有机电致发光器件及其制备方法.pdf

摘要
申请专利号：	CN201310370308.0	申请日：	2013.08.22
公开号：	CN104425745A	公开日：	2015.03.18
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 51/52申请公布日:20150318\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L51/52; H01L51/56	主分类号：	H01L51/52
申请人：	海洋王照明科技股份有限公司; 深圳市海洋王照明技术有限公司; 深圳市海洋王照明工程有限公司
发明人：	周明杰; 黄辉; 钟铁涛; 王平
地址：	518100广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层
优先权：
专利代理机构：	广州华进联合专利商标代理有限公司44224	代理人：	生启; 何平
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内容摘要

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层；所述金属掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:1～2:1，所述高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV；所述二氧化钛层的材料为二氧化钛。上述有机电致发光器件的出光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

权利要求书

权利要求书1. 一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层；所述金属掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:1～2:1，所述高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV；所述二氧化钛层的材料为二氧化钛。2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述高功函数金属选自银、铝、铂及金中的至少一种。3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铜的化合物选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中的至少一种。4. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属掺杂层的厚度为100nm～300nm，所述二氧化钛层的厚度为300nm～800nm。5. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述二氧化钛层的材料为锐钛矿结构的二氧化钛。6. 一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在玻璃基底表面制备阳极；在所述阳极表面制备散射层，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层，所述金属掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:1～2:1，所述高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV，所述二氧化钛层的材料为二氧化钛；及在所述散射层的表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。7. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述高功函数金属选自银、铝、铂及金中的至少一种。8. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述铜的化合物选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中的至少一种。9. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述金属掺杂层的厚度为100nm～300nm，所述二氧化钛层的厚度为300nm～800nm。10. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述玻璃基底在制备阳极前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡12小时～24小时。

说明书

说明书有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。传统的有机电致发光器件出光性能较低。
发明内容
基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层；所述金属掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:1～2:1，所述高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV；所述二氧化钛层的材料为二氧化钛。
在其中一个实施例中，所述高功函数金属选自银、铝、铂及金中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述铜的化合物选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述金属掺杂层的厚度为100nm～300nm，所述二氧化钛层的厚度为300nm～800nm。
在其中一个实施例中，所述二氧化钛层的材料为锐钛矿结构的二氧化钛。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在玻璃基底表面制备阳极；
在所述阳极表面制备散射层，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层，所述金属掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:1～2:1，所述高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV，所述二氧化钛层的材料为二氧化钛；及
在所述散射层的表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
在其中一个实施例中，所述高功函数金属选自银、铝、铂及金中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述铜的化合物选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述金属掺杂层的厚度为100nm～300nm，所述二氧化钛层的厚度为300nm～800nm。
在其中一个实施例中，所述玻璃基底在制备阳极前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡12小时～24小时。
上述有机电致发光器件及其制备方法，在阳极的表面制备散射层，散射层包括金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层，金属掺杂层由金属与铜的化合物组成，金属为高功函数金属，可提高散射层的导电性，有利于空穴的传输，铜的化合物原子半径较大，因此，可对光子有散射作用，提高光散射能力，同时，铜的化合物的HOMO能级较低，有利于空穴的注入，提高空穴注入能力；二氧化钛层的材料为锐钛矿二氧化钛，比表面积大，孔隙率高，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，而二氧化钛带隙较窄，能级较低，因此电导率较高，适合传输空穴，可快速传输空穴，提高空穴电子复合几率，从而有机电致发光器件的出光效率较高。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的玻璃基底10、阳极20、散射层30、空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
玻璃基底10为折射率为1.8～2.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底10优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
阳极20形成于玻璃基底10的一侧表面。阳极20的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），优选为ITO。阳极20的厚度为80nm～300nm，优选为120nm。
散射层30形成于阳极20的表面。散射层30包括形成于阳极20表面的金属掺杂层32及形成于金属掺杂层32表面的二氧化钛层34。
金属掺杂层32的材料包括高功函数金属及掺杂在高功函数金属中的铜的化合物。高功函数金属与铜的化合物的质量比为0.5:1～2:1。高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV，优选的，高功函数金属选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种。铜的化合物选自碘化亚铜（CuI）、氧化亚铜（Cu2O）、酞菁铜（CuPc）及氧化铜（CuO）中的至少一种。金属掺杂层32的厚度为100nm～300nm。
二氧化钛层34的厚度为300nm～800nm。二氧化钛层34的材料为锐钛矿结构的二氧化钛（TiO2）。二氧化钛层34中的二氧化钛的粒径为20nm～200nm。
空穴注入层40形成于散射层30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为 WO3。空穴注入层40的厚度为20nm～80nm，优选为60nm。
空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层50的厚度为20nm～60nm，优选为45nm。
发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层60的厚度为5nm～40nm，优选为15nm。
电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm～250nm，优选为200nm。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为CsF。电子注入层80的厚度为0.5nm～10nm，优选为1nm。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm～250nm，优选为100nm。
上述有机电致发光器件100，在阳极20的表面制备散射层30，散射层30包括金属掺杂层32及形成于金属掺杂层32表面的二氧化钛层34，金属掺杂层32由金属与铜的化合物组成，金属为高功函数金属，可提高散射层的导电性，有利于空穴的传输，铜的化合物原子半径较大，因此，可对光子有散射作用，提高光散射能力，同时，铜的化合物的HOMO能级较低，有利于空穴的注入，提高空穴注入能力；二氧化钛层的材料为锐钛矿二氧化钛，比表面积大，孔隙率高，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，而二氧化钛带隙较窄，能级较低，因此电导率较高，适合传输空穴，可快速传输空穴，提高空穴电子复合几率，从而有机电致发光器件的出光效率较高。
可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
请同时参阅图2，一实施例的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在玻璃基底10表面阳极20。
玻璃基底10为折射率为1.8～2.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底10优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
阳极20形成于玻璃基底10的一侧表面。阳极20的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），优选为ITO。阳极20的厚度为80nm～300nm，优选为120nm。阳极20采用磁控溅射制备。磁控溅射的加速电压为300～800V，磁场为50～200G，功率密度为1～40W/cm2。
本实施方式中，玻璃基底10在使用前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡12小时～24小时。
步骤S120、在阳极20表面制备散射层30。
散射层30包括形成于阳极20表面的金属掺杂层32及形成于金属掺杂层32表面的二氧化钛层34。
金属掺杂层32的材料包括高功函数金属及掺杂在高功函数金属中的铜的化合物。高功函数金属与铜的化合物的质量比为0.5:1～2:1。高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV，优选的，高功函数金属选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种。铜的化合物选自碘化亚铜（CuI）、氧化亚铜（Cu2O）、酞菁铜（CuPc）及氧化铜（CuO）中的至少一种。金属掺杂层32的厚度为100nm～300nm。金属掺杂层32由电子束蒸镀制备。制备的工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10～l00W/cm2。
二氧化钛层34的厚度为300nm～800nm。二氧化钛层34的材料为锐钛矿结构的二氧化钛（TiO2）。二氧化钛层34中的二氧化钛的粒径为20nm～200nm。二氧化钛层34由电子束蒸镀制备。制备的工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10～l00W/cm2。
优选的，当使用市售普通的二氧化钛时，二氧化钛的粒径为20nm～200nm。先将二氧化钛放在马弗炉中400℃～800℃煅烧20分钟～60分钟，使普通二氧化钛转变为锐钛矿结构。
步骤S130、在散射层30的表面依次蒸镀形成空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
空穴注入层40形成于散射层30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为WO3。空穴注入层40的厚度为20nm～80nm，优选为60nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层50的厚度为20nm～60nm，优选为45nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层60的厚度为5nm～40nm，优选为15nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm～250nm，优选为200nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为CsF。电子注入层80的厚度为0.5nm～10nm，优选为1nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm～250nm，优选为100nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
上述有机电致发光器件制备方法，制备工艺简单；制备的有机电致发光器件的出光效率较高。
以下结合具体实施例对有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
实施例1
本实施例制备结构为玻璃/ITO/Ag:Cu2O/TiO2/WO3/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF44，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底上磁控溅射阳极，材料为ITO，厚度为120nm；在阳极表面制备散射层，散射层包括金属掺杂层及二氧化钛层，先制备金属掺杂层，材料包括Ag及掺杂在Ag中的Cu2O，Ag与Cu2O的质量比为1:1，采用电子束制备，厚度为120nm；接着制备二氧化钛层，TiO2粒径为50nm，先放在马弗炉中500度煅烧30min，使其转变成锐钛矿结构，采用电子束制备，厚度为400nm。蒸镀制备空穴注入层，材料为WO3，厚度为60nm；蒸镀制备空穴传输层：材料为NPB，厚度为45nm；蒸镀制备发光层：所选材料为BCzVBi，厚度为15nm；蒸镀制备电子传输层，材料为TAZ，厚度为200nm；蒸镀制备电子注入层、材料为CsF，厚度为1nm；蒸镀制备阴极，材料为Ag，厚度为100nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为8×10-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属化合物的蒸镀速率为5nm/s，金属的蒸镀速率为2nm/s。磁控溅射的加速电压：400V，磁场约：100G，功率密度：25W/cm2，电子束蒸镀的能量密度为25W/cm2。
请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为玻璃/ITO/Ag:Cu2O/TiO2/WO3/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件（曲线1）与对比例制备的结构为玻璃/ITO/WO3/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件（曲线2）的流明效率与电流密度的关系。对比例制备有机电致发光器件的步骤及各层厚度与实施例1均相同。
从图上可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的最大流明效率为7.8lm/W，而对比例的仅为4.8lm/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，本发明的散射层，可提高散射层的导电性，有利于空穴的传输，提高光散射能力，同时可快速传输空穴，提高空穴电子复合几率，最终提高有机电致发光器件的出光效率。
以下各个实施例制备的有机电致发光器件的流明效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。
实施例2
本实施例制备结构为玻璃基底/IZO/Al:CuPc/TiO2/MoO3/TAPC/DCJTB/TAZ/Cs2CO3/Pt的有机电致发光器件。
高折射率玻璃为N-LAF36，将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在高折射率玻璃基底上制备阳极，材料为IZO，厚度为80nm。然后制备散射层，先制备金属掺杂层，材料包括Al及CuPc，Al与CuPc的质量比为0.5:1，采用电子束制备，厚度为300nm。接着制备二氧化钛层，TiO2粒径为200nm，先放在马弗炉中800度煅烧20min，使其转变成锐钛矿结构，采用电子束制备，厚度为800nm。蒸镀空穴注入层，材料为MoO3，厚度为40nm；蒸镀空穴传输层：材料为TAPC，厚度为45nm；蒸镀发光层：所选材料为DCJTB，厚度为8nm；蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为65nm；蒸镀电子注入层、材料为Cs2CO3，厚度为10nm。蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为80nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为2×10-3Pa，有机材料的蒸镀速率为 1nm/s，金属阴极的蒸镀速率为10nm/s，金属化合物的蒸镀速率为1nm/s，磁控溅射的加速电压：300V，磁场约：50G，功率密度：40W/cm2，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2。
实施例3
本实施例制备结构为玻璃基底/AZO/Pt:CuO/TiO2/MoO3/NPB/ADN/TAZ/LiF/Al的有机电致发光器件。
高折射率玻璃为N-LASF31A，将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在高折射率玻璃基底上制备阳极薄膜，材料为AZO，厚度为300nm。然后制备散射层，先制备金属掺杂层，材料包括Pt及CuO，Pt与CuO的质量比为2:1，采用电子束制备，厚度为100nm。接着制备二氧化钛层，TiO2粒径为20nm，先放在马弗炉中400度煅烧60min，使其转变成锐钛矿结构。采用电子束制备，厚度为300nm。蒸镀空穴注入层：材料为MoO3，厚度为20nm；蒸镀空穴传输层：材料为NPB，厚度为60nm；蒸镀发光层：所选材料为ADN，厚度为10nm；蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为200nm；蒸镀电子注入层、材料为LiF，厚度为0.5nm。蒸镀阴极，材料为Al，厚度为100nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为5×10-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属阴极的蒸镀速率为1nm/s，金属化合物的蒸镀速率为10nm/s，磁控溅射的加速电压：800V，磁场约：200G，功率密度：1W/cm2，电子束蒸镀的能量密度为100W/cm2。
实施例4
本实施例制备结构为玻璃基底/ITO/Au:CuI/TiO2/V2O5/TCTA/Alq3/Bphen/CsN3/Au的有机电致发光器件。
高折射率玻璃为N-LASF41A，将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在高折射率玻璃基底上制备阳极薄膜，材料为ITO，厚度为180nm。然后制备散射层，先制备金属掺杂层，材料包括Au及CuI。Au与CuI的掺杂质量比为1.5:1，采用电子束制备。厚度为200nm。接着制备二氧化钛层，TiO2粒径为150nm。先放在马弗炉中700度煅烧40min，使其转变成锐钛矿结构。采用电子束制备，厚度为500nm。蒸镀空穴注入层：材料为V2O5，厚度为80nm；蒸镀空穴传输层：材料为TCTA，厚度为60nm；蒸镀发光层：所选材料为Alq3，厚度为40nm；蒸镀电子传输层，材料为Bphen，厚度为35nm；蒸镀电子注入层、材料为CsN3，厚度为3nm。蒸镀阴极，材料为Au，厚度为250nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为2×10-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属阴极的蒸镀速率为6nm/s，金属化合物的蒸镀速率为2nm/s，磁控溅射的加速电压：600V，磁场约：100G，功率密度：30W/cm2，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201310370308.0(22)申请日 2013.08.22H01L 51/52(2006.01)H01L 51/56(2006.01)(71)申请人海洋王照明科技股份有限公司地址 518100 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层申请人深圳市海洋王照明技术有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司(72)发明人周明杰黄辉钟铁涛王平(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司 44224代理人生启何平(54) 发明名称有机电致发光器件及其制备方法(57) 摘要一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层。

2、、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层；所述金属掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:12:1，所述高功函数金属的功函数为-4.0-5.5eV；所述二氧化钛层的材料为二氧化钛。上述有机电致发光器件的出光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页说明书7页附图2页(10)申请公布号 CN 104425745 。

3、A(43)申请公布日 2015.03.18CN 104425745 A1/1页21.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层；所述金属掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:12:1，所述高功函数金属的功函数为-4.0-5.5eV；所述二氧化钛层的材料为二氧化钛。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述高功函数金属选自银、铝、铂及。

4、金中的至少一种。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铜的化合物选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中的至少一种。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属掺杂层的厚度为100nm300nm，所述二氧化钛层的厚度为300nm800nm。5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述二氧化钛层的材料为锐钛矿结构的二氧化钛。6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在玻璃基底表面制备阳极；在所述阳极表面制备散射层，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层，所述金属掺杂层的材料包括高功函数。

5、金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:12:1，所述高功函数金属的功函数为-4.0-5.5eV，所述二氧化钛层的材料为二氧化钛；及在所述散射层的表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述高功函数金属选自银、铝、铂及金中的至少一种。8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述铜的化合物选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中的至少一种。9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述金属掺杂层的厚度。

6、为100nm300nm，所述二氧化钛层的厚度为300nm800nm。10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述玻璃基底在制备阳极前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡12小时24小时。权利要求书CN 104425745 A1/7页3有机电致发光器件及其制备方法技术领域0001 本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。背景技术0002 有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁。

7、移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。传统的有机电致发光器件出光性能较低。发明内容0003 基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。0004 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层；所述金属掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:12:1，所述高功函数金属的功函数为-4.。

8、0-5.5eV；所述二氧化钛层的材料为二氧化钛。0005 在其中一个实施例中，所述高功函数金属选自银、铝、铂及金中的至少一种。0006 在其中一个实施例中，所述铜的化合物选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中的至少一种。0007 在其中一个实施例中，所述金属掺杂层的厚度为100nm300nm，所述二氧化钛层的厚度为300nm800nm。0008 在其中一个实施例中，所述二氧化钛层的材料为锐钛矿结构的二氧化钛。0009 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：0010 在玻璃基底表面制备阳极；0011 在所述阳极表面制备散射层，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂。

9、层表面的二氧化钛层，所述金属掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:12:1，所述高功函数金属的功函数为-4.0-5.5eV，所述二氧化钛层的材料为二氧化钛；及0012 在所述散射层的表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。0013 在其中一个实施例中，所述高功函数金属选自银、铝、铂及金中的至少一种。0014 在其中一个实施例中，所述铜的化合物选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中的至少一种。说明书CN 104425745 A2/7页40015 在其中一个实施例中，所述金属掺杂。

10、层的厚度为100nm300nm，所述二氧化钛层的厚度为300nm800nm。0016 在其中一个实施例中，所述玻璃基底在制备阳极前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡12小时24小时。0017 上述有机电致发光器件及其制备方法，在阳极的表面制备散射层，散射层包括金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层，金属掺杂层由金属与铜的化合物组成，金属为高功函数金属，可提高散射层的导电性，有利于空穴的传输，铜的化合物原子半径较大，因此，可对光子有散射作用，提高光散射能力，同时，铜的化合物的HOMO能级较低，有利于空穴的注入，提高空穴注入能力；二氧化钛层的材料为锐钛矿二氧化钛，比表面积大，孔隙。

11、率高，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，而二氧化钛带隙较窄，能级较低，因此电导率较高，适合传输空穴，可快速传输空穴，提高空穴电子复合几率，从而有机电致发光器件的出光效率较高。附图说明0018 图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；0019 图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；0020 图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。具体实施方式0021 下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。0022 请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的玻璃基底10、阳极20、散射层30、空穴注入层40、。

12、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。0023 玻璃基底10为折射率为1.82.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底10优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。0024 阳极20形成于玻璃基底10的一侧表面。阳极20的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），优选为ITO。阳极20的厚度为80nm300nm，优选为120nm。0025 散射层30形成于阳极20的表面。散射层30包括形成于阳极20表面的金属掺杂层32及形成于金属掺杂层32表面的二氧化钛层34。0026 金。

13、属掺杂层32的材料包括高功函数金属及掺杂在高功函数金属中的铜的化合物。高功函数金属与铜的化合物的质量比为0.5:12:1。高功函数金属的功函数为-4.0-5.5eV，优选的，高功函数金属选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种。铜的化合物选自碘化亚铜（CuI）、氧化亚铜（Cu2O）、酞菁铜（CuPc）及氧化铜（CuO）中的至少一种。金属掺杂层32的厚度为100nm300nm。0027 二氧化钛层34的厚度为300nm800nm。二氧化钛层34的材料为锐钛矿结构的二氧化钛（TiO2）。二氧化钛层34中的二氧化钛的粒径为20nm200nm。0028 空穴注入层40形成于散射层。

14、30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为WO3。空穴注入层40的说明书CN 104425745 A3/7页5厚度为20nm80nm，优选为60nm。0029 空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1-二4-N，N-二(p-甲苯基)氨基苯基环己烷（TAPC）、4,4,4-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N-（1-萘基）-N，N-二苯基-4,4-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层50的厚度为20nm60nm，优选为45nm。0030 发光层60形成于空。

15、穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-亚萘基蒽（ADN）、4,4-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层60的厚度为5nm40nm，优选为15nm。0031 电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40n。

16、m250nm，优选为200nm。0032 电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为CsF。电子注入层80的厚度为0.5nm10nm，优选为1nm。0033 阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm250nm，优选为100nm。0034 上述有机电致发光器件100，在阳极20的表面制备散射层30，散射层30包括金属掺杂层32及形成于金属掺杂层32表面的二氧化钛层34。

17、，金属掺杂层32由金属与铜的化合物组成，金属为高功函数金属，可提高散射层的导电性，有利于空穴的传输，铜的化合物原子半径较大，因此，可对光子有散射作用，提高光散射能力，同时，铜的化合物的HOMO能级较低，有利于空穴的注入，提高空穴注入能力；二氧化钛层的材料为锐钛矿二氧化钛，比表面积大，孔隙率高，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，而二氧化钛带隙较窄，能级较低，因此电导率较高，适合传输空穴，可快速传输空穴，提高空穴电子复合几率，从而有机电致发光器件的出光效率较高。0035 可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。0036 请同时参阅图2，一实施例的有机电致发光器。

18、件100的制备方法，其包括以下步骤：0037 步骤S110、在玻璃基底10表面阳极20。0038 玻璃基底10为折射率为1.82.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底10优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。0039 阳极20形成于玻璃基底10的一侧表面。阳极20的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），优选为ITO。阳极20的厚度为80nm300nm，优选为120nm。阳极20采用磁控溅射制备。磁控溅射的加速电压为300800V，磁场为50200G，功率密度为140W/cm2。0040 本实施方。

19、式中，玻璃基底10在使用前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡12小时24小时。0041 步骤S120、在阳极20表面制备散射层30。0042 散射层30包括形成于阳极20表面的金属掺杂层32及形成于金属掺杂层32表面说明书CN 104425745 A4/7页6的二氧化钛层34。0043 金属掺杂层32的材料包括高功函数金属及掺杂在高功函数金属中的铜的化合物。高功函数金属与铜的化合物的质量比为0.5:12:1。高功函数金属的功函数为-4.0-5.5eV，优选的，高功函数金属选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种。铜的化合物选自碘化亚铜（CuI）、氧化亚铜（Cu。

20、2O）、酞菁铜（CuPc）及氧化铜（CuO）中的至少一种。金属掺杂层32的厚度为100nm300nm。金属掺杂层32由电子束蒸镀制备。制备的工作压强为210-3510-5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10l00W/cm2。0044 二氧化钛层34的厚度为300nm800nm。二氧化钛层34的材料为锐钛矿结构的二氧化钛（TiO2）。二氧化钛层34中的二氧化钛的粒径为20nm200nm。二氧化钛层34由电子束蒸镀制备。制备的工作压强为210-3510-5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10l00W/cm2。0045 优选的，当使用市售普通的二氧化钛时，二氧化钛的粒径为20nm200nm。先将二氧化钛放在。

21、马弗炉中400800煅烧20分钟60分钟，使普通二氧化钛转变为锐钛矿结构。0046 步骤S130、在散射层30的表面依次蒸镀形成空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。0047 空穴注入层40形成于散射层30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为WO3。空穴注入层40的厚度为20nm80nm，优选为60nm。蒸镀在真空压力为210-3Pa510-5Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s10nm/s。0048 空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，。

22、1-二4-N，N-二(p-甲苯基)氨基苯基环己烷（TAPC）、4,4,4-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N-（1-萘基）-N，N-二苯基-4,4-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层50的厚度为20nm60nm，优选为45nm。蒸镀在真空压力为210-3Pa510-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s1nm/s。0049 发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-亚萘基蒽（ADN）、4,4-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,。

23、1-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层60的厚度为5nm40nm，优选为15nm。蒸镀在真空压力为210-3Pa510-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s1nm/s。0050 电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm250nm，优选为200nm。蒸镀在真空压力为210-3Pa510-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s1nm/s。0051 电子注。

24、入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为CsF。电子注入层80的厚度为0.5nm10nm，优选为1nm。蒸镀在真空压力为210-3Pa510-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s1nm/s。0052 阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂说明书CN 104425745 A5/7页7（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm250nm，优选为100nm。蒸镀在真空压力为210-3Pa510-5Pa下进行，。

25、蒸镀速率为1nm/s10nm/s。0053 上述有机电致发光器件制备方法，制备工艺简单；制备的有机电致发光器件的出光效率较高。0054 以下结合具体实施例对有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。0055 本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。0056 实施例10057 本实施例制备结构为玻璃/ITO/Ag:Cu2O/TiO2/WO3/NPB/BCz。

26、VBi/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件。0058 玻璃基底为N-LASF44，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底上磁控溅射阳极，材料为ITO，厚度为120nm；在阳极表面制备散射层，散射层包括金属掺杂层及二氧化钛层，先制备金属掺杂层，材料包括Ag及掺杂在Ag中的Cu2O，Ag与Cu2O的质量比为1:1，采用电子束制备，厚度为120nm；接着制备二氧化钛层，TiO2粒径为50nm，先放在马弗炉中500度煅烧30min，使其转变成锐钛矿结构，采用电子束制备，厚度为400nm。蒸镀制备空穴注入层，材料为WO3，厚度为60nm；蒸镀制备空穴传输层：材料为N。

27、PB，厚度为45nm；蒸镀制备发光层：所选材料为BCzVBi，厚度为15nm；蒸镀制备电子传输层，材料为TAZ，厚度为200nm；蒸镀制备电子注入层、材料为CsF，厚度为1nm；蒸镀制备阴极，材料为Ag，厚度为100nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为810-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属化合物的蒸镀速率为5nm/s，金属的蒸镀速率为2nm/s。磁控溅射的加速电压：400V，磁场约：100G，功率密度：25W/cm2，电子束蒸镀的能量密度为25W/cm2。0059 请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为玻璃/ITO/Ag:Cu2O/TiO2/WO3/NPB/。

28、BCzVBi/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件（曲线1）与对比例制备的结构为玻璃/ITO/WO3/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件（曲线2）的流明效率与电流密度的关系。对比例制备有机电致发光器件的步骤及各层厚度与实施例1均相同。0060 从图上可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的最大流明效率为7.8lm/W，而对比例的仅为4.8lm/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，本发明的散射层，可提高散射层的导电性，有利于空穴的传输，提高光散射能力，同时可快速传输空穴，提高空穴电子复合几率，最终提高有机电致发光。

29、器件的出光效率。0061 以下各个实施例制备的有机电致发光器件的流明效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。0062 实施例20063 本实施例制备结构为玻璃基底/IZO/Al:CuPc/TiO2/MoO3/TAPC/DCJTB/TAZ/Cs2CO3/Pt的有机电致发光器件。0064 高折射率玻璃为N-LAF36，将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡说明书CN 104425745 A6/7页8一个晚上。在高折射率玻璃基底上制备阳极，材料为IZO，厚度为80nm。然后制备散射层，先制备金属掺杂层，材料包括Al及CuPc，Al与CuPc的质量。

30、比为0.5:1，采用电子束制备，厚度为300nm。接着制备二氧化钛层，TiO2粒径为200nm，先放在马弗炉中800度煅烧20min，使其转变成锐钛矿结构，采用电子束制备，厚度为800nm。蒸镀空穴注入层，材料为MoO3，厚度为40nm；蒸镀空穴传输层：材料为TAPC，厚度为45nm；蒸镀发光层：所选材料为DCJTB，厚度为8nm；蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为65nm；蒸镀电子注入层、材料为Cs2CO3，厚度为10nm。蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为80nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为210-3Pa，有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属阴极的蒸镀速率为10nm/s，金。

31、属化合物的蒸镀速率为1nm/s，磁控溅射的加速电压：300V，磁场约：50G，功率密度：40W/cm2，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2。0065 实施例30066 本实施例制备结构为玻璃基底/AZO/Pt:CuO/TiO2/MoO3/NPB/ADN/TAZ/LiF/Al的有机电致发光器件。0067 高折射率玻璃为N-LASF31A，将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在高折射率玻璃基底上制备阳极薄膜，材料为AZO，厚度为300nm。然后制备散射层，先制备金属掺杂层，材料包括Pt及CuO，Pt与CuO的质量比为2:1，采用电子束制备，厚度为100nm。接着制备二氧化钛。

32、层，TiO2粒径为20nm，先放在马弗炉中400度煅烧60min，使其转变成锐钛矿结构。采用电子束制备，厚度为300nm。蒸镀空穴注入层：材料为MoO3，厚度为20nm；蒸镀空穴传输层：材料为NPB，厚度为60nm；蒸镀发光层：所选材料为ADN，厚度为10nm；蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为200nm；蒸镀电子注入层、材料为LiF，厚度为0.5nm。蒸镀阴极，材料为Al，厚度为100nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为510-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属阴极的蒸镀速率为1nm/s，金属化合物的蒸镀速率为10nm/s，磁控溅射的加速电压：800V，磁场约。

33、：200G，功率密度：1W/cm2，电子束蒸镀的能量密度为100W/cm2。0068 实施例40069 本实施例制备结构为玻璃基底/ITO/Au:CuI/TiO2/V2O5/TCTA/Alq3/Bphen/CsN3/Au的有机电致发光器件。0070 高折射率玻璃为N-LASF41A，将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在高折射率玻璃基底上制备阳极薄膜，材料为ITO，厚度为180nm。然后制备散射层，先制备金属掺杂层，材料包括Au及CuI。Au与CuI的掺杂质量比为1.5:1，采用电子束制备。厚度为200nm。接着制备二氧化钛层，TiO2粒径为150nm。先放在马弗炉中70。

34、0度煅烧40min，使其转变成锐钛矿结构。采用电子束制备，厚度为500nm。蒸镀空穴注入层：材料为V2O5，厚度为80nm；蒸镀空穴传输层：材料为TCTA，厚度为60nm；蒸镀发光层：所选材料为Alq3，厚度为40nm；蒸镀电子传输层，材料为Bphen，厚度为35nm；蒸镀电子注入层、材料为CsN3，厚度为3nm。蒸镀阴极，材料为Au，厚度为250nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为210-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属阴极的蒸镀速率为6nm/s，金属化合物的蒸镀速率为2nm/s，磁控溅射的加速电压：600V，磁场约：100G，功率密度：30W/cm2，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2。0071 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并说明书CN 104425745 A7/7页9不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。说明书CN 104425745 A1/2页10图1说明书附图CN 104425745 A10。

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