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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201380039963.6(22)申请日 2013.08.012012-183495 2012.08.22 JPH01L 21/301(2006.01)B23K 26/00(2014.01)B23K 26/04(2014.01)B23K 26/38(2014.01)B23K 26/40(2014.01)(71)申请人浜松光子学株式会社地址日本静冈县(72)发明人田力洋子 山田丈史(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司 11322代理人杨琦(54) 发明名称加工对象物切断方法(57) 摘要该加工对象物切断方法具备如下工序：以单晶。
2、蓝宝石基板(31)的背面(31b)作为基板(31)中的激光(L)的入射面，将激光(L)的聚光点(P)对准于基板(31)内，并使聚光点(P)沿着以与基板(31)的m面和背面(31b)平行的方式设定的多条切断预定线(52)的各条相对地移动，由此沿着各线(52)在基板(31)内形成改质区域(72)，并且使龟裂(82)到达背面(31b)。在该工序中，在以表面(31a)的龟裂(82)的蛇行量为m的情况下，满足Y(tan)(t-Z)(d/2)-m。(30)优先权数据(85)PCT国际申请进入国家阶段日2015.01.27(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/070904 2013.08.0。
3、1(87)PCT国际申请的公布数据WO2014/030517 JA 2014.02.27(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书9页 附图10页(10)申请公布号 CN 104508799 A(43)申请公布日 2015.04.08CN 104508799 A1/1 页21.一种加工对象物切断方法，其特征在于，是用于将加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法，所述加工对象物具备具有与 c 面形成达偏角的角度的表面和背面的单晶蓝宝石基板、以及在所述表面上包含矩阵状排列的多个发光元件部的元件层，具备 ：第 1 。
4、工序，其以所述背面作为所述单晶蓝宝石基板中的激光的入射面，将所述激光的聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内，使所述聚光点沿着以与所述单晶蓝宝石基板的 m 面和所述背面平行的方式设定的多条第 1 切断预定线的各条相对地移动，由此沿着各条所述第 1 切断预定线在所述单晶蓝宝石基板内形成第 1 改质区域，并且使从所述第 1 改质区域产生的第 1 龟裂到达所述背面 ；以及第 2 工序，其在所述第 1 工序之后，沿着各条所述第 1 切断预定线使外力作用于所述加工对象物，由此使所述第1龟裂伸展，并沿着各条所述第1切断预定线切断所述加工对象物，在所述第 1 工序中，在以在相邻接的所述发光元件部间从在与所述 m 。
5、面平行的方向上延伸的格线区域的中心线至将所述聚光点对准的位置为止的从与所述背面垂直的方向看的情况下的距离为 Y，所述单晶蓝宝石基板的厚度为 t，从所述背面至将所述聚光点对准的位置为止的距离为 Z，所述格线区域的宽度为 d，所述表面的所述第 1 龟裂的蛇行量为 m，垂直于所述背面的方向与所述第 1 龟裂伸展的方向所形成的角度为 的情况下，以满足Y (tan)(t-Z)(d/2)-m 的方式，以所述背面作为所述入射面，将所述聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内，使所述聚光点沿着各所述第 1 切断预定线相对地移动。2.如权利要求 1 所述的加工对象物切断方法，其特征在于，在所述第 2 工序中，沿着各条所。
6、述第 1 切断预定线从所述表面侧将刀缘抵接在所述加工对象物，由此沿着各条所述第 1 切断预定线使外力作用于所述加工对象物。3.如权利要求 1 或 2 所述的加工对象物切断方法，其特征在于，进一步具备 ：第 3 工序，其在所述第 2 工序之前，以所述背面作为所述入射面，将所述聚光点对准于所述单晶蓝宝石基板内，并使所述聚光点沿着以与所述单晶蓝宝石基板的 a 面和所述背面平行的方式设定的多条第 2 切断预定线的各条相对地移动，由此沿着各条所述第 2 切断预定线在所述单晶蓝宝石基板内形成第 2 改质区域 ；以及第 4 工序，其在所述第 1 工序和所述第 3 工序之后，沿着各条所述第 2 切断预定线使外。
7、力作用于所述加工对象物，由此使从所述第2改质区域产生的第2龟裂伸展，并沿着各所述第 2 切断预定线切断所述加工对象物。权 利 要 求 书CN 104508799 A1/9 页3加工对象物切断方法技术领域0001 本发明涉及用于将具备单晶蓝宝石基板的加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法。背景技术0002 作为上述技术领域中的现有的加工对象物切断方法，在专利文献 1 中记载了如下方法 ：通过切割或者划片在蓝宝石基板的表面和背面形成分离槽，并且通过激光的照射在蓝宝石基板内形成多段加工变质部，并沿着分离槽和加工变质部切断蓝宝石基板。0003 现有技术文献0004 专利文。
8、献0005 专利文献 1 ：日本特开 2006-245043 号公报发明内容0006 本发明所要解决的技术问题0007 然而，为了将具备具有与 c 面形成达偏角 (off angle) 的角度的表面和背面的单晶蓝宝石基板的加工对象物切断成各发光元件部，通过激光的照射在单晶蓝宝石基板内形成改质区域，从沿着与单晶蓝宝石基板的 m 面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂会到达发光元件部，由此有应制造的发光元件的成品率下降的情况。0008 在此，本发明的目的是提供一种能够防止从沿着与单晶蓝宝石基板的 m 面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的。
9、加工对象物切断方法。0009 解决技术问题的手段0010 本发明人等为了达到上述目的而反复专心研究的结果，彻底查明 ：从沿着与单晶蓝宝石基板的 m 面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的事实起因于单晶蓝宝石基板中的m面与r面的关系。即，从沿着与单晶蓝宝石基板的 m 面和背面平行的切断预定线形成的改质区域所产生的龟裂的伸展方向相比于 m面的影响更强烈地受到相对于 m 面倾斜的 r 面的影响，而朝 r 面的倾斜方向拉引，其结果，有该龟裂到达发光元件部的情况。本发明人等基于该认识进一步反复研究，从而完成本发明。0011 即，本发明的一个侧面的加工对象物切断方法，。
10、是将具备具有与 c 面形成达偏角的角度的表面和背面的单晶蓝宝石基板、以及在表面上包含矩阵状排列的多个发光元件部的元件层的加工对象物切断成各个发光元件部来制造多个发光元件的加工对象物切断方法，具备 ：以背面作为单晶蓝宝石基板中的激光的入射面，将激光的聚光点对准于单晶蓝宝石基板内，并使聚光点沿着以与单晶蓝宝石基板的 m 面和背面平行的方式设定的多条第1 切断预定线的各条相对地移动，由此沿着各条第 1 切断预定线在单晶蓝宝石基板内形成说 明 书CN 104508799 A2/9 页4第 1 改质区域，并且使从第 1 改质区域产生的第 1 龟裂到达背面的第 1 工序 ；以及在第 1工序之后，沿着各条第。
11、 1 切断预定线使外力作用于加工对象物，由此使第 1 龟裂伸展，并沿着各第 1 切断预定线切断加工对象物的第 2 工序，在第 1 工序中，在相邻接的发光元件部间从在与 m 面平行的方向上延伸的格线 (street) 区域的中心线至将聚光点对准的位置为止的从与背面垂直的方向看的情况下的距离为 Y，单晶蓝宝石基板的厚度为 t，从背面至将聚光点对准的位置为止的距离为 Z，格线区域的宽度为 d，表面中的第 1 龟裂的蛇行量为m，垂直于背面的方向与第 1 龟裂伸展的方向所形成的角度为 的情况下，以满足 Y (tan)(t-Z)(d/2)-m 的方式，以背面作为入射面，将聚光点对准于单晶蓝宝石基板内，使聚。
12、光点沿着各条第 1 切断预定线相对地移动。0012 在该加工对象物切断方法中，在以与单晶蓝宝石基板的 m 面和背面平行的方式设定的多条第 1 切断预定线的各条中，以满足 Y (tan)(t-Z)(d/2)-m 的方式将激光照射在加工对象物，在单晶蓝宝石基板内形成第1改质区域，并且使从第1改质区域产生的第 1 龟裂到达单晶蓝宝石基板的背面。由此，即使从第 1 改质区域产生的第 1 龟裂的伸展方向朝 r 面的倾斜方向拉引，也可以在单晶蓝宝石基板的表面将第 1 龟裂收在格线区域内。因此，根据该加工对象物切断方法，能够防止从沿着与单晶蓝宝石基板的 m 面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所。
13、产生的龟裂到达发光元件部。另外，偏角为包含 0的情况的偏角。在该情况下，单晶蓝宝石基板的表面和背面与 c 面平行。0013 在此，在第2工序中，也可以沿着各第1切断预定线从表面侧将刀缘抵接在加工对象物，沿着各条第 1 切断预定线使外力作用于加工对象物。由此，由于外力以到达单晶蓝宝石基板的背面的第 1 龟裂裂开的方式作用于加工对象物，因此能够沿着第 1 切断预定线容易地且精度高地切断加工对象物。0014 另外，加工对象物切断方法也可以进一步具备 ：在第 2 工序之前，以背面作为入射面，将聚光点对准于单晶蓝宝石基板内，并使聚光点沿着以与单晶蓝宝石基板的 a 面和背面平行的方式设定的多条第 2 切断。
14、预定线的各条相对地移动，由此沿着各第 2 切断预定线在单晶蓝宝石基板内形成第 2 改质区域的第 3 工序 ；以及在第 1 工序和第 3 工序之后，沿着各条第 2 切断预定线使外力作用于加工对象物，由此使从第 2 改质区域产生的第 2 龟裂伸展，并沿着各条第 2 切断预定线切断加工对象物的第 4 工序。由此，能够沿着第 1 切断预定线和第 2 切断预定线容易地且精度高地切断加工对象物。另外，第 3 工序只要是在第 2 工序之前，便可以在第 1 工序之前实施，也可以在第 1 工序之后实施。另外，第 4 工序只要是在第 1 工序和第 3 工序之后，便可以在第 4 工序之前实施，也可以在第 4 工序之。
15、后实施。0015 发明的效果0016 根据本发明，可以提供一种能够防止从沿着与单晶蓝宝石基板的 m 面和背面平行的多条切断预定线的各条形成的改质区域所产生的龟裂到达发光元件部的加工对象物切断方法。附图说明0017 图 1 是改质区域的形成所使用的激光加工装置的概略结构图。0018 图 2 是成为改质区域的形成的对象的加工对象物的平面图。0019 图 3 是沿着图 2 的加工对象物的 III-III 线的截面图。说 明 书CN 104508799 A3/9 页50020 图 4 是激光加工后的加工对象物的平面图。0021 图 5 是沿着图 4 的加工对象物的 V-V 线的截面图。0022 图 6。
16、 是沿着图 4 的加工对象物的 VI-VI 线的截面图。0023 图 7 是成为本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的对象的加工对象物的平面图。0024 图 8 是图 7 的加工对象物的单晶蓝宝石基板的单位晶格图。0025 图 9 是用于说明本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。0026 图 10 是说明图 7 的加工对象物的格线区域用的加工对象物的平面图。0027 图 11 是用于说明本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。0028 图 12 是用于说明本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。0029 图 13 是用于说。
17、明本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。0030 图 14 是用于说明本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法的加工对象物的截面图。0031 符号的说明 ：0032 1加工对象物，10发光元件，31单晶蓝宝石基板，31a表面，31b背面，32发光元件部，33元件层，8格线区域，44刀缘，51切断预定线 ( 第 2 切断预定线 )，52切断预定线 ( 第 1 切断预定线 )，71改质区域 ( 第 2 改质区域 )，72改质区域( 第 1 改质区域 )，81龟裂 ( 第 2 龟裂 )，82龟裂 ( 第 1 龟裂 )，CL中心线，L激光，P聚光点。具体实施方式0033 以下，。
18、就本发明的优选的实施方式，参照附图详细说明。另外，在各图中对于相同或相当部分赋予相同符号，并省略重复的说明。0034 在本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法中，通过沿着切断预定线将激光照射于加工对象物，从而沿着切断预定线在加工对象物的内部形成改质区域。在此，首先，就该改质区域的形成，参照图 1 图 6 进行说明。0035 如图 1 所示，激光加工装置 100 具备将激光 L 脉冲振荡的激光光源 101、以将激光L的光轴(光路)的方向改变90的方式配置的分色镜103、以及用于将激光L聚光的聚光用透镜 105。另外，激光加工装置 100 具备 ：用于支撑照射有由聚光用透镜 105 聚光的激光L。
19、的加工对象物1的支撑台107、用于使支撑台107移动的载物台111、为了调节激光L的输出或者脉冲宽度等而控制激光光源101的激光光源控制部102、以及控制载物台111的移动的载物台控制部 115。0036 在该激光加工装置 100 中，从激光光源 101 出射的激光 L，通过分色镜 103 将其光轴的方向改变90，被聚光用透镜105聚光于载置在支撑台107上的加工对象物1的内部。与此同时，移动载物台 111，使加工对象物 1 相对于激光 L 沿着切断预定线 5 相对移动。由说 明 书CN 104508799 A4/9 页6此，沿着切断预定线 5 的改质区域形成于加工对象物 1。0037 如图 。
20、2 所示，在加工对象物 1，设定有用于切断加工对象物 1 的切断预定线 5。切断预定线5是直线状延伸的假想线。在加工对象物1的内部形成改质区域的情况下，如图3所示，在将聚光点 P 对准于加工对象物 1 的内部的状态下，使激光 L 沿着切断预定线 5( 即在图 2 的箭头 A 方向上 ) 相对地移动。由此，如图 4 图 6 所示，改质区域 7 沿着切断预定线 5 形成在加工对象物 1 的内部，沿着切断预定线 5 形成的改质区域 7 成为切断起点区域8。0038 另外，聚光点 P 是指激光 L 聚光的地方。另外，切断预定线 5 不限于直线状，也可以是曲线状的，不限于假想线，也可以是实际绘制在加工对。
21、象物 1 的表面 3 的线。另外，改质区域 7 有连续形成的情况，也有断续形成的情况。另外，改质区域 7 可以是列状的也可以是点状的，总之，改质区域 7 只要至少形成在加工对象物 1 的内部即可。另外，有以改质区域 7 为起点形成龟裂的情况，龟裂和改质区域 7 可以露出加工对象物 1 的外表面 ( 表面、背面或外周面 )。0039 顺便一提，这里的激光 L 透过加工对象物 1 并且在加工对象物 1 的内部的聚光点附近特别被吸收，由此，在加工对象物 1 形成有改质区域 7( 即内部吸收型激光加工 )。因此，在加工对象物 1 的表面 3，激光 L 几乎不被吸收，因而加工对象物 1 的表面 3 不会。
22、熔融。一般而言，在从表面 3 被熔融除去而形成有孔或者槽等的除去部 ( 表面吸收型激光加工 )的情况下，加工区域从表面 3 侧渐渐地向背面侧行进。0040 再者，在本实施方式所形成的改质区域是指成为密度、折射率、机械强度或者其他物理特性与周围不同的状态的区域。作为改质区域，例如有熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，也有这些混合存在的区域。此外，作为改质区域，有在加工对象物的材料中改质区域的密度与非改质区域的密度相比较发生了变化的区域、或者形成有晶格缺陷的区域 ( 将这些统称为高密度转移区域 )。0041 另外，熔融处理区域或者折射率变化区域、改质区域的密度与非改质区域的密度。
23、相比较发生了变化的区域、形成有晶格缺陷的区域进一步有在这些区域的内部或者改质区域与非改质区域的界面内含龟裂 ( 裂缝、微裂纹 ) 的情况。所内含的龟裂存在遍布改质区域的全部的情况或者形成于仅一部分或多个部分的情况。0042 另外，在本实施方式中，通过沿着切断预定线5形成多个改质点(spot)(加工痕)，从而形成改质区域 7。改质点是指由脉冲激光的 1 脉冲的照射 (shot)( 即 1 脉冲的激光照射 ：激光照射 ) 形成的改质部分，通过改质点聚集而成为改质区域 7。作为改质点，可以列举龟裂点、熔融处理点或者折射率变化点、或者这些的至少 1 个混合存在者等。0043 关于该改质点，优选考虑所要。
24、求的切断精度、所要求的切断面的平坦性、加工对象物的厚度、种类、结晶方位等来适当控制其大小或者所产生的龟裂的长度。0044 接着，就本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法进行详细说明。如图 7 所示，加工对象物 1 是具备圆形板状 ( 例如直径 2 6 英寸，厚度 50 200m) 的单晶蓝宝石基板 31 的晶片。如图 8 所示，单晶蓝宝石基板 31 具有六方晶系的结晶构造，其 c 轴相对于单晶蓝宝石基板 31 的厚度方向倾斜角度 ( 例如 0.1 )。即，单晶蓝宝石基板 31 具有角度 的偏角 (off-angle)。如图 9 所示，单晶蓝宝石基板 31 具有与 c 面形成达偏角的角度 的表。
25、面 31a 和背面 31b。在单晶蓝宝石基板 31 中，m 面相对于单晶蓝宝石基板 31 的说 明 书CN 104508799 A5/9 页7厚度方向倾斜角度 ( 参照图 9(a)，a 面与单晶蓝宝石基板 31 的厚度方向平行 ( 参照图9(b)。0045 如图7和图9所示，加工对象物1具备在单晶蓝宝石基板31的表面31a上包含矩阵状排列的多个发光元件部32的元件层33。在加工对象物1，格子状(例如300m300m) 地设定有用于将加工对象物 1 切断成各个发光元件部 32 的切断预定线( 第 2 切断预定线 )51 和切断预定线 ( 第 1 切断预定线 )52。切断预定线 51 以与 a 面。
26、和背面 31b 平行的方式 ( 换言之，与 a 面和表面 31a 平行的方式 ) 设定多个。切断预定线 52 以与 m 面和背面 31b 平行的方式 ( 换言之，与 m 面和表面 31a 平行的方式 ) 设定多个。另外，在单晶蓝宝石基板 31，以与 a 面平行的方式形成有定向平面 31c。0046 如图9所示，各发光元件部32具有层叠在单晶蓝宝石基板31的表面31a上的n型半导体层 ( 第 1 导电型半导体层 )34、以及层叠在 n 型半导体层 34 上的 p 型半导体层 ( 第2 导电型半导体层 )35。n 型半导体层 34 遍布全部的发光元件部 32 连续地形成，p 型半导体层 35 在每。
27、个发光元件部 32 分离而岛状地形成。n 型半导体层 34 和 p 型半导体层 35 由例如 GaN 等 III-V 族化合物半导体构成，相互 pn 接合。如图 10 所示，在 n 型半导体层 34，在每个发光元件部 32 形成有电极焊盘 36，在 p 型半导体层 35，在每个发光元件部 32 形成有电极焊盘 37。另外，n 型半导体层 34 的厚度为例如 6m 左右，p 型半导体层 35 的厚度为例如 1m 左右。0047 在元件层33相邻接的发光元件部32、32之间，具有规定的宽度(例如1030m)的格线(street)区域38格子状地延伸。格线区域38是在着眼于相邻接的发光元件部32A、。
28、32B的情况下，一个发光元件部32A专有的构件之中具有最接近于另一个发光元件部32B的外缘的构件与另一个发光元件部32B专有的构件之中具有最接近于一个发光元件部32A的外缘的构件之间的区域。0048 例如在图 10(a) 的情况下，发光元件部 32A 专有的构件之中具有最接近于发光元件部 32B 的外缘的构件是 p 型半导体层 35，发光元件部 32B 专有的构件之中具有最接近于发光元件部 32A 的外缘的构件是电极焊盘 36 和 p 型半导体层 35。因此，该情况下的格线区域 38 成为发光元件部 32A 的 p 型半导体层 35 与发光元件部 32B 的电极焊盘 36 和 p 型半导体层 。
29、35 之间的区域。另外，在图 10(a) 的情况下，在格线区域 38，发光元件部 32A 和发光元件部 32B 共有的 n 型半导体层 34 露出。0049 另外，在图10(b)的情况下，发光元件部32A专有的构件之中具有最接近于发光元件部 32B 的外缘的构件是 n 型半导体层 34，发光元件部 32B 专有的构件之中具有最接近于发光元件部 32A 的外缘的构件是 n 型半导体层 34。因此，该情况下的格线区域 38 成为发光元件部 32A 的 n 型半导体层 34 与发光元件部 32B 的 n 型半导体层 34 之间的区域。另外，在图 10(b) 的情况下，在格线区域 38，单晶蓝宝石基板。
30、 31 的表面 31a 露出。0050 就用于将如以上构成的加工对象物 1 切断成各个发光元件部 32 来制造多个发光元件的加工对象物切断方法，进行以下说明。首先，如图 11 所示，以覆盖元件层 33 的方式将保护胶带41粘附在加工对象物1，经由保护胶带41将加工对象物1载置在上述的激光加工装置 100 的支撑台 107 上。然后，以单晶蓝宝石基板 31 的背面 31b 作为单晶蓝宝石基板31 中的激光 L 的入射面，将激光 L 的聚光点 P 对准于单晶蓝宝石基板 31 内，并使聚光点 P沿着各条切断预定线 51 相对地移动。由此，沿着各条切断预定线 51 在单晶蓝宝石基板 31说 明 书CN。
31、 104508799 A6/9 页8内形成改质区域 ( 第 2 改质区域 )71，并且使从改质区域 71 产生的龟裂 ( 第 2 龟裂 )81 到达背面 31b( 第 3 工序 )。此时，龟裂 81 虽然未到达单晶蓝宝石基板 31 的表面 31a，但是也从改质区域 71 朝表面 31a 侧伸展。0051 在该工序中，以单晶蓝宝石基板 31 的 r 面与背面 31b 所形成的角度成为锐角的侧作为一侧，且以单晶蓝宝石基板 31 的 r 面与背面 31b 所形成的角度成为钝角的侧作为另一侧，在全部的切断预定线 51 中，使激光 L 的聚光点 P 从一侧朝另一侧相对地移动。另外，从背面 31b 至将聚。
32、光点 P 对准的位置为止的距离例如是单晶蓝宝石基板 31 的厚度的一半以下的距离，例如为 30 50m。0052 接着，如图 12 所示，以单晶蓝宝石基板 31 的背面 31b 作为单晶蓝宝石基板 31 中的激光 L 的入射面，将激光 L 的聚光点 P 对准于单晶蓝宝石基板 31 内，并使聚光点 P 沿着各条切断预定线 52 相对地移动。由此，沿着各条切断预定线 52 在单晶蓝宝石基板 31 内形成改质区域 ( 第 1 改质区域 )72，并且使从改质区域 72 产生的龟裂 ( 第 1 龟裂 )82 到达背面 31b( 第 1 工序 )。此时，龟裂 82 虽然未到达单晶蓝宝石基板 31 的表面 。
33、31a，但是也从改质区域 72 朝表面 31a 侧伸展。0053 在该工序中，在相邻接的发光元件部 32、32 之间从在与 m 面平行的方向上延伸的格线区域 38 的中心线 CL 至将聚光点 P 对准的位置为止的“从与背面 31b 垂直的方向看的情况下的距离”为 Y、单晶蓝宝石基板 31 的厚度为 t、从背面 31b 至将聚光点 P 对准的位置为止的距离为 Z、格线区域 38 的宽度为 d、表面 31a 的龟裂 82 的蛇行量为 m、与背面 31b垂直的方向(即单晶蓝宝石基板31的厚度方向)与龟裂82伸展的方向所形成的角度为的情况下，以满足 Y (tan)(t-Z)(d/2)-m 的方式，沿着。
34、各条切断预定线 52 将激光 L 照射在加工对象物 1。0054 在此，中心线 CL 是格线区域 38 的宽度方向 ( 即相邻接的发光元件部 32、32 并排的方向 ) 中的中心线。另外，表面 31a 的龟裂 82 的蛇行量 m 是在表面 31a 蛇行的龟裂 82的摆动宽度 ( 格线区域 38 的宽度方向上的摆动宽度 ) 的“所设想的最大值”，例如为 -5 +5m。另外，龟裂 82 伸展的方向是相对于与背面 31b 垂直的方向朝 r 面倾斜的侧倾斜的方向，但是与背面31b垂直的方向与龟裂82伸展的方向所形成的角度不必跟与背面31b垂直的方向与 r 面所形成的角度一致，例如为 5 7。0055 。
35、该工序中的激光加工装置 100 的动作为如下所述。首先，激光加工装置 100 检测出从单晶蓝宝石基板 31 的背面 31b 侧，在相邻接的发光元件部 32、32 之间在与 m 面平行的方向上延伸的格线区域 38。接着，激光加工装置 100 在从与背面 31b 垂直的方向看的情况下，以将聚光点 P 对准的位置位于格线区域 38 的中心线 CL 上的方式，调整激光 L 相对于加工对象物 1 的照射位置。接着，激光加工装置 100 在从与背面 31b 垂直的方向看的情况下，以将聚光点 P 对准的位置相对于中心线 CL 偏移达 Y 的方式，调整激光 L 相对于加工对象物 1 的照射位置。接着，激光加工。
36、装置 100 开始激光 L 相对于加工对象物 1 的照射，在从与背面 31b 垂直的方向看的情况下，在将聚光点 P 对准的位置相对于中心线 CL( 在此，与切断预定线 52 一致 ) 偏移达 Y 的状态下，使聚光点 P 沿着各条切断预定线 52 相对地移动。0056 另外，形成在单晶蓝宝石基板 31 内的改质区域 71、72 成为包含熔融处理区域者。另外，从改质区域 71 产生的龟裂 81、以及从改质区域 72 产生的龟裂 82 通过适当调整激光L 的照射条件就可以到达单晶蓝宝石基板 31 的背面 31b。作为用于使龟裂 81、82 到达背面说 明 书CN 104508799 A7/9 页93。
37、1b 的激光 L 的照射条件，例如有从背面 31b 至将激光 L 的聚光点 P 对准的位置为止的距离、激光 L 的脉冲宽度、激光 L 的脉冲间距 ( 将“激光 L 的聚光点 P 相对于加工对象物 1 的移动速度”由“激光 L 的重复频率”除后的值 )、激光 L 的脉冲能量等。另外，在单晶蓝宝石基板 31 中，在以与 a 面和背面 12b 平行的方式设定的切断预定线 51 中，龟裂 81 难以伸展，龟裂 81 容易蛇行。另一方面，在以与 m 面和背面 12b 平行的方式设定的切断预定线 52 中，龟裂 82 容易伸展，龟裂 82 难以蛇行。出于该观点，切断预定线 51 侧的激光 L 的脉冲间距可。
38、以比切断预定线 52 侧的激光 L 的脉冲间距小。0057 如以上所述形成了改质区域 71、72 之后，如图 13 所示，以覆盖单晶蓝宝石基板 31的背面 31b 的方式将伸展胶带 42 粘附在加工对象物 1，经由该伸展胶带 42 将加工对象物 1载置在三点弯曲断裂装置的承受构件 43 上。然后，如图 13(a) 所示，沿着各条切断预定线51，从单晶蓝宝石基板 31 的表面 31a 侧，经由保护胶带 41 将刀缘 44 抵接在加工对象物 1，由此沿着各条切断预定线 51 使外力作用于加工对象物 1。由此，使从改质区域 71 产生的龟裂 81 朝表面 31a 侧伸展，沿着各条切断预定线 51 将。
39、加工对象物 1 切断成条状 ( 第 4 工序 )。0058 接着，如图 13(b) 所示，沿着各条切断预定线 52，从单晶蓝宝石基板 31 的表面 31a侧，经由保护胶带41将刀缘44抵接在加工对象物1，由此沿着各条切断预定线52使外力作用于加工对象物 1。由此，使从改质区域 72 产生的龟裂 82 朝表面 31a 侧伸展，沿着各条切断预定线 52 将加工对象物 1 切断成芯片状 ( 第 2 工序 )。0059 将加工对象物 1 切断之后，如图 14 所示，从加工对象物 1 去除保护胶带 41，使伸展胶带 42 朝外侧扩张。由此，使通过将加工对象物 1 切断成芯片状而得到的多个发光元件10 相。
40、互分离。0060 如以上说明，在本实施方式的加工对象物切断方法中，在以与单晶蓝宝石基板 31 的 m 面和背面 31b 平行的方式设定的多条切断预定线 52 的各条中，以满足 Y (tan)(t-Z)(d/2)-m的方式将激光L照射在加工对象物1，在单晶蓝宝石基板31内形成改质区域 72，并且使从改质区域 72 产生的龟裂 82 到达背面 31b。由此，即使从改质区域 72 产生的龟裂 82 的伸展方向朝 r 面的倾斜方向拉引，也能够在单晶蓝宝石基板 31 的表面 31a 将龟裂 82 收在格线区域 38 内，可以防止该龟裂 81 到达发光元件部 32。这是基于如下认识 ：“从沿着与单晶蓝宝石。
41、基板31的m面和背面31b平行的切断预定线52形成的改质区域 72 所产生的龟裂 82 的伸展方向相比于 m 面的影响更强烈地受到相对于 m 面倾斜的 r面的影响，而朝 r 面的倾斜方向拉引”。然后，在从与背面 31b 垂直的方向看的情况下，即使相对于格线区域 38 的中心线 CL，将聚光点 P 对准的位置偏移达 Y，由此使将聚光点 P 对准的位置远离单晶蓝宝石基板 31 的表面 31a，由于能够将从改质区域 72 产生的龟裂 82 收在格线区域 38 内，因此也可以防止起因于激光 L 的照射而引起发光元件部 32 的特性劣化。0061 例如如果 t( 单晶蓝宝石基板 31 的厚度 ) 为 1。
42、50m、Z( 从背面 31b 至将聚光点 P对准的位置为止的距离 ) 为 50m、d( 格线区域 38 的宽度 ) 为 20m、m( 表面 31a 的龟裂82 的蛇行量 ) 为 3m、( 与背面 31b 垂直的方向与龟裂 82 伸展的方向所形成的角度 )的正切为 1/10，则从 Y (tan)(t-Z)(d/2)-m 导出 Y 107m。因此，在从与背面 31b 垂直的方向看的情况下，只要相对于格线区域 38 的中心线 CL，在使将聚光点P 对准的位置偏移 3 17m 的状态下，使聚光点 P 沿着各条切断预定线 52 相对地移动即说 明 书CN 104508799 A8/9 页10可。0062。
43、 另外，在切断加工对象物1的工序中，通过沿着各条切断预定线51、52从单晶蓝宝石基板31的表面31a侧将刀缘44抵接在加工对象物1，从而沿着各条切断预定线51、52使外力作用于加工对象物 1。由此，外力以到达单晶蓝宝石基板 31 的背面 31b 的龟裂 81、82裂开的方式作用于加工对象物 1，因而能够沿着切断预定线 51、52 容易地且精度高地切断加工对象物 1。0063 另外，在以与单晶蓝宝石基板 31 的 a 面和背面 31b 平行的方式设定的多条切断预定线 51 的各条中，使激光 L 的聚光点 P 从一侧朝另一侧相对地移动。由此，能够抑制从沿着各条切断预定线 51 形成的改质区域 71。
44、 所产生的龟裂 81 的蛇行量发生变化。这是基于如下认识 ：“在单晶蓝宝石基板31中，在从r面与背面31b所形成的角度成为锐角的侧朝其相反侧使激光 L 的聚光点 P 相对地移动的情况下、以及从 r 面与背面 31b 所形成的角度成为钝角的侧朝其相反侧使激光 L 的聚光点 P 相对地移动的情况下，改质区域 71 的形成状态发生变化，其结果，从改质区域 71 产生的龟裂 81 的蛇行量发生变化”。因此，根据该加工对象物切断方法，可以抑制从沿着与单晶蓝宝石基板 31 的 a 面和背面 31b 平行的多条切断预定线 51 的各条形成的改质区域 71 所产生的龟裂 82 的蛇行量的偏差。另外，从改质区域。
45、 71产生的龟裂 81 的蛇行量是指在单晶蓝宝石基板 31 的表面 31a 或背面 31b 蛇行的龟裂 81的摆动宽度 ( 格线区域 38 的宽度方向上的摆动宽度 )。0064 另外，在形成改质区域 71 的工序中，以单晶蓝宝石基板 31 的 r 面与背面 31b 所形成的角度成为锐角的侧作为一侧，且以该角度成为钝角的侧作为另一侧，使激光 L 的聚光点 P 沿着各条切断预定线 51 从一侧朝另一侧相对地移动，在单晶蓝宝石基板 31 内形成改质区域 71，并且使从改质区域 71 产生的龟裂 81 到达背面 31b。由此，相比于使激光 L 的聚光点 P 从单晶蓝宝石基板 31 的 r 面与背面 3。
46、1b 所形成的角度成为钝角的侧至该角度成为锐角的侧相对地移动的情况，能够将从改质区域 71 到达单晶蓝宝石基板 31 的背面 31b 的龟裂 81 的蛇行量抑制得小。0065 以上，就本发明的一个实施方式的加工对象物切断方法进行了说明，但是本发明的加工对象物切断方法不限定于上述实施方式的加工对象物切断方法。0066 例如，沿着切断预定线 51 形成改质区域 71 的工序，不限定于如上述者。与沿着切断预定线 51 如何形成改质区域 71 没关系，关于切断预定线 52，起到上述的“即使从改质区域 72 产生的龟裂 82 的伸展方向朝 r 面的倾斜方向拉引，也能够在单晶蓝宝石基板 31 的表面 31。
47、a 将龟裂 82 收在格线区域 38 内，可以防止该龟裂 81 到达发光元件部 32”的效果等。0067 另外，如果是在切断加工对象物 1 的工序之前，则可以先实施在沿着切断预定线51 形成改质区域 71 的工序以及沿着切断预定线 52 形成改质区域 72 的工序之中任一个工序。另外，如果是在形成改质区域 71、72 的工序之后，则可以先实施在沿着切断预定线 51切断加工对象物 1 的工序以及沿着切断预定线 52 切断加工对象物 1 的工序之中的任一个工序。0068 另外，为了使激光 L 的聚光点 P 沿着各条切断预定线 51、52 相对地移动，可以使激光加工装置100的支撑台107移动，也可以使激光加工装置100的激光光源101侧(激光光源 101、分色镜 103 和聚光用透镜 105 等 ) 移动，或者也可以使支撑台 107 和激光光源 101侧两者移动。说 明 书CN 104508799 A。