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1、(10)申请公布号 CN 102479688 A(43)申请公布日 2012.05.30CN102479688A*CN102479688A*(21)申请号 201010566050.8(22)申请日 2010.11.29H01L 21/027(2006.01)H01L 21/02(2006.01)G03F 7/20(2006.01)(71)申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限公司地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号(72)发明人胡华勇 郝静安(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司 11227代理人骆苏华(54) 发明名称晶圆表面光阻去边的方法(57) 摘要一。
2、种半导体制造技术领域的晶圆表面光阻去边的方法，包括：获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边法或/和光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第一宽度的光阻；当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻；其中：第一固定宽度大于第二固定宽度。本发明通过调小WEE方法中的孔径值，使得Rainbow缺陷区域从200m降至50m，从而使得Rainbow缺陷对于半导体器件的性能没有影响，且方法简单、成本低。(51。
3、)Int.Cl.权利要求书2页 说明书7页 附图3页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 3 页1/2页21.一种晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，包括：获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边法或/和光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第一宽度的光阻；当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻；其中：第一固定宽度大于第二固定宽度，第。
4、一固定宽度大于第一宽度，第二固定宽度大于第二宽度，晶圆边缘的欲去边宽度大于或等于第一宽度，晶圆边缘的欲去边宽度大于第二宽度。2.根据权利要求1所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述第一固定长度的取值范围是5-10mm，所述第一固定宽度的取值范围是2-4mm。3.根据权利要求2所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述第二固定长度的取值范围是1-10mm，所述第二固定宽度的取值范围是0.4-2mm。4.根据权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用化学去边法去除晶圆边缘第三宽度的光阻；再采用光阑孔径长度为第二固定长。
5、度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第三宽度大于第二宽度，第三宽度和第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。5.根据权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用化学去边法去除晶圆边缘第四宽度的光阻；然后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第五宽度的光阻；最后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第四宽度大于第五宽度，第五宽度大于或等于第二宽度，第二固定宽度大于第五宽度，第四宽度、第。
6、五宽度和第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。6.根据权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：采用光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第三宽度的光阻；再采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第一固定宽度大于第三宽度，第三宽度大于第二宽度，第二宽度和第三宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。7.根据权利要求3所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用光阑孔径长度为第。
7、一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第四宽度的光阻；然后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第五宽度的光阻；最后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第一固定宽度大于第四宽度，第四宽度大于第五宽度，第五宽度大于或者等于第二宽度，第二固定宽度大于第五宽度，第四宽度、第五宽度和第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。权 利 要 求 书CN 102479688 A2/2页38.根据权利要求1或4或5所述的晶圆表面光阻去边的方法，其特征是，所述化学去边法采用丙二醇单甲醚或丙。
8、二醇单甲醚乙酸酯或环己酮作为化学去边剂。权 利 要 求 书CN 102479688 A1/7页4晶圆表面光阻去边的方法技术领域0001 本发明涉及的是一种半导体制造技术领域的方法，特别涉及的是一种晶圆表面光阻去边的方法。背景技术0002 随着集成电路的发展，晶体管的密集程度的增加和关键尺寸的缩小，光刻工艺过程中产生的缺陷对器件良率，质量具有重要直接相关的影响，其中晶圆边界的清洁和定义开始变得更加重要。在光刻工艺过程中，光阻旋涂在晶圆表面上，在靠近晶圆边界处的上下表面都有光阻的堆积；在后续的蚀刻或者离子注入工艺过程中，这些堆积在晶圆边界的光阻很可能与晶圆的机械操作手臂发生接触碰撞，从而导致颗粒污。
9、染的产生。所以，光刻工艺过程中通常会进行晶圆表面光阻去边以避免上述问题的产生。0003 现有技术中晶圆表面光阻去边的方法主要分为：化学去边法(EBR，edge bead removal)和晶圆边缘曝光法(WEE，wafer edge expoSure)。化学去边法是利用晶圆在涂光阻过程中，通常向晶圆边缘喷洒溶剂以消除晶圆边缘光阻。该方法的缺点是去边时间长、溶剂耗材成本高且光阻切边不规整，可能导致晶圆缺陷影响制程良率。边缘曝光法是在涂光阻后且在曝光前使用WEE装置平台，即：将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头和一个光阑，紫外曝光镜头经过光阑以产生一定大小尺寸的均匀照。
10、明光斑，然后利用旋转台的旋转来实现晶圆边缘曝光。相比化学去边法，晶圆边缘曝光法有生产效率高、装置成本低，过程易于控制且切边形状规整平滑等优点。0004 如图1所示，由于光源中透镜存在不均匀的问题，因此透镜边缘的光经过光阑会散射到非去边区域，造成实际的去边区域大于欲去边区域，最终是在残留的光阻边缘上产生一个倾斜面，使得残留的光阻的表面不平整。倾斜面在光照的情况下，会呈现彩色(Rainbow Color)，因此WEE方法产生的该缺陷被称为彩虹(Rainbow)缺陷。现有技术在去边过程中所用的光阑的长度多为10mm、宽度为4mm，因此在残留的光阻边缘上产生的倾斜面的宽度约为200um。当掩模上图案的。
11、线宽大于90nm时，所述Rainbow缺陷对半导体器件的性能可以忽略不计。0005 但是，随着技术的发展，半导体器件的尺寸越来越小，相应地，掩模上图案的尺寸也越来越小，当掩模上图案的线宽小于90nm时，Rainbow缺陷的影响就日益凸显出来，尤其是后续显影后的Rainbow缺陷区域存在图案时，由于此时已破坏图案所在的晶圆，所以Rainbow缺陷区域会使其上存在的图案遭到破坏，变得不完整或完全消失，从而严重影响后面的刻蚀和清洗工艺，最终影响制备出的半导体器件的性能。0006 为了解决上述问题，现有技术提出了在光源和晶圆之间添加光路调整装置，所述光路调整装置包括：铬缝和聚光透镜组，聚光透镜组由若干。
12、聚光透镜组成，该装置中铬缝充当光阑的功能，经铬缝后的光经过聚光透镜组聚光后，光源发射的光到达晶圆时散射的光就比较少，从而Rainbow缺陷区域的宽度比较小，改善了晶圆边缘图案的质量，但是光路调整装置的成本很高，不利于实际使用。说 明 书CN 102479688 A2/7页50007 因此，在半导体的制造过程中，需要一种能简单有效地减小Rainbow缺陷区域的宽度的晶圆表面光阻去边方法。发明内容0008 本发明所要解决的问题是：在晶圆表面光阻去边过程中，改善晶圆边缘图案的质量，减小Rainbow缺陷区域的宽度。0009 为解决上述问题，本发明提供了一种晶圆表面光阻去边的方法，包括：0010 获取。
13、晶圆制造的半导体器件的最小线宽；0011 当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边法或/和光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第一宽度的光阻；0012 当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻；其中：第一固定宽度大于第二固定宽度，第一固定宽度大于第一宽度，第二固定宽度大于第二宽度，晶圆边缘的欲去边宽度大于或等于第一宽度，晶圆边缘的欲去边宽度大于第二宽度。0013 可选地，所述第一固定长度的取值范围是5-10mm，所述第一固定宽度。
14、的取值范围是2-4mm。0014 可选地，所述第二固定长度的取值范围是1-10mm，所述第二固定宽度的取值范围是0.4-2mm。0015 可选地，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用化学去边法去除晶圆边缘第三宽度的光阻；再采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第三宽度大于第二宽度，第三宽度和第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。0016 可选地，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用化学去边法去除晶圆边缘第四宽度的光阻；然后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度。
15、的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第五宽度的光阻；最后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第四宽度大于第五宽度，第五宽度大于或等于第二宽度，第二固定宽度大于第五宽度，第四宽度、第五宽度和第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。0017 可选地，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：采用光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第三宽度的光阻；再采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第一固定宽度大于第三宽度，第三宽度大于。
16、第二宽度，第二宽度和第三宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。0018 可选地，所述当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，包括：先采用光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第四宽度的光阻；然后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第五宽度的光阻；最后采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为说 明 书CN 102479688 A3/7页6第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：第一固定宽度大于第四宽度，第四宽度大于第五宽度，第五宽度大于或者等于第二宽度，第二固定宽度大于第五宽度，第四宽度。
17、、第五宽度和第二宽度的和等于晶圆边缘的欲去边宽度。0019 可选地，所述化学去边法采用丙二醇单甲醚(PGME)或丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)或环己酮作为化学去边剂。0020 与现有技术相比，本发明具有以下优点：首先判断欲去边晶圆所在半导体器件的最小线宽，当最小线宽大于90nm时，采用现有技术进行晶圆表面光阻去边；当最小线宽小于或者等于90nm时，通过在最后步骤中调小WEE方法中的孔径值，使得Rainbow缺陷区域从200m降至50m，从而使得Rainbow缺陷对于线宽小于或等于90nm的半导体器件的性能基本没有影响，且方法简单、成本低。附图说明0021 图1为现有技术中产生Rainbow缺。
18、陷的示意图；0022 图2是实施例1中晶圆表面光阻去边方法的流程示意图；0023 图3为实施例1中WEE方法的示意图；0024 图4是实施例2中晶圆表面光阻去边方法的流程示意图；0025 图5是实施例3中晶圆表面光阻去边方法的流程示意图；0026 图6是实施例4中晶圆表面光阻去边方法的流程示意图。具体实施方式0027 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。0028 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。0029 正如背景技。
19、术部分所述，晶圆表面光阻去边处理是半导体器件制造过程中不可或缺的步骤，但是随着掩模上图案线宽的不断缩小，WEE方法去除晶圆边缘所引起的Rainbow缺陷成为影响半导体器件的重要原因，因此，有必要采取简单有效的措施改善晶圆表面光阻去边过程中引起的Rainbow缺陷，使得Rainbow区域的宽度明显下降。0030 因此，在制造半导体器件时，为了解决上述问题，本发明提供了晶圆表面光阻去边的方法，包括：0031 获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；0032 当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边法或/和光阑孔径长度为第一固定长度、宽度为第一固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第一宽度。
20、的光阻；0033 当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：采用光阑孔径长度为第二固定长度、宽度为第二固定宽度的晶圆边缘曝光方法去除晶圆边缘第二宽度的光阻；其中：第一固定宽度大于第二固定宽度，第一固定宽度大于第一宽度，第二固定宽度大于第二宽度，晶圆边缘的欲去边宽度大于或等于第一宽度，晶圆边缘的欲去边宽度大于第说 明 书CN 102479688 A4/7页7二宽度。0034 在上述过程中，所述第一固定长度的取值范围是5-10mm，所述第一固定宽度的取值范围是2-4mm；所述第二固定长度的取值范围是1-10mm，所述第二固定宽度的取值范围是0.4-2mm。0035 本发明首先判断。
21、欲去边晶圆所在半导体器件的最小线宽，当最小线宽大于90nm时，采用现有技术进行晶圆表面光阻去边；当最小线宽小于或者等于90nm时，先采用现有技术去除大部分宽度的边缘光阻，但在最后步骤中调小WEE方法中的孔径值，使得Rainbow缺陷区域从200m降至50m，从而使得Rainbow缺陷对于线宽小于或等于90nm的半导体器件的性能基本没有影响，且方法简单、成本低。0036 下面通过4个实施例进行详细说明，以下实施例的目的都是为了去除宽度为3mm的晶圆边缘。0037 实施例10038 如图2所示，本实施例具体包括以下步骤：0039 S100，获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽，得到本实施例中所述半导。
22、体器件的最小线宽为90nm。0040 S110，采用化学去边法去除晶圆边缘宽度为2.5mm的光阻。0041 本实施例在采用化学去边法去除晶圆边缘宽度为2.5mm的光阻时，具体包括：使用化学去边剂在给晶圆涂光阻的过程中，本实施例通过向边缘喷洒丙二醇单甲醚(PGME)以消除晶圆边缘2.5mm的光阻。0042 在本发明的其他实施例中，还可以采用丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)或环己酮等作为化学去边剂。0043 S120，利用光阑孔径长度为10mm、宽度为1mm的WEE方法去除晶圆边缘宽度为0.5mm的光阻。0044 如图3所示，利用光阑孔径长度为10mm、宽度为1mm的WEE方法去除晶圆边缘宽度为0。
23、.5mm的光阻，具体包括：在晶圆涂光阻后且曝光前，将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头，且在所述紫外曝光镜头下方设置一个光阑，所述光阑上存成一个长度为10mm、宽度为1mm的长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方，然后利用旋转台调整晶圆的边缘位置与透光区域中心的相对位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为0.5mm的边缘上。这样通过旋转晶圆使紫外光透过所述透光区域时，透过的紫外光就去除了宽度为0.5mm的晶圆边缘。0045 至此，就去除了宽度为3mm的晶圆边缘。0046 本实施例在得知晶圆制备的半导体器件的最小线宽等于90nm后，首先通。
24、过化学去边法去除晶圆的大部分边缘，然后通过小孔径的WEE方法去除晶圆剩余的边缘，这样可以去除由于化学洗边导致的光阻切边的不规整型。通过比较图1和图3又可知，本实施例方法使得Rainbow缺陷区域大大减小，从而不影响半导体器件的性能。0047 实施例20048 如图4所示，本实施例具体包括以下步骤：0049 S200，获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽，得到本实施例中所述半导体器件的最小线宽为90nm。说 明 书CN 102479688 A5/7页80050 S210，采用光阑孔径长度为10mm、宽度为4mm的WEE方法去除晶圆边缘宽度为2.7mm的光阻。0051 本实施例采用光阑孔径长度为10。
25、mm、宽度为4mm的WEE方法去除晶圆边缘宽度为2.7mm的光阻，具体包括：在晶圆涂光阻后且曝光前，将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头，且在所述紫外曝光镜头下方设置一个光阑，所述光阑上存在一个长为10mm、宽为4mm的长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方，然后利用旋转台调整晶圆的边缘位置与透光区域中心的相对位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为2.7mm的边缘上。这样通过旋转晶圆使紫外光透过所述透光区域时，透过的紫外光就去除了宽度为2.7mm的晶圆边缘。0052 S220，利用光阑孔径长度为5mm、宽度为0.6mm的WEE方法去除。
26、晶圆边缘宽度为0.3mm的光阻。0053 本实施例利用光阑孔径长度为5mm、宽度为0.6mm的WEE方法去除晶圆边缘宽度为0.3mm的光阻，具体包括：将晶圆传送至另一个具有更小光阑孔径的WEE装置平台，即：将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定着另一套紫外曝光镜头，且该套紫外曝光镜头下方存在一个光阑，该光阑上存在一个长为5mm、宽0.6mm的长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方，然后利用旋转台调整晶圆的边缘位置与透光区域中心的相对位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为0.3mm的边缘上。这样通过旋转晶圆使紫外光透过所述透光区域时，透过的紫外光就去除了。
27、宽度为0.3mm的晶圆边缘。0054 至此，就去除了宽度为3mm的晶圆边缘。0055 本实施例在得知晶圆制备的半导体器件的最小线宽等于90nm后，首先通过大孔径的WEE方法去除晶圆的大部分边缘，然后通过小孔径的WEE方法去除晶圆剩余的边缘，使得Rainbow缺陷区域从200m降至50m，从而使得Rainbow缺陷对于线宽等于90nm的半导体器件的性能基本没有影响。0056 实施例30057 如图5所示，本实施例具体包括以下步骤：0058 S300，获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽，得到本实施例中所述半导体器件的最小线宽为45nm。0059 S310，采用光阑孔径长度为10mm、宽度为4mm的。
28、WEE方法去除晶圆边缘宽度为2.4mm的光阻。0060 本实施例采用光阑孔径长度为10mm、宽度为4mm的WEE方法去除晶圆边缘宽度为2.4mm的光阻，具体包括：在晶圆涂光阻后且曝光前，将晶圆放在第一个WEE装置平台上，即：将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头，且在所述紫外曝光镜头下方设置第一光阑，所述第一光阑上存在一个长为10mm、宽为4mm的长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方，然后利用旋转台调整晶圆的边缘位置与透光区域中心的相对位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为2.4mm的边缘上。这样通过旋转晶圆使紫外光透过所述透光区域时。
29、，透过的紫外光就去除了宽度为2.4mm的晶圆边缘。0061 S320，利用光阑孔径长度为5mm、宽度为0.6mm的WEE方法去除晶圆边缘宽度为说 明 书CN 102479688 A6/7页90.4mm的光阻。0062 本实施例利用光阑孔径长度为5mm、宽度为0.6mm的WEE方法去除晶圆边缘宽度为0.4mm的光阻，具体包括：将晶圆传送至第二个具有更小光阑孔径的WEE装置平台，即：将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头，且在所述紫外曝光镜头下方设置第二光阑，所述第二光阑上存在一个长为5mm、宽0.6mm的长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方，。
30、然后利用旋转台调整晶圆的边缘位置与透光区域中心的相对位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为0.4mm的边缘上。这样通过旋转晶圆使紫外光透过所述透光区域时，透过的紫外光就去除了宽度为0.4mm的晶圆边缘。0063 S330，利用光阑孔径长度为5mm、宽度为0.6mm的WEE方法去除晶圆边缘宽度为0.2mm的光阻。0064 本实施例利用光阑孔径长度为5mm、宽度为0.6mm的WEE方法去除晶圆边缘宽度为0.2mm的光阻，具体包括：继续利用第二个具有更小光阑孔径的WEE装置平台，包括：利用旋转台调整晶圆的边缘位置与透光区域中心的相对位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为0.2mm的边缘上。
31、。这样通过旋转晶圆使紫外光透过所述透光区域时，透过的紫外光就去除了宽度为0.2mm的晶圆边缘。0065 至此，就去除了宽度为3mm的晶圆边缘。0066 在本发明的另一个实施例中，还可以将步骤S310替换为在给晶圆涂光阻的过程中采用化学去边法去除晶圆边缘宽度为2.4mm的光阻，步骤S300、S320和步骤S330不变。0067 与实施例1相同，本实施例的Rainbow缺陷区域会进一步减少。0068 实施例40069 如图6所示，本实施例具体包括以下步骤：0070 S400，获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽，得到本实施例中所述半导体器件的最小线宽为120nm。0071 S410，直接采用光阑孔径。
32、长度为10mm、宽度为4mm的WEE方法去除晶圆边缘宽度为3mm的光阻。具体为：在晶圆涂光阻后且曝光前，将晶圆通过真空吸附到旋转平台上，在晶圆边缘上方固定一套紫外曝光镜头，且在所述紫外曝光镜头下方设置一个光阑，所述光阑上存在一个长为10mm、宽为4mm的长方形透光区域，所述透光区域的中心位于所述紫外曝光镜头的正下方，然后利用旋转台调整晶圆的边缘位置与透光区域中心的相对位置，使透过透光区域的紫外光照射在晶圆宽度为3mm的边缘上。这样通过旋转晶圆使紫外光透过所述透光区域时，透过的紫外光就去除了宽度为3mm的晶圆边缘。0072 由于本实施例中晶圆所在半导体的最小线宽为120nm，因此可以直接采用现有。
33、技术中的晶圆表面光阻去边方法，且最后得到的Rainbow缺陷不会影响半导体器件的性能。需要说明的是，本实施例还可以采用其他现有技术中的晶圆表面光阻去边方法，比如：可以直接在给晶圆涂光阻的过程中采用化学去边法去除3mm的晶圆边缘；或者是先在给晶圆涂光阻的过程中采用化学去边法去除2mm的边缘光阻，再在晶圆涂光阻后且曝光前采用孔径光阑长度为10mm、宽度为4mm的大孔径WEE方法去除剩余的1mm的边缘光阻等等。0073 上述实施例都是首先判断欲去边晶圆所在半导体器件的最小线宽，当最小线宽大于90nm时，采用现有技术进行晶圆表面光阻去边；当最小线宽小于或者等于90nm时，先说 明 书CN 102479688 A7/7页10采用现有技术去除大部分宽度的边缘光阻，但在最后步骤中采用小孔径的WEE方法，使得Rainbow缺陷区域从200m降至50m，从而使得Rainbow缺陷对于线宽小于或等于90nm的半导体器件的性能基本没有影响，且方法简单、成本低。0074 虽然本发明己以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。说 明 书CN 102479688 A10。