一种高电压输出稳压开关电路.pdf

一种高电压输出稳压开关电路，包括桥式整流电路、MOS管、第一电阻，第二电阻、第三电阻、第四电阻、三极管、电容及比较器U；由于采用了上述技术方案，本发明采用纯电子稳压电路，电路结构简单，体积小,电解电容用较小的容量值即可使输出电压平滑,电路输出功率可大、可小，只需选用合适功率参数的开关管即可。

权利要求书1.  一种高电压输出稳压开关电路，其特征在于：包括桥式整流电路（DB）、MOS管（Q1）、第一电阻(R1)，第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、三极管(Q2)、电容(C1)及比较器（U）；桥式整流电路（DB）的１脚接市电正极，桥式整流电路（DB）的２脚与MOS管（Q1)的D极连接，桥式整流电路（DB）的３脚接市电负极，第一电阻(R1)并联在MOS管（Q1)的D极与G极之间，MOS管（Q1)的S极为输出端，MOS管（Q1)的G极通过第二电阻（R2）与三极管（Q2）的集电极连接，三极管（Q2）的发射集与桥式整流电路（DB）的３脚连接，三极管（Q2）的基集与比较器（U）的OUT端连接，比较器（U）的GND端接桥式整流电路（DB）的４脚，比较器（U）的VDD端一是通过第三电阻（R3）与MOS管（Q1)的S极连接，比较器（U）的VDD端一是通过第四电阻（R4）与桥式整流电路（DB）的４脚连接，比较器（U）的LTH端一是通过第五电阻（R5）与MOS管（Q1)的S极连接，比较器（U）的LTH端一是通过第六电阻（R６）与比较器（U）的HTH端连接，比较器（U）的HTH通过第七电阻（R7）与桥式整流电路（DB）的４脚连接，电容(C1)正极与MOS管（Q1)的S极连接，电容(C1)负极与三极管（Q2）的发射集连接。

说明书一种高电压输出稳压开关电路
技术领域
本发明涉及一种电路，特别是一种稳压电路。
背景技术
现有的LED灯中的稳压电路包括了线圈式的变压器，体积较大，电路结构较复杂，一般只输出１０V左右的电压，电压输出较小。
发明内容
本发明的目的是提供一种高电压输出稳压开关电路，它采用纯电子稳压电路，电路结构简单，体积小,电解电容用较小的容量值即可使输出电压平滑,电路输出功率可大、可小，只需选用合适功率参数的开关管即可。
本发明的目的是采用以下技术方案实现的，包括桥式整流电路DB、MOS管Q1、第一电阻R，第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、三极管Q2、电容C1及比较器U；桥式整流电路DB的１脚接市电正极，桥式整流电路DB的２脚与MOS管Q1的D极连接，桥式整流电路DB的３脚接市电负极，第一电阻R1并联在MOS管Q1的D极与G极之间，MOS管Q1的S极为输出端，MOS管Q1的G极通过第二电阻R2与三极管Q2的集电极连接，三极管Q2的发射集与桥式整流电路DB的３脚连接，三极管Q2的基集与比较器U的OUT端连接，比较器U的GND端接桥式整流电路DB的４脚，比较器U的VDD端一是通过第三电阻R3与MOS管Q1的S极连接，比较器U的VDD端一是通过第四电阻R4与桥式整流电路DB的４脚连接，比较器U的LTH端一是通过第五电阻R5与MOS管Q1的S极连接，比较器U的LTH端一是通过第六电阻R6与比较器U的HTH端连接，比较器U的HTH通过第七电阻R7与桥式整流电路DB的４脚连接，电容C1正极与MOS管Q1的S极连接，电容C1负极与三极管Q2的发射集连接。
本发明采用的MOS管Q1型号为MOSFET的N形，三极管Q2为耐高压三极管，比较器U型号为MIC841H，比较器U的LTH端为高电压感应端，比较器U的HTH端为低电压感应端，比较器U可以起到开关的作用，第二电阻R2为限流电阻，电路刚通电的时候，三极管Q2处于截止状态，MOS管Q1导通，电容C1开始充电；其两端电压开始升高，第五电阻R5、第六电阻R６及第七电阻R７上的电压都开始升高。当比较器U的LTH端电压高于内部基准电压时，比较器U输出VDD的电压值将大于三极管Q2导通电压，使三极管Q2导通，然后MOS管Q1截止，电容C1不再充电，控制输出电压不再升高，因为输出所接的负载消耗电流，电容C1两端的电压会逐渐下降，第五电阻R5、第六电阻R６及第七电阻R７上电压会随之下降，当比较器U的HTH端电压低于内部基准电压时，比较器U输出GND的电压值为0V，使三极管Q2截止，然后MOS管Q1导通，电容C1再开始充电，控制输出电压再升高，直到比较器U的LTH端电压高于内部基准电压,又重复上面的动作，如此重复。采用纯电子稳压电路，电路结构简单，体积小,电压输出平滑,电路输出功率大。
由于采用了上述技术方案，本发明，它采用纯电子稳压电路，电路结构简单，体积小,电解电容用较小的容量值即可使输出电压平滑,电路输出功率可大、可小，只需选用合适功率参数的开关管即可。
附图说明
本发明的附图说明如下。
图1是本发明的电路原理图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与作用更加清楚及易于了解，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步阐述。
    如图1所示，本发明包括桥式整流电路DB、MOS管Q1、第一电阻R，第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、三极管Q2、电容C1及比较器U；桥式整流电路DB的１脚接市电正极，桥式整流电路DB的２脚与MOS管Q1的D极连接，桥式整流电路DB的３脚接市电负极，第一电阻R1并联在MOS管Q1的D极与G极之间，MOS管Q1的S极为输出端，MOS管Q1的G极通过第二电阻R2与三极管Q2的集电极连接，三极管Q2的发射集与桥式整流电路DB的３脚连接，三极管Q2的基集与比较器U的OUT端连接，比较器U的GND端接桥式整流电路DB的４脚，比较器U的VDD端一是通过第三电阻R3与MOS管Q1的S极连接，比较器U的VDD端一是通过第四电阻R4与桥式整流电路DB的４脚连接，比较器U的LTH端一是通过第五电阻R5与MOS管Q1的S极连接，比较器U的LTH端一是通过第六电阻R6与比较器U的HTH端连接，比较器U的HTH通过第七电阻R7与桥式整流电路DB的４脚连接，电容C1正极与MOS管Q1的S极连接，电容C1负极与三极管Q2的发射集连接。
本发明采用的MOS管Q1型号为MOSFET的N形，三极管Q2为耐高压三极管，比较器U型号为MIC841H，比较器U的LTH端为高电压感应端，比较器U的HTH端为低电压感应端，比较器U可以起到开关的作用，第二电阻R2为限流电阻，
本发明采用的MOS管Q1型号为MOSFET的N形，三极管Q2为耐高压三极管，比较器U型号为MIC841H，比较器U的LTH端为高电压感应端，比较器U的HTH端为低电压感应端，比较器U可以起到开关的作用，第二电阻R2为限流电阻。如图１所示，图中a点为比较器U的LTH端的接线点，b点为比较器U的HTH端的接线点火，电路刚通电的时候，三极管Q2处于截止状态，MOS管Q1导通，电容C1开始充电；其两端电压开始升高，同时，a，b两点的电压也开始升高当a点电压高于1.24V（比较器U内部基准电压）时，比较器U输出VDD的电压（其值大于三极管Q2导通电压0.7V），使三极管Q2导通，然后MOS管Q1截止，电空C1不再充电，控制输出电压不再升高，随着负载消耗电流，电容C1两端的电压会逐渐下降，a，b两点的电压也会随之下降，当b点电压低于1.24v（内部基准电压）时，U输出GND的电压（其值为0V），使三极管Q2截止，然后MOS管Q1导通，对C1再次充电，控制输出电压再升高，直到a点电压高于1.24v,又重复上面的动作，如此重复。采用纯电子稳压电路，电路结构简单，体积小,电压输出平滑,电路输出功率大。电容C1两端的电压值会一直在一个稍高的电压值和一个稍低的电压值之间波动，第六电阻R6的值越大，这两个电压的差值也越大，反之越小。适当选取第六电阻R6的值，可使输出电压的波动较小以满足负载需要，同时可控制MOS管Q1的开关频率，适当的开关频率可降低MOS管Q1的发热量，提高电源效率。
本发明中比较器U是内部带基准电压的双比较器，可以用分立元件搭建，或选用类似功能的集成电路，并不局限于实施例里的具体芯片。