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本发明公开了一种多孔NiO/CeO2杂化纳米片阵列的制备方法及其用途。具体方法是将盐酸清洗后的泡沫镍置于含有硝酸铈、氟化铵和尿素的混合溶液中,在不同的温度下进行水热反应,从而获得NiO/CeO2杂化纳米片阵列的前驱体。随后对前驱体在空气中进行煅烧处理,制备多孔NiO/CeO2杂化纳米线阵列。其中多孔NiO/CeO2杂化纳米片的厚度约为10-25nm,纳米片上孔的直径为5-40nm。该杂化纳米片阵列。