一种消除晶圆片翘曲的托盘.pdf

本发明公开了一种消除晶圆片翘曲的托盘，包括基体和基座，基体一侧面上形成有多个凹坑，一个凹坑配置有一个基座；基座镶嵌在相应凹坑内，并与凹坑坑底之间保持有间隙，其整体高度低于凹坑深度；基座的上表面开设有多个吸气孔，晶圆片吸附在基座上后，其与基座组合的整体高度低于凹坑深度，基座内形成有连通多个吸气孔的抽真空通道，抽真空通道贯穿基座的下表面；凹坑的坑底上开设有抽气孔，基体内形成有连通抽气孔的抽真空通道，抽真空通道贯穿基体的另一侧面，能与外界抽真空装置相连。本发明能使晶圆片平贴紧在基座上，可以有效消除热失配与晶格失配导致的外延片翘曲问题，且片内温度均匀，有利于后续工艺流程。

权利要求书1.  一种消除晶圆片翘曲的托盘，其特征在于：包括有基体(1)和用于安 装晶圆片的基座(2)，其中，所述基体(1)的一侧面上形成有多个凹坑(3)， 凹坑(3)的数量与基座(2)相一致，且一个凹坑(3)配置有一个基座(2)， 基座(2)的形状大小与凹坑(3)相匹配；所述基座(2)镶嵌在相应凹坑(3) 内，并与凹坑坑底之间保持有间隙，其整体高度低于凹坑深度；所述基座(2) 的上表面开设有多个吸气孔(4)，用于吸附晶圆片，使其平贴紧在基座(2)的 上表面，所述晶圆片吸附在基座(2)上后，其与基座(2)组合的整体高度低 于凹坑深度，所述基座(2)内形成有连通上述多个吸气孔(4)的抽真空通道， 所述抽真空通道贯穿基座(2)的下表面；所述凹坑(3)的坑底上开设有抽气 孔(5)，所述基体(1)内形成有连通抽气孔(5)的抽真空通道，所述抽真空 通道贯穿基体(1)的另一侧面，能与外界抽真空装置相连。 2.  根据权利要求1所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘，其特征在于：所述 基座(2)上的多个吸气孔(4)沿晶圆片的周向均布，形成有至少一圈与晶圆 片同心的吸气孔组。 3.  根据权利要求2所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘，其特征在于：所述 基座(2)上的吸气孔组的圆心处设有一吸气孔(7)，该吸气孔(7)的孔径大 于吸气孔组中的吸气孔孔径，且与基座(2)内的抽真空通道连通。 4.  根据权利要求2所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘，其特征在于：所述 基座(2)的上表面形成有至少一个环形凹槽(6)，且一圈吸气孔组位于一个环 形凹槽(6)内。 5.  根据权利要求3所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘，其特征在于：所述 吸气孔(7)位于基座(2)上的一凹槽槽底。 6.  根据权利要求1所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘，其特征在于：所述 基体(1)为圆形的石墨基体或碳化硅基体。 7.  根据权利要求1所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘，其特征在于：所述 基座(2)为圆形的石墨基座或碳化硅基座。 8.  根据权利要求1或6所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘，其特征在于： 所述基体(1)上镀有碳化硅涂层或碳化钽涂层。 9.  根据权利要求1或7所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘，其特征在于： 所述基座(2)上镀有碳化硅涂层或碳化钽涂层。

说明书一种消除晶圆片翘曲的托盘
技术领域
本发明涉及半导体设备制造的技术领域，尤其是指一种消除晶圆片翘曲的 托盘。
背景技术
能源是人类生存和发展的重要物质基础，也是当今国际政治、经济、军事、 外交关注的焦点。随着人口的增加和工业化进程的加快，世界各国对能源的需 求越来越大，能源短缺的状况会越来越明显。与此同时，化石能源开发利用带 来的环境污染问题也日趋严重，给社会经济发展和人类健康带来了严重影响。 提高能源使用效率，降低能耗，发展新能源产业异常重要。
为了提高能源利用效率，降低成本并进行大规模生产，半导体行业也由传 统的2英寸向4英寸、6英寸、8英寸及更大尺寸迈进。然而，由于晶格失配和 热失配会产生应力。应力是外延片发生翘曲，使其与基座接触不良，并且会产 生位错，影响组分均匀性，甚至出现裂纹。随着衬底(晶圆片)尺寸变大，外 延翘曲更加严重，降低成品率和稳定性，并影响后续芯片制备工艺。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足与缺点，提供一种能够消除晶圆片 翘曲现象的托盘，能使晶圆片始终平贴紧在其基座上。
为实现上述目的，本发明所提供的技术方案为：一种消除晶圆片翘曲的托 盘，包括有基体和用于安装晶圆片的基座，其中，所述基体的一侧面上形成有 多个凹坑，凹坑的数量与基座相一致，且一个凹坑配置有一个基座，基座的形 状大小与凹坑相匹配；所述基座镶嵌在相应凹坑内，并与凹坑坑底之间保持有 间隙，其整体高度低于凹坑深度；所述基座的上表面开设有多个吸气孔，用于 吸附晶圆片，使其平贴紧在基座的上表面，所述晶圆片吸附在基座上后，其与 基座组合的整体高度低于凹坑深度，所述基座内形成有连通上述多个吸气孔的 抽真空通道，所述抽真空通道贯穿基座的下表面；所述凹坑的坑底上开设有抽 气孔，所述基体内形成有连通抽气孔的抽真空通道，所述抽真空通道贯穿基体 的另一侧面，能与外界抽真空装置相连。
所述基座上的多个吸气孔沿晶圆片的周向均布，形成有至少一圈与晶圆片 同心的吸气孔组。
所述基座上的吸气孔组的圆心处设有一吸气孔，该吸气孔的孔径大于吸气 孔组中的吸气孔孔径，且与基座内的抽真空通道连通。
所述基座的上表面形成有至少一个环形凹槽，且一圈吸气孔组位于一个环 形凹槽内。
所述吸气孔位于基座上的一凹槽槽底。
所述基体为圆形的石墨基体或碳化硅基体。
所述基座为圆形的石墨基座或碳化硅基座。
所述基体上镀有碳化硅涂层或碳化钽涂层。
所述基座上镀有碳化硅涂层或碳化钽涂层。
本发明与现有技术相比，具有如下优点与有益效果：
通过均匀的真空抽气孔，使晶圆片平贴紧在基座上，能够保持温场、流场 稳定可靠。消除各层材料热膨胀系数和晶格常数不同导致的缺陷、位错以及裂 纹等问题，有利于后续工艺流程。同时，本设计可以用于高温、旋转等特殊使 用环境。
附图说明
图1为本发明所述托盘的俯视图。
图2为本发明所述托盘拆除两个基座后的俯视图。
图3为本发明所述托盘拆除两个基座后的轴视图。
图4为本发明所述基座的斜视图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
本实施例所述的能够消除晶圆片翘曲的托盘，其材质采用耐高温材料，通 常为高纯石墨或碳化硅，且可以根据需要镀上涂层，如碳化硅、碳化钽等。
如图1至图4所示，所述托盘包括有呈圆形的基体1(基体形状可根据需要 选择其它形状，如方形、多边形等)和用于安装晶圆片的呈圆形的基座2，其中， 所述基体1的一侧面上形成有三个呈圆形的凹坑3，凹坑3的数量与基座2相一 致，且一个凹坑3配置有一个基座2，基座2的形状大小与凹坑3相匹配。所述 基座2镶嵌在相应凹坑3内，并与凹坑坑底之间保持有抽真空时供气流流经的 间隙，其整体高度低于凹坑深度。所述基座2的上表面开设有多个沿晶圆片周 向均布的吸气孔4，并形成有两圈与晶圆片同心的吸气孔组，且所述吸气孔组的 圆心处设有一吸气孔7，该吸气孔7的孔径大于吸气孔组中的吸气孔4的孔径， 所述基座2的上表面形成有两个环形凹槽6及一个圆形凹槽8，一圈吸气孔组位 于一个环形凹槽6内，吸气孔7位于该个圆形凹槽8的槽底，通过上述两圈吸 气孔组及吸气孔7吸附晶圆片，以使晶圆片能平贴紧在基座2的上表面，防止 晶圆片翘曲，所述晶圆片吸附在基座2上后，其与基座2组合的整体高度低于 凹坑深度。所述基座2内形成有连通上述多个吸气孔4及吸气孔7的抽真空通 道，所述抽真空通道贯穿基座2的下表面。所述凹坑3的坑底中心开设有一抽 气孔5，所述基体1内形成有连通抽气孔5的抽真空通道，所述抽真空通道贯穿 基体1的另一侧面，能与外界抽真空装置相连。
综上所述，在采用以上方案后，本发明能使晶圆片平贴紧在基座上，在无 论高温或者低温的情况下，均可以有效消除热失配与晶格失配导致的外延片翘 曲问题，且片内温度均匀，有利于后续工艺流程，值得推广。
以上所述之实施例子只为本发明之较佳实施例，并非以此限制本发明的实 施范围，故凡依本发明之形状、原理所作的变化，均应涵盖在本发明的保护范 围内。