柔性显示装置和弯曲显示装置.pdf

柔性显示装置和弯曲显示装置。提供了半导体层和用于相对于柔性基板的弯曲方向减小半导体层的段长度的线的构造。这种构造使薄膜晶体管的半导体层中出现的裂缝最少，从而提高弯曲或柔性显示装置中采用的薄膜晶体管的稳定性和耐久性。

权利要求书
1.  一种显示装置，该显示装置包括：
柔性基板；
线，其在所述柔性基板上；
薄膜晶体管TFT，其在所述柔性基板上，
其中，所述TFT包括相对于所述线的延伸方向倾斜延伸的半导体层。

2.  根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体层具有矩形形状，所述 矩形形状的长边相对于所述线的延伸方向以30°至60°之间的角度延伸。

3.  根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述TFT包括与所述线连接的电极， 所述电极相对于所述线的延伸方向倾斜地延伸。

4.  根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述TFT的电极或所述线包括在第 一方向上延伸的第一部分和在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的第二部分。

5.  根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述线具有三角波迹线形状、方波 迹线形状、正弦波迹线形状或菱形迹线形状。

6.  根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述线的宽度周期性变化。

7.  根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述柔性基板能在与所述线的延伸 方向平行的方向上弯曲。

8.  根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述柔性基板在与所述线的延伸方 向平行的方向上弯曲并且固定于弯曲状态。

9.  根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述柔性基板的弯曲方向不同于所 述线的延伸方向。

10.  一种显示装置，该显示装置包括：
柔性基板；
线，其在所述柔性基板上；
薄膜晶体管TFT，其在所述柔性基板上，
其中，所述TFT的半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分相对于所 述线的延伸方向在第一倾斜方向上延伸并且所述第二部分相对于所述线的延伸方向 在第二倾斜方向上延伸。

11.  根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一倾斜方向和所述第二倾 斜方向相对于所述线的延伸方向形成锐角。

12.  根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述半导体层的所述第一部分和 所述第二部分被布置成相对于彼此成直角。

13.  根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述半导体层具有在所述第一部 分和所述第二部分之间的倒圆拐角。

14.  根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述TFT的与所述线连接的电极 相对于所述线的延伸方向倾斜地延伸。

15.  根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述TFT的电极或所述线包括在 第一方向上延伸的第一部分和在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的第二部分。

16.  根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述线具有三角波迹线形状、方 波迹线形状、正弦波迹线形状或菱形迹线形状。

17.  根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述线的宽度周期性变化。

18.  根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述柔性基板能在与所述线的延 伸方向平行的方向上弯曲。

19.  根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述柔性基板在与所述线的延伸 方向平行的方向上弯曲并且固定于弯曲状态。

20.  根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述柔性基板的弯曲方向不同于 所述线的延伸方向。

说明书柔性显示装置和弯曲显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年11月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No. 10-2013-0134326的优先权，该申请的内容出于所有目的以引用方式并入本文。
技术领域
本公开涉及柔性显示装置和弯曲显示装置。更特别地，本公开涉及通过使显示装 置弯曲时施加于显示装置中的元件上的力最小来提高可靠性的柔性显示装置和弯曲 显示装置。
背景技术
最近，柔性显示装置作为下一代显示装置正备受关注。这些柔性显示装置是由诸 如塑料的柔性材料构造的，使得它们能够在它们像纸一样被弯曲时显示图像。
这种柔性显示装置的应用正从计算机监视器和电视扩展到个人便携式装置。因 此，正在持续研究体积和重量减小的具有较大显示区的柔性显示装置。
发明内容
在以有源矩阵方案驱动的柔性显示装置中，使用薄膜晶体管驱动显示装置。当柔 性显示装置被弯曲时，薄膜晶体管中的元件接收弯曲方向上的张力或压力。由于弯曲 产生的力，导致在薄膜晶体管的元件中可出现裂缝。这种裂缝对薄膜晶体管进而柔性 显示装置的可靠性产生负面影响。本公开的发明人已经发现，当柔性显示装置在许多 方向上弯曲时，施加于薄膜晶体管的元件上的力可根据元件的形状和布局而减小。基 于此发现，本公开的发明人已经开发出即使当柔性显示装置被弯曲时也可减小施加于 薄膜晶体管中的元件上的力的柔性显示装置。
本公开的目的是提供一种柔性显示装置，该柔性显示装置减小当装置在许多方向 上弯曲时施加于薄膜晶体管中的元件上的力，从而使薄膜晶体管的元件中出现的裂缝 最少。
本发明的目的不限于上述目的，本领域的技术人员根据下面的描述将清楚以上没 有提到的其它目的。
根据本公开的一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括柔性基板、线和薄 膜晶体管(TFT)。线形成在柔性基板上。TFT包括相对于线的延伸方向倾斜延伸的 半导体层。
根据本公开的一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括柔性基板、线和薄 膜晶体管(TFT)。线形成在所述柔性基板上。TFT的半导体层包括第一部分和第二 部分。所述第一部分相对于所述线的延伸方向在第一倾斜方向上延伸。所述第二部分 相对于所述线的延伸方向在第二倾斜方向上延伸。
这种构造使薄膜晶体管的半导体层中出现的裂缝最少，从而提高弯曲或柔性显示 装置中采用的薄膜晶体管的稳定性和耐久性。
其它实施方式的细节方面被包括在详细的说明书和附图中。
附图说明
根据下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明的以上和其它方面、 特征和其它优点，其中：
图1是概念性示出根据本公开的示例性实施方式的能在一个或多个方向上弯曲 的柔性显示装置的视图；
图2A是根据本公开的实施方式的显示装置中的薄膜晶体管和线的示例性布局的 平面图；
图2B是用于示出弯曲方向和施加于半导体层上的机械应力之间的关系的曲线 图；
图2C是具有包括第一部分和第二部分的半导体层的示例性薄膜晶体管的平面 图；
图2D是在半导体层的第一部分和第二部分之间设置有倒圆拐角的示例性薄膜晶 体管的平面图；
图2E是根据本公开的实施方式的显示装置中的薄膜晶体管和线的示例性布局的 平面图；
图2F是根据本公开的实施方式的显示装置中的薄膜晶体管和线的示例性布局的 平面图；
图3示出处于弯曲状态的显示装置；
图4A是示出处于弯曲状态的柔性基板上的线的示例性布置、薄膜晶体管的半导 体层和电极的示意图；
图4B是示出处于弯曲状态的柔性基板上的线的示例性布置、薄膜晶体管的半导 体层和电极的示意图；
图4C是示出处于弯曲状态的柔性基板上的线的示例性布置、薄膜晶体管的半导 体层和电极的示意图；
图4D是示出处于弯曲状态的柔性基板上的线的示例性布置、薄膜晶体管的半导 体层和电极的示意图。
具体实施方式
根据下面参照附图对实施方式的描述，本发明的各种优点和特征及其实现方法将 变得清楚。然而，本发明不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。 示例性实施方式只是以举例方式提供的，使得本领域的普通技术人员可完全理解本发 明的内容和本发明的范围。因此，本发明将只由随附权利要求书的范围限定。
关于元件或层“在”其它元件或层“上”的指示既包括其中对应元件在其它元件 正上方的情况又包括其中对应元件介于其它层或元件之间的情况。
在整个说明书中，相同的参考标号指示相同的元件。
在附图中，为了方便描述，任意地示出各元件的尺寸和厚度，本发明不一定限于 附图中示出的尺寸和厚度。
尽管为了描述各种组件而使用“第一”、“第二”等，但组件不受这些术语限制。 以上术语只是用于将一个组件与另一个组件区分开。因此，在本发明的技术精神内， 以下提到的第一组件可以是第二组件。
本发明的各种实施方式的组件可被部分或全部彼此粘结或组合并且可用各种技 术方式联动地操作，如本领域的普通技术人员可完全理解的，并且这些实施方式可独 立于彼此或者彼此关联地执行。
下文中，将参照附图详细描述本发明的各种实施方式。
图1是概念性示出根据本公开的示例性实施方式的能在许多方向上弯曲的柔性 显示装置的视图。
柔性显示装置100是指具有柔性的显示装置。此柔性显示装置100还可被称为可 弯曲显示装置、可卷曲显示装置、不会破的显示装置、可折叠显示装置、可扭曲显示 装置、可拉伸显示装置、可起皱显示装置、弹性显示装置、有弹力显示装置等。柔性 显示装置还包括弯曲显示装置。弯曲显示装置是指以预定曲率弯曲并固定的柔性显示 装置。
柔性显示装置100可包括发射区EA。发射区EA用于发光。为此目的，发射区 EA包括其内的多个像素和用于驱动这多个像素的多个薄膜晶体管。薄膜晶体管中的 每个形成在薄膜晶体管区TETA中。发射区EA可包括多个薄膜晶体管区TETA。
参照图1，柔性显示装置100可在一个或多个方向上弯曲。当柔性显示装置100 的部分被弯曲时，发射区EA和薄膜晶体管区TFTA可根据柔性基板的曲率而弯曲。 在本公开中描述的实施方式中，TFT的一个或多个电极和/或半导体被布置成使因弯 曲柔性显示装置而造成的弯曲应力最小。
在本公开中，柔性基板被弯曲的方向可被称为“弯曲方向”。也就是说，“弯曲方 向”是指与柔性基板的弯曲部分的切平面上的切向量平行的方向。在给定的弯曲方向 上，与弯曲方向平行对准的柔性基板上的结构将经受最大的张力和压力。应该理解， 当如图1中所示柔性基板110具有多个弯曲区时可在柔性基板110上定义多个弯曲方 向。
图2A是根据本公开的示例性实施方式的柔性显示装置中的薄膜晶体管和线的示 例性布置的平面图。
柔性基板210A是用于支承柔性显示装置200A中的各种元件的元件。柔性基板 210A可由柔性绝缘材料制成。柔性绝缘材料的示例可包括聚酰亚胺(PI)树脂、聚 醚酰亚胺(PEI)树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂、聚苯乙烯(PS)树脂、苯乙烯-丙烯腈共聚物(SAN) 树脂、硅-丙烯酸树脂(silicon-acryl resin)。
在基板210A上，形成选通线235A和数据线245A。选通线235A和数据线245A 由导电材料制成。选通线235A可形成在一层上并且数据线245A可形成在另一层上， 使绝缘材料处于其间。选通线235A和数据线245A可彼此正交。选通线235A和数 据线245A的布局不限于图2A中示出的布局，而是可应用其它布局。选通线235A 和数据线245A可在柔性基板210A的边缘部分连接到电源单元或驱动单元。
一个或多个薄膜晶体管T设置在柔性基板210A上。薄膜晶体管T包括半导体层 220A、栅极230A、源极240A和漏极250A。为了方便起见，薄膜晶体管T将被描述 为具有其中源极240A、漏极250A和栅极230A形成在半导体层220A上方或下方的 共面结构。然而，应该注意，本公开中描述的半导体层布置和电极布置的应用不特别 限于该薄膜晶体管T的结构，因此薄膜晶体管T可具有各种其它结构。
半导体层220A包括其中形成沟道的沟道区和分别与源极240A和漏极250A接 触的源区和漏区。在一些实施方式中，半导体层220A可由非晶硅或多晶硅制成。
在一些实施方式中，半导体层220A可由氧化物半导体材料制成。氧化物半导体 材料的示例包括：诸如基于氧化铟锡镓锌(InSnGaZnO)的材料的四元金属氧化物； 诸如基于氧化铟镓锌(InGaZnO)的材料、基于氧化铟锡锌(InSnZnO)的材料、基 于氧化铟铝锌(InAlZnO)的材料、基于氧化锡镓锌(SnGaZnO)的材料、基于氧化 铝镓锌(AlGaZnO)的材料和基于氧化锡铝锌(SnAlZnO)的材料的三元金属氧化物； 诸如基于氧化铟锌(InZnO)的材料、基于氧化锡锌(SnZnO)的材料、基于氧化铝 锌(AlZnO)的材料、基于氧化锌镁(ZnMgO)的材料、基于氧化锡镁(SnMgO) 的材料、基于氧化铟镁(InMgO)的材料和基于氧化铟镓(InGaO)的材料的二元金 属氧化物；诸如基于氧化铟(InO)的材料、基于氧化锡(SnO)的材料和基于氧化 锌(ZnO)的材料的一元金属氧化物。以上列出的氧化物半导体材料中含有的元素之 间的组分比不限于具体值，而是可具有各种值。
用于驱动薄膜晶体管T的半导体层220A形成在柔性基板210A上。因此，当弯 曲柔性基板210A时，半导体层220A可承受弯曲应力并且因弯曲应力而受损。因此， 在本公开的实施方式中，具有矩形形状的半导体层220A形成或者说是布置在可减小 因弯曲应力而导致的半导体层220A的应变的方向上。也就是说，半导体层220A相 对于选通线235A(或数据线245A)的延伸方向倾斜地延伸。
在图2A中示出的示例中，柔性基板210A上的半导体层220A在相对于选通线 235A的延伸方向倾斜的方向上延伸。更特别地，半导体层220A具有包括两条长边 和两条短边的矩形形状。选通线235A的延伸方向用线A指示。另外，半导体层220A 的长边的延伸方向用图2A中的线B指示。
栅极230A可被形成为使得它重叠半导体层220A。栅极230A的至少部分重叠半 导体层220A。栅极230A可在与选通线235A的延伸方向垂直的方向上延伸，以连接 到选通线235A。
源极240A和漏极250A可被形成为使得它们重叠半导体层220A。源极240A和 漏极250A的至少部分可重叠半导体层220A。源极240A可在与数据线245A的延伸 方向垂直的方向上延伸，以连接到数据线245A。漏极250A可连接到显示装置中的 像素电极。
在图2A中，柔性基板的弯曲方向平行于线A，也就是说，选通线235A的延伸 方向。通过将半导体层220A布置成相对于选通线235A倾斜地延伸，平行于弯曲方 向对准的、半导体层220A的段长度可减小。
如本文使用的，术语“段长度”是指在柔性显示装置的弯曲方向上测得的元件的 连续部分的最大单位长度。因弯曲应力造成的半导体层220A上的应变与平行于弯曲 方向的、半导体层的段长度相关。因此，半导体层220A的段长度的减小转化为半导 体层220A的应力的减小，进而减少在弯曲柔性基板期间半导体层220A中产生裂缝 的机会。随着半导体层220A中产生裂缝的机会减少，可实现柔性显示装置或弯曲显 示装置中的薄膜晶体管T的性能、稳定性和寿命的改进。
参照图2A，为了缩短段长度，半导体层220A的延伸方向(标注为线B)与选通线 235A的延伸方向(标注为线A)成一定角度。半导体层220A的方向和选通线235A之 间的角度θ1可以是大于0°且小于90°的角度。优选地，角度θ1可以在30°和60°之 间。对于半导体层220A的给定宽度，通过将半导体层220A布置成以30°和60°之 间的角度θ1延伸，段长度可减小大约50％。
在图2A中示出的示例中，弯曲方向平行于线(例如，选通线或数据线)的延伸 方向。然而，应该注意，图2中示出的弯曲方向只是示例。柔性显示装置200A的弯 曲方向不限于线的延伸方向。相反，柔性显示装置200可在各种方向上弯曲。
图2B是用于示出施加于柔性显示装置中使用的半导体层上的力的曲线图。因弯 曲造成的半导体层上的弯曲应力与半导体层的段长度成正比。半导体层的段长度越 长，半导体层在弯曲方向上的应变越大。另外，半导体层上的应变越大，半导体层中 产生裂缝的机会越高。因此，可通过减小在弯曲方向上延伸的、半导体层的段长度的 最大值，减小因柔性显示装置的弯曲而在半导体层中产生裂缝的机会。
参照图2B，在曲线图中示出从原点延伸到点AA的向量AA、从原点延伸到点 BB的向量BB和从原点延伸到点CC的向量CC。向量AA和向量CC形成的角度是 60°。当半导体层220A的延伸方向平行于向量CC并且弯曲方向也平行于向量CC 时，向量CC的长度(也就是说，半导体层220A的段长度)是1。相比之下，当半 导体层220A的延伸方向平行于向量CC并且弯曲方向平行于向量AA时，向量AA 的长度(也就是说，半导体层220A的段长度)是1/2。如之前提到的，因柔性显示 装置200A的弯曲造成的半导体层220A上的应变与段长度成正比。因此，相比于平 行于弯曲方向延伸的半导体层220A，当半导体层220A布置成相对于弯曲方向以大 约60°延伸时，可预料到半导体层220A中的应变减小大约50％。
在一些实施方式中，薄膜晶体管T的电极可包括布置在至少两个不同方向上的多 个部分。在图2A中，源极240A连接到半导体层220A的一端并且连接到数据线245A。 源极240A的朝向数据线245A的部分平行于弯曲方向延伸，而源极240A的朝向半 导体层220A的部分相对于弯曲方向以倾斜方向延伸。漏极250A连接到半导体层 220A的另一端并且连接到像素电极(未示出)。类似于源极240A，漏极250A可包 括布置在至少两个不同方向上的多个部分。
另外，栅极230A的部分可背离栅极230A的其它部分弯曲。特别地，栅极230A 的朝向选通线235A的部分相对于选通线235A垂直地布置，而栅极230A的布置成 与半导体层220A重叠的部分与选通线235A正交。栅极230A的与半导体层220A重 叠的部分可背离栅极230A的其它部分弯曲，使得它在源极240A和漏极250A之间 成方形地(squarely)对准。
现在，参照图2C，薄膜晶体管可包括弯曲的半导体层。也就是说，半导体层220C 的一部分可相对于半导体层220C的其它部分弯曲。在图2C中示出的示例中，半导 体层220C包括第一部分220A和第二部分220B。第一部分220A被布置成相对于选 通线235C的延伸方向以第一倾斜方向延伸。半导体层220C的第二部分220B被布置 成相对于选通线235C的延伸方向以第二倾斜方向延伸。当第一部分220A和第二部 分220B都相对于选通线235C倾斜布置时，第一部分220A和第二部分220B被布置 成在互不相同的方向上延伸。
在图2C中，线A标注选通线235C的延伸方向，线B标注半导体层220C的第 一部分220A的延伸方向，线C标注半导体层220C的第二部分220B在柔性基板上 的延伸方向。线A和线B形成的角度θ1大于0°且小于90°。线A和线C形成的角 度θ2也大于0°且小于90°。可能理想的是，角度θ1和角度θ2在30°和60°之间。 当角度θ1和角度θ2在30°和60°之间时，第一部分220A和第二部分220B的段长 度可比半导体层220A和选通线235C的延伸方向彼此平行时平均缩短50％。
在本公开的一些实施方式中，半导体层220C的第一部分220A和第二部分220B 可被布置成相对于彼此形成直角。这种构造尤其可用于能在各种方向上弯曲的柔性显 示装置中使用的薄膜晶体管T。
栅极可包括形状与半导体层220C的形状对应的部分。如图2C中所示，栅极230C 的部分可在与选通线235C垂直的方向上延伸。栅极230C的其它部分的形状对应于 半导体层220C的形状，使得它被布置成与半导体层220C重叠，以形成沟道。栅极 230C的形状不受如图所示的特别限制，可根据设计选择而具有各种其它形状。
图2D是采用另一个示例性弯曲的半导体层的薄膜晶体管的平面图。类似于图2C 中示出的示例，图2D中示出的半导体层包括：第一部分，其在与线的延伸方向不同 的方向上延伸；第二部分，其在与第一部分的延伸方向不同的方向上延伸。然而，在 这个示例中，半导体层230C在第一部分220A和第二部分220B之间的部分被倒圆。 设置在半导体层的第一部分和第二部分之间的外部倒圆拐角270A和内部倒圆拐角 270B可有助于分布有可能集中在半导体层的弯曲部分中的弯曲应力。
在图2E中，示出柔性显示装置中的薄膜晶体管的另一个示例性构造。在这个示 例中，半导体层220E被布置成相对于选通线235E以倾斜方向延伸。另外，源极240E、 漏极250E和栅极230E分别相对于选通线235E和数据线245E的方向倾斜地延伸。 与选通线235E连接的栅极230E平行于矩形形状的半导体层220E的短边延伸。然而， 源极240E在与半导体层220E的长边平行的方向上延伸，以连接到数据线245E。在 这种构造中，这些电极的平行于弯曲方向对准的段长度可减小，从而有助于电极更好 地耐受弯曲应力。
图2F示出薄膜晶体管和柔性显示装置的线的又一个示例性布置。在图2F中示出 的示例中，选通线235F和数据线245F的迹线是三角波形状。当选通线235F和数据 线245F具有三角波迹线形状时，在许多弯曲方向上测得的选通线235F和数据线245F 的段长度可减小。因此，选通线235F和数据线245F可更好地耐受因柔性基板在各种 弯曲方向上弯曲而造成的弯曲应力，从而减少柔性显示装置中的这种线的断开。
用于选通线235F和数据线245F的迹线设计不特别限于图2F中示出的迹线形状， 可以是可减小在一个或多个弯曲方向上测得的各条线的段长度的各种其它迹线形状。 例如，选通线235F和/或数据线245F可具有方波迹线形状、正弦波迹线形状或菱形 迹线形状。
另外，选通线235F和/或数据线245F的宽度可在柔性显示装置的某些部分增大 或减小。例如，可在选通线235F和/或数据线245F的有可能耐受更高弯曲应力的一 个或多个部分设置的增大宽度延缓了因线的这些部分处的裂缝造成的完全断开。具有 增大或减小宽度的这些部分可按预定间隔设置在各条线中。
图3示出处于弯曲状态的柔性显示装置。在这个示例中，柔性显示装置300的部 分向下弯曲。弯曲方向320是与柔性显示装置300A的侧边缘之一平行的方向。弯曲 柔性显示装置300A形成弯曲区BA。发射区EA可被包括在弯曲区BA内。如此，多 个薄膜晶体管区TFTA可被包括在弯曲区BA中。如之前提到的，弯曲成具有特定曲 率的柔性显示装置300A可被固定，以保持其曲率并且形成弯曲显示装置。
图4A至图4D示出柔性显示装置400A、400B、400C和400D，它们均具有设置 在弯曲区BA中的线(例如，选通线、数据线)和薄膜晶体管。在图4A至图4D中， 柔性显示装置400A、400B、400C和400D的基板410A、410B、410C和410D分别 在与下边401A、401B、401C和401D分别平行的方向上弯曲。然而，弯曲方向可平 行于弯曲显示装置400A、400B、400C和400D的另一边或与其一边形成一定角度的 方向。另外，尽管基板410A、410B、410C和410D在图4A至图4D中分别被示出 具有矩形形状，但柔性显示装置的柔性基板可以是各种其它的多边形形状或圆形形 状。
参照图4A，在根据本公开的示例性实施方式的柔性显示装置400A中，半导体 层420A相对于基板410A的弯曲方向倾斜地延伸。半导体层420A相对于基板410A 的弯曲方向倾斜地延伸，以减小因弯曲造成的半导体层420A上的应变。不同于将半 导体层420A布置成平行于弯曲方向，半导体层420A相对于柔性显示装置400A的 弯曲方向倾斜地延伸。以此方式，可实现与弯曲方向平行对准的、半导体层420A的 段长度的减小。因此，柔性基板410A上的半导体层420A上的应变减小，使损伤最 小。
在一些实施方式中，栅极430B和源极440B可相对于如图4B中所示的弯曲方向 倾斜地延伸。栅极430B和源极440B分别与半导体层420B的短边和长边平行地延伸， 以分别连接到选通线435B和数据线445B。
因为栅极430B和源极440B相对于弯曲方向倾斜地延伸，所以栅极430B和源极 440B的段长度缩短。因此，因弯曲造成的栅极430B和源极440B上的应变可减小。
图4C示出薄膜晶体管的电极和半导体层以及与之连接的线的另一个示例性构 造。在这个示例中，与薄膜晶体管T的电极连接的线相对于柔性基板410C的弯曲方 向倾斜地延伸。特别地，数据线445C和选通线435C相对于柔性基板410C的弯曲方 向倾斜地布置。因此，在弯曲方向上测得的这些线的段长度可最小，以提供其对抗弯 曲应力的耐久性。
尽管选通线435C或数据线445C被图示为具有图4C中的线性迹线形状，但这些 线的迹线图案可以是三角波迹线形状、方波迹线形状、正弦波迹线形状、菱形迹线形 状或能够减小因弯曲造成的应变的任何其它迹线设计。换句话讲，选通线435C和数 据线445C可具有任何迹线形状，只要迹线形状有助于平行于弯曲方向对准的线的段 长度的减小。
在一些实施方式中，柔性基板上的半导体层可以是可有助于减小因弯曲应力造成 的半导体层上的应变的形状。参照图4D，半导体层420D可具有其中半导体层420D 的部分与半导体层420D的其它部分成角度的形状。换句话讲，半导体层420D可包 括相对于弯曲方向倾斜延伸的第一部分420A，并且还包括在与第一部分420A的方 向不同的方向上延伸的第二部分420B。第一部分420A的方向和第二部分420B的方 向不同于柔性基板410D的弯曲方向。当第一部分420A和第二部分420B在与弯曲方 向不同的方向上延伸时，在根据本公开的示例性实施方式的弯曲显示装置400D中， 半导体层420D的段长度最小。
据本公开的示例性实施方式，柔性显示装置可以是其中所有元件能在各种方向上 弯曲的柔性显示装置。
在能在各种方向上弯曲的柔性显示装置中，半导体层被形成为在与线的延伸方向 不同的方向上延伸。除了被形成为在与线的延伸方向不同的方向上延伸的半导体层之 外，在柔性显示装置中，源极、漏极、栅极、选通线和数据线可被形成为使得对于许 多弯曲方向而言段长度缩短。当对于许多弯曲方向而言薄膜晶体管T中的元件的段长 度缩短时，柔性显示装置可在许多方向上弯曲。因此，当柔性显示装置在许多方向上 弯曲时，因弯曲造成的柔性显示装置中的所有元件上的应变可减小。结果，在薄膜晶 体管T中的元件中不太可能因许多方向上的弯曲出现裂缝。
另外，在所有元件能在许多方向上弯曲的柔性显示装置中，源极、漏极、栅极、 选通线和数据线可在至少一个方向上延伸，接着在与所述至少一个方向不同的方向上 延伸。在这种情形下，当柔性显示装置在许多方向上弯曲时，元件在弯曲方向上的段 长度的平均值可缩短。
此外，在其中所有元件能在许多方向上弯曲的柔性显示装置中，提供用于减小弯 曲方向上的力的各种结构。在各种示例性实施方式中，半导体层可包括在与线的延伸 方向不同的第一方向上延伸的第一部分和在与第一方向和线的延伸方向不同的第二 方向上延伸的第二部分。
另外，在所有元件能在许多方向上弯曲的柔性显示装置中，线可具有各种形状。 例如，线可具有三角波形状、方波形状或菱形形状中的一个。
另外，在所有元件能在许多方向上弯曲的柔性显示装置中，源极或漏极可在与线 的延伸方向不同的方向上延伸。
下文中，将描述根据本发明的柔性显示装置的各种特性。
根据本发明的另一种特性，半导体层具有其长边相对于线的延伸方向以30°和 60°之间的角度延伸的矩形形状。
根据本发明的其它特性，TFT包括与线连接的电极，电极相对于线的延伸方向倾 斜地延伸。
根据本发明的其它特性，TFT的电极或线包括在第一方向上延伸的第一部分和在 与第一方向不同的第二方向上延伸的第二部分。
根据本发明的其它特性，线具有三角波迹线形状、方波迹线形状、正弦波迹线形 状或菱形迹线形状。
根据本发明的其它特性，线的宽度周期性变化。
根据本发明的其它特性，柔性基板能在与线的延伸方向平行的方向上弯曲。
根据本发明的其它特性，柔性基板在与线的延伸方向平行的方向上延伸并且固定 于弯曲状态。
根据本发明的其它特性，柔性基板的弯曲方向不同于线的延伸方向。
根据本发明的其它特性，第一倾斜方向和第二倾斜方向相对于线的延伸方向形成 锐角。
根据本发明的其它特性，半导体层的第一部分和第二部分被布置成相对于彼此成 直角。
根据本发明的其它特性，半导体层具有在第一部分和第二部分之间的倒圆拐角。
根据本发明的其它特性，与线连接的TFT的电极相对于线的延伸方向倾斜地延 伸。
根据本发明的其它特性，TFT的电极或线包括在第一方向上延伸的第一部分和在 不同于第一方向的第二方向上延伸的第二部分。
根据本发明的其它特性，线具有三角波迹线形状、方波迹线形状、正弦波迹线形 状或菱形迹线形状。
根据本发明的其它特性，线的宽度周期性变化。
根据本发明的其它特性，柔性基板能在与线的延伸方向平行的方向上弯曲。
根据本发明的其它特性，柔性基板在与线的延伸方向平行的方向上弯曲并且固定 于弯曲状态。
根据本发明的其它特性，柔性基板的弯曲方向不同于线的延伸方向。
已经参照示例性实施方式详细描述了本发明，但本发明不限于示例性实施方式。 本领域的技术人员应该清楚，可在不脱离本发明的技术精神的范围内，进行各种修改。 因此，本发明中公开的示例性实施方式不用于限制，而是用于描述本发明的技术精神， 本发明的技术精神不限于示例性实施方式。因此，上述的示例性实施方式被视为在所 有方面是示例性而非限制性的。本发明的保护范围必须用随附权利要求书进行解释并 且应该理解其等同范围内的所有技术精神被包括在本发明的随附权利要求书中。