一种气密性单芯铠装电缆插头.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201510016095.0

申请日:

2015.01.13

公开号:

CN104538763A

公开日:

2015.04.22

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情:

授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01R 13/04申请日:20150113|||公开

IPC分类号:

H01R13/04; H01R13/52; H01R13/502; H01R24/28(2011.01)I

主分类号:

H01R13/04

申请人:

成都国光电气股份有限公司; 核工业西南物理研究院

发明人:

季小全; 高华英; 刘时

地址:

610100四川省成都市经济技术开发区(龙泉驿区)星光西路117号

优先权:

专利代理机构:

成都华典专利事务所(普通合伙)51223

代理人:

徐丰

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内容摘要

本发明公开了一种气密性单芯铠装电缆插头,所述气密性单芯铠装电缆插头包括下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装电缆;所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设有中空的内腔,所述下可伐套的内腔、封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘氧化铝陶瓷管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆通过的通道,所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封结构。采用本发明能达到的有益效果是:整体气密性≤1.0×10-10Pa.m3/S;常温绝缘电阻≥1000MΩ(5V直流);温度冲击性能(室温~300℃,循环10次);耐压≥500V(DC)。

权利要求书

权利要求书1.  一种气密性单芯铠装电缆插头,其特征在于,所述气密性单芯铠装电缆插 头包括下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装电缆;所述下可伐 套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设有中空的内腔,绝缘氧化铝陶瓷管 封接在下可伐套的另一端内腔中,所述插针封接在绝缘氧化铝陶瓷管未与下可 伐套封接的另一端内腔中,插针未与下可伐套封接的另一端内腔封接过渡套, 所述下可伐套的内腔、封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在 绝缘氧化铝陶瓷管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆 通过的通道,所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一 端是耐高温的金属熔封结构。 2.  如权利要求1所述的气密性单芯铠装电缆插头,其特征在于,所述绝缘 氧化铝陶瓷管可以是由A-95氧化铝陶瓷或者A-97氧化铝陶瓷或者A-99氧化铝 陶瓷制成。 3.  如权利要求2所述的气密性单芯铠装电缆插头,其特征在于,所述铠装 电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封 结构是激光自熔的封接结构。 4.  如权利要求1至3任一权利要求所述的气密性单芯铠装电缆插头,其特 征在于,所述过渡套可以是无氧铜制成。

说明书

说明书一种气密性单芯铠装电缆插头
技术领域
本发明涉及一种电缆插头,尤其涉及一种单芯电缆插头。
背景技术
核聚变是由两个较轻的原子核聚合为一个较重的原子核,并释放出 能量的过程。而人类要从核聚变过程获取能量,就必须使此过程受控, 磁约束受控核聚变是当前开发聚变能源中最有希望的途径。在磁约束受 控核聚变装置中,相关参数的测量与等离子体控制、装置安全等方面密 切相关,如磁场、磁通和电流等信息,并且很多测量系统需要布置在装 置真空室内部。为了满足磁约束聚变装置真空室内部工作环境要求,主 要包括高真空、较高的烘烤温度和环境温度等,通常采用铠装电缆作为 信号测量和传输导线。铠装电缆是由矿物质材料氧化镁或者氧化铝粉作 为绝缘材料的铜芯金属护套电缆。该电缆具有耐高温、低出气率(真空 性能)以及良好的绝缘性能等。由于信号探测器多采用单芯铠装电缆绕 制,在一些高真空、较高的烘烤温度和环境温度等测试环境下,单芯铠 装电缆必须装配耐高温、高真空、低损耗的电缆接插头,以便能够进行 测试,这也是在高真空、较高的烘烤温度和环境温度等这样的测试环境 下实现信号测量的必备环节,也是解决真空室内部的信号测量面临问题 的关键组件。
发明内容
本发明的目的在于提供了一种具有气密性的耐高温、高真空、低损 耗单芯电缆插头。本发明的技术方案是:一种气密性单芯铠装电缆插头, 所述气密性单芯铠装电缆插头包括下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插 针、过渡套、铠装铠装电缆;所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、 过渡套均设有中空的内腔,绝缘氧化铝陶瓷管封接在下可伐套的另一端 内腔中,所述插针封接在绝缘氧化铝陶瓷管未与下可伐套封接的另一端 内腔中,插针未与下可伐套封接的另一端内腔封接过渡套,所述下可伐 套的内腔、封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘 氧化铝陶瓷管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装 电缆通过的通道,所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡 套出来的一端是耐高温的金属熔封结构。
所述的气密性单芯铠装电缆插头,所述绝缘氧化铝陶瓷管可以是由 A-95氧化铝陶瓷或者A-97氧化铝陶瓷或者A-99氧化铝陶瓷制成。
所述的气密性单芯铠装电缆插头,所述铠装电缆进入下可伐套的一 端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封结构是激光自 熔的封接结构。
所述的气密性单芯铠装电缆插头,所述过渡套可以是无氧铜制成。
采用本发明能达到的有益效果是:
1、整体气密性≤1.0×10-10Pa.m3/S;
2、常温绝缘电阻≥1000MΩ(5V直流);
3、温度冲击性能(室温~300℃,循环10次);
4、耐压≥500V(DC)。
附图说明
图1本发明的结构示意图;
图2下可伐套图;
图3绝缘氧化铝陶瓷管图;
图4插针图;
图5过渡套图。
上述附图中,附图标记对应的部件名称如下:
1-下可伐套、2-绝缘氧化铝陶瓷管、3-插针、4-过渡套、5-铠装电 缆、6-金属熔封结构。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明,本发明的实施方式 包括但不限于下列实施例。
实施例一
本发明实施例一的气密性单芯铠装电缆插头,所述气密性单芯铠装 电缆插头包括下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装铠 装电缆;所述绝缘氧化铝陶瓷管是A-95氧化铝陶瓷制成,所述过渡套 是无氧铜制成;所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设 有中空的内腔,绝缘氧化铝陶瓷管封接在下可伐套的另一端内腔中,所 述插针封接在绝缘氧化铝陶瓷管未与下可伐套封接的另一端内腔中,插 针未与下可伐套封接的另一端内腔封接过渡套,所述下可伐套的内腔、 封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘氧化铝陶瓷 管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆通过的 通道,所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一 端是耐高温的金属熔封结构,所述耐高温的金属熔封结构是激光自熔的 封接结构。
实施例二
本发明实施例二的气密性单芯铠装电缆插头,所述气密性单芯铠装 电缆插头包括下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装电 缆;所述绝缘氧化铝陶瓷管是A-99氧化铝陶瓷制成,所述过渡套是无 氧铜制成;所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设有中 空的内腔,绝缘氧化铝陶瓷管封接在下可伐套的另一端内腔中,所述插 针封接在绝缘氧化铝陶瓷管未与下可伐套封接的另一端内腔中,插针未 与下可伐套封接的另一端内腔封接过渡套,所述下可伐套的内腔、封接 在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘氧化铝陶瓷管中 的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆通过的通道, 所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是 耐高温的金属熔封结构,所述耐高温的金属熔封结构是激光自熔的封接 结构。
采用本发明实施例能达到的有益效果是:
1、整体气密性≤1.0×10-10Pa.m3/S;
2、常温绝缘电阻≥1000MΩ(5V直流);
3、温度冲击性能(室温~300℃,循环10次);
4、耐压≥500V(DC)。
上述实施例仅为本发明的优选实施例,并非对本发明保护范围的限 制,但凡采用本发明的设计原理,以及在此基础上进行非创造性劳动而 作出的变化,均应属于本发明的保护范围之内。

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本发明公开了一种气密性单芯铠装电缆插头,所述气密性单芯铠装电缆插头包括下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装电缆;所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设有中空的内腔,所述下可伐套的内腔、封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘氧化铝陶瓷管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆通过的通道,所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的。

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