《导电插塞的形成方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《导电插塞的形成方法.pdf（14页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201310379843.2(22)申请日 2013.08.27H01L 21/768(2006.01)H01L 21/3065(2006.01)(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址 201203 上海市浦东新区张江路18号(72)发明人黄敬勇 张城龙 张海洋(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司 11227代理人骆苏华(54) 发明名称导电插塞的形成方法(57) 摘要一种导电插塞的形成方法，导电插塞与金属栅极晶体管的金属栅极电连接，该形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成金属栅极，金属栅极包括铝层；形成位于衬底。
2、上的第一层间介质层，第一层间介质层的上表面与铝层的上表面齐平；在第一层间介质层及金属栅极上形成第二层间介质层；进行第一干法刻蚀，以在第二层间介质层内形成底部露出铝层的接触孔；进行第二干法刻蚀，以去除第一干法刻蚀步骤在接触孔底部和侧壁上所形成的聚合物；第二干法刻蚀之后，向接触孔内填充金属，形成导电插塞。本发明的技术方案解决了金属栅极与导电插塞无法电连接的问题。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书7页 附图5页(10)申请公布号 CN 104425355 A(43)申请公布日 2015.03.18CN 104425355 A1/1页2。
3、1.一种导电插塞的形成方法，所述导电插塞与金属栅极晶体管的金属栅极电连接，其特征在于，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成金属栅极，所述金属栅极包括铝层；形成位于所述衬底上的第一层间介质层，所述第一层间介质层的上表面与铝层的上表面齐平；在所述第一层间介质层及金属栅极上形成第二层间介质层；进行第一干法刻蚀，以在所述第二层间介质层内形成底部露出铝层的接触孔；进行第二干法刻蚀，以去除所述第一干法刻蚀步骤在接触孔底部和侧壁上所形成的聚合物；所述第二干法刻蚀之后，向所述接触孔内填充金属，形成导电插塞。2.根据权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀之后、形成导电插塞之前，。
4、还包括对接触孔进行湿法清洗的步骤。3.根据权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述第一干法刻蚀与第二干法刻蚀在同一反应腔室中进行。4.根据权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，利用含N2的气体进行所述第二干法刻蚀。5.根据权利要求4所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀的工艺参数包括：压强为50至200mtorr，射频功率为200至500w，偏置功率为50至300w。6.根据权利要求4所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述气体还包括H2。7.根据权利要求6所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀的工艺参数包括：压强为50至200mtorr。
5、，射频功率为200至500w，偏置功率为50至300w，N2与H2的流量比为1：1至1：2。8.根据权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，利用含O2及CO的气体进行所述第二干法刻蚀。9.根据权利要求8所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀的工艺参数包括：压强为50至200mtorr，射频功率为200至500w，偏置功率为50至300w，O2与CO的流量比小于1：4。10.根据权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述接触孔的形成方法包括：在所述第二层间介质层上形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层定义所述接触孔的位置；以所述图形化光刻胶层为掩模，对所述第二层。
6、间介质层进行第一干法刻蚀，以在所述第二层间介质层内形成所述接触孔；形成接触孔之后，去除所述图形化光刻胶层。权 利 要 求 书CN 104425355 A1/7页3导电插塞的形成方法技术领域0001 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种导电插塞的形成方法，该导电插塞与金属栅极晶体管的金属栅极电连接。背景技术0002 随着集成电路集成度的提高，半导体制造工艺的特征尺寸也越来越小，传统的多晶硅栅极因其电性能的缺陷而逐渐被金属栅极替代。目前，栅极结构基本都采用高k介质层作为栅介质层、金属层作为栅极，以满足器件电学性能的要求。0003 图1是现有一种金属栅极晶体管的剖面结构示意图，如图1所示，该金属。
7、栅极晶体管包括：衬底1；位于衬底1上的高k介质层2；位于高k介质层2上的金属栅极3，金属栅极3包括功函数金属层31和位于功函数金属层31上的铝层32；位于金属栅极3两侧、并位于衬底1内的源极4和漏极5；位于金属栅极3和高k介质层2周围的侧墙6；位于衬底1上的第一层间介质层7，第一层间介质层7的上表面与铝层32的上表面齐平。0004 金属栅极晶体管的金属栅极3上方形成有导电插塞（未图示），使金属栅极3与导电插塞电连接，以布金属连接线。现有在金属栅极上方形成导电插塞的方法包括：0005 如图2所示，在第一层间介质层7及金属栅极3上形成第二层间介质层8；对第二层间介质层8进行干法刻蚀，以在第二层间介。
8、质层8内形成接触孔9，接触孔9的底部露出铝层32；0006 如图3所示，进行干法刻蚀之后，对接触孔9进行湿法清洗，以去除所述干法刻蚀步骤在接触孔9的底部和侧壁所形成的聚合物10（如图2所示）；0007 如图5所示，进行湿法清洗之后，向接触孔9（如图3所示）内填充金属，以形成导电插塞12。0008 但是，利用现有方法在金属栅极晶体管的金属栅极上方形成导电插塞时，会出现金属栅极与导电插塞无法电连接的问题出现。发明内容0009 本发明要解决的问题是：利用现有方法在金属栅极晶体管的金属栅极上方形成导电插塞时，会出现金属栅极与导电插塞无法电连接的问题出现。0010 为解决上述问题，本发明提供了一种导电插。
9、塞的形成方法，所述导电插塞与金属栅极晶体管的金属栅极电连接，所述形成方法包括：0011 提供衬底；0012 在所述衬底上形成金属栅极，所述金属栅极包括铝层；0013 形成位于所述衬底上的第一层间介质层，所述第一层间介质层的上表面与铝层的上表面齐平；0014 在所述第一层间介质层及金属栅极上形成第二层间介质层；0015 进行第一干法刻蚀，以在所述第二层间介质层内形成底部露出铝层的接触孔；说 明 书CN 104425355 A2/7页40016 进行第二干法刻蚀，以去除所述第一干法刻蚀步骤在接触孔底部和侧壁上所形成的聚合物；0017 所述第二干法刻蚀之后，向所述接触孔内填充金属，形成导电插塞。00。
10、18 可选地，所述第二干法刻蚀之后、导电插塞形成之前，还包括对接触孔进行湿法清洗的步骤。0019 可选地，所述第一干法刻蚀与第二干法刻蚀在同一反应腔室中进行。0020 可选地，利用含N2的气体进行所述第二干法刻蚀。0021 可选地，所述第二干法刻蚀的工艺参数包括：压强为50至200mtorr，射频功率为200至500w，偏置功率为50至300w。0022 可选地，所述气体还包括H2。0023 可选地，所述第二干法刻蚀的工艺参数包括：压强为50至200mtorr，射频功率为200至500w，偏置功率为50至300w，N2与H2的流量比为1：1至1：2。0024 可选地，利用含O2及CO的气体进行。
11、所述第二干法刻蚀。0025 可选地，所述第二干法刻蚀的工艺参数包括：压强为50至200mtorr，射频功率为200至500w，偏置功率为50至300w，O2与CO的流量比小于1：4。0026 可选地，所述接触孔的形成方法包括：0027 在所述第二层间介质层上形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层定义所述接触孔的位置；0028 以所述图形化光刻胶层为掩模，对所述第二层间介质层进行第一干法刻蚀，以在所述第二层间介质层内形成所述接触孔；0029 形成接触孔之后，去除所述图形化光刻胶层。0030 与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：0031 本发明的技术方案在利用第一干法刻蚀步骤，形成底部露。
12、出金属栅极的铝层的接触孔之后，进行了第二干法刻蚀，该第二干法刻蚀步骤能够较为干净地去除所述第一干法刻蚀步骤在接触孔底部和侧壁所形成聚合物，在进行第二干法刻蚀之后排队等待形成导电插塞的过程中，由于覆盖在接触孔底部和侧壁上的聚合物已经去除干净了，因此，不会出现聚合物中的活性氟离子与铝层发生化学反应并对铝层造成腐蚀，以及化学反应的生成物延伸至接触孔内导致接触孔无法被金属完全填满的问题，解决了金属栅极与导电插塞无法电连接的问题。0032 进一步地，所述第一干法刻蚀与第二干法刻蚀步骤在同一反应腔室中进行。一方面，第一干法刻蚀步骤之后，可以直接进行第二干法刻蚀步骤，节省了排队等待的时间，防止在排队等待进行。
13、第二干法刻蚀期间，覆盖在接触孔底部和侧壁上的聚合物的活性氟离子与铝层发生化学反应，对铝层造成损伤；另一方面，由于铝的电学迁移能力很强，在第一干法刻蚀及第二干法刻蚀步骤中都很容易对反应腔室造成污染，将第一干法刻蚀与第二干法刻蚀设置在同一反应腔室中进行，可以避免对其他反应腔室造成污染。附图说明0033 图1是现有一种金属栅极晶体管的剖面结构示意图；0034 图2至图5是利用现有方法在金属栅极晶体管的金属栅极上方形成导电插塞的各说 明 书CN 104425355 A3/7页5个阶段中半导体器件的剖面结构示意图；0035 图6至图14是本发明的第一实施例中在金属栅极晶体管的金属栅极上方形成导电插塞的各。
14、个阶段中半导体器件的剖面结构示意图；0036 图15是分别利用四种技术方案在12寸晶圆上同等数量（数百万个）的金属栅极、及金属栅极上方的导电插塞时，晶圆上与金属栅极无法电连接的导电插塞的密度直方图。具体实施方式0037 经研究发现，利用现有方法在金属栅极晶体管的金属栅极上方形成导电插塞时，造成金属栅极与导电插塞无法电连接的原因为：0038 如图2所示，在对第二层间介质层8进行干法刻蚀以形成接触孔9时，所采用的刻蚀气体为碳氟化合物，因此，所述干法刻蚀步骤在接触孔9底壁和侧壁所形成的聚合物10中会含有活性氟离子；0039 如图3所示，在对接触孔9进行湿法清洗，以去除所述干法刻蚀步骤在接触孔9的底部。
15、和侧壁所形成的聚合物10（如图2所示）时，为了避免清洗溶液会损伤铝层32，清洗溶液不能为强溶剂，但这会导致无法将覆盖在接触孔9底部和侧壁上的聚合物10（如图2所示）去除干净，换言之，对接触孔9进行湿法清洗之后，接触孔9的底部和侧壁上会有聚合物10a残留；0040 如图4所示，残留的聚合物10a（如图3所示）中含有活性氟离子，而铝是活泼金属，因此，聚合物10a中的活性氟离子会与铝层32发生化学反应（1），并生成氟化铝11；0041 继续参照图4所示，对接触孔进行湿法清洗的步骤与向接触孔内填充金属以形成导电插塞的步骤之间，存在一段很长的间隔时间，在排队等待形成导电插塞的过程中，半导体器件会暴露在空。
16、气中，使半导体器件有可能与空气中的水接触，生成的氟化铝11会与水发生化学反应（2），并生成氢氧化铝及氢氟酸，生成的氢氟酸又会与铝层32发生化学反应（1），因此，在排队等待形成导电插塞的过程中，会发生化学反应（1）和（2）的循环化学反应，使铝层32不断地被腐蚀，并生成越来越多的氟化铝11，生成的氟化铝11会延伸至接触孔9（如图3所示）内；0042 如图5所示，在向接触孔9（如图4所示）内填充金属以形成导电插塞12时，由于生成的氟化铝11延伸至接触孔9内，使金属不能将接触孔9完全填满，而氟化铝11的导电性能很差，造成金属栅极3与导电插塞12无法电连接。0043 Al+3F-AlF3（1）0044 。
17、AlF3+3H2OAl(OH)3+3HF （2）0045 为了解决上述问题，本发明提供了一种改进的导电插塞的形成方法，该方法在利用第一干法刻蚀步骤形成底部露出金属栅极的铝层的接触孔之后，进行了第二干法刻蚀，该第二干法刻蚀步骤能够较为干净地去除所述第一干法刻蚀步骤在接触孔底部和侧壁所形成的聚合物，使铝层不会被腐蚀、接触孔能被金属完全填满，实现了导电插塞与金属栅极的电连接。0046 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。0047 第一实施例说 明 书CN 104425355 A4/7页60048 如图6所示，提供衬底100。0049 衬底1。
18、00可为硅衬底、硅锗衬底、绝缘体上硅（silicon on insulator，简称SOI）衬底等常规的半导体衬底。0050 然后，在衬底上形成金属栅极，所述金属栅极包括铝层。0051 在本实施例中，利用后栅极工艺（gate last）形成金属栅极晶体管的金属栅极，在形成金属栅极之前，先形成金属栅极晶体管的源极和漏极，该金属栅极晶体管的具体形成方法包括：0052 继续参照图6所示，在衬底100上形成伪栅极结构110，伪栅极结构110包括：高k介质层111和位于高k介质层111上的伪栅极112，高k介质层111可以为氧化铪、氮氧化铪、氧化锆、氮氧化锆等介电常数为720的介电材料，高k介质层111。
19、可以利用原子层沉积、金属有机气相沉积、分子束外延、化学气相沉积、物理气相沉积等方法形成；伪栅极112的材料可以为多晶硅或氮化硅等，伪栅极112可以利用化学气相沉积等方法形成；0053 如图7所示，在伪栅极结构110的周围形成侧墙130，具体方法包括：在衬底100及伪栅极结构110上形成侧墙材料层；对该侧墙材料层进行回刻，残留在伪栅极结构110周围的侧墙材料层构成侧墙130，该侧墙材料层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等；0054 继续参照图7所示，在伪栅极结构110两侧的衬底100内形成源极121和漏极122，具体方法包括：以伪栅极结构110及侧墙130为掩模进行离子注入，以在衬底100内。
20、形成源极121和漏极122；0055 如图8所示，形成第一层间介质层140，第一层间介质层140的上表面与伪栅极112的上表面齐平，第一层间介质层140的形成方法包括：在衬底100、伪栅极结构110及侧墙130上形成层间介质层；对该层间介质层进行化学机械研磨直至露出伪栅极112，形成平坦化的第一层间介质层140；0056 如图9所示，去除伪栅极112（如图8所示），在伪栅极112所在位置形成沟槽113，去除伪栅极112的方法可以为湿法刻蚀；0057 在沟槽内形成金属栅极，在本实施例中，金属栅极除了包括铝层之外，还包括位于铝层下方的功函数金属层，金属栅极的形成方法包括：如图10所示，形成覆盖在第。
21、一层间介质层140上、并填充在沟槽113（如图9所示）内的功函数金属材料层151a，功函数金属材料层151a并未将沟槽113填充满；在功函数金属材料层151a上形成铝材料层152a；如图11所示，对铝材料层152a及功函数金属材料层151a（如图10所示）进行化学机械研磨直至露出第一层间介质层140，剩余的填充在沟槽113（如图9所示）内的功函数金属材料层为功函数金属层151，剩余的填充在沟槽113（如图9所示）内的铝材料层为铝层152，铝层152的上表面与第一层间介质层140的上表面齐平。0058 然后，如图12所示，在第一层间介质层140及金属栅极150上形成第二层间介质层160。0059。
22、 在本实施例中，第二层间介质层160的材料为氧化硅。0060 然后，继续参照图12所示，进行第一干法刻蚀，以在第二层间介质层160内形成底部露出铝层152的接触孔170。0061 在本实施例中，接触孔170的形成方法包括：在第二层间介质层160上形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层定义接触孔170的位置；以所述图形化光刻胶层为掩模，对说 明 书CN 104425355 A5/7页7第二层间介质层160进行第一干法刻蚀，以在第二层间介质层160内形成接触孔170；形成接触孔170之后，去除所述图形化光刻胶层。0062 所述第一干法刻蚀步骤所采用的刻蚀气体为碳氟化合物，如CF4、C3F8、C4F。
23、8、CHF3、NF3等。0063 在第一干法刻蚀步骤中，会在接触孔170的底部和侧壁形成聚合物180，聚合物180会影响半导体器件的成品率和可靠性，因此，必须将聚合物180去除干净。0064 如图13所示，进行第二干法刻蚀，以去除所述第一干法刻蚀步骤在接触孔170底部和侧壁上所形成的聚合物180。0065 在第二干法刻蚀步骤中，借助等离子体的物理轰击作用，或者借助等离子体的物理轰击以及化学反应的共同作用，能较为干净地去除覆盖在接触孔170底部和侧壁上的聚合物180。0066 而现有方法是利用湿法清洗工艺来去除第一干法刻蚀步骤中在接触孔底部和侧壁上所形成的聚合物，但是，该方法并不能将覆盖在接触孔。
24、底部和侧壁上的聚合物去除干净。0067 在所述第二干法刻蚀步骤中，应该慎重选择刻蚀所采用的刻蚀气体，防止刻蚀气体与金属栅极150中的铝层152发生反应，对铝层152造成损伤。0068 经研究发现，利用含N2的气体P进行所述第二干法刻蚀时，不仅可以将覆盖在接触孔170底部和侧壁上的聚合物180去除干净，还不会对铝层152造成损伤。0069 在所述第二干法刻蚀步骤中，应该慎重选择刻蚀所采用的工艺参数，使得在将覆盖在接触孔170底部和侧壁上的聚合物180去除干净的同时，还不会对铝层152造成损伤。在具体实施例中，所述第二干法刻蚀的工艺参数设置为以下时可以实现上述目的，该工艺参数包括：压强为50至20。
25、0mtorr，射频功率（产生等离子体的功率）为200至500w，偏置功率为50至300w。0070 在本实施例中，所述第一干法刻蚀与第二干法刻蚀步骤在同一反应腔室中进行。这样能带来以下有益效果：一方面，第一干法刻蚀步骤之后，可以直接进行第二干法刻蚀步骤，节省了排队等待的时间，防止在排队等待进行第二干法刻蚀期间，覆盖在接触孔底部和侧壁上的聚合物的活性氟离子与铝层发生化学反应，对铝层造成损伤；另一方面，由于铝的电学迁移能力很强，在第一干法刻蚀及第二干法刻蚀步骤中都很容易对反应腔室造成污染，将第一干法刻蚀与第二干法刻蚀设置在同一反应腔室中进行，可以避免对其他反应腔室造成污染。0071 在本实施例中，。
26、利用第一干法刻蚀形成接触孔170之后，继续以所述图形化光刻胶层为掩模，进行所述第二干法刻蚀步骤，第二干法刻蚀步骤之后再去除所述图形化光刻胶层。0072 继续参照图13所示，所述第二干法刻蚀之后，对接触孔170进行湿法清洗，以避免所述第二干法刻蚀之后接触孔170内还有少量的聚合物残留。0073 在本步骤中，所述湿法清洗步骤所采用的溶液，与现有导电插塞形成方法中清洗接触孔内聚合物的溶液相同。0074 然后，如图14所示，向接触孔170（如图13所示）内填充金属，形成导电插塞190。0075 在本实施例中，导电插塞190的形成方法包括：形成覆盖在第二层间介质层160说 明 书CN 104425355。
27、 A6/7页8上、并填充在接触孔170（如图13所示）内的金属层；对该金属层进行化学机械研磨直至露出第二层间介质层160，剩余的填充在接触孔170内的金属层构成导电插塞190。0076 在具体实施例中，所述金属层包括粘连层和粘连层上方的钨层，所述粘连层的材料为Ti/TiN。0077 在进行第二干法刻蚀之后排队等待形成导电插塞的过程中，由于覆盖在接触孔底部和侧壁上的聚合物已经去除干净了，因此，不会出现聚合物中的活性氟离子与铝层发生化学反应并对铝层造成腐蚀，以及化学反应的生成物延伸至接触孔内导致接触孔无法被金属完全填满的问题，解决了金属栅极与导电插塞无法电连接的问题。0078 第二实施例0079 。
28、第二实施例与第一实施例之间的区别在于：在第二实施例中，利用包含N2及H2的混合气体进行所述第二干法刻蚀步骤。0080 在具体实施例中，所述第二干法刻蚀的工艺参数包括：压强为50至200mtorr，射频功率为200至500w，偏置功率为50至300w，N2与H2的流量比为1：1至1：2。0081 研究发现，在利用包含N2及H2的混合气体进行所述第二干法刻蚀步骤时，采用以上工艺参数可以较为干净地去除覆盖在接触孔底部和侧壁上的聚合物。0082 第三实施例0083 第三实施例与第一实施例之间的区别在于：在第三实施例中，利用包含O2及CO的混合气体进行所述第二干法刻蚀步骤。0084 在具体实施例中，所述。
29、第二干法刻蚀的工艺参数包括：压强为50至200mtorr，射频功率为200至500w，偏置功率为50至300w，O2与CO的流量比小于1：4。0085 研究发现，在利用包含O2与CO的混合气体进行所述第二干法刻蚀步骤时，采用以上工艺参数可以较为干净地去除覆盖在接触孔底部和侧壁上的聚合物。0086 图15是分别利用四种技术方案在12寸晶圆上形成同等数量（数百万个）的金属栅极、及位于金属栅极上方的导电插塞时，晶圆上与金属栅极无法电连接的导电插塞的密度直方图（纵坐标单位为个/平方厘米）。第一种技术方案是：形成接触孔之后，不去除聚合物直接形成导电插塞；第二种技术方案是第三实施例的技术方案；第三种技术方。
30、案是第二实施例的技术方案；第四种技术方案是第一实施例的技术方案。0087 图15中第一至第十一列直方图表示：利用第一种技术方案在12寸晶圆上形成同等数量的金属栅极、及金属栅极上方的导电插塞时，晶圆上与金属栅极无法电连接的导电插塞的密度；图15中第十二至第十三列直方图表示：利用第二种技术方案在12寸晶圆上形成同等数量的金属栅极、及金属栅极上方的导电插塞时，晶圆上与金属栅极无法电连接的导电插塞的密度；图15中第十四至第十五列直方图表示：利用第三种技术方案在12寸晶圆上形成同等数量的金属栅极、及金属栅极上方的导电插塞时，晶圆上与金属栅极无法电连接的导电插塞的密度；图15中第十六至第二十列直方图表示：。
31、利用第四种技术方案在12寸晶圆上形成同等数量的金属栅极、及金属栅极上方的导电插塞时，晶圆上与金属栅极无法电连接的导电插塞的密度。0088 由图15中可知，当采用第一实施例的技术方案在金属栅极晶体管的金属栅极上方形成导电插塞时，晶圆上与金属栅极无法电连接的导电插塞的密度最小。0089 需说明的是，金属栅极晶体管中金属栅极的结构并不局限于所给实施例，只要保说 明 书CN 104425355 A7/7页9证金属栅极中含有铝层，且金属栅极上方的接触孔底部有露出铝层即可。0090 所述第二干法刻蚀步骤中所采用的刻蚀气体并不局限于所给实施例，只要使得覆盖在接触孔底部和侧壁上的聚合物会被去除干净即可。0091 在其他实施例中，也可以利用后栅极工艺以外的方法来形成金属栅极晶体管的金属栅极。在这种情况下，也可以先形成金属栅极晶体管的金属栅极，再形成第一层间介质层。0092 本发明中，各实施例采用递进式写法，重点描述与前述实施例的不同之处，各实施例中的相同部分可以参照前述实施例。0093 虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。说 明 书CN 104425355 A1/5页10图1图2图3说 明 书 附 图CN 104425355 A10。