关元件Q1和第2开关元件Q2，因此能够维持开关元件Q1和第2开关元件Q2的断开状态。另外，为了使得即使利用负电压，控制电路Td内部的寄生元件也不进行动作，控制电路Td优选由以电介质分离构造为代表的SOI(Silicon on Insulator：绝缘体上硅)构成。00。

30、49 如上所述，根据第4实施方式，构成为第1开关元件Q1与第2开关元件Q2串联连接，利用由负缓冲器BF2转换为负的波形后的所述脉冲信号使第1开关元件Q1和第2开关元件Q2进行接通断开动作。0050 利用该结构，能够分别使用串联连接的第1开关元件Q1和第2开关元件Q2作为常通型的宽禁带半导体，并通过他激控制使第1开关元件Q1和第2开关元件Q2分别进行接通断开动作。0051 (第5实施方式)0052 参照图5，第5实施方式的LED驱动电路10e与第3实施方式的LED驱动电路10c同样地串联连接有第1开关元件Q1和第2开关元件Q2，使用在与电抗器L磁耦合的绕组AW中感应出的负电压对高侧的第1开关元件。

31、Q1进行了断开控制。0053 与电抗器L磁耦合的绕组AW的一端与电抗器L和第2开关元件Q2的源极端子的连接点连接，另一端经由耦合电容器C6与第1开关元件Q1的栅极端子连接。由此，当电抗器L的电压极性反转时，在绕组AW中感应出使得第1开关元件Q1的栅极端子变为负电位的电压，从而将第1开关元件Q1维持到断开状态。0054 如上所述，根据第5实施方式，构成为第1开关元件Q1、第2开关元件Q2以及电抗器L串联连接，高侧的第1开关元件Q1使用在与电抗器L磁耦合的绕组AW中感应出的电压进行断开动作，低侧的第2开关元件Q2利用从脉冲产生电路T2输出的脉冲信号解除第2开关元件Q2的基于自偏压电路(齐纳二极管Z。

32、D2、电阻R3)的断开动作，由此进行接通断开动作。0055 利用该结构，能够分别使用串联连接的第1开关元件Q1和第2开关元件Q2作为常通型的宽禁带半导体，并通过自激控制使高侧的第1开关元件Q1进行接通断开动作，通过他激控制使低侧的第2开关元件Q2进行接通断开动作。0056 (第6实施方式)0057 参照图6，第6实施方式的LED驱动电路10f除了第1实施方式的结构以外，还在输出端子Vout+与控制电路Ta的控制部电源端子Vcc之间连接有二极管D2。二极管D2的阳极与输出端子Vout+连接，阴极与控制部电源端子Vcc连接。利用该结构，在控制电路Ta的起动后，从作为负载电路的LED阵列LD利用自举。

33、结构向电容器C4供给电力，电容器C4向控制电路Tb供给工作电力。0058 如上所述，根据第6实施方式，具有电力供给电路(二极管D2)，其从LED阵列LD的阳极侧利用自举结构供给脉冲产生电路T2和脉冲信号转换电路(控制电路Ta)的电源。0059 利用该结构，不需要在电抗器L上设置向控制电路Ta供给电力的辅助绕组，能够使用双端子型的预制部件作为电抗器L，能够大幅度地减少成本。0060 (第7实施方式)0061 参照图7，第7实施方式的LED驱动电路10g与第3实施方式的LED驱动电路10c说明书CN 104427723 A7/7页9同样地串联连接有第1开关元件Q1和第2开关元件Q2，通过设置于。

34、控制电路Tg的恒压电路T4向高侧的第1开关元件Q1的栅极端子施加了恒压(0V)。并且，经由缓冲器BF3将来自运算放大器OP1的差分信号施加到低侧的第2开关元件Q2的栅极端子。缓冲器BF3的负电源与LED驱动电路10g的接地端子连接，缓冲器BF3将差分信号转换为可将第2开关元件Q2控制为恒流元件的范围内的负电压。利用该结构，当流过电抗器L的电流达到第2开关元件Q2的恒流值时，第2开关元件Q2的漏极端子、即第1开关元件Q1的源极端子的电压急剧上升。由此，第1开关元件Q1的Vgs变为负电位，第1开关元件Q1被断开。然后，流过第2开关元件Q2的电流变为恒流值以下，因此第1开关元件Q1再次进行接通动作，。

35、所以在再生二极管D1导通的再生期间内，需要维持第1开关元件Q1的断开动作。在图5所示的第5实施方式中，从与电抗器L磁耦合的绕组AW中得到了第1开关元件Q1的断开信号，但利用在再生二极管D1的导通期间产生的临界动作信号也能够设为相同的断开信号。例如，可通过从输出电压Vout+侧连接图7中未图示的自举电路，得到临界动作信号。通过在产生了该信号的期间内，降低运算放大器OP1的基准电压Vref1，可维持第2开关元件Q2的断开状态，因此还能够同时维持第1开关元件Q1的断开状态。另外，与LED驱动电路10g的接地端子连接的元件和电路需要设计成可耐受AC输入电压的整流后电压的140V400V左右的高耐压。0062 另外，在本实施方式中，说明了升降压斩波电路，但本发明还能够应用于降压斩波电路。0063 另外，本发明不限定于上述各实施方式，可知在本发明的技术思想的范围内，能够对各实施方式进行适当变更。另外，上述结构部件的数量、位置、形状等不限定于上述实施方式，可以成为适合实施本发明的数量、位置、形状等。另外，在各图中，对相同结构要素标注相同标号。说明书CN 104427723 A1/4页10图1图2说明书附图CN 104427723 A10。

展开阅读全文