阵列基板、显示面板及显示装置.pdf

本发明公开了一种阵列基板，包括衬底，所述衬底上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括层叠设置的第一电极和第二电极，所述第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝。本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置，通过在黑矩阵下方的电极进行镂空去除，使得黑矩阵下方电场强度减弱，从而使液晶转动幅度降低，减小斜视穿透率，能够有效地降低由于显示面板的上下基板对位发生偏差而形成的混色色偏。

权利要求书
1.  一种阵列基板，包括衬底，所述衬底上设置有多条栅极线和多条数据 线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素 单元包括层叠设置的第一电极和第二电极，所述第二电极具有至少一个支电 极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数据线延伸方向上设置有至少 一条第一刻缝。

2.  根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极与第二 电极之间设置有绝缘层，所述第一电极设置在所述绝缘层与所述衬底之间。

3.  根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为公共 电极，所述第二电极为像素电极。

4.  根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极连接为 一个整体。

5.  根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极包括主 体部和第一连接部，所述第一连接部电连接相邻所述主体部，所述第一刻缝 设置在相邻所述主体部之间。

6.  根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极的相邻 主体部之间设置有两个所述第一连接部，两个所述第一连接部分别位于所述 主体部的两端。

7.  根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素 电极，所述第二电极为公共电极。

8.  根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线和所述第 一刻缝在所述数据线上的垂直投影区域至少部分交叠。

9.  根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一刻缝包括沿 所述数据线延伸方向上的第一侧，所述第二电极支电极靠近所述第一侧的边 为第一边，所述第一边与所述第一侧之间的距离大于等于3μm。

10.  一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对向基板，所述阵列基 板上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交 叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括第一电极和第二电极，所述第二 电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数据线 延伸方向上设置有至少一条第一刻缝；所述对向基板上设置有黑矩阵，所述 黑矩阵围绕成的开口区域与所述像素单元一一对应，所述黑矩阵与所述第一 刻缝在所述黑矩阵上的垂直投影区域至少部分交叠。

11.  根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述黑矩阵的宽度 为L1，所述第一刻缝的宽度为L2，其中，L1≥L2。

12.  根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述黑矩阵的宽度 L1≤10μm。

13.  根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述黑矩阵的宽度 L1与所述第一刻缝的宽度L2满足L2≤L1-2μm。

14.  根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，沿数据线延伸方向 上所述黑矩阵的中心线与所述第一刻缝的中心线相重合。

15.  一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8-11所 述的显示面板。

说明书阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及平板显示技术，特别涉及一种阵列基板，及包括该阵列基板 的显示面板，以及包括该显示面板的显示装置。
背景技术
显示面板目前被广泛的应用于手机、掌上电脑(Personal Digital Assistant, PDA)等便携式电子产品中，例如：薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film  Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)、有机发光二级管显示器(Organic  Light Emitting Diode,OLED)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS) 显示器以及等离子体显示器(Plasma Display Panel,PDP)等。在市场竞争的推 动下，更轻便、显示效果更优越、价格更低的显示装置受到了越来越多的追 捧。
在显示装置中，像素电极与公共电极之间能够形成电场，该电场驱动液 晶分子转动来进行画面的显示；在显示面板的分辨率相对较低时，像素电极 与黑矩阵之间的距离相对较远，则黑矩阵下方的电场强度较弱，液晶分子转 动幅度较小，斜视透过率低，不易发生挤压色偏；但是随着高分辨率产品的 需求，同时为了保证较高的穿透率，像素电极与黑矩阵之间的距离越来越小， 黑矩阵下方的电场强度会变强，从而液晶分子转动幅度增大，会使得斜视透 过率高，出现混色色偏的概率增加。现有高分辨率产品中，像素大小越来越 小，像素电极与黑矩阵之间的距离越来越小，另外产品尺寸越来越大，厚度 越来越薄，均容易因为挤压等外力的作用使得局部对位有偏移，由此发生混 色色偏。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底，所述衬底上设 置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定 出多个像素单元，所述像素单元包括层叠设置的第一电极和第二电极，所述 第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数 据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对向基 板，所述阵列基板上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数 据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括第一电极和第二 电极，所述第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之 间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝；所述对向基板上设置 有黑矩阵，所述黑矩阵围绕成的开口区域与所述像素单元一一对应，所述黑 矩阵与所述第一刻缝在所述黑矩阵上的垂直投影区域至少部分交叠。
本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的显示 面板。
本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置，通过在黑矩阵下 方的电极进行镂空去除，使得黑矩阵下方电场强度减弱，从而使液晶转动幅 度降低，减小斜视穿透率，能够有效地降低由于显示面板的上下基板对位发 生偏差而形成的混色色偏。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中 所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的 前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2是图1中沿A-A’的剖视图；
图3是本发明实施例提供的公共电极的一种局部示意图；
图4是本发明实施例提供的公共电极的另一种局部示意图；
图5是本发明实施例提供的公共电极的第三种局部示意图；
图6是本发明实施例提供的显示面板的剖视图；
图7是本发明实施例提供的黑矩阵的结构示意图；
图8a为本发明实施例提供的对位偏差为0的液晶分子Theta角的仿真测 试结果示意图；
图8b为本发明实施例提供的对位偏差为+1.5的液晶分子Theta角的仿真 测试结果示意图；
图8c为本发明实施例提供的对位偏差为-1.5的液晶分子Theta角的仿真 测试结果示意图；
图9a为本发明实施例提供的对位偏差为0的液晶分子Phi角的仿真测试 结果示意图；
图9b为本发明实施例提供的对位偏差为+1.5的液晶分子Phi角的仿真测 试结果示意图；
图9c为本发明实施例提供的对位偏差为-1.5的液晶分子Phi角的仿真测 试结果示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而 不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作 出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板，具体地，可以参考图1，所述阵列基板 包括衬底1，所述衬底1上设置有多条栅极线2和多条数据线3，所述栅极线 2和所述数据线3彼此绝缘交叉限定出多个像素单元4，所述像素单元4包括 层叠设置的第一电极5和第二电极6，所述第二电极6具有至少一个支电极7， 所述第一电极5在所述像素单元4之间沿所述数据线3延伸方向8上设置有 至少一条第一刻缝9。
图2是图1中沿A-A’的剖视图，从图2可以看出，所述第一电极5与第 二电极的支电极7之间设置有绝缘层10，所述第一电极设置在所述绝缘层与 所述衬底之间。其中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。 公共电极5与数据线3之间设置有绝缘层11，所述数据线3和所述第一刻缝 9在所述数据线上的垂直投影区域至少部分交叠。
在本发明实施例中，公共电极连接为一个整体，即公共电极可以镂空设 置。所述公共电极包括主体部和第一连接部，所述第一连接部电连接相邻所 述主体部，所述第一刻缝设置在相邻所述主体部之间。具体地，如图3所示， 图中阴影部分为公共电极5，其中，公共电极5连接为一个整体，公共电极5 上设置有第一刻缝9，所述公共电极5包括两个主体部12和一个第一连接部 13，所述第一连接部13设置在相邻主体部12之间，并且将相邻主体部12电 连接，所述第一刻缝9设置在所述主体部12之间。以上仅为本发明实施例的 一种实施方式，本发明实施例的实施方式还可以为，所述公共电极的相邻主 体部之间设置有两个所述第一连接部，两个所述第一连接部分别位于所述主 体部的两端。如图4所示，图中阴影部分为公共电极5，其中，公共电极5连 接为一个整体，公共电极5上设置有第一刻缝9，所述公共电极5包括两个主 体部12和两个第一连接部13，两个所述第一连接部13分别位于所述主体部 的两端。所述第一连接部13与所述主体部12电连接，所述第一刻缝9设置 在所述主体部12之间。
以上仅为本发明实施例的一种实施方式，在本发明的实施例中，公共电 极连接为一个整体，所述公共电极可以包含以上两种实施方式中公共电极的 结构。即所述公共电极包括两个主体部和三个第一连接部，所述第一连接部 电连接相邻所述主体部，所述第一刻缝设置在相邻所述主体部之间；其中， 两个所述第一连接部分别位于所述主体部的两端。具体地，如图5所示，图 中阴影部分为公共电极5，其中，公共电极5连接为一个整体，公共电极5上 设置有第一刻缝9，所述公共电极5包括两个主体部12和三个第一连接部13， 所述第一连接部13设置在相邻主体部12之间，并且将相邻主体部12电连接， 所述第一刻缝9设置在所述主体部12之间，其中有两个第一连接部13分别 位于所述主体部的两端。
以上仅为本发明实施例的一种实施方式，公共电极可以包括多个主体部， 只要在相邻主体部之间设置第一连接部，将公共电极连接为整体即可。本发 明实施例的实施方式还可以为，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为 公共电极。
在本发明实施例中，所述第一刻缝包括沿所述数据线延伸方向上的第一 侧，所述第二电极支电极靠近所述第一侧的边为第一边，所述第一边与所述 第一侧之间的距离大于等于3μm。具体地，如图2所示，所述第一刻缝9包 括沿所述数据线延伸方向上的第一侧16，所述第二电极支电极靠近所述第一 侧的边为第一边17，所述第一边17与所述第一侧16之间的距离18大于等于 3μm。也就是说，公共电极主体部的边缘16与第二电极靠近公共电极主体部 边缘的支电极的边缘17之间的距离大于等于3μm。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对向基 板，所述阵列基板上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数 据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括第一电极和第二 电极，所述第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之 间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝；所述对向基板上设置 有黑矩阵，所述黑矩阵围绕成的开口区域与所述像素单元一一对应，所述黑 矩阵与所述第一刻缝在所述黑矩阵上的垂直投影区域至少部分交叠。所述阵 列基板包括之前实施例中描述的阵列基板。
具体地，如图6所示，所述显示面板60包括相对设置的阵列基板1和对 向基板61，所述阵列基板1上设置有多条栅极线(图中未示出)和多条数据 线3，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素 单元包括第一电极5和第二电极6，所述第二电极6具有至少一个支电极7， 所述第一电极5在所述像素单元之间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一 条第一刻缝9；所述对向基板上设置有黑矩阵62，黑矩阵62的上方设置有色 阻层63，如图7所示，所述黑矩阵62围绕成的区域为开口区域64，其中所 述开口区域64与所述像素单元一一对应，所述黑矩阵62与所述第一刻缝9 在所述黑矩阵62上的垂直投影区域至少部分交叠。其中，色阻层63覆盖在 所述开口区域64上，色阻层为红色色阻层、绿色色阻层、蓝色色阻层、黄色 色阻层或者白色色阻层。
从图6中可以看出，所述黑矩阵的宽度为L1，所述第一刻缝的宽度为L2， 其中，L1≥L2。进一步的，所述黑矩阵的宽度L1≤10μm。其中，比较优选 地，所述黑矩阵的宽度L1与所述第一刻缝的宽度L2满足L2≤L1-2μm。
沿数据线延伸方向上所述黑矩阵的中心线与所述第一刻缝的中心线相重 合。以上仅为本发明实施例的一种实施方式，黑矩阵的中心线与第一刻缝的 中心线也可以不重合。只要满足黑矩阵的宽度大于第一刻缝的宽度即可。
在本发明实施例中，所述阵列基板与所述对向基板之间的对位偏差大于 等于0，且小于等于3μm。黑矩阵下方的第一电极进行整条挖槽去除，第一 电极为公共电极或者像素电极，这样使得黑矩阵下方电场强度减弱，从而使 液晶转动幅度降低，减小斜视穿透率，从而降低因大视角或因挤压等原因结 合局部对位偏差形成的混色色偏；以平面转换型(IPS，In-Plane Switching) 液晶显示器为例，IPS型液晶显示器的穿透率计算方法如下：
T = 1 2 sin 2 ( 2 ψ ) sin 2 ( πΔnd / λ ) ]]>
其中，液晶转动Phi角(Ψ)为45°时，穿透率T最大，0°时穿透率T 最小；小于45°时，Phi角越小，穿透率T越小；因此，斜视方向黑矩阵下 方液晶转动Phi角越小，斜视透过率越小，相邻像素透过的光强度越弱，从而 减少混色。
当黑矩阵的宽度为5.5μm，数据线的宽度为3.8μm，第一刻缝的宽度为 3.8μm，所述第一边17与所述第一侧16之间的距离18为3.4μm时，对第 一电极设置有第一刻缝和没有设置第一刻缝，其他参数均相同的两个液晶显 示器分别进行仿真测试，以相邻两个像素单元为例，未设置第一刻缝的液晶 显示器中左侧的像素单元为样品1，右侧的像素单元为样品2；设置有第一刻 缝的液晶显示器中，左侧的像素单元为样品3，右侧的像素单元为样品4，样 品3和样品4之间设置有第一刻缝；当对位偏差MA为0、-1.5、+1.5时，分 别测试两个液晶显示器相对应的像素单元中液晶分子的转动对光透过量的影 响，进而得出液晶分子的转动对混色色偏的影响，其中Theta角反映液晶在竖 直方向的转动，Phi角反映液晶在水平方向的转动，如果液晶转动幅度较小， 斜视透过率低，进而不易发生挤压色偏。
图8a为本发明实施例提供的对位偏差为0的液晶分子Theta角的仿真测 试结果示意图；图8b为本发明实施例提供的对位偏差为+1.5的液晶分子Theta 角的仿真测试结果示意图；图8c为本发明实施例提供的对位偏差为-1.5的液 晶分子Theta角的仿真测试结果示意图；其中，对位偏差的正负代表对位偏差 的方向，不代表数值大小，图8a、图8b、图8c中纵坐标的数字代表液晶分子 转动的角度，正负代表液晶分子转动的方向；从图8a、图8b、图8c中可以看 出，黑矩阵下方的第一电极设置有第一刻缝与没有设置第一刻缝相比，无论 是否有对位偏差，设置有第一刻缝的显示器中液晶分子的Theta角比未设置第 一刻缝的显示器中液晶分子的Theta角小，光透过量减小。
图9a为本发明实施例提供的对位偏差为0的液晶分子Phi角的仿真测试 结果示意图；图9b为本发明实施例提供的对位偏差为+1.5的液晶分子Phi角 的仿真测试结果示意图；图9c为本发明实施例提供的对位偏差为-1.5的液晶 分子Phi角的仿真测试结果示意图；其中，对位偏差的正负代表对位偏差的方 向，不代表数值大小，在测试的两个显示器中，液晶分子初始的Phi角为83 度，图9a、图9b、图9c中纵坐标表示液晶分子水平方向上偏转的角度大小， 而液晶分子在水平方向上实际偏转的角度为83度减去纵坐标显示的数值。从 图9a、图9b、图9c中可以看出，黑矩阵下方的第一电极设置有第一刻缝与没 有设置第一刻缝相比，无论是否有对位偏差，设置有第一刻缝的显示器中液 晶分子的Phi角比未设置第一刻缝的显示器中液晶分子的Phi角小，即设置有 第一刻缝的显示器中液晶分子在水平方向上实际偏转的角度小于没有设置设 置第一刻缝的显示器中液晶分子在水平方向上实际偏转的角度，故光透过量 减小；综上所述，本发明实施例中，黑矩阵下方的第一电极设置有第一刻缝， 使得黑矩阵下方的电场强度减小，并且液晶分子的转动Phi角和Theta角较大 幅度的减小，透光量减小，进而减少混色色偏现象。
本发明实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的显示面 板。
本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置，通过在黑矩阵下 方的电极进行镂空去除，使得黑矩阵下方电场强度减弱，从而使液晶转动幅 度降低，减小斜视穿透率，能够有效地降低由于显示面板的上下基板对位发 生偏差而形成的混色色偏。
以上对本发明实施例所提供的阵列基板、显示面板及显示装置进行了详 细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以 上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于 本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上 均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。