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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201380032575.5(22)申请日 2013.06.1410-2012-0066080 2012.06.20 KRH01L 21/205(2006.01)H05H 1/30(2006.01)(71)申请人株式会社EUGENE科技地址韩国京畿道(72)发明人梁日光 宋炳奎 金劲勋 金龙基申良湜(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司 11127代理人吕俊刚 刘久亮(54) 发明名称基板处理装置(57) 摘要根据本发明的一个实施方式的基板处理装置包括：腔室，其具有开放的上侧，所述腔室在所述腔室的一侧内具有允许基板进出的通道；腔。
2、室盖，其覆盖所述腔室的所述开放的上侧以提供在其中执行针对所述基板的处理的内部空间，所述腔室盖具有穿过所述腔室盖的顶壁的气体供应孔；上天线，其设置在所述腔室盖的上中央部分上，以在所述内部空间的中央部分内生成电场，所述上天线通过利用供应到所述内部空间中的源气体来生成等离子体；侧天线，其设置为围绕所述腔室盖的侧部，以在所述内部空间的边缘部分内生成电场，所述侧天线通过利用供应到所述内部空间中的所述源气体来生成等离子体；以及气体供应管，其连接至所述气体供应孔，以将所述源气体供应到所述内部空间中，其中，所述气体供应孔设置在所述上天线外侧。(30)优先权数据(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.12。
3、.19(86)PCT国际申请的申 请数据PCT/KR2013/005263 2013.06.14(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/191415 KO 2013.12.27(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书2页 说明书7页 附图9页(10)申请公布号 CN 104412364 A(43)申请公布日 2015.03.11CN 104412364 A1/2页21.一种基板处理装置，该基板处理装置包括：腔室，其具有开放的上侧，所述腔室在所述腔室的一侧内具有允许基板进出的通道；腔室盖，其覆盖所述腔室的所述开放的上侧以提供在其中执行针对所述。
4、基板的处理的内部空间，所述腔室盖具有穿过所述腔室盖的顶壁的气体供应孔；上天线，其设置在所述腔室盖的上中央部分上，以在所述内部空间的中央部分内生成电场，所述上天线通过利用供应到所述内部空间中的源气体来生成等离子体；侧天线，其设置为围绕所述腔室盖的侧部，以在所述内部空间的边缘部分内生成电场，所述侧天线通过利用供应到所述内部空间中的所述源气体来生成等离子体；以及气体供应管，其连接至所述气体供应孔，以将所述源气体供应到所述内部空间中，其中，所述气体供应孔设置在所述上天线外侧。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括环形挡板，所述挡板紧密地附接至所述腔室盖的顶表面，以将所述源气体朝向。
5、所述基板扩散，其中，所述挡板包括：开口，其被限定在所述挡板的中央以与所述上天线相对应；通道，其从所述挡板的一个表面凹陷以与所述顶表面相对；以及多个喷气孔，其与所述通道连通以喷出所述源气体。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述通道包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应；以及连接通道，其将所述气体供应孔连接至所述内部通道，其中，所述多个喷气孔被限定在所述挡板的内周表面内。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述通道包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应；以及连接通道，其将所述气体供应孔连接至所述内部通道，其中，所述。
6、多个喷气孔在所述内部通道中彼此间隔开。5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其中，所述多个喷气孔随着所述多个喷气孔远离所述气体供应孔而逐渐增加分布密度。6.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其中，所述多个喷气孔随着所述多个喷气孔远离所述气体供应孔而逐渐增加直径。7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述通道包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应；外部通道，其被限定在所述内部通道外侧；以及多个连接通道，其将所述内部通道连接至所述外部通道，其中，所述气体供应孔被限定在所述外部通道内，并且所述多个喷气孔被分别限定在所述内部通道和所述外部通道内。8.根据权。
7、利要求7所述的基板处理装置，其中，所述连接通道随着所述连接通道远离所述气体供应孔而逐渐增加宽度。9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，限定在所述内部通道内的所述多个喷气孔的分布密度大于限定在所述外部通道内的所述多个喷气孔的分布密度。10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，限定在所述内部通道内的所述多个喷权 利 要 求 书CN 104412364 A2/2页3气孔的直径大于限定在所述外部通道内的所述多个喷气孔的直径。11.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述通道包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应；外部通道，其被限定在所述内部通道外侧；以及多。
8、个连接通道，其将所述内部通道连接至所述外部通道，其中，所述气体供应孔被限定在所述外部通道内，并且所述多个喷气孔被分别限定在所述挡板的内周表面和所述外部通道内。12.根据权利要求7至11中任一项所述的基板处理装置，其中，所述通道还包括多个辅助连接通道，所述多个辅助连接通道将所述外部通道的在相对于所述开口与所述气体供应孔相反的一侧限定的一侧连接至所述外部通道的与所述气体供应孔相邻的另一侧，所述多个辅助连接通道被限定为彼此平行，其中，所述连接通道与所述多个辅助连接通道平行。13.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述通道包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应，所。
9、述内部通道具有半圆形并且被限定在相对于所述开口与所述气体供应孔相反的一侧；外部通道，其被限定在所述内部通道外侧，所述外部通道具有半圆形并且被限定在相对于所述开口与所述内部通道相反的一侧；连接通道，其具有连接至所述气体供应孔的一端和连接至所述外部通道的中央部分的另一端；以及辅助连接通道，其将所述内部通道的两端连接至所述外部通道的两端，其中，所述多个喷气孔在所述内部通道和所述外部通道中彼此间隔开。权 利 要 求 书CN 104412364 A1/7页4基板处理装置技术领域0001 本发明涉及基板处理装置，更具体地，涉及通过利用上天线和侧天线提供均匀等离子体密度的基板处理装置。背景技术0002 半导。
10、体设备包含硅基板上的多个层。所述多个层通过沉积处理沉积于该基板上。该沉积处理有许多重大问题，所述问题对于评估沉积层以及选择沉积方式来说是重要的。0003 第一个重要问题就是沉积层的质量。这代表已沉积层的成份、污染程度、缺陷密度以及机械和电气属性。已沉积层的成份可根据沉积条件而改变，这对于获得指定成份来说非常重要。0004 第二个重大问题就是贯穿晶圆的均匀厚度。尤其是，沉积在具有非平面形状(其中形成阶梯部分)的图案上的层的厚度非常重要。该已沉积层是否具有均匀的厚度可通过阶梯覆盖来决定，该阶梯覆盖定义为通过将在该阶梯部分上所沉积的层的最小厚度除以在图案的顶表面上所沉积的层的厚度而获得的值。0005。
11、 有关沉积的其它问题为填充空间。这包含间隙填充，其中包含氧化物层的绝缘层填入金属线之间。该间隙提供所述金属线之间的物理与电气隔离。0006 在上述问题中，均匀性为与该沉积处理有关最重要的问题。不均匀层会导致在金属线上的高电阻，从而增加机械受损的可能性。发明内容0007 技术问题0008 本发明提供一种基板处理装置，其可改善在基板的整个表面上的处理均匀性。0009 本发明还提供一种可改善等离子体的密度的基板处理装置。0010 参考以下详细说明以及附图将可了解本发明的其它目的。0011 技术方案0012 本发明的实施方式提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括：腔室，其具有开放的上侧，所述腔室在所。
12、述腔室的一侧内具有允许基板进出的通道；腔室盖，其覆盖所述腔室的所述开放的上侧以提供在其中执行针对所述基板的处理的内部空间，所述腔室盖具有穿过所述腔室盖的顶壁的气体供应孔；上天线，其设置在所述腔室盖的上中央部分上，以在所述内部空间的中央部分内生成电场，所述上天线通过利用供应到所述内部空间中的源气体来生成等离子体；侧天线，其设置为围绕所述腔室盖的侧部，以在所述内部空间的边缘部分内生成电场，所述侧天线通过利用供应到所述内部空间中的所述源气体来生成等离子体；以及气体供应管，其连接至所述气体供应孔，以将所述源气体供应到所述内部空间中，其中，所述气体供应孔可以设置在所述上天线外侧。0013 在一些实施方式。
13、中，所述基板处理装置还可以包括环形挡板，所述挡板紧密地附接至所述腔室盖的顶表面，以将所述源气体朝向所述基板扩散，其中，所述挡板可以包括：说 明 书CN 104412364 A2/7页5开口，其被限定在所述挡板的中央以与所述上天线相对应；通道，其从所述挡板的一个表面凹陷以与所述顶表面相对；以及多个喷气孔，其与所述通道连通以喷出所述源气体。0014 在其它实施方式中，所述通道可以包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应；以及连接通道，其将所述气体供应孔连接至所述内部通道，其中，所述多个喷气孔可以被限定在所述挡板的内周表面内。0015 在其它实施方式中，所述通道可以包括。
14、：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应；以及连接通道，其将所述气体供应孔连接至所述内部通道，其中，所述多个喷气孔可以在所述内部通道中彼此间隔开。0016 在其它实施方式中，所述多个喷气孔可以随着所述多个喷气孔远离所述气体供应孔而逐渐增加分布密度。0017 在其它实施方式中，所述多个喷气孔可以随着所述多个喷气孔远离所述气体供应孔而逐渐增加直径。0018 在其它实施方式中，所述通道可以包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应；外部通道，其被限定在所述内部通道外侧；以及多个连接通道，其将所述内部通道连接至所述外部通道，其中，所述气体供应孔可以。
15、被限定在所述外部通道内，并且所述多个喷气孔可以被分别限定在所述内部通道和所述外部通道内。0019 在其它实施方式中，所述连接通道可以随着所述连接通道远离所述气体供应孔而逐渐增加宽度。0020 在其它实施方式中，限定在所述内部通道内的所述多个喷气孔的分布密度可以大于限定在所述外部通道内的所述多个喷气孔的分布密度。0021 在其它实施方式中，限定在所述内部通道内的所述多个喷气孔的直径可以大于限定在所述外部通道内的所述多个喷气孔的直径。0022 在其它实施方式中，所述通道可以包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应；外部通道，其被限定在所述内部通道外侧；以及多个连接通道。
16、，其将所述内部通道连接至所述外部通道，其中，所述气体供应孔可以被限定在所述外部通道内，并且所述多个喷气孔可以被分别限定在所述挡板的内周表面和所述外部通道内。0023 在其它实施方式中，所述通道还可以包括多个辅助连接通道，所述多个辅助连接通道将所述外部通道的在相对于所述开口与所述气体供应孔相反的一侧限定的一侧连接至所述外部通道的与所述气体供应孔相邻的另一侧，所述多个辅助连接通道被限定为彼此平行，其中，所述连接通道可以与所述多个辅助连接通道平行。0024 在其它实施方式中，所述通道可以包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应，所述内部通道具有半圆形并且被限定在相对于所。
17、述开口与所述气体供应孔相反的一侧；外部通道，其被限定在所述内部通道外侧，所述外部通道具有半圆形并且被限定在相对于所述开口与所述内部通道相反的一侧；连接通道，其具有连接至所述气体供应孔的一端和连接至所述外部通道的中央部分的另一端；以及辅助连接通道，其将所述内部通道的两端连接至所述外部通道的两端，其中，所述多个喷气孔可以在所述内部通道和所述外部通道中彼此间隔开。0025 有利效果说 明 书CN 104412364 A3/7页60026 根据本发明的实施方式，可改善在基板的整个表面上的处理均匀性。另外，在内部空间中生成等离子体，并且利用上天线和侧天线改善等离子体的密度。附图说明0027 图1为根据本。
18、发明的实施方式的基板处理装置的示意图；0028 图2为例示图1中的内部空间的视图；0029 图3为例示图1中的挡板以及源气体流的横截面图；0030 图4为例示供应进入图1中的内部空间的源气体以及在此空间内生成的等离子体的流的视图；0031 图5为例示图1中的挡板的第一修改示例以及该源气体流的横截面图；0032 图6为例示图1中的挡板的第二修改示例以及该源气体流的横截面图；0033 图7为例示图1中的挡板的第三修改示例以及该源气体流的横截面图；0034 图8为例示图1中的挡板的第四修改示例以及该源气体流的横截面图；0035 图9为例示图1中的挡板的第五修改示例以及该源气体流的横截面图；以及003。
19、6 图10为例示通过根据相关技术的基板处理装置沉积的薄膜的厚度分布的视图。具体实施方式0037 此后，将参照图1至图4来详细说明本发明的示例性实施方式。不过，本发明可以有不同形式的修改，并且不受限于此处公布的实施方式。而是提供这些实施方式，使得所公开的范围更完整，并且将本发明的范围完整传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，夸大了构件的形状。0038 虽然下面作为示例描述了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)型等离子体处理，但是本发明可适用于许多等离子体处理。另外，虽然作为示例描述了基板，但是本发明可适用于许多要处理的对象。0039 图1为根据。
20、本发明的实施方式的基板处理装置1的示意图，并且图2为例示图1中的内部空间的视图。请参阅图1，基板处理装置1包括主腔室10以及腔室盖14。主腔室10具有开放的上侧。另外，通过其可接触到基板W的通道7被限定在主腔室10的一侧内。闸门阀5设置在通道7外，通道7可由闸门阀5开启或关闭。0040 腔室盖14覆盖主腔室10的该开放的上侧，以限定与外界隔离的内部空间。该基板W通过通道7加载到该内部空间中。针对该基板W的处理都在该内部空间内执行。0041 承座盖20被设置为围绕承座30的上部与侧部。执行处理时，该基板W放置在承座盖20的上部上。承座盖20的剖面具有“ ”形。承座盖20的侧部的下端朝向承座30的。
21、下部延伸。承座30的形状对应于该基板W的形状(例如，圆形)。支撑轴42连接至承座30的下部。另外，支撑轴42穿过在主腔室10的下部内限定的通孔8。另外，固定环45连接至支撑轴42的下端。驱动部40连接至固定环45，以升降固定环45与支撑轴42。承座30与支撑轴42一起升降。0042 套管98具有连接至主腔室10的底表面的上端以及连接至固定环45的下端。支撑轴42通过套管98的内部连接至固定环45。套管98避免供应至该内部空间的源气体通过通孔8泄漏出去，并且避免打破该内部空间形成的真空状态。说 明 书CN 104412364 A4/7页70043 如图1和图2内所示，举升插销55支撑加载在承座3。
22、0的上部上的该基板W。举升插销55放置在贯穿承座30和承座盖20的导孔(未显示)之内。如此，随着承座30升降，举升插销55沿着所述导孔移动。0044 如图1内所示，在承座30下降的状态中，每一举升插销55的下端都由设置在主腔室10的底表面上的支撑板56所支撑，并且每一举升插销55的上端都从承座盖20的顶表面突出。在此，举升插销55支撑该记载的基板W。如图2内所示，在承座30上升的状态中，每一举升插销55的下端都与支撑板56间隔开，并且每一举升插销55的上端大体上与承座盖20的顶表面齐平。在此，该基板W放置在承座盖20的顶表面上，并且针对该基板W的该处理在承座30上升的状态下执行。0045 上天。
23、线80设置在腔室盖14的上中央部分上，并且侧天线85设置成围绕腔室盖14的侧部。上天线80可具有螺旋形状，并且设置高度大体上相同。另外，侧天线85可具有螺旋形状，并且沿着腔室盖14的高度方向设置。气体供应孔65穿过腔室盖14的顶壁。另外，气体供应孔65被限定在上天线80外，避免气体供应孔65干扰上天线80。气体供应管62连接至气体供应孔65。其中储存该源气体的储气槽60通过气体供应管62连接至气体供应孔65。该源气体通过气体供应孔65供应进入该内部空间。上天线与侧天线85在该内部空间内形成电场，从而利用该源气体生成等离子体。0046 图10为例示通过根据相关技术的基板处理装置沉积的薄膜的厚度分。
24、布的视图。近来，随着制造具有大约300mm(大约12英吋)至大约450mm(大约18英吋)的大比例基板W，主腔室10和腔室盖14的尺寸随之增加。如此，难以在该内部空间内形成均匀的电场。此外，等离子体的密度分布会不均匀。如此，在该内部空间的中央部分与边缘部分上可能形成不均匀的电场。如此，如图10内所示，利用等离子体沉积在基板W上的薄膜会不均匀。另外，沉积在该基板W上的该薄膜会在该基板W的该中央部分与该边缘部分上具有不同厚度。0047 通过上天线80生成的电场集中在该内部空间的中央部分B，并且通过侧天线85生成的电场集中在该内部空间的边缘部分A。如此，可在该内部空间内生成均匀的电场。上天线80和侧。
25、天线85的每一个都可根据在该中央部分B和该边缘部分A内形成的电场来改变形状。0048 上天线80和侧天线85都通过匹配器95连接至RF生成器。另外，上天线80和侧天线85利用RF电流形成电场。供应至上天线80和侧天线85的该RF电流可根据所期望电场的强度而变。另外，不同的RF电流可分别供应至上天线80和侧天线85。外壳17可设置于主腔室10上方。而且，匹配器95可设置在外壳17上方。0049 如图1内所示，辅助杆27以其下端固定至主腔室10的底表面并且与主腔室10的侧壁间隔开的状态立起。如图2内所示，当承座30上升时，承座盖20设置在比辅助杆27的上端的位置低的位置上。在执行处理的同时，承座3。
26、0的下部可通过承座盖20的侧部以及辅助杆27与该内部空间隔离。如此，可避免等离子体与稍后将说明的反应副产品通过承座30的下部移动进入通孔8。0050 辅助杆27在其中间高度具有阶梯部分。隔板51设置于在主腔室10的侧壁上设置的阶梯部分以及辅助杆27的阶梯部分上。隔板51设置在大体上水平方向上。另外，隔板51具有多个排气孔52。主腔室10具有排气口53，并且排气口53设置在与通道7相对的侧壁上。排气管线54连接至排气口53，并且排气泵58设置在排气管线54上。在内部空说 明 书CN 104412364 A5/7页8间内生成的等离子体与反应副产品都通过排气口53和排气管线54排到外界。在此，排气泵。
27、58强迫排出该等离子体与反应副产品。该等离子体与反应副产品会通过隔板51的排气孔52导入排气口53。0051 图3为例示图1的挡板以及源气体流的横截面图，并且图4为例示供应进入图1中的内部空间的源气体以及在此空间内生成的等离子体的流的视图。如上所述，该源气体通过气体供应孔65供应进入主腔室10的该内部空间。然后，上天线80和侧天线85分别在该内部空间的中央部分和边缘部分内生成电场，从而利用该源气体生成等离子体。如图4内所示，所生成的等离子体与该基板W的表面反应，从而在该基板W上沉积薄膜。在此，该等离子体和反应副产品通过隔板51移动进入排气口53，然后排到外界。0052 在此，通过从主腔室10的。
28、底表面凹陷而限定排气空间50。在此，以沿着主腔室10的下缘部分的圆形限定排气空间50。因为排气空间50由主腔室10的侧壁、隔板51以及辅助杆27限定，所以可将排气空间50的一部分与外界隔离。该等离子体与反应副产品通过隔板51移动进入排气空间50，然后沿着排气空间50移动进入排气口53。如此如图4内所示，该等离子体与反应副产品在该基板W表面上的流动方向可从该基板W的中央部分朝边缘部分径向成形。0053 挡板70紧密地附接至腔室盖14的顶表面，以将通过气体供应孔65排出的该源气体扩散到该基板W的表面上。挡板70具有多个喷气孔75。如此，该源气体通过喷气孔75扩散。如图3所示，挡板70为中央部分具有。
29、开口71的环形。开口71的直径大体上可以与内部空间的中央部分B的直径(或上天线80的直径)相同。0054 如图2和图3所示，挡板70具有从与腔室盖14的顶表面相对的一个表面凹陷形成的通道。该通道包括内部通道72以及连接通道74。内部通道72具有沿着开口71四周限定的圆形。另外，内部通道72设置在最靠近开口71的地方，使得源气体朝向基板W的中央部分喷出。连接通道74具有直线形状，该直线形状将气体供应孔65连接至内部通道72。0055 因为挡板70紧密地固附接至腔室盖14的顶表面，所以该通道与外界隔开。如此，通过气体供应孔65供应的源气体沿着该通道流动。多个喷气孔75在内部通道72上彼此间隔开。另。
30、外，喷气孔75可朝向基板W的中央部分(或中心)倾斜。该源气体通过喷气孔75喷出。喷出的源气体可朝向该基板W的中央部分移动。如上所述，因为该等离子体与反应副产品在该基板W表面上的流动方向径向地从该基板W的中央部分朝向边缘部分形成，所以喷出的源气体(或通过电场生成的等离子体)在该基板W的表面上从该中央部分流向该边缘部分。如此，该等离子体可以与该基板W的表面均匀地反应，从而在该基板W的表面上沉积均匀的薄膜。0056 与图3不同，喷气孔75可根据与气体供应孔65(或连接通道74连接至内部通道72的末端)的相隔距离而变形。也就是，随着该源气体靠近气体供应孔65，该源气体可以沿着内部通道72逐渐增加压力，。
31、并且随着该源气体远离气体供应孔65，该源气体沿着内部通道72逐渐降低压力。另外，随着喷气孔75远离气体供应孔65，喷气孔75会逐渐增加分布密度，并且随着喷气孔75远离气体供应孔65，喷气孔75会逐渐增加直径。因为随着喷气孔75远离气体供应孔65，该源气体逐渐降低压力，所以通过分布密度与直径的差异，可均匀调节供应进入该内部空间的源气体量。0057 本发明的实施方式说 明 书CN 104412364 A6/7页90058 尽管参考示例性实施方式描述了本发明，但是本发明可以以不同的形式内具体实施。如此，随附提出的权利要求的技术思想和范围不限于优选实施方式。0059 此后，将参照图5至图9来详细说明本。
32、发明的示例性实施方式。不过，本发明可以有不同形式的修改，并且不受限于此处公布的实施方式。而是，提供这些实施方式，使得所公开的范围更完整，并且将本发明的范围完整传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，夸大了构件的形状。0060 图5为例示图1中的挡板的第一修改示例以及该源气体流的横截面图。此后，将只描述与前述实施方式不同的特征。因此，上述内容可取代本文中省略的说明。如图5内所示，喷气孔75可限定在开口71与内部通道72之间的分割壁77内(或内周表面)。如此，源气体通过开口71喷出，以利用上天线80在开口71内生成等离子体。然后，该等离子体从开口71朝向基板W的中央部分和边缘部分的每一个移动。
33、。如此，该等离子体可以与该基板W的表面均匀反应，从而在该基板W的表面上沉积均匀的薄膜。如上所述，喷气孔75可随喷气孔75远离气体供应孔65而逐渐增加分布密度。另外，喷气孔75可随喷气孔75远离气体供应孔65而逐渐增加直径。0061 图6为例示图1中的挡板的第二修改示例以及该源气体流的横截面图。此后，将只描述与前述实施方式不同的特征，因此上述内容可取代本文中省略的说明。请参阅图6，通道另包括具有圆形并且限定在内部通道72外的外部通道78。气体供应孔65限定在外部通道78内。连接通道74具有直线形状，该直线形状将内部通道72连接至外部通道78。另外，连接通道74相对于开口71的中心被径向地限定。0。
34、062 喷气孔75在内部通道72和外部通道78内彼此间隔开。限定在内部通道72内的喷气孔75可朝向基板W的中央部分(或中心)倾斜。源气体通过内部通道72内限定的喷气孔75，朝向该基板W的中央部分移动。另外，该源气体可从该中央部分流向在该基板W的表面上的边缘部分。另外，该源气体可通过外部通道75内限定的喷气孔75，朝向该基板W的边缘部分移动。0063 内部通道72的宽度大于外部通道78的宽度。另外，通过在内部通道72内所限定的喷气孔75供应的源气体量可能大于通过在外部通道78内所限定的喷气孔75供应的源气体量。如此，可补偿朝向该基板W的中央部分供应的源气体量。0064 另外，该连接通道的宽度可从。
35、与气体供应孔65邻近的部分朝向与气体供应孔65远离的部分逐渐增加。喷气孔75可随喷气孔75远离气体供应孔65而逐渐增加分布密度。另外，喷气孔75可随喷气孔75远离气体供应孔65而逐渐增加直径。0065 图7为例示图1中的挡板的第三修改示例以及该源气体流的横截面图。此后，将只描述与前述实施方式不同的特征，因此上述内容可取代本文中省略的说明。与图6不同，限定在内部通道72内的喷气孔75可限定在开口71与内部通道72之间的分割壁77内(或内周表面)。0066 图8为例示图1中的挡板的第四修改示例以及该源气体流的横截面图。此后将只描述与前述实施方式不同的特征，因此上述内容可取代本文中省略的说明。与图6。
36、不同，通道还包括辅助连接通道79。辅助连接通道79将外部通道78的与气体供应孔65相邻的一侧连接至外部通道78的在相对于开口71与气体供应孔65相反的一侧限定的另一侧。辅助连接通道79彼此平行地设置。通过辅助连接通道79，可均匀调节该外部通道内的源气体说 明 书CN 104412364 A7/7页10的压力。连接通道74可与辅助连接通道79平行地设置。0067 图9为例示图1中的挡板的第五修改示例以及该源气体流的横截面图。此后将只描述与前述实施方式不同的特征，因此上述内容可取代本文中省略的说明。请参阅图9，内部通道72限定在相对于开口71与气体供应孔65相反的一侧。另外，内部通道72可具有半圆。
37、形。外部通道78可限定在内部通道72外以最靠近内部通道72。另外，该外部通道可具有半圆形，并且限定在相对于开口71与内部通道72相反的一侧。连接通道74具有直线形状，该直线形状将气体供应孔65连接至外部通道78。辅助连接通道79将内部通道72的两端连接至外部通道78的两端。多个喷气孔75在内部通道72和外部通道78中都彼此间隔开。喷气孔75可朝向基板W的中央部分(或中心)倾斜。源气体沿着外部通道78移动，然后，该源气体通过辅助连接通道79移动进入内部通道72。该源气体可通过喷气孔75朝向该基板W的中央部分移动。另外，该源气体可从该中央部分流向在该基板W的表面上的边缘部分。0068 喷气孔75可随喷气孔75远离气体供应孔65而逐渐增加分布密度。另外，喷气孔75可随喷气孔75远离气体供应孔65而逐渐增加直径。另外，内部通道72的宽度可以大于外部通道78的宽度。0069 根据本发明的实施方式，可改善针对基板的整个表面的处理均匀性。另外，可通过利用上天线和侧天线来改善在该内部空间内生成的等离子体的密度。0070 尽管参考示例性实施方式描述了本发明，但是本发明可以以不同的形式内具体实施。如此，随附提出的权利要求的技术思想和范围不限于优选实施方式。0071 工业应用性0072 本发明可应用于各种形式的半导体制造装置和半导体制造方法。说 明 书CN 104412364 A10。